本內容主要介紹了硅襯底LED芯片主要制造工藝，介紹了什么是led襯底，led襯底材料等方面的制作工藝知識
2011-11-03 17:45:13
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LED芯片技術的發展關鍵在于襯底材料和晶圓生長技術。除了傳統的藍寶石、硅（Si）、碳化硅（SiC）襯底材料以外，氧化鋅（ZnO）和氮化鎵（GaN）等也是當前LED芯片研究的焦點。
2014-05-13 17:40:073742 正是由于“中國芯”硅襯底LED的諸多優勢，目前三星等國際大公司以及LED行業幾大巨頭如飛利浦、歐司朗、CREE等都加大了對硅襯底LED技術的研發力度。面對國際企業的競爭壓力，朱立秋建議，要保持先發優勢，避免“起個大早趕個晚集”，提升中國原創技術自主品牌的國際競爭力，已經成為迫在眉睫的重要課題。
2016-03-08 10:52:292766 100 V GaN FET 在 48 V 汽車和服務器應用以及 USB-C、激光雷達和 LED 照明中很受歡迎。然而，小尺寸和最小的封裝寄生效應為動態表征這些功率器件帶來了多重挑戰。本文回顧了GaN半導體制造商在表征這些器件方面面臨的挑戰，以及一些有助于應對這些挑戰的新技術。
2022-10-19 17:50:34794 
硅MOSFET功率晶體管多年來一直是電源設計的支柱。雖然它們仍然被廣泛使用，但是在一些新設計中，氮化鎵（GaN）晶體管正在逐漸替代MOSFET。GaN技術的最新發展，以及改進的GaN器件和驅動器電路
2017-05-03 10:41:53
，幾代MOSFET晶體管使電源設計人員實現了雙極性早期產品不可能實現的性能和密度級別。然而，近年來，這些已取得的進步開始逐漸弱化，為下一個突破性技術創造了空間和需求。這就是氮化鎵（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
（MOSFET）是在20世紀70年代末開發的，但直到20世紀90年代初，JEDEC才制定了標準。目前尚不清楚JEDEC硅材料合格認證對GaN晶體管而言意味著什么。 標準滯后于技術的采用，但標準無需使技術可靠
2018-09-10 14:48:19
半導體材料可實現比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導通電阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
隨著電子技術的不斷發展，靜電防護技術不斷提高，無論是在LED器件設計上，還是在生產工藝上，抗ESD能力都有明顯的進步，但是，GaN基LED畢竟是ESD敏感器件，靜電防護必須滲透到生產全過程
2013-02-19 10:06:44
要求，但無法達到必需的生產規模和成本，與傳統技術相比，其成本要高出5 到 10倍，碳化硅襯底的加工成本即使在其進入大規模生產階段仍然會十分高昂。然而，在新的一年中，當GaN器件從傳統的 4 英寸化合物
2017-04-05 10:50:35
方向、提升了效率，以及具有更小的外形尺寸等優點。除開在烹飪的應用，讓我們一起看看GaN技術的其他應用以及MACOM硅上GaN 技術的獨特優勢吧！其他應用除了烹飪行業之外，固態射頻能量器件也將在工業干燥
2017-05-01 15:47:21
為什么GaN可以在市場中取得主導地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術而言，GaN這一材料技術，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優值，表征高頻器件的材料適合性優值， 硅技術的約翰遜優值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優值為1.44。肯定地說，GaN是高頻器件材料技術上的突破。
2019-06-26 06:14:34
硅-硅直接鍵合技術主要應用于SOI、MEMS和大功率器件，按照結構又可以分為兩大類：一類是鍵合襯底材料，包括用于高頻、抗輻射和VSIL的SOI襯底和用于大功率高壓器件的類外延的疏水鍵合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
