MOSFET的漏伏安特性（輸出特性）：截止區（對應GTR的截止區）;飽和區（對應于GTR的放大區）;非飽和區（對應于GTR的飽和區）。功率MOSFET在開關狀態下工作，即截止區域和不飽和區之間的轉換
2023-07-04 16:46:37
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`30V 60V 100V 150V SGT工藝高性能MOS管 低內阻 低開啟 低結電容常規型號：25N10 17N06 30N06 50N06 30N03 3400 5N10 10N
2020-10-27 15:40:02
類型：SGT工藝NMOS低開啟電壓：1.7V封裝：TO-252HG160N10L特點：低損耗高頻率 大電流低開啟電壓 低內阻 結電容小低消耗 溫升低 轉換效率高過電流達 抗沖擊能力強SGT工藝 開關損耗小`
2020-12-07 11:02:00
`2014 OPPO N3新品發布會10月29日，新款旗艦OPPO N3將于北京奧雅會展中心舉辦發布會，我們能從網上看到不少關于N3的曝光消息，隨處可見配置、外觀甚至是售價的曝光。據傳，OPPO
2014-10-28 16:53:52
壓場效率管（MOSFET）MOS管型號：HC021N10L-AMOS管參數：100V35A內阻：22mR（VGS=4.5V）結電容：1880pF類型：SGT工藝NMOS開啟電壓：1.8V封裝：TO-252惠
2020-11-12 09:52:03
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
（VGS=10V）內阻：28mR（VGS=10V）結電容：550pF結電容：650pF類型：SGT工藝NMOS類型：SGT工藝NMOS開啟電壓：1.8V開啟電壓：1.8V封裝：TO-252封裝：TO-252惠海半導體MOSFET選型表參考：
2021-06-11 14:05:36
MOSFET流過的電流降低到閾值-10mV時，控制器驅動功率MOSFET關閉。該芯片提供了極為全面的輔助功能，包含輸出欠壓保護、輸出過壓鉗位等功能。PN8306產品特點：■ 內置13m? 40V
2020-05-06 15:39:58
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
10 17N10 30V 60V 100V 150V SGT工藝高性能MOS管 低內阻 低開啟 低結電容東莞市惠海半導體有限公司專業從事DC-DC中低壓MOS管市場，專注中低壓MOS管的設計、研發、生產與銷售
2020-09-24 16:34:09
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
。 40N120參數描述型號：40N120封裝：TO-220特性：低功耗場效應管電性參數：40A 1200V集電極電流(IC)：40A脈沖集電極電流(ICM)：160A集電極-發射極電壓(VCES
2021-12-03 16:38:53
意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉向系統)和EPB (電子駐車制動系統) 等汽車安全系統的機械、環境和電氣要求。 這些機電系統必須符合汽車AEC Q101規范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
進行性能比較，確定關鍵參數的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些參數進行探討，如硬開關和軟開關ZVS (零電壓轉換) 拓撲中的開關損耗，并對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗
2018-08-27 20:50:45
關于MOSFET的寄生容量和溫度特性關于MOSFET的開關及其溫度特性關于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-VGS特性和溫度特性關于MOSFET的寄生容量和溫度特性MOSFET的靜電
2019-04-10 06:20:15
和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損耗和關斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定MOSFET 或 IGBT導通開關損耗的主要因素，討論二極管恢復性能對于硬開關拓撲
2021-06-16 09:21:55
MOSFET 或 IGBT導通開關損耗的主要因素，討論二極管恢復性能對于硬開關拓撲的影響。 導通損耗 除了IGBT的電壓下降時間較長外，IGBT和功率MOSFET的導通特性十分類似。由
2020-06-28 15:16:35
前篇對MOSFET的寄生電容進行了介紹。本篇將介紹開關特性。MOSFET的開關特性在功率轉換中，MOSFET基本上被用作開關。MOSFET的開關特性一般提供導通延遲時間：Td(on）、上升時間：tr
2018-11-28 14:29:57
的技術規格中規定了條件。這個表是從N-ch 600V 4A的功率MOSFET：R6004KNX的技術規格中摘錄的。藍線框起來的是VGS(th)，條件欄中VDS=10V、ID=1mA，該條件下保證VGS
2019-05-02 09:41:04
