IGBT驅動光耦HCPL-316J的特性
2012-05-23 12:05:182718 如今節能的重要性日益顯著,將IGBT模塊用作開關器件的應用領域也不斷拓展。為提高電能變換器的效率,研究者提出了很多新型拓撲電路,因而市場上對IGBT模塊的需求也隨之不斷攀升。另一方面,由于IGBT
2018-10-29 09:05:0012010 這一節我們講幾個實例來分析開關電源的應用,這里我們以常見的LM2596開關電源芯片為例講解。
2022-08-03 17:08:524261 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)結合了GTR和MOSFET的優點,具有良好的特性。IGBT也是三端器件,具有柵極G、集電極C和發射極E。
2022-10-28 16:12:429922 IGBT的靜態特性其實并非難以理解的東西,即便是對于外行人而言。
2023-11-27 14:16:53534 晶閘管是現代電子學中使用最多的元件,邏輯電路用于開關和放大。BJT和MOSFET是最常用的晶體管類型,它們每個都有自己的優勢和一些限制。IGBT(絕緣柵雙極晶體管)將BJT和MOSFET的最佳部分
2023-12-22 10:30:58750 IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開關特性受到許多外部參數的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
2024-03-08 10:11:40506 IGBT在二極管鉗位感性負載條件下的電路如圖1所示,該電路為IGBT常用電路,可作為IGBT開關特性的測試電路,評估IGBT的開通及關斷行為。
2024-03-15 10:25:51194 及輸出功率的計算決定了換流系統的可靠性。驅動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導致 IGBT 和驅動器損壞。以下總結了一些關于IGBT驅動器輸出性能的計算方法以供選型時參考。 IGBT 的開關特性主要取決于
2012-07-25 09:49:08
,暫時不用考慮,重點考慮動態特性(開關特性)。 動態特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取: IGBT的開通過程 IGBT 在開通過程中,分為幾段時間 1.與MOSFET類似的開通過程,也是
2011-08-17 09:26:02
調整。一般而言,IGBT的正壓驅動在15V 左右,而Mosfet 建議在10—12V 左右;驅動電壓負壓的作用主要是防止關斷中的功率開關管誤導通,同時增加關斷速度。因為 IGBT 具有拖尾電流的特性,而且
2022-09-16 10:21:27
IGBT在半橋式電機控制中的使用IGBT的特性和功能在直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域有著廣泛的應用。IGBT,也就是絕緣柵雙極型晶體管,是由
2015-12-30 09:27:49
重要的動態參數包括:柵極電阻(內部+外部)、柵極電容、寄生電容、充電電荷、開關時間等,其中,開關時間是開關特性的表征。 柵極電阻: 包含外部柵極電阻RGext和內部柵極電阻RGint,其中
2021-02-23 16:33:11
的可再生能源,而IGBT是光伏系統中主要的功率半導體器件,因此其可靠性對光伏系統有重要影響。IGBT模塊的熱特性是模塊的重要特性之一,模塊在退化過程中,熱性能變化對于半導體模塊的整體性
2020-12-10 15:06:03
特性、轉移特性和開關特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高,Id 越大。它與GTR
2018-10-18 10:53:03
二極管和IGBT在一個開關周期內輪流進行導通。 2、逆變全橋拓撲特性 針對逆變拓撲分析首先需要認定以下幾個特性: 特性一:由于50Hz頻率內的正負周期對稱性,認為上下開關管的熱模型一致,電壓和電流導致
2023-02-24 16:47:34
IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性和開關特性。
2019-09-11 11:31:16
電壓(與功率MOSFET的低導通電阻相當)和較快的開關特性的晶體管。盡管其具有較快的開關特性,但仍比不上功率MOSFET,這是IGBT的弱點。【功率元器件的基本結構與特點
2019-05-06 05:00:17
電壓(與功率MOSFET的低導通電阻相當)和較快的開關特性的晶體管。盡管其具有較快的開關特性,但仍比不上功率MOSFET,這是IGBT的弱點。【功率元器件的基本結構與特點
2019-03-27 06:20:04
本資料的主要內容詳細介紹了IGBT相關使用指南,包括用于IGBT驅動的集成芯片TLP250、EXB8..Series等芯片的結構簡圖,典型特征和使用方法;IGBT保護電路的應用實例和設計方法,保護
