鋰電池應用領域電池主要應用在消費類產品、數碼類產品、動力產品、醫療和安防等。鋰電池保護板 MOS管選型以下為30V、40V、60V、80V、100V MOS管選型表,電流、內阻覆蓋密集,重點發展領域
2020-10-09 14:25:10
MIC4414YFT EV,MIC4414評估板是一款低側MOSFET驅動器,設計用于在低側開關應用中切換N溝道增強型MOSFET。 MIC4414是一款非反相驅動器。該驅動器具有短延遲和高峰值電流
2020-04-16 10:14:10
`深圳市三佛科技有限公司 供應 50N06 50A/60V TO-252 MOS管 HN50N06DA,原裝,庫存現貨熱銷HN50N06DA參數:60V 50A TO-252 N溝道 MOS管
2021-03-30 14:13:25
`惠海半導體供應50N06 60V 50ATO-252 N溝道 MOS管HC012N06LS,原裝,庫存現貨熱銷品牌:惠海型號:HC080N06LSVDS:60V IDS:50A封裝:TO-252
2020-11-11 17:30:28
`深圳市三佛科技有限公司 供應 50N06 60V/50A 馬達驅動MOS管 TO-252 HN50N06 ,原裝,庫存現貨熱銷HN50N06DA參數:60V 50A TO-252 N溝道 MOS管
2020-07-31 14:38:46
DRV8303是一種用于三相電機驅動應用的門驅動器IC。它提供三個半橋驅動器,每一個都能驅動兩個N溝道mosfet。它支持高達1.7A電源和2.3A峰值電流能力。DRV8303可以在6-V到60-V的大范圍單電源
2020-09-14 17:31:17
驅動器?一般低壓側開關應用說明DRV8803提供了一個帶過電流保護的4通道低壓側驅動器。它有內置二極管來鉗制感應負載產生的關斷瞬態,可以用來驅動單極步進電機、直流電機、繼電器、螺線管或其他負載。在
2020-09-15 17:20:36
5L: 60V 3A SOT23 N溝道 MOS管HG02N0305N03L: 60V 50A TO-252 N溝道 MOS管 100V MOS N溝道HG02N035N03L: 100V 5A SOT-23 N
2021-03-13 09:34:36
型號:HC080N06LS【06N06】絲印:HC606參數:60V 6A 類型:N溝道場效應管 溝槽型內阻72mR低結電容435pF 封裝:SOT23-3低開啟電壓1.8V廣泛用于車燈照明、車載
2021-03-08 16:42:08
RT8560 1MHz,20mA滿量程電流PWM到模擬調光控制的典型應用。 RT8560是一款60V 4通道LED驅動器,每個通道可提供30mA電流,15個LED(每個二極管3.6V)共60個LED,帶一個驅動器
2019-10-17 08:45:05
通過將VCC1連接到LCD驅動器電源AVDD,RT8560寬范圍VIN應用的典型應用。 RT8560是一款60V 4通道LED驅動器,每個通道可提供30mA電流,15個LED(每個二極管3.6V)共60個LED,帶一個驅動器
2019-10-17 08:44:22
、 高壓降壓型DC-DC 轉換器,固定 150KHz 開關頻率,可提供最高0.6A輸出電流能力,低紋波,出色的線性調整率與負載調整率。PW2906 內置固定頻率振蕩器與頻率補償電路,簡化了電路設計
2020-11-18 10:00:48
產品概述:ZCC2459是一款內部集成有功率MOSFET管的降壓型開關穩壓器。以電流模式控制方式達到快速環路響應并提高環路的穩定性。寬范圍輸入電壓(4.5 V至60V)提供0.5A電流的高效率輸出
2019-10-24 09:26:59
80V/550mΩ高側和一個80V/350mΩ低側MOSFET,可在4.5V至60V的寬輸入電壓范圍內提供600mA的連續負載電流。 峰值電流模式控制可提供快速的瞬態響應和逐周期的電流限制。產品特性
2022-08-18 15:21:12
10 17N10 30V 60V 100V 150V SGT工藝高性能MOS管 低內阻 低開啟 低結電容東莞市惠海半導體有限公司專業從事DC-DC中低壓MOS管市場,專注中低壓MOS管的設計、研發、生產與銷售
2020-09-24 16:34:09
60V耐壓-50N06TO-252 60V50AN溝道汽車燈電源MOS管【惠海半導體直銷】品牌:惠海半導體型HC012N06L2VDS:60V IDS:50ARDS(on)Max:14mΩ封裝
2020-12-02 15:59:03
惠海半導體供應50N06 60V 50ATO-252 N溝道 MOS管HC012N06L,原裝,庫存現貨熱銷品牌:惠海型號:HC012N06LVDS:60V IDS:50A封裝:TO-252溝道:N
2020-11-30 14:31:14
60V耐壓mos管50N06_低成本_原廠直銷_種類齊全型號:HC15N10 N溝道場效應管 100V15A(15N10)TO-252封裝,內阻68mR,可用于加濕器、車燈電源等
