功率MOSFET和IGBT是做在0.1到1.5平方厘米的芯片上，它的密度是每平方毫米250.000個(gè)單元（50V功率MOS-FET）或者50.000單元（1200VIGBT）。

　　于晶體管相同的技術(shù)概念，MOSFET和IGBT芯片控制區(qū)有相近的結(jié)構(gòu)。如圖2和圖3所示，基板是n-型半導(dǎo)體，在截止?fàn)顟B(tài)時(shí)n-區(qū)必須接納空間電荷區(qū)。在n-型半導(dǎo)體上形成一個(gè)p導(dǎo)通型半導(dǎo)體環(huán)形槽，它摻雜濃度是中心高（p+），邊緣低（p-）。在環(huán)形槽上有一層n+型硅材料，它同MOSFET的源極或者IGBT的發(fā)射極相連接。在n+型硅材料上，通過(guò)一層薄的二氧化硅（SiO2）絕緣層，用n+型多晶建構(gòu)成控制區(qū)（基極）。

　　在微電子學(xué)中，如圖2或圖3所描述的形式，被稱(chēng)為垂直結(jié)構(gòu)，因?yàn)橥獠?a href="http://www.nxhydt.com/tags/電流/" target="_blank">電流是垂直流過(guò)每個(gè)單元。在本章除個(gè)別例外的晶體管，只討論n溝道增強(qiáng)型元器件，既在p型導(dǎo)通的硅材料加上一個(gè)正的控制電壓和在導(dǎo)通溝道中電子作為載子（主要載流子）。在不加控制電壓時(shí)元器件處于截止?fàn)顟B(tài)（自閉晶體管）。另外類(lèi)型的MOSFET是p溝道增強(qiáng)型（既在p型導(dǎo)通的硅材料加上一個(gè)負(fù)的控制電壓和在導(dǎo)通溝道中正離子作為主要載流子，有同樣的自閉晶體管特性），以及n型和p型耗盡型（耗盡型晶體管）。它們?cè)跊](méi)有控制電壓時(shí)是導(dǎo)通狀態(tài)（自開(kāi)晶體管）。通過(guò)控制電壓可在晶體管內(nèi)產(chǎn)生空間電荷區(qū)，用它來(lái)影響和切斷流通溝道。這種半導(dǎo)體元器件在實(shí)踐中有一些應(yīng)用，但在這里我們不討論這些類(lèi)型。

　　功率MOSFET和IGBT在結(jié)構(gòu)上的下同導(dǎo)致了性能上的差異，最大的不同之處就是第三極（MOSFET稱(chēng)漏極，IGBT稱(chēng)收集極）的構(gòu)造。當(dāng)在柵極和源極（MOSFET）或發(fā)射極（IGBT）加上正向控制電壓，就會(huì)在基極下方中p型半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)產(chǎn)生一條n導(dǎo)通溝道。通過(guò)這條溝道電子流可以從源極或者發(fā)射極穿過(guò)n型漂移區(qū)流向底邊的電極，空間電荷區(qū)就被減少。MOSFET元器件只有電子作為載流子，形成主要電流（漏電流）。在高阻抗的n型漂流區(qū)沒(méi)有雙極的載流子出現(xiàn)，所以MOSFET是一種單極元器件。

　　直到n-區(qū)MOSFET與IGBT有相同的結(jié)構(gòu)，它們的區(qū)別在第三極。從而決定了各自下同的性能，IGBT元器件是在底面用p+導(dǎo)通型半導(dǎo)體做收集極。這就形成額外的n-型半導(dǎo)體和p+半導(dǎo)體之間新場(chǎng)阻層，它對(duì)IGBT有很大影響。

　　流經(jīng)n-漂移區(qū)的電子在進(jìn)入p+區(qū)時(shí)，會(huì)導(dǎo)致正電荷的載流子（空穴）由p+區(qū)注入n-區(qū)。這些被注入的空穴不但從漂移區(qū)流向發(fā)射極的p區(qū)，也經(jīng)由溝道及n-區(qū)橫向流入發(fā)射極。因此，在n-型漂移區(qū)內(nèi)充滿(mǎn)了空穴（少數(shù)載流子），這種增加的載流子構(gòu)成了主電流（收集極電流）的大部分。主電流又會(huì)使空間電荷區(qū)減少，從而使集電極和發(fā)射極的電壓差下降。與MOSFET不同，IGBT是一個(gè)雙極元器件。

　　因?yàn)樵诟咦杩沟膎-區(qū)充滿(mǎn)了少數(shù)載流子，這就會(huì)導(dǎo)致IGBT的通態(tài)壓降比MOBFET要低。這樣IGBT在同樣的面積就能比MOSFET承受更高的電壓和電流。但在關(guān)斷時(shí)這些少數(shù)載流子必須被從n-漂移區(qū)釋放掉或者被再結(jié)合，這就產(chǎn)生功耗。