都能方便地溝通、交易、旅行、獲取信息和參與娛樂活動。其技術提高了移動互聯網的速度和覆蓋率，讓光纖網絡得以向企業、家庭和數據中心傳輸以前無法想象的巨大通信量。與很多公司的氮化鎵采用碳化硅（SiC）做襯底
2017-08-29 11:21:41
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發及產業化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
C++在嵌入式應用中的機遇與挑戰是什么？什么是MISRA C++？
2021-04-28 06:25:22
本文將從系統角度討論DVB-H接收器設計所面臨的機遇和挑戰，并重點介紹射頻前端。
2021-06-02 06:35:29
，傳統的硅功率器件的效率、開關速度以及最高工作溫度已逼近其極限，使得寬禁帶半導體氮化鎵成為應用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學教授陳敬做了全GaN功率集成技術的報告，該技術能夠實現智能功率集成
2018-11-05 09:51:35
的成本，這將對MACOM的Si基GaN技術更有利，因為以SiC為襯底的產品Wafer尺寸本身就小，產能上更難有大規模量產的保證。在展會現場，集微網記者看到了MACOM針對5G MIMO的一款8x8的射頻
2017-05-23 18:40:45
，尤其是2010年以后，MACOM開始通過頻繁收購來擴充產品線與進入新市場，如今的MACOM擁有包括氮化鎵（GaN）、硅鍺（SiGe）、磷化銦（InP）、CMOS、砷化鎵等技術，共有40多條生產線
2017-09-04 15:02:41
是硅基氮化鎵技術。2017 電子設計創新大會展臺現場演示在2017年的電子設計創新大會上，MACOM上海無線產品中心設計經理劉鑫表示，硅襯底有一些優勢，材料便宜，散熱系數好。且MACOM在高性能射頻領域
2017-07-18 16:38:20
在德州儀器不斷推出的“技術前沿”系列博客中，一些TI全球頂尖人才正在探討目前最大的技術趨勢以及如何應對未來挑戰等問題。 相較于以往使用的硅晶體管，氮化鎵 (GaN) 可以讓全新的電源應用在同等的電壓
2018-09-11 14:04:25
作者： Steve Tom在德州儀器不斷推出的“技術前沿”系列博客中，一些TI全球頂尖人才正在探討目前最大的技術趨勢以及如何應對未來挑戰等問題。相較于以往使用的硅晶體管，氮化鎵 (GaN) 可以讓
2018-09-10 15:02:53
解決的問題，以開發適用于 III 族氮化物外延的 GaN 襯底的表面處理。 1. 介紹 單晶體 GaN 襯底是最有希望替代藍寶石襯底的候選者之一，藍寶石襯底常用于 III 族氮化物器件，如發光二極管 (LED
2021-07-07 10:26:01
，GaN-on-Si 將實現成本結構和使用現有大直徑晶圓廠的能力，這將是一個很大的優勢。由于硅是一種導電基板，因此在處理基板電位以及它與功率器件相互作用的方式方面帶來了額外的挑戰。第一個具有 GaN FET、GaN
2021-07-06 09:38:20
識別、自動駕駛、金融等領域獲得了成功應用。如何將人工智能技術應用在芯片設計自動化（EDA）領域是近年來的熱門話題。本次直播將從數據、算法、應用場景等方面討論人工智能技術為EDA帶來的新機遇，包括AI
2023-01-17 16:56:03
認為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個應用都表現出色！帥呆了！至少現在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風格的GaN之間有什么區別？
2019-07-31 07:54:41
什么是GaN？如何面對GaN在測試方面的挑戰？
2021-05-06 07:52:03
應用領域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產業的技術大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統硅