，ID隨VGS而變化。從VGS(th)的規格值的角度看，只要條件沒有確定，就無法保證VGS(th)的值，因此在MOSFET的技術規格中規定了條件。這個表是從N-ch 600V 4A的功率MOSFET
2018-11-28 14:28:20
和 管子 導通的關系 理解如下，不知 是否正確，還請前輩、大俠 指點（輕拍）：1. 當VGS(th)≥4.1V時，所有的此規格的MOSFET均導通 ；2. 當2.9V≤VGS(th)
2017-08-10 00:15:55
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
通的意思是作為開關，相當于開關閉合。 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適用于源極接地的情況（低端驅動），只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導通，適用于源
2016-12-26 21:27:50
，特別是在高壓的時候，內部的電場外強度大，進一步增加熱電效應。因此，使用線性區的功率計算的SOA曲線，和實際的應用偏差非常大。對于大多開關電源和電力電子的應用，功率MOSFET工作在高頻的開關狀態，完全的導
2016-10-31 13:39:12
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數，進而確保持續提升系統效率和功率密度。分析顯示，在研發功率
2019-07-04 06:22:42
時刻并不一樣，因此開通時刻和關斷時刻的米勒平臺電壓VGP也不一樣，要分別根據各自的電流和跨導計算實際的米勒平臺電壓。（2）模式M2：t6-t7在t6時刻，功率MOSFET進入關斷的米勒平臺區，這個階段
2017-03-06 15:19:01
前面的文章講述過基于功率MOSFET的漏極特性理解其開關過程，也討論過開關電源的PWM及控制芯片內部的圖騰驅動器的特性和柵極電荷的特性，基于上面的這些理論知識，就可以估算功率MOSFET在開關
2017-02-24 15:05:54
在功率MOSFET的數據表的開關特性中，列出了柵極電荷的參數，包括以下幾個參數，如下圖所示。Qg(10V)：VGS=10V的總柵極電荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的總柵極電荷。Qgd：柵極
2017-01-13 15:14:07
MOSFET的穩態特性總結1）功率MOSFET 穩態時的電流/電壓曲線：2）說明：功率 MOSFET 正向飽和導通時的穩態工作點：當門極不加控制時，其反向導通的穩態工作點同二極管。3）穩態特性總結：門
2021-08-29 18:34:54
MOSFET的穩態特性總結（1）：功率MOSFET 穩態時的電流/電壓曲線（2）：說明功率 MOSFET 正向飽和導通時的穩態工作點：當門極不加控制時，其反向導通的穩態工作點同二極管。（3）：穩態特性總結
2021-09-05 07:00:00
，功率MOSFET很少接到純的阻性負載，大多數負載都為感性負載，如電源和電機控制；還有一部分的負載為容性負載，如負載開關。既然功率MOSFET所接的負載大多數為感性負載，那么上面基于阻性負載的開關特性
2016-12-16 16:53:16
，二邊的P區中間夾著一個N區，由于二個P區在外面通過S極連在一起，因此，這個結構形成了標準的JFET結構。 4 隔離柵SGT場效應晶體管 功率MOSFET的導通電阻Rds(on)和寄生的電容是一個相互
2016-10-10 10:58:30
的功率MOSFET的G極、S極加上正向電壓后，在G極的下面的P型體區，就會形成一個非常薄的反型層N型，這樣D極的N、反型層N、S極的N，就會形成導通的路徑。圖1：N溝道(左）、P溝道MOSFET結構P
2016-12-07 11:36:11
MOSFET的穩態特性總結（1）：功率MOSFET 穩態時的電流/電壓曲線（2）：說明功率 MOSFET 正向飽和導通時的穩態工作點當門極不加控制時，其反向導通的穩態工作點同二極管。（3）：穩態特性總結
2018-10-25 16:11:27
。為了改善某些參數的特性，如提高工作電流、提高工作電壓、降低導通電阻、提高開關特性等有 不同的結構及工藝，構成所謂VMOS、DMOS、TMOS等結構。圖2是一種N溝道增強型功率場效應管(MOSFET
2011-12-19 16:52:35
通；P溝道MOSFET通過施加給定的負的柵-源極電壓導通。MOSFET的柵控決定了它們在SMPS轉換器中的應用。例如，N溝道MOSFET更適用于以地為參考的低側開關，特別是用于升壓、SEPIC、正向和隔離
2021-04-09 09:20:10
杰理AC697N是什么？杰理AC697N有哪些特性？杰理AC697N有哪些優點？AC697N在低功耗、主動降噪、高清音質的表現是什么？
2021-07-02 07:12:51
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
BSS123 - 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
150V轉3.3V 5V 12V 等不同的輸出。
恒流主要是：各種照明場景，包括：舞臺燈 車燈 攝影燈 球泡燈 臺燈 投影儀 磁吸燈 吸頂燈等等，它們有大功率，大電流，發熱小，共陽等特性，往往需要12V
