電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李寧遠）在高功率應用中，通常需要專用驅(qū)動器來驅(qū)動功率晶體管，不使用專用驅(qū)動器一般都會導致電路功耗過高。大多數(shù)功率MOSFET和IGBT由柵極驅(qū)動器IC驅(qū)動，尤其是IGBT，幾乎
2021-11-03 09:33:56
3665 京電子器件有限公司將于2012年7月起開始在中國銷售IGBT（絕緣柵雙級型晶體管）柵極驅(qū)動板，并提供根據(jù)客戶要求進行設計定制的服務。該產(chǎn)品的特點在于僅用1塊電路板即可驅(qū)動2通道的
2012-07-05 09:07:17839 
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動器，其速度比同等光學柵極驅(qū)動器快40%。
2012-10-11 14:04:331610 英飛凌提供500多種EiceDRIVER?柵極驅(qū)動器解決方案，用于驅(qū)動MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔離型柵極驅(qū)動器、 電平轉(zhuǎn)換柵極驅(qū)動器以及非隔離低邊驅(qū)動器，從而滿足各種功率半導體技術和功率轉(zhuǎn)換拓撲的設計要求。
2019-01-29 09:58:3227184 
大家好，看到TI一篇關于IGBT和SiC器件柵極驅(qū)動應用的文檔，雖然比較基礎，但是概括的比較好，適合電力電子專業(yè)的初學者，總體內(nèi)容如下。
2022-11-25 09:20:301195 前面我們也聊到過IGBT的柵極驅(qū)動設計，雖然今天聊的可能有些重復，但是感覺人到中年，最討厭的就是記憶力不夠用，就當回顧和加重記憶吧。
2023-04-06 17:38:291595 
大家好，今天聊一下IGBT驅(qū)動中的**參考電位**問題。我們都知道IGBT的驅(qū)動參考電平都是基于 **器件自身的發(fā)射極** ，當柵極相對于發(fā)射極電位 **超過閾值電壓時，器件就會開通** ， **小于閾值電壓后，器件就會關斷** 。
2023-11-09 15:19:15666 
輸出電荷，該值在選擇驅(qū)動器時必須要考慮。 另外在IGBT驅(qū)動器選擇中還應該注意的參數(shù)包括絕緣電壓Visol IO 和dv/dt 能力。 IGBT驅(qū)動電路中柵極電阻Rg的作用及選取方法 一、柵極電阻Rg
2012-07-25 09:49:08
`我需要通過LC電路產(chǎn)生一個1200A，2.5KHz的脈沖電流，所加電壓500V，電路圖如下。需要用到IGBT來進行開關控制，初步選定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驅(qū)動電路
2017-10-10 17:16:20
請幫忙看下這個IGBT驅(qū)動電路是否可行；如果可行，柵極電壓將會是多少，以及三極管Q1，Q2在IGBT導通時的工作狀態(tài)
2013-08-18 19:56:22
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
柵極電阻RG對IGBT開關特性有什么影響？
2021-06-08 06:56:22
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
從本文開始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動的“其1”介紹柵極驅(qū)動的評估事項，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動的評估事項：柵極誤導通首先需要了解的是：接下來要介紹
2018-11-30 11:31:17
工業(yè)電機驅(qū)動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導體器件制造商不斷在導通損耗和開關時間上尋求突破。有關增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導通損耗的一些權衡取舍是：更高
2019-07-24 04:00:00
變的危險，這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。因此，為IGBT提供合適柵極信號的柵極驅(qū)動器，還執(zhí)行提供短路保護并影響開關速度的功能。然而，在選擇柵極驅(qū)動器時，某些特性至關重要。
2020-10-29 08:23:33
`描述此參考設計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動器所需的隔離式正負電壓軌。此參考設計采用 Fly-Buck? 控制拓撲，從單一變壓器生成用于三相逆變器
2015-04-27 16:55:43
柵極驅(qū)動器的 +16V/-8V 電壓，能夠通過具有外部 BJT/MOSFET 緩沖器的單極或雙極電源為柵極驅(qū)動器供電可針對反相/非反相工作情況配置柵極驅(qū)動器輸入可選擇通過如下方式評估系統(tǒng)：柵極驅(qū)動器和 IGBT 之間的雙絞線電纜柵極和發(fā)射極之間的外部電容
