動態工作指電力電子器件的開通和關斷過程。IGBT的開關頻率越高，動態均流問題對整個系統的影響就越大。而當器件硬開關的開關頻率足夠高時，靜態均流對系統的影響微乎其微。優化模塊動態均流的核心是DC母線設計和IGBT驅動器設計，其目標是：

　　確保每個模塊換流路徑中的雜散電感相同；所有并聯模塊的開通時間和關斷時間相同。

　　雜散電感和驅動參數之間的差異越小，在開通或關斷過程中的均流就越好。然而，需要注意，電氣導體的周圍存在磁場。模塊并聯連接的系統中，單個導體的磁場可能會重疊，這取決于模塊之間的接近程度或者模塊組之間的布局。在系統中，對導體而言這種重疊不是完全一樣的。比如，對于系統邊緣的模塊，只有一個與之相鄰的器件，所以磁場的分布不同于那些兩側都有模塊的器件。IGBT模塊并聯時的動態均流如圖1所示。

　　IGBT的開通或關斷導致電流的變化，而磁場試圖去抵消這種變化，從而影響了開關速度。因此在開關過程中，由于每個并聯橋臂的磁場耦合不同，導致電流在上升或下降時產生不平衡。可以通過調整換流路徑中的雜散電感來補償電流的不平衡性。

　　圖2介紹了調整DC母線中雜散電感的方法，調整的效果如圖3實測結果所示，如果能夠考慮到所有容差，DC母線通過實驗一旦調整成功，這種調整的結果就可以應用到生產中去。正如圖2所示，這里有六個可調整點。當調整雜散電感時，必須考慮續流二極管特性的影響。

　　另一個影響模塊動態均流的參數是閾值電壓UGE（TO）。該電壓越低，IGBTMOS通道的打開速度就越快，集電極電流上升得就越快。UGE（TO）的不同導致IGBT的開通時間不同，從而導致開關電流的動態不匹配。然而，通常來講，現代的IGBT芯片中UGE（TO）的差異很小，所以建議使用相同日期條碼的IGBT模塊來減小這種差異。

　　最后，和靜態工作一樣，IGBT模塊之間的溫差會影響并聯均流。因為動態IGBT參數受溫度的影響，從而影響并聯的均流。因此，控制并聯模塊基板的溫度盡可能均勻有利于IGBT并聯動態均流。

　　為了驗證應用裝置的可行性，可利用雙脈沖法進行測試。通過測試，可以研究并聯模塊的靜態和動態特性。然而，以下幾點需要考慮在內：

　　在測試中，由于系統無法對器件加熱，所以雙脈沖測試法無法有效地反映器件溫度的因素。也就是說，無法考慮IGBT正溫度系數的影響。相應地，在雙脈沖測試中，電流分布不均的系統在實際工作中能夠展現更好的平衡性；

　　為了得到正確的結果，一般建議雙脈沖測試不要在標準半橋電路下測試而是在H橋電路中進行。否則，觀測到的電流通路將與在最終應用中的電流通路不一致。在實際應用中，當產生負載電流時，負載電感并非直接連接到母線電壓，而總是連接到開關之間。

　　圖4給出了標準及改進型雙脈沖測試電路，測試模塊由三個器件并聯組成。