2024-01-20 15:30:35
. 總所周知，IR不僅是全球功率半導體領先供應商，還是管理方案領先供應商。其推出的AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET,采用COOLiRFET硅技術,40V
2018-09-28 15:57:04
通的意思是作為開關，相當于開關閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況（低端驅動），只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導通，適合
2012-11-12 15:40:55
，特性，驅動以及應用電路。1，MOS管種類和結構MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P
2012-12-18 15:37:14
的設計而言，它大幅降低了MOSFET導通電阻，并保持了出色的開關性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進一步改進了設計，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關。同步整流器應用幾乎總是使用N溝道技術，這主要是因為N溝道的RDS(on)小于P溝道的，并且通過在柵極上施加正電壓導通。 MOSFET多數是載流子器件， N溝道
2018-03-03 13:58:23
。此外，為了進一步提高電機的效率并減小尺寸，對于MOSFET還提出了更低導通電阻和高速開關工作的要求。在這種背景下，ROHM繼2020年年底發布的新一代Pch MOSFET*2之后，此次又開發出在Nch
2021-07-14 15:17:34
MOSFET模型仿真驗證Id_Vds有效性MOSFET模型導通電壓Vgs(th)驗證MOSFET模型導通電阻測試驗證與體二極管I-V特性測試電路搭建MOSFET模型體二極管正向電流與正向電壓關系I_V性能仿真驗證
2017-04-12 20:43:49
，SiC-MOSFET在25℃時的變動很小，在25℃環境下特性相近的產品，差距變大，溫度增高時SiC MOSFET的導通電阻變化較小。與IGBT的區別：關斷損耗特性前面多次提到過，SiC功率元器件的開關特性優異，可處理
2018-12-03 14:29:26
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開關速度、更高的電流密度以及更低的導通電阻，非常適用于電網轉換、電動汽車、家用電器等高功率應用。但是，在實際應用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
SiC-DMOS的特性現狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發展，性能有望進一步提升。從下一篇開始，將單獨介紹與SiC-MOSFET的比較。關鍵要點:?功率晶體管的特征因材料和結構而異。?在特性方面各有優缺點，但SiC-MOSFET在整體上具有優異的特性。＜ 相關產品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
- ID特性 SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以從小電流到大電流的寬電流范圍內都能夠實現低導通損耗。 而Si-MOSFET在150°C時導通電阻上升為室溫條件下的2倍以上
2023-02-07 16:40:49
采用IGBT這種雙極型器件結構（導通電阻變低，則開關速度變慢），就可以實現低導通電阻、高耐壓、快速開關等各優點兼備的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-04-09 04:58:00
采用IGBT這種雙極型器件結構（導通電阻變低，則開關速度變慢），就可以實現低導通電阻、高耐壓、快速開關等各優點兼備的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-05-07 06:21:55
Sic MOSFET 主要優勢.更小的尺寸及更輕的系統.降低無源器件的尺寸/成本.更高的系統效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開關的突破.SCT30N
2017-07-27 17:50:07
50MR；TSD5N60MTruesemi 其它相關產品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數：應用：高效開關模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數校正`
2020-04-30 15:13:55
時，客戶工程師發現：Vin=5V，ID=100mA，VGS=2.5V時，Q1的導通壓降只有0.06V，那么，這是不是表明：功率MOSFET在反向工作的時候，VTH比正向導通的時候低？是不是二極管的分流
2017-04-06 14:57:20
新的功率密度和能效標準。 極低的門極電荷，輸出電荷以及極低的導通電阻使得New OptiMOS成為服務器，數據通信和電信產品電壓調節器上的最佳選擇。40V, 60V OptiMOS更為DC/DC變換器