2020-12-01 16:18:08
、 高壓降壓型 DC-DC 轉換器,固定150KHz 開關頻率,可提供最高 0.6A輸出電流能力,低紋波,出色的線性調整率與負載調整率。輸入電壓范圍12V-90V。輸出 5V 時最大 0.6A 輸出電流
2020-11-18 10:53:17
MOSFET的區別N 溝道和 P 溝道 MOSFET 之間的主要區別在于,N 溝道通常連接到負載(被供電的器件)的接地 (-) 側,而 P 溝道連接到 VCC (+)側。為什么你必須將一個與消極聯系起來
2023-02-02 16:26:45
180度。 高端驅動器 高端驅動器設計用于驅動浮動低RDS(ON)N溝道MOSFET驅動電源和下沉柵極電流的最大輸出電阻為5Ω。低輸出電阻允許驅動器在3nF負載下有20ns的上升和下降時間。高壓側
2020-07-21 15:49:18
的非常寬的結溫和存儲溫度范圍.特征:?溝槽型Power MV MOSFET技術-60V?低RDS(ON)?低 GATE CHARGE?針對快速切換應用程序進行優化?VDS:-60V?ID (at VGS
2019-03-13 10:54:35
`AP15N10 N溝道100V(D-S)MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V(D-S)MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-09 09:09:18
`AP15N10 N溝道100V(D-S)MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-12 09:12:51
`AP15N10 N溝道100V(D-S)MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
BSS123 - 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
ETA7008是一個低側過電壓保護(OVP)芯片,其僅有34mΩ開關阻抗。它使用了一個低側保護拓撲架構,確保了非常低的導通阻抗和高壓保護能力。ETA7008內部電路由一個電壓比較器,一個開關驅動器
2019-12-04 20:02:49
MOS柵極驅動能力及最高600V工作電壓下,可提供200mA/300mA的驅動電流。它有三個互相獨立的高邊和低邊輸出通路以及全保護功能。此外還有一個用于PFC 或 Brake IGBT驅動的低邊驅動器
2021-05-18 07:25:34
獨立高側和低側參考輸出通道。該輸出驅動器有一個高脈沖電流緩沖級,適用于最小的驅動器跨導,同時浮動通道可以用來驅動工作在高達600V高側配置的N溝道功率MOSFET或 IGBT。這些器件可為兩種通道提供
2008-11-13 20:40:15
到低壓側的柵極MOSFET(LGATE)。轉換器的輸出電壓為然后受到低邊MOSFET閾值的限制為微處理器提供一些保護,如果在初始啟動期間,MOSFET短路。這些驅動器還具有一個三態PWM輸入
2020-09-30 16:47:03
KF2030是一個低側過電壓保護(OVP)芯片,其僅有34mΩ開關阻抗。它使用了一個低側保護拓撲架構,確保了非常低的導通阻抗和高壓保護能力。內部電路由一個電壓比較器,一個開關驅動器和一個34mΩ的N
2020-06-06 11:31:16
程序為SO-8和DFN10 3x3包裝電氣特性表5。電氣特性(VCC=12 V±15%,TJ=0°C至70°C,除非另有規定)設備說明和操作L6743、L6743Q為高壓側和低壓側提供大電流驅動控制N溝道
2020-09-22 16:32:27
保持運行,并且可以承受60V電源瞬變。LM9061可用于8針小外形表面安裝封裝。 特征 內置電荷泵,用于高壓側柵極過驅動 驅動器應用程序 功率MOSFET的無損保護 可編程MOSFET保護
2020-07-14 14:53:05
LT1160的典型應用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器。 LT 1160 / LT1162是經濟高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器
2019-05-14 09:23:01
頻率進行調節或在 200kHz 至 700kHz 的范圍內實施同步。在降壓或升壓操作中,無需上管 MOSFET 刷新開關周期。憑借 60V 輸入、60V 輸出能力以及工作區之間的無縫轉換
2018-11-29 17:10:36
和卓越的電壓調節。 據了解,Linear的LT3840集成的降壓-升壓型穩壓器可產生7.5V MOSFET柵極驅動,以保持在2.5V至60V輸入電壓范圍內提供高效率柵極驅動,抵御高壓瞬態并在汽車冷車
2018-09-27 15:19:03