2019-03-05 14:30:07
給大家分享一份IGBT驅動與保護電路設計及應用實例,有需要的工程師朋友可以下載學習
2023-05-24 11:02:46
及故障狀態反饋電路,為驅動電路的可靠工作提供了保障。其特性為:兼容CMOS/TYL電平;光隔離,故障狀態反饋;開關時間最大500ns;“軟”IGBT關斷;欠飽和檢測及欠壓鎖定保護;過流保護功能;寬工作電壓
2012-07-06 16:28:56
`我需要通過LC電路產生一個1200A,2.5KHz的脈沖電流,所加電壓500V,電路圖如下。需要用到IGBT來進行開關控制,初步選定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驅動電路
2017-10-10 17:16:20
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是新一代全控型電力電子器件,具有M08場效應晶體管的電壓控制、開關頻率高、驅動功率小的優點,又具備大功率雙極晶體管的通態壓降低、耐高反壓及電流額定值的特性。而且,其
2016-06-21 18:25:29
-uGS和門極電阻RG的大小,對IGBT的通態電壓、開關、開關損耗、承受短路能力及du/dt電流等參數有不同程度的影響。其中門極正電壓uGS的變化對IGBT的開通特性,負載短路能力和duGS/dt電流有較大
2012-09-09 12:22:07
在開關電源當中IGBT經常被使用到,今天分享一份關于這種元件的資料
2018-03-31 22:02:12
、傳導損耗和關斷損耗進行描述。此外,還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定MOSFET 或 IGBT導通開關損耗的主要因素,討論二極管恢復性能對于硬開關拓撲的影響。1導通損耗除了IGBT的電壓下降時間較長外
2018-08-27 20:50:45
和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損耗和關斷損耗進行描述。此外,還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定MOSFET 或 IGBT導通開關損耗的主要因素,討論二極管恢復性能對于硬開關拓撲
2021-06-16 09:21:55
MOSFET 或 IGBT導通開關損耗的主要因素,討論二極管恢復性能對于硬開關拓撲的影響。1.導通損耗除了IGBT的電壓下降時間較長外,IGBT和功率MOSFET的導通特性十分類似。由基本的IGBT
2018-09-28 14:14:34
,SiC-MOSFET在25℃時的變動很小,在25℃環境下特性相近的產品,差距變大,溫度增高時SiC MOSFET的導通電阻變化較小。與IGBT的區別:關斷損耗特性前面多次提到過,SiC功率元器件的開關特性優異,可處理
2018-12-03 14:29:26
IGBT的靜態特性其實并非難以理解的東西,即便是對于外行人而言。剛接觸那會兒,看到轉移特性、輸出特性之類的就想溜之大吉,加之網上查詢的資料一概籠統簡單,只描述特性曲線所表示的關系結果,卻并不解釋曲線
2019-10-17 10:08:57
的基礎上,講解了IGBT的結構和工作特性、IGBT模塊化技術、IGBT驅動電路設計、IGBT保護電路設計、IGBT應用電路實例等內容。《IGBT驅動與保護電路設計及應用電路實例》題材新穎實用、內容豐富
2021-07-24 17:13:18
和總結了IGBT的典型應用電路設計實例,以供從事IGBT應用電路設計的工程技術人員在實際設計工作中參考。全書共分為6章,在概述了IGBT的發展歷程與發展趨勢的基礎上,講解了IGBT的結構和工作特性
2022-02-17 11:29:03
,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。圖
2012-06-19 11:36:58
系列Hybrid MOS是同時具備超級結MOSFET(以下簡稱“SJ MOSFET”)的高速開關和低電流時的低導通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時的低導通電阻這些優異特性的新結構MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
的導通能量損耗,并在電力電子學的典型模式下擴大開關元件的安全工作區域。使用硅IGBT可以優化器件的成本。這種減少損耗功率的頻率相關分量的要求突出了改善IGBT頻率特性的必要性,因為正是這種元件限制了
2023-02-22 16:53:33
Q1。如何計算IGBT柵極電阻。我想使用 STGD18N40LZ IGBT 來操作感性開關負載。開關頻率:- 在 400Hz 到 1Khz 之間集電極到發射極電壓:- 24V。平均最大電流:- 5A。Q2。使用1Kohm電阻會有什么影響?
2023-01-04 09:00:04
柵極電阻RG對IGBT開關特性有什么影響?