2018-12-27 11:41:40
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動在設計過程中必須仔細考慮需求。本應用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動IC時的關鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅(qū)動器的HEV/EV牽引逆變器設計指南
2022-11-02 12:07:56
工業(yè)電機驅(qū)動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導體器件制造商不斷在導通損耗和開關時間上尋求突破。有關增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導通損耗的一些權衡取舍是：更高
2019-10-06 07:00:00
驅(qū)動半橋配置中的并聯(lián) IGBT。并聯(lián) IGBT 在柵極驅(qū)動器級（驅(qū)動強度不足）以及系統(tǒng)級均會帶來挑戰(zhàn)：難以在兩個 IGBT 中保持相等電流分布的同時確保更快的導通和關斷。此參考設計使用增強型隔離式
2018-12-07 14:05:13
描述TIDA-00174 參考設計是一款四路輸出隔離式 Fly-Buck 電源，適合于 IGBT 柵極驅(qū)動器偏置。它產(chǎn)生兩組（+16V、-9V）電壓輸出，輸出電流容量為 100mA。正/負偏置電壓
2018-09-05 08:54:59
下降低開關損耗。 另一方面，正是這種高開關速度會對電機絕緣等其他組件的使用壽命產(chǎn)生負面影響，并可能導致EMI問題。憑借其新型柵極驅(qū)動器 BM60059FV-C，ROHM 可在有限的 dv/dt 下將
2023-02-21 16:36:47
的重要任務由驅(qū)動IGBT的柵極驅(qū)動器完成。光電隔離柵極驅(qū)動器已成功用于驅(qū)動IGBT，并提供電流安全隔離。光電隔離柵極驅(qū)動器的輸入級包含單個鋁鎵砷（AlGaAs）LED。輸出級包括一個光電探測器和放大器
2022-11-10 06:40:24
Q1。如何計算IGBT柵極電阻。我想使用 STGD18N40LZ IGBT 來操作感性開關負載。開關頻率：- 在 400Hz 到 1Khz 之間集電極到發(fā)射極電壓：- 24V。平均最大電流：- 5A。Q2。使用1Kohm電阻會有什么影響？
2023-01-04 09:00:04
的等效電路如圖1所示。由圖1可知,若在 IGBT 的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓,則 MOSFET 導通,這樣 PNP 晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通;若 IGBT 的柵極
2021-03-19 15:22:33
工業(yè)電機驅(qū)動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。有關增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導通損耗的一些權衡取舍是：更高的 短路電流電平、更小的芯片尺寸，以及更低的熱容量和短路
2018-08-20 07:40:12
的選擇要考慮開關速度的要求和損耗的大小。柵極電阻也不是越小越好， 當柵極電阻很小時， IGBT的CE間電壓尖峰過大， 柵極電阻很大時， 又會增大開關損耗。 所以， 選擇時要在CE間尖峰電壓能夠承受
2011-09-08 10:12:26
防止由米勒電容引起的故障的另一種方法包括在IGBT的柵極發(fā)射極之間進行短路。配置電路以從外部組件安全地鉗位柵極是復雜的并且需要額外的PWB空間。 TLP5214具有內(nèi)部功能，稱為有源米勒鉗位功能，可
2020-05-11 09:00:09
的門極驅(qū)動問題做了一些總結(jié)，希望對廣大IGBT應用人員有一定的幫助。 1 IGBT門極驅(qū)動要求 1.1 柵極驅(qū)動電壓 因IGBT柵極-發(fā)射極阻抗大，故可使用MOSFET驅(qū)動技術進行驅(qū)動，但
2016-11-28 23:45:03
的門極驅(qū)動問題做了一些總結(jié)，希望對廣大IGBT應用人員有一定的幫助。 1 IGBT門極驅(qū)動要求 1.1 柵極驅(qū)動電壓 因IGBT柵極-發(fā)射極阻抗大，故可使用MOSFET驅(qū)動技術進行驅(qū)動，但
2016-10-15 22:47:06
描述此參考設計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動器所需的隔離式正負電壓軌。此參考設計采用 Fly-Buck&trade(...)主要特色? 隔離型
2018-09-06 09:07:35
`描述此參考設計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動器所需的隔離式正負電壓軌。此參考設計采用 Fly-Buck? 控制拓撲，從單一變壓器生成用于三相逆變器
2015-03-23 14:53:06
