近日，法國3D GaN LED技術開發商Aledia宣布成功在12英寸（300mm）硅晶圓上生長出業界首款納米線（nanowire）Micro LED芯片。

2012年，Aledia從法國Micro和納米技術領先研究機構CEA-Leti實驗室分拆出來，此次在12英寸晶圓上的技術突破就是由雙方團隊的合作成果。

過去8年來，Aledia一直致力于在8英寸（200mm）硅晶圓上開發其突破性技術，如今，12英寸硅晶圓方面也取得了技術突破，這意味著未來Aledia將在8英寸和12英寸硅晶圓上生長芯片，提供不同的解決方案。

據了解，大尺寸晶圓能夠帶來更好的經濟回報，并且與更小節點的電子器件集成能有更高的成本效益，目前只有12英寸硅晶圓可以實現。

Aledia的CEO及共同創始人Giorgio Anania直言，Aledia是全球第一家在12英寸硅晶圓上生產Micro LED的企業，并打開了其潛在大規模量產的能力。

據其介紹，在一片12英寸的硅晶圓上就可以生產出60-100塊智能手機顯示屏，若使用當前LED行業標準的4英寸藍寶石襯底來生產，則需要大約4-6片。

Aledia表示，基于獨有的納米線LED（3D LED）技術以及應用780μm標準厚度的硅晶圓，在一片12英寸的硅晶圓上生產出60-100塊智能手機顯示屏，可以通過商用化的工藝和設備實現。

傳統平面2D Micro LED是通過在4-6英寸（100-150nm）藍寶石晶圓上沉積GaN晶體的平層來生產，目前業界廣泛應用的是4英寸晶圓。

相比之下，Aledia的Micro LED技術是在更大面積的硅晶圓上生長GaN納米線（次微米直徑的GaN晶體），不會產生2D芯片上出現的任何應力問題，而應力會隨著晶圓尺寸的增大而增強，因此，超大尺寸晶圓即派上用場。

此外，利用硅基技術，還能夠在傳統微電子工廠（硅晶圓代工廠）生產Micro LED，助力其實現大批量生產，良率達到極高水平。

Aledia認為，大尺寸硅晶圓和微電子工廠是眼下滿足終端用戶市場強勁需求的唯一途徑。例如，如果一臺60英寸或以上的大屏電視改用硅納米技術來獲得更優的圖像質量并降低生產成本，那么每年將需要2400萬片12英寸硅晶圓，而這只有硅產業及其供應鏈能夠實現。

CEA-Leti實驗室則表示，3D納米線Micro LED具有滲透大尺寸顯示市場的潛力。CEA-Leti正在積極支持和推動顯示產業向Micro LED技術過渡。

今年以來，Aledia持續加大對Micro LED技術的研發力度，大動作頻頻。

一方面，Aledia完成了8000萬歐元的投資，計劃在法國投資1.4億歐元建立LED生產工廠。該公司預計2022年之前在新工廠開始生產LED，還將完成其微型顯示器的生產過程，并將開始提供Micro LED微型顯示器。

另一方面，在關鍵設備的投資上，Aledia采購了Veeco的薄膜制程設備，旨在加快3D Micro LED研發生產的進程。

基于產業鏈重要廠商之間的協同合作，Aledia的Micro LED技術現已取得實質性進展，業務規模也正在同步擴大，未來亦是推動Micro LED商用化的一股重要力量。
責編AJX