達到60V,HN04P06產品質量穩定廣泛運用于小家電,LED燈,電源,玩具,霧化器等。售后服務:公司免費提供樣品,并提供產品運用的技術支持。阿里店鋪:阿里 “供應商 ”搜索 ,深圳市三佛科技有限公司,咨詢客服購買。【***賴,0755-85279055】`
2020-11-06 15:30:13
場效應管,HN04P06實際電壓可以達到60V,HN04P06產品質量穩定廣泛運用于小家電,LED燈,電源,玩具,霧化器等售后服務:公司免費提供樣品,并提供產品運用的技術支持。阿里店鋪:阿里 “供應商
2020-10-28 16:05:32
本帖最后由 Sillumin驅動 于 2021-11-23 14:05 編輯
NCP5106是一款高壓柵極驅動IC,提供兩個輸出,用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET或IGBT,使用自舉技術
2021-11-23 13:57:47
NCP5181BAL36WEVB,NCP5181,36 W鎮流器評估板。 NCP5181是一款高壓功率MOSFET驅動器,提供兩路輸出,用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET,這些功率MOSFET
2019-10-12 10:29:07
MOSFET最常用作輸入電壓低于15VDC的降壓穩壓器中的高側開關。根據應用的不同,N溝道MOSFET也可用作降壓穩壓器高側開關。這些應用需要自舉電路或其它形式的高側驅動器。圖1:具有電平移位器的高側驅動
2018-03-03 13:58:23
PL88101產品介紹:PL88101是一款支持高達60V輸入電壓,最大可支持1.2A持續輸出電流的單晶片降壓轉換器。PL88101集成80v耐壓/550 mΩ的高側MOSFET及 80V耐壓
2022-10-28 17:03:44
`深圳市聚能芯半導體有限公司是一家集芯片代理、芯片生產、技術服務為一體的綜合性電子元器件公司。供應中低壓MOS管,替代AO系列。 可提供技術支持,DEMO測試及設計方案?【100V MOS管 N溝道
2020-06-05 10:20:57
及方案解決,提供原裝正品芯片、提供技術支持、提供優先貨源,保障客戶利益,為客戶提供全方面服務。我司還提供MOS管,支持樣品測試供應【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V
2020-07-27 17:15:08
:DC/DC升壓轉換器IC、降壓轉換器IC、恒流IC、恒壓IC及同步整流型轉換器、LDO穩壓IC、鋰電保護IC、充電管理IC、移動電源IC/復位IC、背光驅動芯片/MOS管供應【100V MOS管 N
2020-06-06 11:08:41
型號:SLD80N06T電壓:60V 電流:80A封裝:TO-252種類:絕緣柵(MOSFET)SLD80N06T原裝,SLD80N06T庫存現貨熱銷售后服務:公司免費提供樣品,并提供產品運用的技術支持
2021-04-07 15:06:41
02TVDS:60AIDS :20V封裝:TO-252溝道:N溝道SLD60N02T 原裝,SLD60N02T庫存現貨熱銷售后服務:公司免費提供樣品,并提供產品運用的技術支持。阿里店鋪:阿里 “供應商 ”搜索
2020-10-22 15:48:45
技術制造的單通道高壓側驅動器,并采用PowerSSO-36封裝。它旨在通過3V和5VCMOS兼容接口驅動12V汽車接地負載,從而提供保護和診斷功能。 VN7000AY集成了高級保護功能,例如負載電流
2020-06-30 16:58:08
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
特征充分增強N溝道功率mosfet8μA IQ待機電流電流為85μA IQ無外部電荷泵電容器4.5V至18V電源范圍短路保護通過PTC熱敏電阻進行熱關機狀態輸出指示停機提供8針SOIC應用筆
2020-09-08 17:28:16
(60 VDC,80V瞬態)短路負載(接地和電源)說明保護LMD18400是一個完全受保護的四邊形高壓側。它包含四個公共漏極DMOS N-VCC>35V時的過電壓關機通道電源開關,每個都能將a?LS TTL/CMOS兼容邏輯輸入和連續1安培負載(>3安培瞬態)切換到輸出公共正電源。開關完全
2020-09-14 17:34:44
`描述KF2030是一個低側過電壓保護(OVP)芯片,其僅有34mΩ開關阻抗。它使用了一個低側保護拓撲架構,確保了非常低的導通阻抗和高壓保護能力。KF2030內部電路由一個電壓比較器,一個開關驅動器
2017-08-25 12:02:32
LTC1163的典型應用 - 三路1.8V至6V高側MOSFET驅動器。 LTC1163 / LTC1165三路低壓MOSFET驅動器可通過低至1.8V電源的廉價低RDS(ON)N通道開關切換電源或接地參考負載
2020-04-17 10:09:17
什么是MOSFET驅動器?MOSFET驅動器功耗包括哪些部分?如何計算MOSFET的功耗?