2021-09-23 15:02:11
摻雜N型和P型雜質來改變其功函數，從而調節器件的閾值電壓。因為MOS器件的閾值電壓由襯底材料和柵材料功函數的差異決定的，多晶硅很好地解決了CMOS技術中的NMOS和PMOS閾值電壓的調節問題。如圖
2018-11-06 13:41:30
基礎設施和移動電話則需要更小巧、更低成本的超模壓塑料封裝，才可與采用塑料封裝的現有硅基LDMOS 或GaAs 器件競爭。同樣，移動電話注重低成本模塊，包括與其他技術組合的GaN，其與目前的產品并無二致，但也
2017-07-28 19:38:38
)藍寶石制作圖形藍寶石襯底(PSS);然后,在PSS上進行MOCVD制作GaN基發光二極管(LED)外延片;最終,進行芯片制造和測試。PSS的基本結構為圓孔,直徑為3μm,間隔為2μm,深度為864 nm
2010-04-22 11:32:16
在過去的十多年里，行業專家和分析人士一直在預測，基于氮化鎵(GaN)功率開關器件的黃金時期即將到來。與應用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
請大佬詳細介紹一下關于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術
2021-04-12 06:23:23
頻率和更高功率密度的開發人員更是如此。RF GaN是一項已大批量生產的經驗證技術，由于其相對于硅材料所具有的優勢，這項技術用于蜂窩基站和數款軍用/航空航天系統中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比
2019-07-12 12:56:17
。”Higham說，“這意味著覆蓋系統的全部波段和頻道只需要更少的放大器。”氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應用中常用的三五價半導體材料，LDMOS（橫向擴散MOS技術）是基于硅
2016-08-30 16:39:28
SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導體薄膜，SOI材料具有了體硅所無法比擬的優點：可以實現集成電路
2012-01-12 10:47:00
來看，基站功率放大器主要采用基于硅的橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術。然而，越來越苛刻的要求逐漸暴露出LDMOS的局限性，并導致眾多供應商在高功率基站功率放大器技術方面轉向了氮化鎵(GaN
2018-12-05 15:18:26
的機遇和挑戰等方面，為從事寬禁帶半導體材料、電力電子器件、封裝和電力電子應用的專業人士和研究生提供了難得的學習和交流機會。誠摯歡迎大家的參與。1、活動主題寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用2
2017-07-11 14:06:55
本文主要探討汽車電子系統市場中一個重要的增長領域，即在目前和未來幾代汽車中大量涌現的 LED 照明。這一新的照明領域給汽車電子產品的設計師和制造商都帶來了新挑戰。理解這些挑戰的本質并找到可行的解決方案非常重要，因為與這些照明系統有關的增長看來是無窮無盡的。
2021-05-18 06:58:48
智能LED燈泡設計的好點子智能LED設計的挑戰有哪些如何選擇正確的模塊解決方案
2021-03-16 12:59:10
`在德州儀器不斷推出的“技術前沿”系列博客中，一些TI全球頂尖人才正在探討當前最大的技術趨勢以及如何應對未來挑戰等問題。海上風車農場、建筑物上的太陽能面板以及電動汽車充電站都是為世界提供電能的眾多
2014-08-25 15:59:05
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年，電力電子領域將管理大約80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發展極限，設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
