通過雙脈沖測試，可以得到IGBT的各項開關參數(shù)。
2023-11-24 16:36:42
1613 
區(qū)，它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。 IGBT的開關作用
2012-07-25 09:49:08
各位高手，查看資料貼的時候，看到逆變器有一重要參數(shù)---電壓轉換系數(shù)，對于IGBT是需要計算還是在IGBT的說明書中有此參數(shù)說明，請高手給予幫助，謝謝了！！！
2018-07-03 15:21:28
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
1，IGBT單管：IGBT，封裝較模塊小，電流通常在100A以下，常見有TO247 等封裝,sg 本人常用。2，IGBT模塊
2012-07-09 12:00:13
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
1，IGBT單管：IGBT，封裝較模塊小，電流通常在100A以下，常見有TO247 等封裝,sg 本人常用。2，IGBT模塊
2012-07-09 10:12:52
IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。 IGBT 的開關作用是通過加正向
2012-07-09 10:01:42
IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。 IGBT 的開關作用是通過加正向
2012-07-09 11:53:47
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:59 編輯
請哪位高手指點一下，如何測量IGBT單管的好壞，謝謝
2012-07-25 21:49:17
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------一、簡述大家都知道，IGBT單管相當?shù)拇嗳酰瑯与娏魅萘康?b class="flag-6" style="color: red">IGBT單管，比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了，也就是說，在逆變H橋里頭，MOSFET上去沒有問題，但是IGBT.
2021-11-15 08:51:39
這里以單個IGBT管為例（內含阻尼二極管），IGBT管的好壞可用數(shù)字萬用表的“二極管”擋來測量PN結正向壓降進行判斷。檢測前先將IGBT管三只引腳短路放電，使IGBT的CE腳在關閉狀態(tài)下，避免
2012-04-18 16:15:53
大家好，我是新手，想做一個PWM卸荷裝置，請問一下，這個IGBT管怎么接線？謝謝
2012-12-17 13:48:41
如圖1所示。用高壓隔離探頭測量Vce及Vge的電壓大小，用羅氏線圈測量電流Ic的大小，測試結果通過示波器進行監(jiān)控；上管IGBT的Vge加負壓或直接短路，因此它是關斷的，只有其并聯(lián)的二極管起續(xù)流作用，在
2019-09-11 09:49:33
各位好，想請教下雙脈沖測試的幾個參數(shù)問題。項目所用IGBT是1200V 75A的單管，開關頻率4kHz。初次接觸雙脈沖測試，有幾個疑問：（1）測試時的最大電流是按額定75A來，還是150A
2019-11-06 20:47:30
目錄 IGBT和MOS管的區(qū)別：IGBT和可控硅的區(qū)別：IGBT驅動電路設計：1、IGBT驅動電路的設計2、IGBT驅動器的選擇3、IGBT驅動電路的設計IGBT和MOS管的區(qū)別： IIGBT
2021-09-09 08:05:31
低壓小功率場合IGBT沒有優(yōu)勢。比如H20R1203這款芯片，在電磁爐當中應用當中很常見，如下圖為其中一款電磁爐電路板，貼在散熱器上，其中上方為整流橋，下方為IGBT。 如果是想使用場效應管
2021-03-15 15:33:54
大的器件將損壞，這是半導體器件并聯(lián)中老大難的問題，為此，要提高斬波包括其它電力電子設備的可靠性，應該盡量避免器件并聯(lián)，而采用單管大電流器件。從理論上講，IGBT在大電流狀態(tài)具有正溫度系數(shù)，可以改善均流
2018-10-17 10:05:39
等級，從而提升變流器的功率等級。考慮到前者功率密度相對較低，從性價比出發(fā)，IGBT并聯(lián)技術是最好的選擇。1IGBT并聯(lián)運行分析1.1 影響并聯(lián)IGBT均流的主要因素1)IGBT和反并聯(lián)二極管靜態(tài)參數(shù)
2015-03-11 13:18:21
dv/dt限制，過小的柵極電阻可能會導致震蕩甚至造成IGBT或二極管的損壞。 柵極電阻的大小影響開關速度，即后邊介紹的開通關斷時間，進而影響IGBT的開關損耗，datasheet上驅動電阻對開