2021-06-08 06:56:22
`模電前輩們,求 IGBT 高頻電源 ADC采集電壓 濾掉開關管的尖峰 辦法`
2016-01-21 21:19:49
模電前輩們,求 IGBT 高頻電源 ADC采集電壓 濾掉開關管的尖峰辦法
2019-07-15 02:57:42
母線電路需設計極小寄生電感。因此,可選用具備軟開關特性的專用IGBT,例如全新的650V IGBT4。如圖2所示, 600V IGBT3(快速)和650V IGBT4(軟度)在開關性能方面差別明顯,采用
2018-12-07 10:16:11
在一些要求高可靠性的應用場合,希望功率半導體器件可以穩定運行30年以上。為了達到這個目標,三菱電機開發了X系列高壓IGBT模塊,特別注重了可靠性方面的設計,并在實際的環境條件下進行了驗證,結果顯示失效率可以得到明顯降低。本文著介紹在IGBT數據手冊上看不到的一些特性。
2019-07-30 06:01:40
IGBT的驅動與保護電路研究:對電力電子功率器件IGBT的開關特性、驅動波形、功率、布線、隔離等方面的要求和保護方法進行了分析和討論,介紹了IGBT的幾種基本驅動電路和一種典
2009-05-31 12:33:1564 本文在分析IGBT的動態開關特性和過流狀態下的電氣特性的基礎上,通過對常規的IGBT推挽驅動電路進行改進,得到了具有良好過流保護特性的IGBT驅動電路。該電路簡單,可靠,易用
2009-10-15 11:12:3977 IGBT 的柵極驅動是IGBT 應用中的關鍵問題。本文闡明構成IGBT 柵極驅動電路的注意事項,基本電路參數的選擇原則,還介紹丁幾種驅動電路實例。
2010-08-31 16:33:41213 IGBT開關式自并激微機勵磁系統的原理及應用
本文以HWKT—09型微機勵磁調節器為例,詳盡地闡述了IGBT開關式自并激微機勵磁系統的基本原理,并重點討論了IGBT在開關勵
2009-11-13 15:41:39910 IGBT的原理和基本特性
IGBT的原理
絕緣柵雙極晶體
2010-03-05 15:53:4510640 新型IGBT軟開關在應用中的損耗
本文介紹了集成續流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT,并將探討面向軟開關應用的1,200V逆導型IGBT所取得的重大技術進步。
2010-05-25 09:05:201169 IGBT的靜態特性包括伏安特性、轉移特性和靜態開關特性。IGBT的伏安特性如圖1-33所示,與GTR的伏安特性基本相似,
2010-11-09 17:04:582159 。但是IGBT良好特性的發揮往往因其柵極驅動電路設計上的不合理,制約著IGBT的推廣及應用。本文分析了IGBT對其柵極驅動電路的要求,設計了一種適用于高頻條件下小功率電路可靠穩定的分立式IGBT驅動電路。
2018-06-29 15:25:004063 特性,嚴重制約了其推廣應用。從壓接式IGBT的封裝結構和電氣特性出發,基于雙脈沖測試原理,設計并搭建壓接式IGBT模塊的動態開關特性測試平臺。采用Ansoft Q3D軟件對測試平臺的雜散參數進行仿真,分析雜散參數的分布特征、影響與提取方法,
2017-12-26 14:16:013 AN-990應用筆記之IGBT的特性
2018-04-13 14:04:596 ℃以及兩款芯片各自最大允許工作結溫下的輸出特性曲線。從圖2中在Tvj.op=25℃時,相同的輸出電流,IGBT5 P5集電極與發射極電壓比IGBT4 P4更低;工作在最高結溫時,即使相差25
2018-07-23 17:23:505545 IGBT晶體管采用這兩種常見晶體管的最佳部分,即MOSFET的高輸入阻抗和高開關速度利用雙極晶體管的低飽和電壓,將它們組合在一起,產生另一種類型的晶體管開關器件,能夠處理大的集電極 - 發射極電流,幾乎沒有柵極電流驅動。
2019-06-25 18:27:5723092 在IGBT的應用中,當外部負載發生故障,或者柵極驅動信號出現異常,或者某個IGBT或二極管突然失效,均可能引起IGBT短路,表現為橋臂內短路、相同短路及接地短路,由于IGBT在短路狀態下需要同時承受
2019-10-07 15:04:0024314 在電子電路中,MOS 管和 IGBT 管會經常出現,它們都可以作為開關元件來使用,MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數也比較相似,那為什么有些電路用 MOS 管?而有些電路用 IGBT 管?