2021-04-12 06:53:00
10)TO-252封裝, 內阻68mR,可用于加濕器、車燈電源等型號:HC012N06LN溝道場效應管60V50A(50N06 )TO-252封裝, 內阻12mR,汽車燈電源、電機驅動、控制器等
2020-09-23 11:38:52
10)TO-252封裝, 內阻68mR,可用于加濕器、車燈電源等型號:HC012N06LN溝道場效應管60V50A(50N06 )TO-252封裝, 內阻12mR,汽車燈電源、電機驅動、控制器等
2020-10-14 15:18:58
溝道 MOS管60V 50A TO-252 N溝道 MOS管【100V MOS N溝道 】 100V 5A SOT-23 N溝道 MOS管100V 8A SOT-89 N溝道MOS管100V 3A
2020-11-02 16:02:10
kHz至600kHz范圍的固定頻率。就噪聲敏感應用而言,該器件可以同步至同樣范圍的一個外部時鐘。其強大的內置MOSFET柵極驅動器為一個外部P溝道MOSFET供電,以實現高于90%的轉換效率。此外
2021-04-19 07:25:08
到低壓側的柵極MOSFET(LGATE)。轉換器的輸出電壓為然后受到低邊MOSFET閾值的限制為微處理器提供一些保護,如果在初始啟動期間,MOSFET短路。這些驅動器還具有一個三態PWM輸入
2020-09-29 17:38:58
LT1336的典型應用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅動器。浮動驅動器可以驅動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達60V(絕對最大值)的高壓(HV)軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
。另外,LTC4365 還針對負 VIN連接提供了保護作用, 即使在 VOUT 由一個單獨的電源驅動時也是如此。只要不超過外部 MOSFET 的擊穿電壓 (60V),那么 VIN 上的極性反接就不會
2018-10-29 16:59:59
溝道MOSFET也可用作降壓穩壓器高側開關。這些應用需要自舉電路或其它形式的高側驅動器。圖1:具有電平移位器的高側驅動IC。圖2:用自舉電路對高側N溝道MOSFET進行柵控。極性決定了MOSFET的圖形
2021-04-09 09:20:10
封裝內集成了3個獨立芯片: P溝道MOSFET(高側)、N溝道MOSFET(低側)和采用半橋配置的驅動器IC(圖2)。這些模塊采用創新的芯片堆疊和芯片相鄰封裝技術,適用于空調風扇、安全帶系統和燃油泵等
2018-12-07 10:14:08
的無調節電源和3到5.5伏的邏輯電源。四個柵極驅動器能夠驅動廣泛的N通道功率mosfet,并配置為兩個高端驅動器和兩個低端驅動器。A4940提供了所有必要的電路,以確保高壓側和低壓側外部mosfet的柵極
2020-09-29 16:51:51
——如50 v 級的 a4919和100 v 級的 a89500——提供了直接嵌入電路的負面瞬態保護。如下圖5所示,是一個圖表。相位連接暫態魯棒性和 Allegro 和其他供應商門驅動器的最大電源電壓
2022-04-14 14:43:07
。KF2030內部電路由一個電壓比較器,一個開關驅動器和一個 34mΩ的 N 溝道 MOSFET 組成。特點:過電壓保護高達 36V 34mΩ 開關阻抗 可預設的保護電壓點 可預設的反應速度應用:平板電腦 智慧型手機 行車記錄儀 移動電源引腳封裝:
2018-10-25 18:05:09
產品概述:ZCC2459是一款內部集成有功率MOSFET管的降壓型開關穩壓器。以電流模式控制方式達到快速環路響應并提高環路的穩定性。寬范圍輸入電壓(4.5 V至60V)提供0.5A電流的高效率輸出
2020-12-17 14:47:30
40V,60V MOSFET可大幅簡化熱管理,從而節省成本。 一個典型的服務器電源的輸出電壓為12V,在100%輸出負載下,功率為600W至2400W,業界的標準做法是二次側采用同步整流器(即
2018-12-06 09:46:29
的一些功能也使其適用于給電池和超級電容器充電。LT3761 的4.5V至60V的輸入電壓范圍使該器件適用于多種應用,包括汽車、工業和建筑照明。LT3761 采用一個外部 N 溝道 MOSFET,可用一個
2012-12-12 17:01:33
DC2307A,演示電路2307A是一款采用LT1910ES8的高輸入電壓保護高側MOSFET驅動器。該演示板具有8V至48V的寬輸入電壓范圍,能夠保護電壓源免受短路影響。 LT1910具有50mV
2019-06-27 08:17:32
? 逐周期過流保護
? 4.5V 至 60V 寬輸入工作電壓范圍
? 輸出調節范圍為 0.81V 至 0.9xVIN
典型應用
? 功率表
? 配電系統
? 電池充電器
? 用于線性穩壓器的前置穩壓器
? WLED 驅動器
典型原理圖
2024-02-20 15:46:27
小信號應用60V功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業界最小的60V功率MOSFET,比SC-70和SC-90等封裝能節約更多
2009-12-31 09:59:441423 高壓MOSFET驅動器電路的LTC1154被用作電荷泵,從而來驅動一個高壓側功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:004947 ,簡稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側 N 溝道 MOSFET 驅動器 LTC7001,該器件以高達 150V 電源電壓運行。
