的內部結構,可以在內部工作原理中引導和直流電,以調節它們并將它們帶到需要的地方。晶體管就是其中之一。8050型晶體管是一種非常特殊的器件,被歸類為負-正-負(NPN)外延放大器晶體管,最常見于無線電
2023-02-16 18:22:30
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說,逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低(正向約10%以下)耐壓低 (7 to 8V 與VEBO一樣低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯時,當需要非常大的電流時,可以將幾個晶體管并聯使用。因為存在VBE擴散現象,有必要在每一個晶體管的發射極上串聯一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性:就三極管,mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關概念有點模糊,請各位大俠指點!!!
2016-06-07 23:27:44
晶體管分類 按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結構
2010-08-12 13:59:33
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關使用晶體管也可以作為電子開關使用。但這個開關的電流方向只能是單向的,pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
(因變量)就是電路實際的變化:導通或截止。就上面這個N型晶體管而言,高電平截止,低電平導通。那么假如此時我們把高電平作為“1”,低電平作為“0”。那么b極輸入1,就會導致電路截止,如果這個電路是控制
2021-01-13 16:23:43
場效應晶體管,英語名稱為Field Effect Transistor,簡稱為場效應管,是一種通過對輸入回路電場效應的控制來控制輸出回路電流的器件。可分為結型和絕緣柵型、增強型和耗盡型、N溝道和P溝道
2016-06-29 18:04:43
1.反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流(也稱反向漏電流或穿透電流),可通過測量晶體管發射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時,將萬用表置于R×1k檔, NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數?有的器件有放大倍數改變的參數。另外,不同的仿真模型參數不同如何改變?
2014-02-28 08:42:03
晶體管測量模塊的基本特性有哪些?晶體管測量模塊的基本功能有哪些?
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯的晶體管電路設計書籍!`
2016-11-08 14:12:33
晶體管應用電路,包括矩形波振蕩器,射極跟隨器,寬帶放大器,電子電位器,OP放大器,帶自舉電路的射極跟隨器,Sallen-Key型低通濾波器,帶隙型穩壓電路,三角波→正弦波變換器,低失真系數振蕩器,移相器,串聯調節器,斬波放大器等。
2018-01-15 12:46:03
晶體管的主要參數有哪些?晶體管的開關電路是怎樣的?
2021-06-07 06:25:09
晶體管的半導體的電流由空穴(正極性)和電子(負極性)產生。一般而言的晶體管是指這種由硅構成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱,是指場效應晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
的電流、電壓和應用進行分類。 下面以“功率元器件”為主題,從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中,將以近年來控制大功率的應用中廣為采用的MOSFET為主來展開。 先來看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
題,從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中,將以近年來控制大功率的應用中廣為采用的MOSFET為主來展開。首先是基礎性的內容,來看一下晶體管的分類與特征。Si晶體管的分類Si晶體管的分類根據
2018-11-28 14:29:28
控制大功率現在的功率晶體管能控制數百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開關有很多優點,主要是;(1)容易關斷,所需要的輔助元器件少,(2)開關迅速,能在很高的頻率下工作,(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
是自來水的閥門,發射極是配管,集電極是水龍頭。用自來水的構造來舉例說明晶體管的作用。把晶體管的3個引腳-基極、集電極和發射極分別視作自來水的閥門、水龍頭和配管。通過微小之力(即基極的輸入信號)來控制
2019-05-05 00:52:40
)用業收集電子。晶體管的發射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關系如下:IE=IB+IC3.晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導體器件,其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大,是指當
2013-08-17 14:24:32
、2SD1431、2SD1553、2SD1541等型號的高反壓大功率開關晶體管。 6.達林頓管的選用達林頓管廣泛應用于音頻功率輸出、開關控制、電源調整、繼電器驅動、高增益放大等電路中。 繼電器驅動電路與高增益
2012-01-28 11:27:38
偏、集電結正偏,就是晶體管的倒置放大應用)。要理解晶體管的飽和,就必須先要理解晶體管的放大原理。從晶體管電路方面來理解放大原理,比較簡單:晶體管的放大能力,就是晶體管的基極電流對集電極電流的控制
2012-02-13 01:14:04
1. 晶體管的結構及類型 晶體管有雙極型和單極型兩種,通常把雙極型晶體管簡稱為晶體管,而單極型晶體管簡稱為場效應管。 晶體管是半導體器件,它由摻雜類型和濃度不同的三個區(發射區、基區和集電區
2021-05-13 06:43:22
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說,逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低(正向約10%以下)耐壓低 (7 to 8V 與VEBO一樣低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