的市場行情比2008年經濟危機時的行情有過之而無不及。面對分銷商間競爭的白熱化，利潤空間越來越小，市場行情的沖擊，分銷商應該做些什么呢?應該采取怎樣的分銷策略來應對當前的危機呢?是機遇還是挑戰？ 2
2011-08-19 19:40:47
，這對于很多高壓應用都是一項顯著的優勢。當然，一項已經持續發展60年的技術不會一夜之間被取代，但經過多年的研究、實際驗證和 可靠性測試，GaN定會成為解決功率密度問題的最佳技術。德州儀器已經在高于硅材料
2020-10-27 10:11:29
LED襯底目前主要是藍寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數都采用藍寶石襯底技術。碳化硅是科銳的專利，只有科銳一家使用，成本等核心數據不得而知。硅襯底成本低，但目前技術還不完善。 從LED成本上來看，用
2012-03-15 10:20:43
工藝，確立了硅表面MEMS加工工藝體系。表面硅MEMS加工技術的關鍵工藝有哪些？1、低應力薄膜技術表面硅MEMS加工工藝主要是以不同方法在襯底表面加工不同的薄膜，并根據需要事先在薄膜下面已確定的區域
2018-11-05 15:42:42
快速提高。 當前面臨的主要挑戰在于LED光源價格在不斷下降，但驅動電子技術并沒有很大的革新，價格一直居高不下，成本上有壓力。其次，由于LED照明多采用電流驅動模式，而現有的調光器多是電壓調光，所以在
2016-12-16 18:42:52
面對3G的到來，本文從現代移動通信及技術體制、發展機遇、面臨挑戰等方面對3G進行了簡要分析，以期對3G的發展形成全面客觀的認識和了解。關鍵詞：信息化；移動通信；第
2009-12-14 16:37:39
17 LED控制卡為汽車LED照明帶來了新的機遇和挑戰
在過去的十年里，汽車電子產品有了突飛猛進的發展，車載電子控制、車載信息服務以及娛樂系統不管是在數量上還是在
2009-12-16 10:39:02526 目前日本日亞公司壟斷了藍寶石襯底上GaN基LED專利技術，美國CREE公司壟斷了SiC襯底上GaN基LED專利技術。因此，研發其他襯底上的GaN基LED生產技術成為國際上的一個熱點。南昌大學
2010-06-07 11:27:281388 
LED襯底材料有哪些種類
對于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應該采用哪種合適的襯底，需要
2011-01-05 09:10:254039 利用外延片焊接技術,把Si(111)襯底上生長的GaN藍光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結構GaN藍光LED.與外延材料未轉移的同側結構相比,轉移
2011-04-14 13:29:3429 目前市場上LED用到的襯底材料有藍寶石、碳化硅SiC、硅Si、氧化鋅 ZnO、 以及氮化鎵GaN，中國市場上99%的襯底材料是藍寶石，而就全球範圍來看，藍寶石襯底的LED市場份額也占到95%以上
2012-11-28 09:22:542067 南昌大學江風益團隊成功研發硅襯底LED技術，使中國成為世界上繼日美之后第三個掌握藍光LED自主知識產權技術的國家。這項高新技術和成功產業化，獲得了2015年度國家技術發明獎一等獎，硅襯底時代隨即到來。
2016-05-11 16:38:431971 Felix Ejeckam于2003年發明了金剛石上的GaN，以有效地從GaN晶體管中最熱的位置提取熱量。其基本理念是利用較冷的GaN放大器使系統更節能，減少浪費。金剛石上的GaN晶片是通過GaN
2018-07-26 17:50:4814551 顯示技術。作為全球硅襯底GaN基LED技術的領跑者，晶能光電最近也將目光投向了Micro LED。
2018-08-27 17:37:127087 過去的一年，包括AR、VR這些智能穿戴的應用，對高分辨率的微型顯示帶來了一些需求，催生了新型顯示技術的發展。隨著LED芯片微縮化的發展，MiniLED、MicroLED成為行業熱點，并給LED產業發展帶來了新的機遇和挑戰。