2020-03-20 15:36:5613315 在電子電路中,MOS 管和 IGBT 管會經常出現,它們都可以作為開關元件來使用,MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數也比較相似,那為什么有些電路用 MOS 管?而有些電路用 IGBT 管?
2020-09-09 14:40:3811556 IGBT ,中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由 MOSFET (輸入級)和 PNP 晶體管(輸出級)復合而成的一種器件,既有 MOSFET 器件驅動功 率小和開關速度快的特點(控制和響應),又有
2020-11-17 08:00:008 IGBT是電壓控制型器件,它只有開關特性(通和斷兩種狀態),沒有放大特性。由IGBT等效電路可知,它是以晶體管為主導元件,以MOS管為驅動元件的達林頓結構。
2020-11-21 10:17:0037937 IGBT工作中的特性: IGBT 的靜態特性, 靜態數據特性關鍵有光電流特性、遷移特性和電源開關特性。 (1)光電流特性: IGBT 的光電流特性就是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,漏極電流與柵極
2020-12-15 16:10:315907 IGBT的開關過程主要是由柵極電壓VGE控制的,由于柵極和發射極之間存在著寄生電容艮,因此IGBT的開通與關斷就相當于對CGE進行充電與放電。假設IGBT初始狀態為關斷狀態,即VGE為負壓VGC-
2021-02-19 09:31:1215196 門極參數Rge Cge和Lg對IGBT開關波形的影響說明。
2021-04-18 10:22:4913 在IGBT開關過程中通常用開通延遲td(on)、關斷延遲td(off)、上升時間tr和下降時間tf來進行描述。
2021-05-06 10:06:016718 工業應用中需要根據工況選用合適的 IGBT 模塊袁不能直接參考模塊數據手冊上的數據來應用模塊遙本文針對特定的應用工況搭建硬件和軟件電路袁進行全面自動化雙脈沖測試袁分析了各工況條件對開關特性
2021-05-17 09:51:1964 《IGBT驅動與保護電路設計及應用電路實例》第2版
2022-02-08 15:12:330 在電子電路中,MOS 管和 IGBT 管會經常出現,它們都可以作為開關元件來使用,MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數也比較相似,那為什么有些電路用 MOS 管?而有些電路用 IGBT 管?
2022-02-09 11:04:537 市面上適用于電力電子領域測量的電流探頭有許多,根據實際需求選擇合適的對波形的測量非常重要。現代的IGBT器件不斷地向著大電流密度和高頻率應用這兩個方向發展,但是幾乎找不到能同時符合各類IGBT開關特性測量的電流探頭,這就需要我們搞清楚自己的需求。
2022-03-10 15:38:41490 IGBT的開關過程主要是由柵極電壓VGE控制的,由于柵極和發射極之間存在著寄生電容艮,因此IGBT的開通與關斷就相當于對CGE進行充電與放電。假設IGBT初始狀態為關斷狀態,即VGE為負壓VGC-
2022-03-26 18:33:364680 大家好,這期我們再聊一下IGBT的開關損耗,我們都知道IGBT開關損耗產生的原因是開關暫態過程中的電壓、電流存在交疊部分,由于兩者都為正,這樣就會釋放功率,對外做功產生熱量。那為什么IGBT開關
2022-04-19 16:00:383402 在電子電路中,MOS管和IGBT管會經常出現,它們都可以作為開關元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數也比較相似。那為什么有些電路用MOS管,而有些電路用IGBT管?
2022-04-24 15:16:159249 的典型應用電路設計實例, 以供從事 IGBT 應用電路設計的工程技術人員在實際設計工作中參考。 全書共分為 6 章, 在概述了 IGBT 的發展歷程與發展趨勢的基礎上, 講 解了 IGBT 的結構和工作特性。
2022-04-24 17:39:2235 損耗:導通、導通和關斷是相對于電路和器件特性。二極管的影響硬交換拓撲的恢復性能也很重要討論說明二極管恢復是主要的決定MOSFET或IGBT導通開關的因素損失。
2022-09-14 16:54:120 在電子電路中,MOS管和IGBT管會經常使用,它們都可以作為開關元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數也比較相似,為什么有些電路中使用MOS管?而有些電路用IGBT管?