;nbsp; 晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關,基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件,設計用于在0.960-1.215 GHz瞬時帶寬上運行的系統。 當在規定的脈沖條件下且VCC = 50V時以C類模式工作時,該通用基本設備可提供至少
2021-04-01 09:41:49
電壓(與功率MOSFET的低導通電阻相當)和較快的開關特性的晶體管。盡管其具有較快的開關特性,但仍比不上功率MOSFET,這是IGBT的弱點。【功率元器件的基本結構與特點
2019-05-06 05:00:17
電壓(與功率MOSFET的低導通電阻相當)和較快的開關特性的晶體管。盡管其具有較快的開關特性,但仍比不上功率MOSFET,這是IGBT的弱點。【功率元器件的基本結構與特點
2019-03-27 06:20:04
分為增強型和耗盡型,這兩種電子元器件工作原理略有不同,增強型管在柵極(G)加上正向電壓時漏極(D)和源極(S)才能導通,而耗盡型即使柵極(G)沒加正電壓,漏極(D)和源極(S)也是導通的。其實到這場效應晶體管
2019-04-15 12:04:44
向下縮放時失去對漏電流的控制。 答案是利用第三個維度。 MOSFET晶體管從平面單柵極器件演變為多柵極3D單元,以增加電流驅動并減輕短通道效應。 使用3D還可以減少晶體管的面積。占據第三維可以
2023-02-24 15:20:59
求大神相助,Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那,當我設的電壓已經大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導通。
2014-08-08 10:42:58
。晶體管NPN型和PNP型結晶體管工作狀態晶體管的工作原理類似于電子開關。它可以打開和關閉電流。晶體管背后的基本思想是,它允許您通過改變流經第二個通道的較小電流的強度來控制通過一個通道的電流。1)截止
2023-02-15 18:13:01
兩個N型半導體和一個P型半導體組成。通常,NPN晶體管將一塊P型硅(基極)夾在兩塊N型(集電極和發射極)之間。排列如圖1所示。NPN晶體管如何工作?以下是說明NPN晶體管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
型摻雜半導體材料隔開。PNP晶體管中的大多數電流載流子是空穴s,而電子是少數電流載流子。施加到PNP晶體管的所有電源電壓的極性都是反轉的。電流在PNP中吸收到基極,由于PNP是電流控制器件,適度的基極
2023-02-03 09:44:48
PNP雙極型晶體管的設計
2012-08-20 08:29:56
眾所周知,像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導體單元因短路或負載失配等原因損壞時繼續工作。因此,將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
)= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替,MFR151管子能用哪個來代替?或是誰有這兩個高頻管子的原件庫?求大神指教
2016-10-26 11:51:18
路,包括矩形波振蕩器,射極跟隨器,寬帶放大器,電子電位器,OP放大器,帶自舉電路的射極跟隨器,Sallen-Key型低通濾波器,帶隙型穩壓電路,三角波→正弦波變換器,低失真系數振蕩器,移相器,串聯調節器,斬波放大器等。 點擊鏈接進入舊版 :晶體管電路設計與制作
2020-08-19 18:24:17
管和雙管電路,主要目的是理解晶體管的基本工作機制。第二部分介紹各種晶體管應用電路,包括矩形波振蕩器,射極跟隨器,寬帶放大器,電子電位器,OP放大器,帶自舉電路的射極跟隨器,Sallen-Key型
2021-01-05 22:38:36
何為晶體管?晶體管又稱雙極結型晶體管 (BJT),是由電流驅動的半導體器件,用于控制電流的流動,其中,基極引線中的較小電流控制集電極和發射極之間較大的電流。它們能用于放大弱信號,用作振蕩器或開關
2018-06-29 16:45:19
管的UGS一ID曲線,可明白看出IDSS和UP的意義。(3)開啟電壓開啟電壓UT是指加強型絕緣柵場效應晶體管中,使漏源間剛導通時的柵極電壓。(4)跨導跨導gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制
2019-04-04 10:59:27
行業真正的“領頭羊”?一、三極管定義:三極管,全稱應為半導體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導體器件其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號, 也用作無觸點開關。三極管
2019-04-08 13:46:25
??所謂晶體管是指用硅和鍺材料做成的半導體元器件,研制人員在為這種器件命名時,想到它的電阻變換特性,于是取名為trans-resister(轉換電阻),后來縮寫為transistor,中文譯名就是
2019-12-16 13:33:31
類型。
雙極結型晶體管(BJT)
雙極結型晶體管是由基極、集電極和發射極 3 個區域組成的晶體管。雙極結型晶體管(與 FET 晶體管不同)是電流控制器件。進入晶體管基極區的小電流會導致從發射極流向集電極
2023-08-02 12:26:53
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
端工作,因此很容易實現電子控制或電氣同步。光電晶體管中使用的材料通常是GaAs,主要分為雙極光電晶體管、場效應光電晶體管及其相關器件。雙極光電晶體管通常具有高增益,但不會太快。對于
2023-02-03 09:36:05
顯示器和透明太陽能電池板產品的出現。 在許多透明電子系統中,晶體管都是至關重要的部件。如今,這種器件通常是薄膜晶體管形式,由In2O3、ZnO2、SnO2等透明導電氧化物材料制成。 不過,薄膜晶體管
2020-11-27 16:30:52
的主要電荷載流子。因此,NPN型晶體管的響應時間比PNP型晶體管快。因此,NPN型晶體管是高頻相關器件中最常用的,并且它們比PNP型晶體管制造簡單,使它們成為兩種類型中更常用的。PNP 晶體管PNP
2023-02-03 09:50:59
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
。達林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應用包括音頻放大器輸出級、功率調節器、電機控制器和顯示驅動器。 達林頓晶體管也被稱為達林頓對,由貝爾實驗室的西德尼達林頓于 1953 年發明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