NCV57001FDWR2G是一款具有簡化的軟的?轉(zhuǎn)動?關閉時間適合驅(qū)動大型IGBT或電源模塊。是一個高性能的傳感器?電流型單通道IGBT驅(qū)動器內(nèi)部電流隔離，設計用于高系統(tǒng)效率和高功率應用的可靠性
2022-01-06 09:53:36
電子書“IGBT 和 SiC 柵極驅(qū)動器基礎知識”
2022-10-25 17:20:12
描述TIDA-00174參考設計是一款四路輸出隔離式 Fly-Buck 電源，適合于 IGBT 柵極驅(qū)動器偏置。它產(chǎn)生兩組（+16V、-9V）電壓輸出，輸出電流容量為 100mA。正/負偏置電壓用于
2022-09-26 07:54:11
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器參考設計為驅(qū)動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁（電動汽車充電站）應用的功率級提供了藍圖。此設計基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
(x2) 和 -8V (x2)使用預調(diào)制的 24V 輸入進行操作輸出功率：每個 IGBT 2W可以選擇關閉電源以促進安全扭矩切斷 (STO) 功能輸出波紋：< 200mV輸出電容器的額定值支持高達 6A 的峰值柵極驅(qū)動電流旨在滿足 IEC61800-1-5`
2015-03-23 14:35:34
(x2) 和 -8V (x2)使用預調(diào)制的 24V 輸入進行操作輸出功率：每個 IGBT 2W可以選擇關閉電源以促進安全扭矩切斷 (STO) 功能輸出波紋：< 200mV輸出電容器的額定值支持高達 6A 的峰值柵極驅(qū)動電流旨在滿足 IEC61800-1-5`
2015-04-27 17:31:57
IGBT 的柵極驅(qū)動是IGBT 應用中的關鍵問題。本文闡明構(gòu)成IGBT 柵極驅(qū)動電路的注意事項，基本電路參數(shù)的選擇原則，還介紹丁幾種驅(qū)動電路實例。
2010-08-31 16:33:41
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IGBT模塊驅(qū)動及保護技術
摘要：對IGBT柵極驅(qū)動特性、柵極串聯(lián)電阻及其驅(qū)動電路進行了探討。提出了慢降柵壓過流保護和過
2009-07-15 07:57:592426 
單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動器集成電路IR2117
IR2117是美國IR公司專為驅(qū)動單個MOSFET或IGBT而設計的柵極驅(qū)動器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:006016 
IGBT絕緣柵極雙極晶體管過壓保護電路
IGBT的柵極過壓的
2010-02-17 17:13:011796 
利用silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行了仿真，在同一電流密度下提取了不同柵極寬度IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨柵極寬度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對于相同的元
2011-12-05 15:28:5431 東芝新推出一系列采用小型SO8封裝的IC光電耦合器TLP2451是一款使用圖騰柱輸出的IGBT / MOSFET柵極驅(qū)動光電耦合器
2012-03-13 11:08:413462 
ACPL-P343 (W343) IGBT柵極驅(qū)動方案
2015-12-30 15:47:1757 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 IGBT驅(qū)動電路的作用是驅(qū)動IGBT模塊以能讓其正常工作，同時對IGBT模塊進行保護。IGBT 驅(qū)動電路的作用對整個IGBT構(gòu)成的系統(tǒng)來說至關重要
2017-06-05 14:21:1227214 
的柵極驅(qū)動要求等。與在這種設計中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅(qū)動電路的尺寸和復雜度上都有相當大的降低。最近在IGBT開關速度的改進取得了設備適用于電源的應用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應用。許多設計者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 igbt驅(qū)動器是驅(qū)動igbt并對其整體性能進行調(diào)控的裝置，它不僅影響了igbt 的動態(tài)性能，同時也影響系統(tǒng)的成本和可靠性。驅(qū)動器的選擇及輸出功率的計算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導致 igbt 和驅(qū)動器損壞。