2019-01-23 10:06:166883 對led芯片產業有所了解的朋友應該知道，GaN和SiC這些化合物半導體曾經被推廣到led芯片當作襯底，而Cree作為當中的領頭羊，在這些領域都有很深入的研究和積累。雖然led市場吸引力不再，但這些技術在功率電子和射頻領域看到了很大的成長空間。
2019-05-07 16:04:316990 
LED襯底材料是半導體照明產業的基礎材料，其決定了半導體照明技術的發展路線。目前，能作為LED襯底的材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、Zno等，但商用最廣泛的是Al2O3、SiC
2019-07-30 15:14:033717 目前世界范圍內圍繞著GaN功率電子器件的研發工作主要分為兩大技術路線，一是在自支撐Ga N襯底上制作垂直導通型器件的技術路線，另一是在Si襯底上制作平面導通型器件的技術路線。
2019-08-01 15:00:037276 
目前，LED芯片技術的發展關鍵在于襯底材料和晶圓生長技術。除了傳統的藍寶石、硅（Si）、碳化硅（SiC）襯底材料以外，氧化鋅（ZnO）和氮化鎵（GaN）等也是當前LED芯片研究的焦點。
2019-10-04 17:35:001111 
11月22日，2019年新當選科學院院士名單正式公布。硅襯底LED技術發明人、晶能光電創始人、南昌大學副校長江風益教授赫列其中，這是國家對其科學成就的最高榮譽，也是繼硅襯底LED技術獲得2015年國家技術發明獎一等獎以來，我國LED照明領域的又一件大喜事。
2019-11-23 10:57:432741 科技半導體公司提出的GaN基復合襯底技術，結合企業自身的LED芯片技術，在大大提高LED出光效率的同時，還能大幅降低高端LED芯片的生產成本，改進現有LED的產業鏈結構，同時該技術還可擴展應用到GaN功率器件和MicroLED領域。
2020-04-17 16:37:573363 
據報道，武漢大學的研究團隊近期公布了采用PSSA（patterned sapphire with silica array）襯底來降低氮化鎵接合邊界失配問題的方法，提出PSSA襯底可提高銦氮化鎵、氮化鎵（InGaN/GaN）倒裝芯片可見光LED的效率。
2020-12-09 17:00:23793 我國GaN產品逐步從小批量研發、向規模化、商業化生產發展。GaN單晶襯底實現2-3英寸小批量產業化，4英寸已經實現樣品生產。GaN異質外延襯底已經實現6英寸產業化，8英寸正在進行產品研發。 GaN材料應用范圍仍LED向射頻、功率器件不斷擴展。
2020-12-23 15:15:092321 本文將著眼于AI技術從研究到部署的落地問題，分享超分辨技術在RTC領域落地應用所面臨的機遇與挑戰。
2021-01-07 09:45:002791 介紹了Si襯底功率型GaN基LED芯片和封裝制造技術，分析了Si襯底功率型GaN基LED芯片制造和封裝工藝及關鍵技術，提供了
2021-04-21 09:55:203871 
而此次他們通過實驗證明，該技術同樣適用于GaN-on-GaN HEMT器件制造，即在器件制造之后采用激光工藝進行減薄，該技術可顯著降低 GaN 襯底的消耗。
2022-05-12 10:45:553527 Micro LED被譽為新時代顯示技術，但目前仍面臨關鍵技術、良率、和成本的挑戰。 微米級的Micro LED已經脫離了常規LED工藝，邁入類IC制程。相對其它競爭方案，大尺寸硅襯底氮化鎵（GaN
2022-08-17 12:25:421138 制造大直徑GaN襯底的要點（鈉熔劑法） 豐田合成表示，6英寸功率半導體氮化鎵襯底的研發得益于早期LED氮化鎵襯底技術的積累。
2022-11-18 12:33:261758 近年來，半絕緣SiC襯底上外延生長的GaN高遷移率晶體管(GaN-on-SiC HEMTs)已廣泛應用于微波射頻領域的功率放大器電路中。
2022-12-02 11:43:46473 相比于橫向功率電子器件，GaN縱向功率器件能提供更高的功率密度/晶圓利用率、更好的動態特性、更佳的熱管理，而大尺寸、低成本的硅襯底GaN縱向功率電子器件吸引了國內外眾多科研團隊的目光，近些年已取得了重要進展。