電場控制材料的電導率。 鰭式場效應晶體管是一種非平面器件,即不受單個平面的限制。它也被稱為3D,因為具有第三維度。 為避免混淆,必須了解不同的文獻在提及鰭式場效應晶體管器件時使用不同的標簽
2023-02-24 15:25:29
本文將重點討論使用雙極性結型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩定電流源。穩定電流源(BJT)目標本實驗旨在研究如何利用零增益概念來產生穩定(對輸入電流電平的變化較不敏感)的輸出電流。材料
2021-11-01 09:53:18
PNP晶體管在哪里使用?放大電路采用PNP晶體管。達林頓對電路采用PNP晶體管。機器人應用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應用中的電流。如何控制PNP晶體管?首先,為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
單極型晶體管也稱場效應管,簡稱FET(FieldEffectTransistor)。它是一種電壓控制型器件,由輸入電壓產生的電場效應來控制輸出電流的大小。它工作時只有一種載流子(多數載流子)參與
2020-06-24 16:00:16
請教:單結晶體管在什么位置,有人說是UJT,但好象用不了呀?
2013-09-26 16:55:49
各位高手,小弟正在學習單結晶體管,按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真,大多數都不成功,請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊,可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態下,基極-發射極結(稱這個PN結為“發射結”)處于正向偏置狀態,而基極-集電極(稱這個PN結為“集電結”)則處于反向偏置狀態。
2019-09-26 09:00:23
放大,似于多路比較器的輸出,NPN型晶體管多發射極分別接到比較器的輸出端,集電極共用一路上拉電阻連接至電源,如果多路比較器有一路導通,則該多發射極晶體管集電極輸出導通拉低,電平為低電平。
不知是否是我理解的這樣?
2024-01-21 13:47:56
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 編輯
場效應晶體管是一種改變電場來控制固體材料導電能力的有源器件,屬于電壓控制性半導體器件,具有輸入電阻高,噪聲小,功耗低,沒有
2012-08-03 21:44:34
場效應晶體管容易制造,場效應晶體管比雙極性晶體管要晚造出,但場效應晶體管的概念卻比雙極性晶體管早。場效應晶體管特點(1)場效應管是電壓控制器件,它通過VGS來控制ID;(2)場效應管的輸入端電流極小
2019-05-08 09:26:37
僅是由多數載流子參與導電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件,具有輸入電阻高(108~109Ω)、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點,現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
2021-05-24 06:27:18
載流子導電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數載流子,也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。(3)有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管好。(4)場效應管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。(2)場效應管是利用多數載流子導電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數載流子,也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。(3)有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管
2017-05-06 15:56:51
)場效應管是利用多數載流子導電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數載流子,也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。(3)有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管
2009-04-25 15:43:51
)場效應管是利用多數載流子導電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數載流子,也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。(4)場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上,因此場效應管
2018-11-05 17:16:04
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:00 編輯
場效應管是一種放大器件元件,而晶體管是場效應管元件它是通過改變輸入電壓來控制輸出電流的,它是電壓控制器件,它不吸收信號源電流
2012-07-11 11:36:52
和集電極之間具有無限電阻,當它完全打開時,發射極和集電極之間的電阻為0,導致電流流到最大。 實際上,當晶體管在截止時(即完全關閉時)運行時,我們將有少量漏電流。另一方面,當在飽和區域工作時,該器件具有低
2023-02-20 16:35:09
1. 場效應晶體管開關電路學習過模擬電路的人都知道三極管是流控流器件,也就是由基極電流控制集電極與發射極之間的電流;而場效應晶體管是電壓控流器件,也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間電流
2019-03-29 12:02:16
本應用指南介紹了一種采用后向設計的基本驅動電路,它從輸出晶體管器件開始再返回到水平振蕩器,便于加速晶體管的水平輸出級。
2014-09-22 17:14:04
IGBT是由哪些部分組成的?絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點?如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢?
