專有外延技術轉移到Propel? 單晶圓MOCVD系統，從而在現有的硅生產線上實現生產micro-LED。
2018-02-26 10:24:10
9432 當前的鐵電隧道結都是基于兩類鐵電材料，鈣鈦礦型鐵電體（如BaTiO3和PbZr0.2Ti0.8O3）和氧化物型鐵電體（如HfO2和Hf0.5Zr0.5O2）。這兩類鐵電材料用于鐵電隧道結各有優缺點
2020-08-19 17:55:034826 Micro LED顯示面板包含PCB板、LED芯片、封裝膠膜、驅動IC等，Micro LED COB顯示屏的光學性能關鍵指標：亮度、對比度、色域、灰階、刷新率、可視角等。本文通過研究COB單元板光學性能的設計影響因素，為COB單元板的光學性能設計提供參考。
2023-11-13 11:06:34804 
substrates (FGS)），提升了紅光氮化鎵 (InGaN)Micro LED器件的效率和陣列均勻性。研究人員聲稱，這是首個蝕刻定義臺面尺寸小于5μm的InGaN紅光Micro LED。
2024-02-04 00:07:004559 LED路燈35萬盞（不包含LED隧道燈），其中“十城萬盞”21個城市共安裝LED路燈16萬盞。高工LED預計，2011年中國LED路燈安裝量將超過50萬盞。 基于高工LED團隊對產業的及時深入調研
2011-01-19 11:29:12
普通的高亮度 (HB) LED 僅將約 45% 的應用能量轉換給可見光子，其余的則產生熱量。 如果產生的這些熱量不能從 LED 充分散去，將會導致過熱，并可能造成災難性故障。 即使不出現災難性故障，LED 結溫升高也會造成光輸出下降、顏色發生變化和/或預期壽命顯著縮短。
2019-08-12 07:57:16
的結溫是影響各項性能指標的主要因素，也是嚴重影響LED光衰和使用壽命的關鍵因素，這些參數對普通照明而言都是極其重要的照明質量評價指標，這已經在照明業界達成共識。把LED燈條密閉在充有混合氣體的玻璃球泡
2018-03-19 09:14:39
還是工程技術上的應用，高調制帶寬的微納米器件都依然面臨著極大的機遇與挑戰。隨著電子器件制備工藝的提高，高帶寬micro LED與LD的性能與可靠性也會越來越好，有望在可見光通信、光纖通信與水下通信等領域
2023-05-17 15:01:55
制備方法對Ba2FeMoO6雙鈣鈦礦磁性能的影響采用濕化學法和固相反應制備了Ba2FeMoO6雙鈣鈦礦化合物，對比研究了制備方法對其磁性能尤其是磁卡效應的影響。實驗結果表明，濕化學法準備的樣品具有
2009-05-26 00:22:45
高性能led路燈驅動設計方案管理員，請把我的貼發了吧，我等著積分，下載些救命的資料！謝謝！
2010-07-14 16:13:57
有哪些新型可用于基帶處理的高性能DSP？性能參數如何？
2018-06-24 05:20:19
什么是高性能Sub-GHz無線芯片？高性能Sub-GHz無線芯片有哪些應用？
2021-05-28 06:40:13
為什么要開發一款高性能衛星應用手持終端？高性能衛星應用手持終端有什么優勢？
2021-05-17 07:18:51
高性能計算機的發展史高性能計算機的內容高性能計算機的應用高性能計算機的現狀高性能計算機的應用領域高性能計算機的未來展望
2019-09-10 10:42:36
異質結通常采用外延生長法。根據pn結的材料、摻雜分布、幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以制造多種功能的晶體二極管。如利用pn結單向導電性可以制作整流二極管、檢波二極管和開關二極管；利用擊穿特性
2016-11-29 14:52:38
現在的電池技術還是存在許多的弊端，比如說待機時間短、成本過高等問題。近日，蘇州大學物理與光電能源學部晏成林教授科研團隊利用廉價冶金硅和廢棄的豆渣制備出高性能新型電池，可用于各類可穿戴設備上。讓
2016-01-12 16:23:38