2021-02-23 16:33:11
串接在主電路中，通過電阻兩端的電壓來反映電流 的大小;對于大中容量變頻器，因電流大，需用電流互感器TA。電流互感器所接位置：一是像串電阻那樣串接在主回路中，二是串接在每個IGBT模塊上，。前 者只用一
2012-06-19 11:26:00
本人在IGBT代理和原廠做了7年，跑了全國上百家igbt用戶， 對IGBT市場比較了解，非常清楚哪家的價格和貨源情況， 并了解哪些型號，哪家價格有優(yōu)勢，哪家供貨好， 如希望了解IGBT優(yōu)質采購渠道，請QQ:1874501009
2012-06-30 17:26:05
=0或者負電壓時（負電壓作用：可靠關斷），IGBT斷開。 常見的有IGBT單管和IGBT模塊兩種結構。 2.IGBT主要參數(shù) ①集電極—射極電壓（VCE）：截止狀態(tài)下集電極與發(fā)射極之間
2021-01-20 16:16:27
什么是IGBT模塊？IGBT是一種功率半導體芯片，是絕緣柵雙極晶體管的簡稱。IGBT功率模塊是在一個封裝中組裝和物理封裝多個IGBT功率半導體芯片。。..IGBT功率模塊用作電子開關器件。IGBT在
2023-02-02 17:05:34
在600V±20%范圍內損耗可以認為為線性的”。 特性三：在一個50Hz的周期內，上管IGBT進行不斷的調制，每次開通的電壓為Vbus，下管一直處于截止狀態(tài)；流過IGBT的電流可以初步認為是一個正弦波
2023-02-24 16:47:34
IGBT模塊或者單管應用于變頻器的制造，在做變頻器的短路實驗時，在IGBT開通時刻做出短路動作，IGBT的CE電壓會從零逐漸升高到最大之然后回到母線電壓的一半后達到穩(wěn)定。
但是在具體波形時，IGBT
2024-02-21 20:12:42
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-05-06 05:00:17
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-03-27 06:20:04
IGBT過流保護的保護時間一般設定成多少合適？根據(jù)IGBT哪些參數(shù)得出來的那？
2017-02-24 11:01:51
`如圖請問英飛凌IGBT參數(shù)頻率參數(shù)里最大最小值分別是什么意義`
2017-08-30 13:05:50
片發(fā)熱厲害，分析一下，這個時候只有剩下導通損耗了呀。多次懷疑自己的開通時序問題，但是都沒有發(fā)現(xiàn)問題，經(jīng)過長時間的折騰，測試IGBT的特性，發(fā)現(xiàn)問題是IGBT的管壓降比官方參數(shù)高，官方2.0V，實測
2015-03-11 13:15:10
耦反饋給輸入側，以便于采取相應的解決措施。在IGBT關斷時，其C～E極兩端的電壓必定是超過7V的，但此時，過流檢測電路失效，HCPL-316J芯片不會報故障信號。實際上，由于二極管的管壓降，在IGBT
2012-09-09 12:22:07
請幫忙看下這個IGBT驅動電路是否可行；如果可行，柵極電壓將會是多少，以及三極管Q1，Q2在IGBT導通時的工作狀態(tài)
2013-08-18 19:56:22
電流能力，匹配IGBT驅動要求。 當HCPL-316J輸出端VOUT輸出為高電平時，推挽電路上管(T1)導通，下管(T2)截止， 三端穩(wěn)壓塊LM7915輸出端加在IGBT門極(VG1)上，IGBT
2008-10-21 09:38:53
單WiFi功能雙頻WiFi模塊解析
2021-05-18 06:40:57
ASEMI的IGBT管FGL40N120AN適用于什么場合？-Z
2021-05-25 14:02:00
在電子電路中，MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管？下面我們就來了解一下
2022-04-01 11:10:45
在電子電路中，MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？ 下面我們就來了解一下
2020-07-19 07:33:42
Supply；SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導體器件的選擇，即開關管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對特定SMPS應用中的IGBT 和 MOSFET
2018-08-27 20:50:45
1.MOSFET的速度比晶體管或IGBT快。2.MOSFET的過電流適中；晶體管是一個流控流型的，要使集電極上的電流增大，基極上的電流就要增大，但是基極上的電流是無用的。IGBT一般使用在大電流的場景。...
