德州儀器 (TI) 宣布推出業界最小型 1.8 A 有刷 DC 電機驅動器，進一步壯大其不斷發展的低電壓 DRV8x 電機驅動器產品陣營。
2012-08-20 09:07:49
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日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅動器，其速度比同等光學柵極驅動器快40%。
2012-10-11 14:04:331610 日前，德州儀器（TI）宣布推出一款集成式柵極驅動器，該器件提供了可調節的柵極驅動設置，可在更為寬泛的范圍內，靈活的驅動外部場效應晶體管（FET），從而支持多種電機，以
2015-07-06 14:35:111971 近日，德州儀器 （TI） 推出了業內速度最快的半橋柵極驅動器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的柵極驅動器的工作電壓可達到600V。
2015-10-16 16:32:111115 英飛凌提供500多種EiceDRIVER?柵極驅動器解決方案，用于驅動MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔離型柵極驅動器、 電平轉換柵極驅動器以及非隔離低邊驅動器，從而滿足各種功率半導體技術和功率轉換拓撲的設計要求。
2019-01-29 09:58:3227184 
雖然數字邏輯電路在太陽能收集設計中提供關鍵的監控和控制功能，但功率晶體管為電力輸送提供了基礎。在這些數字和電源域之間，柵極驅動器提供關鍵接口功能，在太陽能解決方案中驅動高功率MOSFET和IGBT
2019-01-23 08:23:004168 
德州儀器（TI）推出了適用于48 V大功率電機控制系統的0級無刷直流（BLDC）電機驅動器，例如輕度混合動力電動汽車（MHEV）中的牽引逆變器和起動發電機。TI提供的電機驅動器可實現功能安全性
2021-03-10 14:36:0710356 
運行。排水泵驅動基于帶集成式功率 MOSFET 的單芯片、低外部組件計數三相電機驅動器，并可提供專有無傳感器式控制方案，從而實現連續正弦波驅動。此外，它還特有一個集成降壓/線性穩壓器，可高效地將電源電壓
2018-09-25 09:08:58
隔離門驅動器在許多系統中的電力傳輸扮演著重要角色。對此，世強代理的高性能模擬與混合信號IC廠商Silicon Labs推出可支持高達5KV隔離額定電壓值的ISO driver隔離驅動IC Si823x。有誰知道這款業界最佳單芯片隔離驅動器解決方案到底有多厲害嗎？
2019-08-02 06:37:15
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
為何需要柵極驅動器柵極驅動器的關鍵參數
2020-12-25 06:15:08
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
負電壓柵極驅動器中的負電壓處理是指承受輸入和輸出端負電壓的能力。這些不必要的電壓可能是由于開關轉換、泄漏或布局不良引起的。柵極驅動器的負電壓承受能力對于穩健可靠的解決方案至關重要。圖1顯示了TI柵極
2019-04-15 06:20:07
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
問題是，即使RMS電流約為200mA，MOSFET芯片也會明顯升溫。要驅動的電機是24V 90W BLDC電機，相電阻為0.15歐姆，相間電感為200uH。我選擇的MOSFET及其柵極驅動器
2018-08-23 10:09:59
AN1315，用于三相電機驅動的L6386 MOSFET功率驅動器評估板。 L6386，用于三相電機驅動的MOSFET功率驅動器。三相演示板是用于評估和設計高壓柵極驅動器L6386的參考套件。用戶
2019-07-03 09:22:07
描述 PMP9455 參考設計為 800VA 至 3kVA iPure 正弦波低頻逆變器提供了高度集成的柵極驅動器解決方案。該設計具有獨特的高峰值電流驅動能力，同時集成了具有外部可編程增益和濾波