產品重要性的同時，不約而同地表示要將精力集中在高性能模擬產品上。那么，在眾說紛紜“高性能”的情況下，什么產品才是高性能模擬產品？面對集成度越來越高的半導體行業，高性能模擬產品是否生存不易？中國市場對高性能模擬產品的接受程度如何？
2019-06-20 06:22:00
我想了解關于LED關于外延片生長的結構，謝謝
2013-12-11 12:50:27
通用設備制備出具有適合共晶焊接電極結構的出光面積的LED芯片和相應的陶瓷底板，并在陶瓷底板上制做出共晶焊接導電層及引出電層。之后利用共晶焊接設備將大尺寸LED芯片與陶瓷底板焊接在一起。這樣的結構考垃了出光
2013-06-10 23:11:54
通過FPGA來構建一個低成本、高性能、開放架構的數據平面引擎可以為網絡安全設備提供性能提高的動力。隨著互聯網技術的飛速發展，性能成為制約網絡處理的一大瓶頸問題。FPGA作為一種高速可編程器件，為網絡安全流量處理提供了一條低成本、高性能的解決之道。
2019-08-12 08:13:53
是什么推動著高精度模擬芯片設計？如何利用專用晶圓加工工藝實現高性能模擬IC？
2021-04-07 06:38:35
使嵌入式 STT MRAM 磁隧道結陣列的加工成為可能
2021-02-01 06:55:12
利用差動放大器實現低損失、高性能全波整流器的電路是什么樣的？
2019-08-02 07:00:51
如何設計高性能的SDI信號鏈？對PCB布板和電源設計有哪些建議？TI在SDI領域的具體方案是什么？
2021-05-24 06:48:22
安捷倫科技公司 (Agilent Technologies) 日前宣布，推出橢圓形輻射模式的穹形4 mm (T-1) 和5 mm (T-1 3/4)雙孔直插超高亮度InGaN (氮化銦鎵) LED
2018-08-28 16:02:10
高頻開關電源變壓器用功率鐵氧體的制備技術
2019-04-15 09:58:37
PCB設計團隊的組建建議是什么高性能PCB設計的硬件必備基礎高性能PCB設計面臨的挑戰和工程實現
2021-04-26 06:06:45
新型聚丙烯酸酯的制備與非線性光學性能設計合成了一種含偶氮苯和取代苯乙炔基長共軛生色團的丙烯酸酯，并采用溶液聚合法合成了功能化的聚丙烯酸酯，利用FTIR、NMR等對化合物的結構進行了表征，證實
2009-05-26 00:24:16
激光器的增益區為GaAs量子阱，采用折射率低的AlGaAs作為光腔限制層。因為GaAs和AlGaAs的晶格常數幾乎一致，且制備條件相似，所以激光器的增益區和光腔的質量很高，激光器的性能也很好
2020-11-27 16:32:53
本文提出一種優化的高性能高可靠性的嵌入式大屏幕LED顯示系統，只需要用1片FPGA和2片SRAM就可以實現大屏幕LED顯示的驅動和內容更換，可以說其性能已經大有改善。本設計可以應對多種大屏幕顯示的場合。
2021-06-04 06:02:01
怎么設計一種高性能數據采集系統？影響工業數據采集系統DAS的主要噪聲和干擾源有哪些？如何利用接地和屏蔽措施保持信號完整性？PCB布線通用規則有哪些？
2021-04-21 06:48:07
怎樣利用可編程邏輯來實現高性能的罪犯抓捕系統？
2021-04-28 06:39:25
AB5型貯氫合金是目前國內外MH/Ni電池生產中使用最為廣泛的負極材料，而貯氫合金的電化學性能是由合金的成分、微觀結構和表面狀態決定的。本文綜述了ABs型貯氫合金制備工藝-熔煉、熱處理以及制粉工藝
2011-03-11 11:57:08
一層的外延生長得到N+溝槽和直接開溝槽。前者工藝相對的容易控制，但工藝的程序多，成本高；后者成本低，但不容易保證溝槽內性能的一致性。超結型結構的工作原理1、關斷狀態從圖4中可以看到，垂直導電N+區夾在
2018-10-17 16:43:26
的InGaN芯片制造方法在藍寶石襯底上生長出PN結后將藍寶石襯底切除再連接上傳統的四元材料，制造出上下電極結構的大尺寸藍光LED驅動芯片。 5AlGaInN/碳化硅(SiC)背面出光法： 美國
2018-08-31 20:15:12
了影響散熱器性能的因素。熱量如何產生并影響 LED當在 LED 的 P-N 結適當施加足夠的電壓時，電流會流經該結，同時產生光和熱。 但是，普通的高亮度 (HB) LED 僅將約 45% 的應用能量