2021-10-29 08:28:40
的功率MOSFET，從而形成垂直的PNP雙極結型晶體管。該附加的p+區(qū)域產生PNP雙極結型晶體管與表面n溝道MOSFET的級聯(lián)連接。 IGBT將MOSFET的簡單柵極驅動特性與雙極晶體管的高電流和低飽和
2020-07-07 08:40:25
和二極管，再將兩者封裝在一起，做成IGBT模塊。這樣的做法使IGBT模塊寄生電感較高、集成度較低。為降低成本、提高芯片的功率密度，IGBT與二極管同時在集成同一個硅片上的逆導型IGBT(Reverse
2019-09-26 13:57:29
出同類的幾個型號，把他們詳細參數(shù)分享給大家，希望能在選型上幫到大家。 IGBT驅動光耦使用注意事項：1） 由 于 流 過IGBT的 電 流 是 通 過 其 它 電 路 檢 測 來 完 成 的 ， 而 且
2012-12-12 11:20:44
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:52 編輯
逆變焊機，分MOS管，IGBT單管，IGBT模塊。mos管，看著就像三極管，很小，一般都是電磁爐什么的在用。一般160的TIG
2012-07-09 14:09:37
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
逆變焊機，分MOS管，IGBT單管，IGBT模塊。mos管，看著就像三極管，很小，一般都是電磁爐什么的在用。一般160的TIG
2012-07-09 10:17:05
畢設做IGBT驅動電路相關，希望有大神能解釋一下這個電路上半部分、下半部分光耦6N136、LM319所連接的電路解析以及下半部分所連接的電阻電容參數(shù)如何計算取值？非常感謝大家
2018-04-19 11:35:55
為什么同一個單管在IC617和dynamic link 的ADS2016中參數(shù)不同那？同一個單管，在IC617中仿S參數(shù)仿真，和dynamic link出去在ADS2016中仿真，得到的S參數(shù)有0.2dB的誤差哪？
2021-06-24 06:43:31
區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。IGBT 的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給
2012-06-19 11:36:58
EN-3020C IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)是什么？EN-3020C IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)測試原理是什么？
2021-09-27 08:22:51
計算出實際電流大約為：100K/500/0.4/2=250A，一般加倍選則，所以應該選500A/1200V的IGBT模塊”單管0.4，上下臂加起來就是0.8，再大也可以，不過就不安全了，占空比1就是直通
2012-07-10 09:58:03
。電磁感應加熱IGBT單管散熱問題電磁感應加熱IGBT有單管和模塊兩種，在用單管時，單管IGBT的外殼與鋁接一起作為散熱用，而外殼剛好與接到線圈的輸出端為同一極，這樣散熱鋁片也就帶電轉載自http://cxtke.com/
2012-07-09 10:03:42
。電磁感應加熱IGBT單管散熱問題電磁感應加熱IGBT有單管和模塊兩種，在用單管時，單管IGBT的外殼與鋁接一起作為散熱用，而外殼剛好與接到線圈的輸出端為同一極，這樣散熱鋁片也就帶電轉載自http://cxtke.com/
2012-07-09 11:57:40
次品。本儀器用于大功率IGBT、mos管。采用國際上比較流行的測試條件，儀器小巧輕便，讀數(shù)直觀，外配電腦顯示屏幕清晰分析功率器件的實際特性。一：主要特點A：測量多種IGBT、MOS管 B：集電極脈沖恒流源
2015-03-11 13:51:32
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）有哪些應用呢？如何去實現(xiàn)絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電磁兼容設計呢？
2022-01-14 07:02:41
IGBT和MOS管的區(qū)別是什么？IGBT和可控硅的區(qū)別有哪些？如何實現(xiàn)IGBT驅動電路的設計？
2021-11-02 08:30:41
電子設備使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習以為常。可是MOS管和IGBT管由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很，有時在選擇、判斷、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的識別方法為選擇、判斷、使用掃清
2019-05-02 22:43:32
)。但由于CE端產生了電壓尖峰， 故使集電極電流iC有了一個負向的尖峰。 另外， 開通過程中， 由于二極管D1的反向恢復電流IRM將疊加在集電極電流iC上， 這也會使IGBT實際流過的電流存在一個尖峰
2011-09-08 10:12:26
` 本帖最后由 比亞迪微電子 于 2016-1-12 21:31 編輯