2018-11-30 15:52:43
描述 PMP9455 參考設計為 800VA 至 3kVA iPure 正弦波低頻逆變器提供了高度集成的柵極驅動器解決方案。該設計具有獨特的高峰值電流驅動能力，同時集成了具有外部可編程增益和濾波
2022-09-22 06:37:42
接近MOSFET）之間的外部電阻可用于控制柵極處看到的轉換速率，從而控制SA和SB輸出的di/dt和dv/dt。GHx高功率運轉會打開驅動器的上半部分，向外部電機驅動橋中高側MOSFET的柵極提供電流，并將
2020-09-29 16:51:51
就像每個MOSFET需要一個柵極驅動器來切換它，每個電機后面總是有一個驅動力。根據復雜程度和系統成本、尺寸和性能要求，驅動電機的方式多樣。最簡單和離散的解決方案是由兩個晶體管組成的圖騰柱/推挽電路
2017-08-21 14:33:56
設計電動工具系統設計的下一個考慮因素是驅動器的魯棒性。它將如何執行在惡劣的環境與大瞬變產生的高扭矩電機？當驅動器開關用于控制峰值功率為30千瓦的電機的 mosfet 時，必然會產生大的正負瞬態脈沖。系統設計者
2022-04-14 14:43:07
的解決方案方案描述此 TIDA-00142 參考設計針對額定功率最高約 3kW 的三相無刷直流電機，實現一套完整的控制與驅動解決方案。此設計包括用于旋轉 BLDC 電機的模擬電路、數字處理器和軟件，無需
2019-10-17 15:12:26
的電機解決方案的通用解決方案。有關更多詳細信息，請參見TI柵極驅動器頁。若您喜歡集成度更高的解決方案，那么系統級解決方案不僅提供柵極驅動能力，而且還具有MOSFET、片上通信以及不同級別的保護和控制
2019-03-08 06:45:03
隔離電源轉換器詳解柵極驅動器解決方案選項最優隔離柵極驅動器解決方案
2021-03-08 07:53:35
FAN73912MX是一款單片半橋柵極驅動 IC，設計用于高壓、高速驅動 MOSFET 和 IGBT，工作電壓高達 +1200 V。 HIN 的先進輸入濾波器針對噪聲產生的短脈沖輸入信號提供保護功能
2021-12-20 09:19:25
柵極驅動器IRS260xD系列提供了一種靈活的解決方案，適用于梯形調制等各種PWM方案。新器件具備負電壓尖峰免疫性等完整保護功能，可應用于緊湊、堅固的電機控制設計。” IRS2607D高側和低側
2008-11-13 20:40:15
概述：IRS26302DJBPF美國國家半導體公司生產的一款高速功率MOSFET和IGBT驅動器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅動器與三個高側及三個低側參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
用于Si8751隔離式MOSFET驅動器的Si8751-EVB，Si875x評估套件是驅動各種應用中使用的功率開關的理想選擇，與普通SSR相比，具有更長的使用壽命和更高的可靠性。 Si8751隔離式
2020-06-08 12:07:42
MOSFET晶體管必須在較高的柵極電壓下工作，考慮到后者必須具有快速的dV / dt才能實現快速的開關時間。為了滿足下一代MOSFET的嚴格要求，RECOM推出了各種轉換器，專門為SiC MOSFET驅動器
2019-07-30 15:15:17
應用中使用的功率IGBT和MOSFET。 輸出級的高工作電壓范圍提供了柵極控制設備所需的驅動電壓。 該光電耦合器提供的電壓和電流使其非常適合直接驅動額定功率高達800 V / 50 A的IGBT。對于
2019-10-30 15:23:17
）。微控制器用于設置 PWM 占空比并負責開環控制。在低壓設計中，柵極驅動器和 MOSFET 橋有時會集成在一個單元中。然而，對于高功率單元，為方便熱管理，柵極驅動器和 MOSFET 橋會分開布置，這樣可以針對
2019-08-13 07:00:00
，PHASE/EN●過溫關斷電路●短路保護●過流保護●欠壓鎖定保護AT8212E為攝像機、智能鎖、玩具和其它低電壓或者電池供電的運動控制類應用提供了一個集成的電機驅動器解決方案。A...