2017-04-10 14:03:41
LED隧道照明技術分析
全球節能減排的帶動，LED作為要求24小時運作的隧道燈便成為不二之選。加上半導體照明技術正在日益進步，目前市場上已經量產的１W大功
2010-04-02 16:12:01
65 LED 外延片--襯底材料襯底材料是半導體照明產業技術發展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長技術、芯片加工技術和器件封裝技術，襯底材料決定了半導體照明技
2010-12-21 16:39:290 本推薦性技術規范的全部技術內容為推薦性。制定本推薦性技術規范的目的是指導LED 隧道燈的設計、生產和使用，規范和引導LED 隧道照明技術的應用與發展。本推薦性技術規范
2010-12-23 17:17:0953 高性能鋰離子電池正極材料制備技術
以鈷為原料，采用液相合成和高溫固相合成相結合的集成工藝，攻克了制備高性能鋰離子電池正極材
2009-11-20 14:00:44619 LED外延片代工廠走勢分析
延續2009年第2季半導體產業景氣自谷底彈升，包括臺積電、聯電、特許半導體(Chartered)及中芯等前4大外延片代工廠，2009年第3季合計營收達43。3
2009-11-27 11:02:14721 LED隧道燈在隧道照明工程中重點技術指標的分析
隧道應用新型光源的節能研究受到了業界關注，其中LED隧道燈的節能研究已經有重大進展。因為根據明視覺與中間視覺
2010-03-09 09:32:341593 
深圳聯創中標上海世博會隧道LED燈專案
據悉，深圳聯創開發的新一代大功率LED隧道燈，成為上海世博會曹安隧道燈具。同時
2010-04-13 09:24:51433 低成本、高性能LED驅動器的應用
隨著LED在各種應用中的使用率越來越高，其中包括手持設備、
2010-04-20 15:39:16524 
DESCRIPTION The VLHW4100 is a clear, untinted 3 mm LED for high end applications where supreme
2011-03-29 10:05:5324 利用外延片焊接技術,把Si(111)襯底上生長的GaN藍光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結構GaN藍光LED.與外延材料未轉移的同側結構相比,轉移
2011-04-14 13:29:3429 本內容介紹了LED外延片基礎知識，LED外延片--襯底材料，評價襯底材料必須綜合考慮的因素
2012-01-06 15:29:542743 該文通過分析LED光源的特點、隧道照明的特點及對光源的要求, 總結了LED 光源在隧道照明中的優勢和機遇, 指出了當前LED光源仍面臨價格和散熱兩方面的挑戰。從而為LED光源在隧道照明
2012-01-09 14:29:4935 LED外延生長及芯片制造過程將直接影響終端LED產品的性能與質量，是LED生產過程中最為核心的環節，其技術發展水平直接決定了下游應用的滲透程度及覆蓋范圍。
2012-03-23 08:38:131256 氮化鎵（GaN）的混合物和氮化銦（酒店）形成的氮化銦鎵（InGaN）已成為制造LED的比較流行的技術之一，特別是藍色和綠色。雖然技術的歷史可以追溯到上世紀90年代，大功率InGaN技術更近。
2017-06-13 14:25:368 基本方法 很多LED新人很多時候區別不到LED投光燈與LED隧道燈的不同，其實最基本的分類方法有兩個 1.按安裝的場所 2.按配光圖的不同 當然，從種類上來說，隧道燈是屬于投光燈的一種，都主要
2017-09-25 10:06:503 團隊將工業多晶銅箔轉化成了單晶銅箔，得到了世界上目前最大尺寸的單晶Cu（111）箔，利用外延生長技術和超快生長技術成功在20分鐘內制備出世界最大尺寸（5×50 cm2）的外延單晶石墨烯材料。