2012-07-13 10:50:22
性能比較，確定關鍵參數的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些參數進行探討，如硬開關和軟開關ZVS (零電壓轉換) 拓撲中的開關損耗，并對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損耗
2019-03-06 06:30:00
)：1200V柵極-發射極電壓(VGES)：±25VG-E閾值電壓(VGE)：5.5VG-E漏電流(IGES)：250nA工作溫度：-55~+150℃引線數量：3 什么是MOS管40N120的導通特性
2021-12-29 16:53:46
近年來，因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應用等下游市場的驅動，碳化硅功率器件取得了長足發展。更快的開關速度，更好的溫度特性使得系統損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現變換器的高效高功率
2022-03-29 10:58:06
中低壓場效率管（MOSFET）MOS管型號：HG012N06LMOS管參數：60V50A內阻：14mR（VGS=4.5V）結電容：550pF類型：SGT工藝NMOS開啟電壓：1.8V封裝
2020-07-31 11:03:26
電路結構，每個橋臂上管可以使用P管，也可以使用N管。（2）通信系統48V輸入系統的熱插撥MOSFET放在高端，可以使用P管，也可以使用N管。（3）筆記本電腦輸入回路串聯的、起防反接和負載開關作用的二個
2019-04-04 06:30:00
上周六華為官方宣布將于北京時間10月22日20點舉行華為Mate?40系列新品發布會，而本次發布會除了華為Mate?40系列還將有哪些新品呢？華為本次發布會可能會帶來：1、華為Mate40系列四款
2020-10-12 17:40:11
MOSFET）。但在多數情況下，使用全面集成的負載開關具有更顯著的優點。系統中的負載開關在哪里一個典型系統包括一個電源和多個負載，需要各種不同的負載電流，如Bluetooth?、Wi-Fi或處理器軌。多數
2022-11-17 08:05:25
。由于相應理論技術文章有很多介紹 MOSFET 參數和性能的，這里不作贅述，只對實際選型用圖解和簡單公式作簡單通俗的講解。另外，這里的功率 MOSFET 應用選型為功率開關應用，對于功率放大應用不一定適用
2019-11-17 08:00:00
、加濕器、美容儀等電源開關應用30V 60V 100V 150V系列 SGT工藝高性能MOS管 低內阻 低開啟 低結電容常規型號：3400 5N10 10N10 17N10 25N10 17N06 30N06 50N06 30N03`
2020-08-29 14:51:46
的阻抗過高，則從MOSFET發出的電流會產生足夠高的電壓以使其重新導通，寄生導通，從而導致額外的損耗甚至破壞。這個問題也會影響碳化硅MOSFET。 標準功率MOSFET最高可達800 V，有少數
2023-02-20 16:40:52
通的意思是作為開關，相當于開關閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況（低端驅動），只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導通，適合
2020-03-10 17:30:59
通道數量: 1 Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V Id-連續漏極電流: 26 A Rds On-漏源導通電阻: 230 mOhms Vgs
2020-03-31 17:08:29
`海飛樂技術現貨替換IXFH40N85X場效應管VGS（TH）（-大）@標識:5.5V @ 4mA:30V技術:MOSFET (metal Oxide)RDS（ON）（-大值）@標識，柵極電壓
2020-03-20 17:11:50
: TO-264-3 通道數量: 1 Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 300 V Id-連續漏極電流: 150 A Rds On-漏源導通電阻: 8.3 mOhms
2020-03-05 11:04:07
的過程，然后從漏極導通特性、也就是放大特性曲線，來理解其開通關斷的過程，以及MOSFET在開關過程中所處的狀態。1、MOSFET柵極電荷特性與開關過程基于柵極電荷的MOSFET的開通過程如圖1所示，此圖
2016-11-29 14:36:06
沒有問題。但是，當深入理解功率MOSFET的轉移特性和溫度對其轉移特性的影響，就會發現，功率MOSFET的正溫度系數只有在MOSFET進入穩態完全導通后的狀態下才能成立，在開關瞬態的過程中，上述理論
2016-09-26 15:28:01
電流值。AON6590(40V，0.99mΩ)電流連續漏極電流ID脈沖漏極電流IDM連續漏極電流IDSM雪崩電流IAS 1 連續漏極電流ID連續漏極電流在功率MOSFET的數據表中標示為電流ID，對于
2016-08-15 14:31:59