2021-11-02 06:01:06
什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
來至網友的提問:如何選擇分立晶體管?
2023-11-24 08:16:54
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻,它們在型號上的大致區別是什么?例如《晶體管電路設計》中列舉的:高頻(2SA****,2SC*****)、低頻(2SB****,2SD****)。現在產品設計中最常用的型號是哪些?
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大,通過什么手段能解決?
2021-06-24 07:29:25
。②開關動作圖2晶體管的動作有增幅作用和開關作用。在增幅作用中,通過注入基極電流IB,能夠通過增幅hFE倍的集電極IC。在活性領域中,通過輸入信號持續控制集電極電流,可以得到輸出電流。在開關作用中,在
2019-04-09 21:49:36
選定方法①使TR達到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻:R1是±30% E-B間的電阻:R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數字晶體管具有下面的關系式。■數字晶體管
2019-04-22 05:39:52
晶體管的半導體的電流由空穴(正極性)和電子(負極性)產生。一般而言的晶體管是指這種由硅構成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱,是指場效應晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
100GHz以上。 電子管是利用靜電場對電子流的控制來工作的,是電壓控制元件,與MOS場效應管的工作原理有些相似。所以輸入阻抗極高,輸入信號只要電壓,不需要電流。晶體管是利用半導體器件內雜質濃度的差異
2016-01-26 16:52:08
特性,我們將首先從GaN器件驅動電路設計開始介紹。 正確設計驅動電路 諸如英飛凌科技 CoolGaN?600 V HEMT之類的GaN晶體管采用了柵極p型摻雜工藝,這會將器件的柵極閾值電壓轉換
2021-01-19 16:48:15
柵雙極晶體管(IGBT)實現此類拓撲。本文中,我們將重點介紹直接驅動GaN晶體管的優點,包括更低的開關損耗、更佳的壓擺率控制和改進的器件保護。
2020-10-27 06:43:42
2000一5000(α=0.995-0.9998)。 是以P型襯底作為集電極,因此只有集成元器件之間采用PN結隔離槽的集成電路才能制作這種結構的管子。由于這種結構管子的載流子是沿著晶體管斷面的垂直
2019-04-30 06:00:00
絕緣柵雙極型晶體管檢測方法
2009-12-10 17:18:39
見證者,肖克萊在這本筆記上鄭重地簽了名。1948年,肖克萊發明了“結型晶體管 ”。1948年7月1日,美國《紐約時報》只用了8個句子的篇幅,簡短地公開了貝爾實驗室發明晶體管的消息。“一石激起千層浪”,它就像顆重磅***,在全世界電子行業“引爆”出強烈的沖擊波。電子計算機終于就要大步跨進第二代的門檻!
2012-08-02 23:55:11
組合的結果是,“ IGBT 晶體管”具有雙極性晶體管晶體管的輸出開關和導通特性,但像 MOSFET 一樣是電壓控制的。Igbt 主要應用于電力電子應用領域,如逆變器、變換器和電源等,但功率雙極器件和功率
2022-04-29 10:55:25
來至網友的提問:如何選擇分立晶體管?
2018-12-12 09:07:55
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 編輯
請問各大大有無 Multisim 14 基本晶體管模型數據庫以外,更多更多晶體管模型數據庫 ,(例如日本型號 2SAxxx 2SCxxx 晶體管模型數據庫) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
。還是回到這篇文章的主題,晶體管的使用心得。由于本人所從事行業的限制,基本沒有機會像《晶體管電路設計》書中那樣深入的使用晶體管來搭建電路,而更多的是使用晶體管來實現功率負載的控制,還有配合運放或者其它
2016-06-03 18:29:59
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
時,RC阻尼電路能夠一直晶體管集電極和發射極間出現的浪涌電壓。 3、充放電型RCD阻尼電路 圖三 圖三適用于帶有較窄反向偏置安全工作區的器件浪涌電壓一致。當晶體管關斷時,電容C通過二極管被充電
2020-11-26 17:26:39
本文首先闡述了晶體管的概念,其次介紹了晶體管的優越性,最后闡述了晶體管的控制方式。
2020-03-14 09:47:1211819
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