2017-11-23 08:38:1745074 由式(5)和式(6)可知，反饋電流IL值為正。IL不能直接加在柵極，以免對柵極電流造成沖擊，因此需要引入一個由Q5、Q6組成的鏡像電路，將流過Q6的電流鏡像到流過Q5的電路上反饋到柵極。這樣，實現(xiàn)了對IGBT開通時柵極電流的調(diào)控，IGBT開通時di/dt得到控制，如式(7)所示。
2018-04-17 08:48:5012138 
本參考設計采用一個 22kW 功率級以及 TI 全新的增強型隔離式 (IGBT) 柵極驅(qū)動器 ISO5852S，適用于交流驅(qū)動器等各類 三相逆變器。
2018-05-08 17:03:2524 該參考設計包含具有增強型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動器以及專用柵極驅(qū)動器電源的單個模塊。該緊湊型參考設計可控制光伏逆變器中的 IGBT。該設計使用具有內(nèi)置 IGBT DESAT 檢測和米勒鉗位保護
2018-06-28 08:00:0011 熟練掌握高壓MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動設計
2018-08-16 00:24:004344 熟練掌握高壓MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動設計
2019-05-07 06:34:002054 
ADI公司的ADuM4137是單路IGBT柵極驅(qū)動器，采用ADI的iCoupler?技術，使得輸入信號和輸出柵驅(qū)動之間絕緣。器件還對過流，遙控溫度過熱，欠壓鎖住（UVLO）和熱關斷（TSD）等事件提供故障報告。
2019-04-05 11:26:002853 
通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394943 
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu)，直流電不能通過，因而低頻的表態(tài)驅(qū)動功率接近于零。但是柵極和源極之間構(gòu)成了一個柵極電容Cgs，因而在高頻率的交替
2019-07-03 16:26:554307 
,通態(tài)損耗最小,又可以限制短路電流。因此柵極驅(qū)動電壓Uge需要選擇一個合適的數(shù)值,以保證IGBT的可靠運行。柵極電壓增高時,有利于減小IGBT的開通損耗和導通損耗,但同時將使IGBT能承受的短路時間變短
2019-07-26 09:46:2516179 
在電源電子（例如驅(qū)動技術）中，IGBT（隔離式柵極驅(qū)動器 - Insulated Gate Bipolar Transistor）經(jīng)常用作高電壓和高電流開關。
2019-08-07 14:27:1410786 
IGBT的驅(qū)動電路必須具備兩種功能：一是實現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動IGBT柵極的電位隔離；二是提供合適的柵極驅(qū)動脈沖。實現(xiàn)電位隔離可以采用脈沖變壓器、微分變壓器及光耦合器。
2019-10-07 14:26:0012785 
不熟悉MOSFET或IGBT輸入特性的設計人員首先根據(jù)數(shù)據(jù)表中列出的柵源或輸入電容來確定元件值，從而開始驅(qū)動電路設計。基于柵極對源電容的RC值通常會導致柵極驅(qū)動嚴重不足。雖然柵極對源電容是一個重要
2020-03-09 08:00:0024 柵極電路的正偏壓VGE、負偏壓-VGE和柵極電阻RG的大小，對IGBT的通態(tài)壓降、開關時間、開關損耗、承受短路能力以及dV/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。
2020-06-18 08:00:0042 中的功率消耗或損耗、發(fā)送到功率半導體開關 (IGBT/MOSFET) 的功率以及驅(qū)動器 IC 和功率半導體開關之間的外部組件（例如外部柵極電阻器兩端）的功率損耗。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅(qū)動器）的 IGBT 柵極驅(qū)動器設計。本
2021-06-14 03:51:003144 
工業(yè)快速以太網(wǎng) 隔離式IGBT柵極驅(qū)動器需要隔離式電源，以實現(xiàn)安全隔離和電平轉(zhuǎn)換。不幸的是，基于標準電源控制IC的隔離式電源設計并非易事。要使用離散的組件定制解決方案，就需要專門知識和大量的驗證工作
2021-05-26 18:05:172342 
FET柵極驅(qū)動器和電源的支持組件集成在柵極驅(qū)動器中，從而縮減了串聯(lián)柵極電阻器、柵極灌電流路徑二極管、柵源電壓(VGS)鉗位二極管、柵極無源下拉電阻器和電源等組件的物料清單(BOM)和組裝成本。
2021-01-13 14:06:282800 摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820 ADuM4135：提供米勒箝位的單電源 / 雙電源 高電壓隔離 IGBT 柵極驅(qū)動器