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術為功率轉換器設計人員開辟了一系列新的可能性。與現有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導通和關斷損耗，并改善了導通和二極管損耗。對其開關特性的仔細分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
進一步減小，甚至消除。 結論 如今，新一代的40V和60V MOSFET可使設計工程師設計出更高功率密度的產品。開關性能的優化可使許多應用選用一個更低電壓等級的MOSFET，從而全面優化通態電阻、成本
2018-12-06 09:46:29
MOSFET的柵極電荷特性與開關過程MOSFET的漏極導通特性與開關過程
2021-04-14 06:52:09
討論如何根據RDS（ON）、熱性能、雪崩擊穿電壓及開關性能指標來選擇正確的MOSFET。 MOSFET的選擇 MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統中，MOSFET可被看成電氣開關。當在
2011-08-17 14:18:59
PN結轉化為掩埋PN結，在相同的N-摻雜濃度時，阻斷電壓還可進一步提高。 內建橫向電場MOSFET的主要特性 1、 導通電阻的降低 INFINEON的內建橫向電場的MOSFET，耐壓600V
2023-02-27 11:52:38
%。特性方面的定位是標準特性。低噪聲SJ-MOSFET：EN系列SJ-MOSFET具有“導通電阻低，開關速度快”的特征，但存在其高速性導致噪聲比平面型大的課題。為改善這個問題開發了EN系列。該系列產品融合了
2018-12-03 14:27:05
本文主要研究高頻功率MOSFET的驅動電路和在動態開關模式下的并聯均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態及動態特性，然后根據功率MOSFET對驅動電路的要求，
2010-11-11 15:34:22
201 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關過程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關過程的方法：基于功率MOSFET的導通區特性的開關過程，并詳細闡述了其開關過程
2011-09-14 17:39:1765 特點和優勢
1、國內第一顆采用SGT技術的P-100V的MOSFET產品；
2、P Channel產品在負載開關應用中，電路更簡潔，高效；
2020-10-21 15:51:542267 的電機驅動系統、逆變器系統及電源管理系統，是核心功率控制部件。 ? ? ? ? ? ?SGT(Shield Gate Trench MOSFET) MOSFET結構及工藝制造方法，因其不需要在溝槽內生長厚的屏蔽電極介質層，同時Bsg具有良好的高溫回流特性，具備良好的溝槽填充能力，可以將溝槽CD極大程度縮小
2020-12-25 14:02:0728404 MOSFET大致可以分為以下幾類：平面型MOSFET；Trench （溝槽型）MOSFET，主要用于低壓領域；SGT（Shielded Gate Transistor，屏蔽柵溝槽）MOSFET，主要用于中壓和低壓領域；SJ-（超結）MOSFET，主要在高壓領域應用。
2021-01-22 08:41:429130 DYA-X40D150-P7臺信環型接近開關
2021-07-29 14:50:371 功率MOSFET特性參數的理解
2022-07-13 16:10:3924 揭秘WAYON維安新研發的SGT MOSFET，三大優勢前途無量！
2023-01-06 12:59:081797 
前篇對MOSFET的寄生電容進行了介紹。本篇將介紹開關特性。MOSFET的開關特性：在功率轉換中，MOSFET基本上被用作開關。
2023-02-09 10:19:242519 
摘要：CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET，采用SGT IV MOSFET技術。它具有快速開關和改進的dv/it能力，適用于MB/VGA、POL應用和DC-DC轉換器等領域。本文將介紹CMS4070M的特點、應用領域以及關鍵性能參數。
2023-06-08 14:28:28663 
安建半導體40V SGT MOSFET產品已經通過AEC-Q101車規認證的全部測試。
2023-09-06 17:48:45474 中壓MOSFET，是美格納40~200V溝槽MOSFET的尖端產品組合。 在大功率設備中，能源效率對于降低功耗和確保穩定性至關重要。利用美格納尖端的溝槽式MOSFET技術，這些新發布的第8代150V MXT MV
2023-10-12 17:15:09736 功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
安建半導體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產品平臺，平臺采用先進的技術和設計，提供了卓越的開關特性和低導通電阻，從而實現了高效的能源轉換和低能耗操作，不僅可以顯著提高
2024-01-23 13:36:49293 
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