2022-12-15 16:25:35754 作為國家虛擬現實創新中心入局者，晶能光電利用自主創新的硅襯底GaN基LED技術，承擔硅襯底Micro LED的關鍵共性技術開發。
2023-02-15 10:53:39260 作為國家虛擬現實創新中心入局者，晶能光電利用自主創新的硅襯底GaN基LED技術，承擔硅襯底Micro LED的關鍵共性技術開發。
2023-02-21 11:00:20245 GaN-on-Si LED技術是行業夢寐以求的技術。首先，硅是地殼含量第二的元素，物理和化學性能良好，在大尺寸硅襯底上制作氮化鎵LED的綜合成本可以降低25%；
2023-03-10 09:04:16886 Micro LED新型顯示具有巨大市場前景，也面臨著一系列技術挑戰。選擇合理的產業化路線對推動Micro LED應用落地非常關鍵。
2023-04-26 10:16:371460 HVPE（氫化物氣相外延法）與上述兩種方法的區別還是在于鎵源，此方法通常以鎵的氯化物GaCl3為鎵源，NH3為氮源，在襯底上以1000 ℃左右的溫度生長出GaN晶體。
2023-06-11 11:11:32277 襯底材料和GaN之間純在較大的晶格失配和熱失配，外延層中往往存在大量的缺陷，使得HEMT器件中存在較強電流崩塌效應，影響器件的性能發揮。
2023-06-14 14:00:551654 
GaN半導體產業鏈各環節為：襯底→GaN材料外延→器件設計→器件制造。其中，襯底是整個產業鏈的基礎。 作為襯底，GaN自然是最適合用來作為GaN外延膜生長的襯底材料。
2023-08-10 10:53:31664 
生長氮化鎵薄膜，形成GaN基礎器件的結構。由于氮化鎵材料的性質優良，GaN技術被廣泛應用于LED、高頻功率放大器、射頻器件等領域。
2023-08-22 15:17:312379 2023年9月，第三屆紫外LED國際會議暨長治LED發展推進大會在長治隆重召開，國內外專家云集，深入交流紫外LED最新技術進展與發展趨勢。晶能光電外延工藝高級經理周名兵受邀作《硅襯底GaN基近紫外
2023-09-19 11:11:285752 一、引言 隨著科技的快速發展，語音識別技術成為了人機交互的重要方式。然而，盡管語音識別技術在某些領域已經取得了顯著的進步，但在實際應用中仍然存在許多挑戰和機遇。本文將探討語音識別技術的現狀、面臨
2023-09-20 16:17:19277 一、引言 語音識別技術是一種將人類語言轉化為計算機可理解數據的技術。隨著科技的不斷發展，語音識別技術面臨著諸多挑戰，同時也帶來了許多機遇。本文將探討語音識別技術的挑戰與機遇。 二、語音識別技術的挑戰
2023-10-10 17:10:59467 硅襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專業照明領域已經實現規模商用。基于硅襯底GaN材料的Micro LED微顯技術和低功率PA正在進行工程化開發。DUV LED、GaN LD以及GaN/CMOS集成架構尚處于早期研究階段。
2023-10-13 16:02:31317 
一、引言 隨著科技的不斷發展，語音識別技術得到了廣泛應用。然而，語音識別技術在發展過程中面臨著許多挑戰，同時也帶來了許多機遇。本文將再探討語音識別技術的挑戰與機遇。 二、語音識別技術的挑戰 1.噪聲
2023-10-18 16:56:20368 GaN的驅動電路有哪些挑戰？怎么在技術上各個突破？GaN驅動電路有哪些設計技巧？ GaN（氮化鎵）是一種新型的半導體材料，相比傳統的硅材料，具有更高的電子遷移率和能力，因此在功率電子領域有著廣泛
2023-11-07 10:21:44513 GaN性能優異，在光電子、微電子器件應用廣泛，發展潛力巨大；進一步發展，需提升材料質量，制備高質量氮化鎵同質襯底。
2023-12-09 10:24:57716 報告內容包含：
微帶WBG MMIC工藝
GaN HEMT 結構的生長
GaN HEMT 技術面臨的挑戰
2023-12-14 11:06:58178 
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