2023-01-30 15:00:351529 IGBT的驅動電路在它的應用中有著特別重要的作用,IGBT應用的關鍵問題之一是驅動電路的合理設計。由于IGBT的開關特性和安全工作區隨柵-射極驅動電路的變化而變化,因而驅動電路性能不好,常常會造成IGBT的損壞。
2023-02-16 15:07:431771 功率小和開關速度快的優點,又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優點,其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz頻率范圍內。
2023-02-17 16:40:23915 及電壓驅動特性,又有功率雙極型晶體管(BJT)的低飽和電壓特性及易實現較大電流的能力,在工業、能源、交通等場合越來越不可取代[1]。雖然在電力電子電路中,IGBT主要工作在開關狀態,但是IGBT仍然是功耗較
2023-02-22 15:19:511 IGBT的開關時間說明 IGBT的開關過程主要是由柵極電壓VGE控制的,由于柵極和發射極之間存在著寄生電容艮,因此IGBT的開通與關斷就相當于對CGE進行充電與放電。假設IGBT初始狀態為關斷狀態
2023-02-22 15:08:431 關于IGBT、MOSFET、BJT的開關工作特性的基本思想 最近一直在弄實驗室一個金屬離子源的控制板,其中有一個模塊需要完成一個恒流源的可控輸出,其負載是金屬離子源的遠控電流輸入口,考慮到金屬離子源
2023-02-23 09:55:292 MOS管和IGBT管有什么區別?不看就虧大了
在電子電路中,MOS管和IGBT管會經常出現,它們都可以作為開關元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數也比較相
似,那為什么有些電路用MOS管?而有些電路用IGBT管?
2023-02-24 10:34:455 IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極晶體管)和FWD(續流二極管)通過特定的電路橋封裝而成的模塊化半導體產品。封裝后的IGBT模塊直接應用于逆變器、UPS不間斷電源等設備。IGBT模塊具有節能
2023-02-26 10:58:525850 IGBT的開關特性是通過對門極電容進行充放電來控制的,實際應用中經常使用+15V的正電壓對IGBT進行開通,再由-5V…-8V…-15V的負電壓進行關斷。
2023-07-04 14:54:051699 IGBT : 是一種大功率的電力電子器件,是一個非通即斷的開關,IGBT沒有放大電壓的功能,導通時可以看做導線,斷開時當做開路。三大特點就是高壓、大電流、高速。它是電力電子領域非常理想的開關器件。 編輯:黃飛
2023-07-07 09:36:321089 摘要 壓接型 IGBT 芯片在正常的運行工況下承受著電-熱-力多物理量的綜合作用,研究電熱-力影響下的 IGBT 芯片動態特性對于指導 IGBT 芯片建模以及規模化 IGBT 并聯封裝設計具有
2023-08-08 09:58:280 IGBT 功率模塊的開關特性是由它的內部結構,內部的寄生電容和內部和外接的電阻決定的。
2023-09-22 09:06:14432 igbt的柵極驅動條件 igbt的柵極驅動條件對其特性有什么影響? IGBT是晶體管的一種,它是一種高壓、高電流的開關器件,常用于高功率電子應用中。IGBT是一種三極管,由一個PN結組成的集成電路
2023-10-19 17:08:14622 采用IGBT7高功率密度變頻器的設計實例
2023-12-05 15:06:06378 第3代IGBT IPM“BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列”為例進行介紹。 點擊下載 成功實現功率器件熱設計的4大步驟 IGBT IPM實例:封裝?? ? BM6337xS-xx
2023-12-07 09:30:02264 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種電力開關裝置,常被用于控制大電流和高電壓的電力設備。IGBT軟開關和硬開關是兩種不同的IGBT工作模式,它們在開關
2023-12-21 17:59:32658 IGBT的低電磁干擾特性 IGBT是一種在功率電子領域中常用的晶體管器件。它由一個IGBT芯片和一個驅動電路組成,用于控制高電壓和高電流的開關操作。相比于MOSFET,IGBT具有更低
2024-01-04 14:30:50563 IGBT高壓開關的優點說明 IGBT是一種高壓開關器件,它結合了 MOSFET和BJT的優點,具有許多獨特的優勢。在本文中,我們將詳細地探討IGBT的優點,以便更好地理解其在不同領域的應用。 首先
2024-01-04 16:35:47790 IGBT元件的損耗總和分為:通態損耗與開關損耗。開關損耗分別為開通損耗(EON)和關斷損耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07:171028 什么是IGBT的退飽和?為什么IGBT會發生退飽和現象? IGBT是一種高性能功率半導體器件,結合了MOSFET和BJT的優點。它在高電壓和高電流應用中具有低開啟電阻、低導通壓降和高開關速度等優點
2024-02-19 14:33:28481
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