1、 引言絕緣柵雙極晶體管（Integrated Gate Bipolar Transistor：IGBT）是一種由金屬
2015-12-24 18:13:54
`模電前輩們，求 IGBT 高頻電源 ADC采集電壓 濾掉開關管的尖峰 辦法`
2016-01-21 21:19:49
模電前輩們，求 IGBT 高頻電源 ADC采集電壓 濾掉開關管的尖峰辦法
2019-07-15 02:57:42
即可； 04.IGBT功率管的型號找相近的型號即可，通過修改參數(shù)來改變效果； 05.IGBT功率管正在在使用中需要添加正反電壓保護（雙向二極管限制）； 四。 電路板PCB設計 01.本設計選用
2023-03-27 14:57:37
在電磁爐上的應用 電磁爐是一種家用電器，它原理是利用交變磁場產生渦電流來給食物加熱，而控制電磁爐交變磁場的產生與消失就是通過開關器件IGBT來實現(xiàn)，對于家用電磁爐來說，一般是使用單管，也就是一個
2023-02-28 13:51:19
電磁爐常用IGBT管型號及主要參數(shù) 目前，用于電磁爐的IGBT管主要由：AIRCHILD(美國仙童)、INFINEON(德國英飛凌)、TOSHIBA(日本東芝)等幾家國外公司生產，各公司對IGBT管
2012-03-22 19:09:22
電磁爐怕IGBT燒管的維修經(jīng)驗不要看它比電視機小，燒起IGBT來還真愁。在交流220V上，串接一個60-100W的燈泡，加鍋，接通電源：1. 若燈泡暗紅，開啟電磁爐電源，燈泡一亮一暗地閃爍，表明
2009-07-21 19:02:06
，大電流規(guī)格的IGBT需要將多個管芯裝配到一塊金屬基板上。單管模塊外部標簽上的等效電路如圖1所示，副發(fā)射極（第二發(fā)射極）連接到柵極驅動電路，主發(fā)射極連接到主電路中。 圖1 單管，模塊的內部等效電路
2019-03-05 06:00:00
; P溝道圖1-8：IGBT的圖形符號注意，它的三個電極分別為門極G、集電極C、發(fā)射極E。圖1-9：IGBT的等效電路圖。上面給出了該器件的等效電路圖。實際上，它相當于把MOS管和達林頓晶體管做到了一起
2009-05-12 20:44:23
英飛凌IGBT參數(shù)中文版搞電源變頻器電焊機 必備資料
2019-02-09 21:33:19
IGBT單管樣品怎么測試合格呢？過載能力怎么測試呢？
2018-07-30 16:05:23
MOS管與IGBT是不是都有這個GS米勒效應？
2019-09-05 03:29:03
：在 IGBT 的 CE 極上并聯(lián)“續(xù)流二極管”。有了這個續(xù)流二極管，電機的電流就是連續(xù)的。具體怎么工作的呢？如下圖，負載上換成了一個電感 L。當 1/4 開通時，電感上會有電流流過。然后 PWM 波
2020-03-13 07:00:00
°C/W IGBT裸片的峰值溫度就會是： 二極管裸片峰值溫度就是： 結論 評估多裸片封裝內的半導體裸片溫度，在單裸片組件適用技術基礎上，要求更多的分析技術。有必要獲得兩個裸片提供的直流及瞬時熱信息
2018-10-08 14:45:41
轉自《電力電子網(wǎng)》大家都知道，IGBT單管相當?shù)拇嗳酰瑯与娏魅萘康?b class="flag-6" style="color: red">IGBT單管，比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了，也就是說，在逆變H橋里頭，MOSFET上去沒有問題，但是IGBT上去，可能
2017-03-24 11:53:14
供應SGTP5T60SD1S igbt驅動電機5A、600V-igbt管型號參數(shù)，提供SGTP5T60SD1S關鍵參數(shù) ，可應用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領域， 更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>>
2023-04-03 14:57:21
供應igbt單管逆變焊機SGTP5T60SD1F 5A、600V 型號及參數(shù)，提供SGTP5T60SD1F關鍵參數(shù) ，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請。>>
2023-04-03 15:05:15
供應SGT20T60SD1F 20A、600V igbt單管開關逆變器，提供SGT20T60SD1F關鍵參數(shù) ，是士蘭微IGBT代理商，更多產品手冊、應用料資請向驪微 電子申請。>>
2023-04-03 15:40:25
供應士蘭微焊機IGBT單管 驅動SGT20T60SDM1P7 20A、600V參數(shù)，提供SGT20T60SDM1P7 關鍵參數(shù) ，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:01:10
在任何裝置中使用IGBT 都會遇到IGBT 的選擇及熱設計問題。當電壓應力和電流應力這2 個直觀參數(shù)確定之后， 最終需要根據(jù)IGBT 在應用條件下的損耗及熱循環(huán)能力來選定IGBT。通常由于使用條件
2017-09-22 19:19:37