2017-11-23 15:22:333620 從傳統封裝LED，到“小間距”、“Micro LED”、“Mini LED”，泛濫的技術名詞讓顯示市場一片混沌，許多人才弄明白Micro LED沒多久，Mini LED一來又混亂了，這到底是新的技術路線，還是新的商業策略？是自成一格的次世代技術，還是通往Micro LED的過渡技術？
2018-05-19 11:53:002247 富士康已從原股東可成科技（Catcher Technology）手中收購了LED外延片和芯片制造商Epileds Technologies（光鋐）公司7.32%的股權。業內人士指出，這僅僅是富士康
2018-06-12 11:46:005845 光學超材料是一種人造材料，因其特殊納米結構而具備不尋常的光學性能。近20年來，研究人員已設計了多種超材料基器件，但其特性無法改變?；诖耍芯咳藛T首先制備出由半導體納米顆粒陣列組成的砷化鎵薄膜，之后
2018-06-27 08:13:001273 廈門大學與臺灣新竹交通大學的科研團隊近期合作開發了一種基于顯微成像系統的Micro-LED表面亮度檢測系統，可以快速測量Micro-LED陣列在工作時任意位置的絕對亮度值。
2018-10-05 08:46:003695 韓國研究財團10月14日宣布稱，高麗大學Kim Taegeun教授帶領的研究團隊通過金屬離子的電化學摻雜方式，開發出可提升Micro LED的光電效率的高效率透明電極。
2018-10-18 15:45:304080 Veeco Instruments Inc. 與 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一階段的合作成果，致力于為Micro LED生產應用提供業內領先的硅基氮化鎵外延片產品技術。
2018-11-13 17:02:593480 雖然，在蘋果和三星兩大巨頭的力捧之下——蘋果Apple watch上采用Micro LED面板、三星推Micro LED家用電視，Micro LED成為當紅炸子雞，但由于其技術難度和高昂成本，我們
2019-03-23 09:29:544566 三安光電透露，擬投資120億元，在湖北省建設Mini/Micro LED 外延與芯片項目。
2019-04-30 08:46:593423 近幾年，“LED”一詞熱得燙手，國內LED技術與市場發展迅速，取得了外延片、芯片核心技術的突破性進展。那么，關于LED外延片、芯片，你了解多少呢？
2019-11-25 14:06:4918633 日前，英國Micro LED公司Plessey發布新聞稿稱，宣布開發出世界上首個硅基InGaN紅光LED。
2019-12-07 10:15:091581 LED外延片其實是襯底材料作用的，也就是說在使用一些照明產業當中，這種材料被廣泛的運用于芯片加工。導體外延片的存在是與發光產業相連接的，也就是說在進行LED外延片的選擇方上，要與外形的晶體相符合，另外也與其他的客觀因素有著相當大的關系，最主要的是與穩定性和導熱性有著密切聯系。
2020-07-17 16:29:595090 據報道，德國硅基氮化鎵專家ALLOS Semiconductors宣布與沙特阿卜都拉國王科技大學（KAUST）研究團隊達成合作，雙方將共同研發高效硅基InGaN紅色Micro LED。
2020-07-22 14:51:48576 繼三星、索尼、TCL、利亞德（300296）等推出Micro LED電視后，LG近日在其國外的官網也上架了一款Micro LED電視，有消息稱或在8月下旬發售。
2020-08-03 11:27:53411 國星半導體是專業從事高端LED外延芯片的研發、制造、銷售的公司，產品涵蓋高性能RGB顯示芯片、UV芯片、倒裝大功率芯片、Mini/Micro芯片等。
2020-08-11 16:35:062121 日前，LED外延片和芯片制造商晶元光電（Epistar）總裁Lee bing －jye透露，智能手表將是Micro LED的第一個主要應用，從現在起3－4年時間內Micro LED可能會大量應用在智能手表上。