2021-09-02 08:17:21
`描述此參考設計展示了適用于采用 C2000? Piccolo? 微控制器和 DRV8412 三相電機驅動器的旋轉三相有刷直流或單個步進電機的電機控制解決方案。這一高度集成的穩健電機控制和驅動器
2015-04-29 13:41:05
描述TIDA-00195 參考設計包括一個 22kW 功率級以及 TI 全新的增強型隔離式 IGBT 柵極驅動器 ISO5852S（適用于各種應用中的電機控制）。此設計可對三相逆變器（其中整合了額定
2018-12-27 11:41:40
，使用雙極結型晶體管(BJT)圖騰柱驅動低側配置中的電源開關。但是，由于柵極驅動器IC的諸多優勢及其附加特性，它日益取代了這些分立式解決方案。圖2顯示了典型BJT圖騰柱配置與典型柵極驅動器IC。 圖 2
2022-11-04 06:40:48
。與基于電容的數字隔離技術相比，這種光耦合器價格昂貴且使用壽命較短。總結無論您正在隔離功率級中的柵極驅動器、隔離電壓或電流反饋，還是隔離控制模塊中的數字輸入，TI 的基于電容的隔離技術都徹底革新了交流電機驅動器的使用壽命和溫度要求，且在許多情況下，此種技術提供了比光耦合器更緊湊的解決方案。
2019-10-17 08:53:40
什么是MOSFET驅動器？MOSFET驅動器功耗包括哪些部分？如何計算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
解決方案相比，極小的功率級布局。該設計還包括兩個TI的DRV5013-Q1數字鎖存霍爾效應傳感器，用于對電機位置進行編碼。使用TI的一款固態電機驅動器設計電機控制系統將有助于減小PCB解決方案的尺寸
2019-08-22 04:45:11
、效率低下、解決方案尺寸較大，因而不適合高功率、高密度同步整流應用。圖1. 脈沖變壓器、光耦合器和ADuM3220柵極驅動器解決方案光耦合器與脈沖變壓器相比，使用光耦合器作為柵極驅動器來執行同步整流
2018-10-15 09:46:28
了德州儀器（TI）的基于電容的隔離技術和傳統的隔離技術，包括隔離柵極驅動器在功率級、隔離電壓、電流反饋或控制模塊中隔離式數字輸入。 什么是交流電機驅動系統？交流電機驅動是一種使用交流電輸入的感應電動機，如圖
2019-12-25 16:48:37
電流反饋，還是隔離控制模塊中的數字輸入，TI 的基于電容的隔離技術都徹底革新了交流電機驅動器的使用壽命和溫度要求，且在許多情況下，此種技術提供了比光耦合器更緊湊的解決方案。
2019-11-05 07:00:00
還可以安裝Arduino UNO R3連接器。該擴展板上使用的IC驅動器是用于N溝道功率MOSFET的L6398單芯片半橋柵極驅動器。 L6398柵極驅動器和STL220N6F7功率MOSFET組合形成BLDC電機的高電流功率平臺，基于STM32 Nucleo板的數字部分提供6步或FOC算法控制解決方案
2020-05-20 08:53:36
在開啟時提供此功能。實驗驗證表明，在高負載范圍和低開關速度（《5V/ns）下，SiC-MOSFET或IGBT的電流源驅動與傳統方法相比，導通損耗降低了26%。在電機驅動器等應用中，dv/dt 通常限制為 5V/ns，電流源驅動器可提高效率并提供有前途的解決方案。
2023-02-21 16:36:47
IGBT 或 SiC MOSFET。具有可調消隱時間的過流保護。先進的主動箝位保護欠壓和過壓鎖定保護。兩個 1 安培脈沖變壓器驅動器，用于故障信號通信。IX6611設計用于為高功率開關器件提供柵極驅動
2023-02-27 09:52:17
您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅動器，但我們遇到了設備故障和損壞高側 MOSFET 柵極驅動器的問題。首先，是否有任何關于正確設置柵極驅動器輸出的應用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
電機是許多電器的主要組成部分之一，而控制電機運轉的電機驅動器則是電機的靈魂所在。本文將為您介紹由安森美半導體新推出電機驅動器模組方案，并了解其如何搭配Arduino MICRO一起運作，來簡化電機驅動設計方案。
2019-07-18 08:45:44
驅動器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔離式半橋驅動器的功能是驅動上橋臂和下橋臂N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極，通過低輸出阻抗降低導通損耗，同時通過快速開關時間降低開關損耗。上橋臂
2018-10-16 16:00:23
CSD88599Q5DC采用與TI低電壓功率塊相同的堆疊管芯技術，用于高頻電源應用，但采用優化的硅片，以減少大電流電機驅動應用的傳導損耗。除最小化在PCB上并排兩個FET帶來的寄生電感外，縱向集成兩個FET可在同一
2017-08-21 14:21:03
： 步進電機前置驅動器：DRV8711EVM 評估板基于 DRV8711 步進電機控制器，與 NexFET 器件搭配，可驅動一個大電流雙極步進電機或兩個有刷 DC 電機； 電機驅動
2018-11-29 17:13:53
的整體效率不再是50%，但脈沖變壓器本身仍然存在至少50%的效率損失。綜上所述，脈沖變壓器在柵極驅動器應用中具有如下缺點：占空比限制、效率低下、解決方案尺寸較大，因而不適合高功率、高密度同步整流應用。圖
2017-04-05 14:05:25
位功能，可用于各種開關拓撲控制碳化硅（SiC）或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。STGAP2SCM配備一個有源米勒鉗位專用引腳，為設計人員防止半橋配置晶體管意外導通提供一個簡便的解決方案。在
2018-08-06 14:37:25
根據 MOSFET 特征精確調整柵極驅動器并對性能進行優化。不過，這種方法也存在缺點，它需要高水平的電機設計經驗以及容納分立解決方案所需的空間。 模塊化電機控制解決方案提供了另一種選擇，市場上
2019-09-23 08:30:00
的 MOSFET（圖 2）。微控制器用于設置 PWM 占空比并負責開環控制。在低壓設計中，柵極驅動器和 MOSFET 橋有時會集成在一個單元中。然而，對于高功率單元，為方便熱管理，柵極驅動器