2017-07-07 15:00:372012 ,簡稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側 N 溝道 MOSFET 驅動器 LTC7004,該器件用高達 60V 的電源電壓運行
2017-09-11 09:36:582795 高壓MOSFET驅動器電路的LTC1154被用作電荷泵,從而來驅動一個高壓側功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅動器電路:
2017-10-19 16:02:3723 LTC7000 是一款快速、受保護的高壓側 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器,該器件包含一個內部充電泵,因而允許外部 N 溝道 MOSFET 無限期地保持導通。LTC7000 接收一個低電壓數字
2018-06-06 13:45:003638 欠壓鎖定、電荷泵故障、MOSFET 過流、MOSFET 短路、柵極驅動器故障和過熱情況提供內部保護功能。故障狀況及故障詳情可通過 SPI 器件型號的器件寄存器顯示在 nFAULT 引腳上。 https
2018-09-11 17:18:45367 150V 快速高壓側受保護的 N 溝道 MOSFET 驅動器提供 100% 占空比能力
2021-03-19 04:35:129 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅動器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內工作
2021-03-19 06:51:081 快速 150V 高壓側 N 溝道 MOSFET 驅動器 提供 100% 占空比能力
2021-03-20 11:56:482 Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V (D-S) MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術。
2021-04-21 17:50:211275 LTC4444:高壓同步N溝道MOSFET驅動器數據表
2021-04-27 09:13:316 LTC4444-5:高壓同步N溝道MOSFET驅動器數據表
2021-05-11 17:18:146 LTC3864:60V低智商降壓DC/DC控制器,具有100%占空比能力數據表
2021-05-15 14:42:002 NP50P06D6(60V P溝道增強模式MOSFET)
2022-07-13 10:49:341560 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002H
2023-02-15 18:44:250 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y33-60P
2023-02-17 18:44:050 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PSMP033-60YE
2023-02-17 18:46:150 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMV100EPA
2023-02-20 19:03:300 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMN100EPA
2023-02-20 19:03:400 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y61-60P
2023-02-20 19:13:270 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D210-60E
2023-02-20 19:57:030 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D125-60E
2023-02-20 19:57:430 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D77-60E
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2023-02-20 20:04:170 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D120-60P
2023-02-22 18:53:020 60V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV230ENEA
2023-03-03 19:34:480 LTC7001 是一款快速、高壓側 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器,選用高達 135V 的輸入電壓作業。該器材包括一個擔任全面增強外部 N 溝道 MOSFET 開關的內部充電泵,因此使其可以無限期地堅持導通。
2023-03-23 09:46:45515
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