2021-03-21 13:47:029 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 本文對IGBT的柵極驅(qū)動特性、柵極串聯(lián)電阻及IGBT的驅(qū)動電路進行了探討。給出了過電流保護及換相過電壓吸收的有效方法。
2022-08-23 09:40:2427 柵極驅(qū)動光電耦合器FOD31xx系列的功能是用作電源緩沖器 ,來控制功率MOSFET或IGBT的柵極 。它為 MOSFET或 IGBT的柵極輸入供應所需的峰值充電電 流 ,來打開器件。該目標通過
2022-10-24 09:00:07920 
IGBT 柵極驅(qū)動注意事項
2022-11-15 19:51:245 本文介紹了在電機驅(qū)動應用中為功率級選擇隔離式柵極驅(qū)動器時，您有多種選擇。柵極驅(qū)動器可簡單可復雜，具有集成米勒箝位、分離輸出或絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 發(fā)射極的欠壓 （UVLO） 鎖定參考等功能。
2022-11-30 09:58:211105 
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制器件，用作電源電路和電機驅(qū)動器等系統(tǒng)中的開關元件。柵極是每個設備的電氣隔離控制端子。 MOSFET的其他端子是源極和漏極，對于IGBT，它們被稱為集電極
2023-01-30 17:17:121151 
IGBT的驅(qū)動電路在它的應用中有著特別重要的作用，IGBT應用的關鍵問題之一是驅(qū)動電路的合理設計。由于IGBT的開關特性和安全工作區(qū)隨柵-射極驅(qū)動電路的變化而變化，因而驅(qū)動電路性能不好，常常會造成IGBT的損壞。
2023-02-16 15:07:431771 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS絕緣柵型場效應管組成的復
合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件
2023-02-23 09:52:070 柵極驅(qū)動參考 1.PWM直接驅(qū)動2.雙極Totem-Pole驅(qū)動器3.MOSFET Totem-Pole驅(qū)動器4.速度增強電路5.dv/dt保護 1.PWM直接驅(qū)動 在電源應用中，驅(qū)動主開關
2023-02-23 15:59:0017 柵極驅(qū)動器是一種功率放大器，它接受來自控制器IC的低功耗輸入，并為功率器件產(chǎn)生適當?shù)母唠娏?b class="flag-6" style="color: red">柵極驅(qū)動。隨著對電力電子器件的要求不斷提高，柵極驅(qū)動器電路的設計和性能變得越來越重要。
功率
2023-04-04 10:23:45547 點擊藍字?關注我們 IGBT晶體管的結(jié)構(gòu)要比 MOSFET 或雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 復雜得多。它結(jié)合了這兩種器件的特點，并且有三個端子：一個柵極、一個集電極和一個發(fā)射極。就柵極驅(qū)動而言，該器件
2023-06-21 19:15:01398 
IGBT器件柵極電壓波形振蕩的原因？
2023-09-16 08:32:131715 
igbt的柵極驅(qū)動條件 igbt的柵極驅(qū)動條件對其特性有什么影響？ IGBT是晶體管的一種，它是一種高壓、高電流的開關器件，常用于高功率電子應用中。IGBT是一種三極管，由一個PN結(jié)組成的集成電路
2023-10-19 17:08:14622 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《柵極寬度對IGBT通態(tài)壓降的影響.pdf》資料免費下載
2023-10-25 10:45:410 深度剖析 IGBT 柵極驅(qū)動注意事項
2023-11-24 14:48:25220 
IGBT柵極驅(qū)動設計，關鍵元件該怎么選？
2023-11-30 18:02:38294 
報告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動器功能
驅(qū)動器演進以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動器進化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
由于IGBT高電壓、大電流和高頻特性，IGBT需要一個專門的驅(qū)動電路來控制其開通和關斷。本文將介紹IGBT驅(qū)動電路。 一、IGBT驅(qū)動電路的作用 IGBT驅(qū)動電路的主要作用是向IGBT提供適當?shù)?b class="flag-6" style="color: red">柵極
2024-01-17 13:56:55554 
意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
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