2019-10-31 08:00:00
將減小元件尺寸，從而減小成本、系統尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化，其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化，其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
減小元件尺寸，從而減小成本、系統尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化，其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
芯片驅動器從MTD6501開始用于BLDC電機控制的MOSFET柵極驅動器從MCP8024開始Microchip屢獲殊榮的8位PIC?MCU是用于簡單梯形感測或無傳感器控制的絕佳解決方案用于BLDC電機
2018-08-04 11:39:53
最近在逛PIC官網的時候，查找相關應用手冊的時候挖到的一篇文章。根據電機控制應用需求選擇合適的MOSFET 驅動器.pdf (589.89 KB )
2019-05-30 22:17:43
柵極驅動器解決方案TI提供專為電動座椅設計的多電機汽車柵極驅動器。DRV8714-Q1和DRV8718-Q1的半橋柵極驅動器分別具有四個通道和八個通道。它們集成了電荷泵、電流檢測放大器和可用于多個負載
2022-11-03 07:05:16
和 –4V 輸出電壓以及 1W(...)主要特色用于在半橋配置中驅動 SiC MOSFET 的緊湊型雙通道柵極驅動器解決方案4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅動能力，適用于驅動 SiC
2018-10-16 17:15:55
柵極驅動器，能夠驅動 N 型功率 MOSFET 和 IGBT。 FD2606S 內置 VCC 和 VB 欠壓（UVLO）保護功能，防止功率管在過低的電壓下工作。 FD2606S 邏輯輸入兼容 TTL 和 CMOS（低至 3.3V），方便與控制設備接口。該驅動器輸出具有最小驅動器跨導的高脈沖電流緩沖設計。
2021-09-14 07:29:33
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子今日宣布，推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM，用于驅動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率
2023-02-15 11:19:05
，與典型的繼電器解決方案相比，可創建非常小的功率級布局。該設計還包括兩個TI的DRV5013-Q1鎖存型霍爾傳感器，用于對電機位置進行編碼。 使用TI的固態電機驅動器設計電機控制系統將有助于減小PCB
2020-06-26 07:00:00
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅動器參考設計為驅動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁（電動汽車充電站）應用的功率級提供了藍圖。此設計基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對
2018-11-01 11:35:35
，可提供完全經濟高效的柵極驅動解決方案（圖1）。該器件具有2.5A軌到軌輸出，非常適合驅動工業電源逆變器和電機驅動器中的IGBT和功率MOSFET。最終結果是易于使用，緊湊且經濟實惠的IGBT柵極驅動光電
2018-08-18 12:05:14
越來越多地使用。而PWM的使用需要采用半導體方案，例如分立式MOSFET結合MOSFET柵極驅動器。在此類應用中，通常高邊和低邊開關均采用N-溝道MOSFET，見圖 2。圖 2：用于雙向電機控制的分立式
2018-12-07 10:11:19
www.ti.com/gatedrivers開始設計您的高效系統。 其他信息TI Designs參考設計庫中展示了高效率系統中的高速柵極驅動器：“隔離GaN驅動器參考設計”。“用于電信的1 kW三路隔離DC
2019-03-08 06:45:10
Toshiba推出低功率柵極驅動光耦合器
Toshiba推出了一系列的超低功耗光耦合隔離器，設計用來驅動需要輸出電流高達±6.0A的IGBT和功率MOSFET。新的驅動器IC光耦合器TLP358系
2010-01-20 08:37:03696 TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅動器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備集成型功率 MOSFET、保護模塊以及監控特性的數字雙路同步降壓功率驅動器，
2010-02-23 09:26:57670 德州儀器(TI)宣布推出用于配合高密度電源轉換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場效應晶體管 (FET) 使用的低側柵極驅動器。
2012-02-11 09:59:081435 
德州儀器 (TI) 宣布推出首批具有業界領先速度及驅動電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側柵極驅動器
2012-04-24 09:56:411411 
10 月 1 日 – 凌力爾特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器 LTC4440A-5，該器件能以高達 80V
2013-10-09 15:41:271040 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅動器及六款高/低側600V柵極驅動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 恩智浦半導體于2017年3月9日宣布推出全球最小的單芯片SoC解決方案 ——MC9S08SUx微控制器（MCU）系列，該超高壓解決方案集成了18V至5V 低壓差線性穩壓器（LDO）和MOSFET前置驅動器，適合無人機、機器人、電動工具、健康保健以及其他低端無刷直流電機控制 （BLDC）應用。