2020-08-12 16:42:24924 ，國內外不斷傳來紅光問題的解決方案，雖然這些解決方案還未能開始量產應用，但無疑已經為未來重新定義可能性提供了選擇。 近日，外媒有消息稱，從劍橋大學分拆的公司Porotech宣布推出基于其獨特GaN生產技術的首款產品，也是全球首款商業化的用于Micro LED應用的原生紅光LED外延
2020-12-02 11:29:303169 今年2月22日，由劍橋大橋分拆出來的Micro LED微顯示技術企業Porotech宣布獲得2000萬美元（約合人民幣1.27億元）的A輪融資，資金擬用于加速推動公司全球擴張計劃及InGaN基Micro LED產品的大規模生產。
2022-06-24 12:48:111546 
本文聊一下GaN芯片的制備工藝。
GaN-般都是用外延技術制備出來。GaN的外延工藝大家可以看看中村修二的書。
2022-10-19 11:53:401460 MICLEDI認為，其Micro LED全彩顯示器制造方法具有獨特的優勢，可滿足AR眼鏡最高性能標準。目前，相較用于戶外的AR眼鏡，用于室內或較暗場景的AR 眼鏡對顯示性能要求較低，可降低顯示光效的設置。
2022-11-14 16:04:24614 光電探測器在圖像傳感、環境監測、通信等領域引起廣泛關注。近年來，量子點作為一種光電性能優異的半導體納米材料，被廣泛應用于光電探測器。PbSe量子點具有優異的吸光性能，被用于制備高性能的光電探測器。
2022-11-21 10:10:352224 近日，中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發中心研究員朱慧瓏團隊利用研發的垂直晶體管新工藝，制備出高性能的單晶溝道3D NOR閃存器件。該器件上下疊置的晶體管既具單晶硅溝道的高性能優勢，又具三維一體集成的制造成本低的優點。
2022-11-22 15:01:14546 氮化鎵外延片生長工藝較為復雜，多采用兩步生長法，需經過高溫烘烤、緩沖層生長、重結晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應力而產生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:004345 Micro LED的英文全名是Micro Light Emitting Diode，中文稱作微發光二極體，也可以寫作μLED
2023-02-06 10:28:4325390 氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測處理等步驟。
2023-02-20 15:50:3210570 2020年，晶能光電推出8英寸硅襯底InGaN紅光外延技術，目前仍在持續研發以提升InGaN紅光光效；2021年9月，晶能光電成功制備像素點間距為25微米、像素密度為1000PPI的硅襯底InGaN紅、綠、藍三基色Micro LED陣列。目前，像素點間距這一重要技術指標已縮至8微米。
2023-02-21 10:53:16750 作為國家虛擬現實創新中心入局者，晶能光電利用自主創新的硅襯底GaN基LED技術，承擔硅襯底Micro LED的關鍵共性技術開發。
2023-02-21 11:00:20245 對于Micro LED而言，一張4寸外延的片內波長差小于2nm才勉強滿足使用要求，除此之外Micro LED對更高光效的外延也提出了要求；如何通過對外延結構以及生長方法和工藝進行一系列優化從而降低外延缺陷密度，增加電子和空穴的傳輸等等；
2023-02-27 11:04:41836 Micro LED英文全名為“Micro Light Emitting Diode”，在中文中被稱作微發光二極體，也可以寫作μLED。
2023-03-01 14:08:221574 從保障外延片品質入手，提升Micro LED生產效率，降低生產成本外，應用更大尺寸的外延片也是Micro LED成本考量的關鍵。傳統的LED行業普遍在4英寸，而Micro LED的生產工藝會擴大到6乃至8英寸，更大的襯底尺寸可以更好控制Micro LED的成本。