30 IGBT模塊動態(tài)參數(shù)是評估IGBT模塊開關性能如開關頻率、開關損耗、死區(qū)時間、驅動功率等的重要依據(jù)，本文重點討論以下動態(tài)參數(shù)：模塊內部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關時間參數(shù)，結合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評估IGBT芯片的性能。
2020-11-17 08:00:0024 門極參數(shù)Rge Cge和Lg對IGBT開關波形的影響說明。
2021-04-18 10:22:4913 關于IGBT的內部寄生參數(shù)，產品設計時對IGBT的選型所關注的參數(shù)涉及到的寄生參數(shù)考慮的不是很多，對于其標稱的電壓、電流和損耗等關注的比較多。當然針對不同的應用場合，所關注的方面都不不盡相同，比如
2021-06-12 10:29:009667 
IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測試需要哪些儀器呢？IGBT模組靜態(tài)參數(shù)測試需要的儀器是一系列的
2021-11-16 17:17:301968 IGBT短路測試方法詳解及波形解析
2021-12-27 10:57:4075 如何評估IGBT模塊的損耗與結溫？英飛凌官網(wǎng)在線仿真工具IPOSIM，是IGBT模塊在選型階段的重要參考。這篇文章將針對IPOSIM仿真中的散熱器熱阻參數(shù)Rthha，給大家做一些清晰和深入的解析。
2022-08-01 09:56:102079 
IGBT是大家常用的開關功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊，對手冊中的一些關鍵參數(shù)和圖表進行解釋說明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2023-02-07 15:39:285337 
英飛凌igbt型號及參數(shù)大全 英飛凌(Infineon)是德國西門子半導體集體(Siemens)的獨立上市公司。前身也叫歐派克(EUPEC:歐洲電力電子公司)。 一.拓撲圖與型號的關系:型號開頭
2023-02-08 14:17:295593 
簡單描述了一些IGBT的主要參數(shù)和注意事項
2023-03-16 14:52:3638 而形成的器件。它具有低開關損耗、高輸入阻抗、低噪聲和高速開關等優(yōu)點，因此在各個領域都得到廣泛應用，如電力、軌道交通、電動汽車等。本文將詳細介紹IGBT如何選型以及選型時要考慮的參數(shù)。
2023-07-20 16:39:514493 IGBT模塊動態(tài)參數(shù)是評估IGBT模塊開關性能如開關頻率、開關損耗、死區(qū)時間、驅動功率等的重要依據(jù)，本文重點討論以下動態(tài)參數(shù)：模塊內部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關時間參數(shù)，結合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543294 
IGBT是如今被廣泛應用的一款新型復合電子器件，而IGBT測試也變的尤為重要，其中動態(tài)測試參數(shù)是IGBT模塊測試一項重要內容，IGBT動態(tài)測試參數(shù)是評估IGBT模塊開關性能的重要依據(jù)。其動態(tài)測試參數(shù)主要有：主要參數(shù)有開關參數(shù)、柵極電阻、柵極電荷、寄生電容等。
2023-10-09 15:14:35644 
IGBT動態(tài)測試參數(shù)有哪些？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種重要的功率半導體器件，廣泛應用于各種高能效的電力電子設備中。為了保證IGBT的可靠性
2023-11-10 15:33:51885 這篇文章是《英飛凌工業(yè)半導體》系列原創(chuàng)文章的第204篇，IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析（上）
2023-12-06 11:54:3924 這篇文章是英飛凌工業(yè)半導體微信公眾號系列原創(chuàng)文章第205篇，IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析（下）
2023-12-06 11:56:4317 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種繼MOSFET和BJT之后的新型功率半導體器件，它的特點是結合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低通壓損耗
2024-01-18 17:31:231082 型號和規(guī)格，以確保其穩(wěn)定、高效地工作。IGBT的選型涉及到多個參數(shù)的考慮，下面將詳細介紹這些參數(shù)。 額定電壓（Vce）：這是指IGBT能夠承受的最大電壓。根據(jù)應用需求，選擇的IGBT型號的額定電壓應大于應用中最高電壓。 額定電流（Ic）：這是指IGBT能夠承受的最大連續(xù)電流。根據(jù)應用需求，選擇的
2024-03-12 15:31:12260
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