2017-03-17 14:37:57987 本文介紹了完整的TI電機驅動解決方案和用于電機控制的微控制器。
2017-11-20 16:46:14
36 緊湊的18伏BLDC電機參考設計演示了DRV8323柵極驅動器和CSD88584Q5DC電源模塊如何驅動11 W/cm3的功率，使工程師能夠設計出尺寸更小、重量更輕的電動工具、集成電機模塊和無人機等。
2019-08-21 14:22:021789 本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動光耦合器 IC 的柵極驅動器功率和熱耗散的主題。柵極驅動光耦合器用于驅動、導通和關斷、功率半導體開關、MOSFET/IGBT。柵極驅動功率計算可分為三部分；驅動器內部電路
2021-06-14 03:51:003144 
摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820 ROHM不僅提供電機驅動器IC，還提供適用于電機驅動的非隔離型柵極驅動器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅動器，再介紹ROHM超級結MOSFET
2021-08-09 14:30:512409 TRINAMIC運動控制有限公司宣布推出最新的電池驅動解決方案電機驅動器IC。帶有集成功率MOSFET和電荷泵的微型三相電機驅動器IC非常適用于BLDC和PMSM電機，它們僅需一個鋰離子電池或雙節AA電池即可提供高達2A峰值和2V(1.8V)…11V DC的電壓。
2022-04-29 09:07:28619 器設置 PWM 占空比并負責反饋或開環控制。在低壓項目中，柵極驅動器和 MOSFET 通常集成為一個單元。但是，對于大功率單元，兩個單元是分開的，以便于熱管理并最大限度地減少電磁干擾。 發動機控制系統中的柵極驅動器主要設計用于提高外部功率
2022-08-01 18:20:00932 STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅動器旨在調節碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝，可節省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:011356 
完整的發動機控制系統包括電源、主機微控制器、柵極驅動器和半橋拓撲結構的 MOSFET。微控制器設置 PWM 占空比并負責反饋??或開環控制。在低電壓項目中，柵極驅動器和 MOSFET 通常集成到一個單元中。然而，對于大功率單元，兩個單元是分開的，以方便熱管理和最小化電磁干擾。
2022-08-09 09:13:233098 
本文介紹了在電機驅動應用中為功率級選擇隔離式柵極驅動器時，您有多種選擇。柵極驅動器可簡單可復雜，具有集成米勒箝位、分離輸出或絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 發射極的欠壓 （UVLO） 鎖定參考等功能。
2022-11-30 09:58:211105 
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制器件，用作電源電路和電機驅動器等系統中的開關元件。柵極是每個設備的電氣隔離控制端子。 MOSFET的其他端子是源極和漏極，對于IGBT，它們被稱為集電極
2023-01-30 17:17:121152 
柵極驅動參考 1.PWM直接驅動2.雙極Totem-Pole驅動器3.MOSFET Totem-Pole驅動器4.速度增強電路5.dv/dt保護 1.PWM直接驅動 在電源應用中，驅動主開關
2023-02-23 15:59:0017 功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其他系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:391006 
柵極驅動器是一個用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電柵極驅動器的原理及應用分析用中，微控制器輸出通常不適合用于驅動功率較大的晶體管。
2023-05-17 10:14:526261 
功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其他系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
為了操作 MOSFET，通常須將一個電壓施加于柵極（相對于源極或發射極）。使用專用驅動器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅動電流。
2023-05-17 10:21:391475 在電機驅動系統中，柵極驅動器或“預驅動器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用，以提供驅動電機所需的大電流。在選擇驅動器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關無源元件時，有很多需要考量的設計因素。如果對這個過程了解不透徹，將導致實現方式的差強人意。
2023-08-02 18:18:34809 
BLDC電機控制解決方案 ，該方案由高度集成的三相智能柵極驅動器實現，可直接驅動三個N溝道MOSFET電橋，而內部的降壓-升壓功能還可進一步減少器件數量，從而提供系統電源。 系統框圖 此次給大家帶來的方案由6個具有低導通電阻的
2023-10-12 18:15:01303 
意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:36580 
在一個封裝中集成了dsPIC33數字信號控制器（DSC）、一個三相MOSFET柵極驅動器和可選LIN或CANFD收發器。這種集成的一個顯著優勢是減少電機控制系統設
2024-03-08 08:22:30117 
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