2023-05-10 09:50:04543 的可靠性。 據專利文件介紹，微型發光二極管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)芯片通常包括基板、外延結構、第一電極和第二電極，外延結構層疊于基板的表面，第一電極和第二電極位于外延結構上遠離基板的表面，且分別與外延結構中的p型層和n型層相連。
2023-06-16 14:24:43407 Mojo Vision日前發布了一款14K ppi的紅色Micro LED顯示器，從而向克服高性能全彩Micro-LED顯示器挑戰的重要一步。
2023-07-03 10:12:23120 碳化硅功率器件與傳統硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導通型單晶襯底上額外生長高質量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-15 14:43:341002 
近日，晶能光電發布12英寸硅襯底InGaN基紅、綠、藍全系列三基色Micro LED外延技術成果。
2023-09-01 14:07:44738 思坦科技的高性能micro led微顯示技術產業發展，2018年設立時開始致力于宣傳飛行員生產線進行了技術驗證和優化工程中，micro led光電芯片和驅動芯片的自主設計和高精結合，草色單曲芯片等核心工藝技術精通。
2023-09-22 10:37:50525 碲鎘汞材料具有截止波長在紅外波段內可調節、光學吸收系數高、量子效率高等特點，是重要的紅外探測器應用材料之一。近年來分子束外延生長碲鎘汞技術的快速發展，使用分子束外延制備高性能、多色紅外焦平面
2023-09-26 09:18:14284 
新一代超薄AlGaInP外延技術和與之匹配的芯片鈍化技術是紅光Micro LED亮度提升的關鍵。據悉，JBD紅光的像素尺寸為4um，而發光的LED尺寸＜2um，這也對發光效率提出了更為苛刻的要求。
2023-10-10 14:42:43223 12月6日，致力于高性能Micro-LED技術開發的西安賽富樂斯半導體科技有限公司（簡稱“賽富樂斯”），對外宣布首條硅基Micro-LED微顯示屏產線正式貫通。
2023-12-08 09:17:47573 據悉，研究人員使用金屬有機氣相外延技術在覆蓋有微圖案SiO2掩模的石墨烯層上生長GaN微盤。然后將微盤加工成Micro LED，并成功轉移到可彎曲基板上。這項研究表明，可通過石墨烯上生長出高質量LED，并將其集成到靈活的Micro LED設備中。
2023-12-13 16:55:39487 
Micro LED產業化進程中最為關鍵的就是降本。
2023-12-28 16:45:50268 據估計，專供1英寸以下尺寸且用于XR設備的小型化顯示將會是 Micro LED 技術最為成熟的領域。分析認為，在增強現實（AR）、虛擬現實（VR）頭戴式顯示器（HMD）和抬頭顯示器（HUD）方面，Micro LED憑借高性能和亮度等優勢將得到充分體現。
2024-01-12 09:52:28266 近年，IQE開始涉足Micro LED領域，IQE擁有豐富的MOCVD外延生長技術儲備及規?；a的能力，可滿足制備微米級高亮Micro LED的需求。
2024-01-18 11:45:24112 大話顯示3月2日消息，蘋果近日接連爆出震撼彈，繼傳出喊停Apple Car開發計劃，解散多達2千人的團隊，現在可能就連Micro LED Apple Watch項目也告吹了。
2024-03-04 10:27:10251 3月6日，聚燦光電發布公告，宣布擬變更“Mini/Micro LED芯片研發及制造擴建項目”的部分募集資金（共計8億元）用途，用于新項目“年產240萬片紅黃光外延片、芯片項目”的實施。
2024-03-08 13:58:42362 
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