功率半導(dǎo)體器件種類眾多，按集成度可分為功率IC、功率模塊和功率分立器件三大類，其中功率分立器件中MOSFET、功率二極管、IGBT占比較大，是最主要的品類。
2020-11-25 16:45:50
2363 IGBT 功率模塊工作過程中存在開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，這些損耗以熱的形式耗散，使得在 IGBT 功率模塊封裝結(jié)構(gòu)產(chǎn)生溫度梯度。并且結(jié)構(gòu)層不同材料的熱膨脹系數(shù)( Coefficient of Thermal Expansion，CTE) 相差較大
2022-09-07 10:06:184436 電機(jī)控制器的功率模塊，即IGBT器件和續(xù)流二極管，在開關(guān)和導(dǎo)通電流會(huì)產(chǎn)生損耗，損失的能量會(huì)轉(zhuǎn)化成熱能，表現(xiàn)為功率模塊發(fā)熱。
2023-07-12 15:53:142510 
? 針對汽車 IGBT 模塊的主要失效原理和引線鍵合壽命短板，結(jié)合仿真分析進(jìn)行了功率循環(huán)試驗(yàn)設(shè)計(jì)，結(jié)溫差?ΔTj 和流經(jīng)鍵合線的電流 IC 是影響鍵合點(diǎn)壽命的主要加速因子，中間溫度（Tjm
2023-08-08 10:59:38772 
由于IGBT模塊自身有一定的功耗，IGBT模塊本身會(huì)發(fā)熱。在一定外殼散熱條件下，功率器件存在一定的溫升（即殼溫與環(huán)境溫度的差異）。
2024-03-22 09:58:08249 
IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡單，開關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。
2020-03-24 09:01:13
的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上；IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)；當(dāng)前市場上銷售的多為此
2021-09-09 08:27:25
(2)產(chǎn)品參數(shù)說明 產(chǎn)品特點(diǎn) 1. 整體熱阻小，換熱效率高，換熱能力明顯強(qiáng)于同體積的一般實(shí)體散熱器; 2. 結(jié)構(gòu)簡單緊湊，易于安裝和維護(hù) 應(yīng)用場合 IGBT模塊用熱管散熱器 工作溫度
2012-06-19 13:54:59
IGBT模塊散熱器的應(yīng)用 隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,以及當(dāng)前電子設(shè)備對高性能、高可靠性、大功率元器件的要求不斷提高，單位體積內(nèi)的熱耗散程度越來越高,導(dǎo)致發(fā)熱量和溫度急劇上升。由于熱驅(qū)動(dòng)
2012-06-20 14:58:40
IGBT模塊是由哪些模塊組成的？IGBT模塊有哪些特點(diǎn)？IGBT模塊有哪些應(yīng)用呢？
2021-11-02 07:39:10
通電阻小等特點(diǎn)，因而廣泛應(yīng)用在變頻器的逆變電路中。但由于 IGBT模塊的耐過流能力與耐過壓能力較差，一旦出現(xiàn)意外就會(huì)使它損壞。為此，必須但對IGBT模塊進(jìn)行相關(guān)保護(hù) 本文從實(shí)際應(yīng)用出發(fā)，總結(jié)出了過流、過
2012-06-19 11:26:00
：模塊化封裝就是將多個(gè)IGBT集成封裝在一起。3，PIM模塊：集成整流橋+制動(dòng)單元（PFC）+三相逆變（IGBT橋）4，IPM模塊：即智能功率模塊，集成門級驅(qū)動(dòng)及眾多保護(hù)功能（過熱保護(hù)，過壓，過流，欠壓保護(hù)等）的IGBT模塊。
2012-07-09 12:00:13
：模塊化封裝就是將多個(gè)IGBT集成封裝在一起。3，PIM模塊：集成整流橋+制動(dòng)單元（PFC）+三相逆變（IGBT橋）4，IPM模塊：即智能功率模塊，集成門級驅(qū)動(dòng)及眾多保護(hù)功能（過熱保護(hù)，過壓，過流，欠壓保護(hù)等）的IGBT模塊。轉(zhuǎn)載自http://cxtke.com/
2012-07-09 10:12:52
各位大神好，想請教一個(gè)問題。我現(xiàn)在手上有一個(gè)IGBT模塊，型號(hào)是FF150RT12R4。我現(xiàn)在想找一個(gè)驅(qū)動(dòng)這個(gè)IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)模塊，是驅(qū)動(dòng)模塊，不是驅(qū)動(dòng)芯片，我在網(wǎng)上查找到了EXB840，但是這個(gè)驅(qū)動(dòng)年份有些久遠(yuǎn)，所以想問有沒有類似的新產(chǎn)品，求推薦型號(hào)。
2021-01-04 10:40:43
IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)：本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡的指出了IGBT的特點(diǎn)。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型
2021-11-16 07:16:01
半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開關(guān)速度
2019-03-27 06:20:04
功率模塊回收★IGBT回收--------------------高價(jià)現(xiàn)金回收工廠歐派克、西門康、三菱、富士等各品牌拆機(jī)、原裝模塊。需要處理此類產(chǎn)品的朋友請聯(lián)系我，把庫存換成現(xiàn)金，為您資金立馬回籠
2010-11-26 15:40:37
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2010-11-26 15:41:42
`什么是IGBT?什么是IGBT模塊？什么是IGBT模塊散熱器？IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS
2012-06-19 11:36:58
SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。關(guān)于這一點(diǎn)，根據(jù)這之前介紹過的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點(diǎn)與性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
本文介紹了新一代IHM.B具備更強(qiáng)機(jī)械性能的高功率IGBT模塊,其融合了最新的設(shè)計(jì)、材料、焊接和安裝技術(shù)。首批IHM.B模塊將搭載最新的、采用溝槽柵單元設(shè)計(jì)的3.3kV IGBT3芯片,在保持機(jī)械
2010-05-04 08:07:47
，分析并比較了IGBT驅(qū)動(dòng)的不同方案，并給出逆變器的測試結(jié)果。關(guān)鍵詞：PrimePACKTM模塊IGBT組件功率密度Abstract: This paper discusses how
2018-12-03 13:56:42
按照大功率 igbt 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路能夠完成的功能來分類，可以將大功率 igbt 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電 路分為以下三種類型：單一功能型，多功能型，全功能型。
2019-11-07 09:02:20
詳情見附件大功率IGBT驅(qū)動(dòng)的技術(shù)特點(diǎn)及發(fā)展趨勢分析1 引言由于igbt具有開關(guān)頻率高、導(dǎo)通功耗小及門極控制方便等特點(diǎn)，在大功率變換系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用。在igbt應(yīng)用中，除其本身的技術(shù)水平以外
2021-04-20 10:34:14
天津高價(jià)專業(yè)IGBT模塊回收 通信模塊收購公司IGBT模塊回收,通信模塊收購,IGBT模塊收購,回收通信模塊長期回收PLC 上門回收IGBT模塊功率模塊三菱 松下 歐姆龍PLC 規(guī)格不限,新舊不論
2021-01-11 20:07:12
手機(jī)配件, 回收英飛凌IGBT模塊,回收功率模塊,回收IGBT模塊、IGBT模塊是由IGBT與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品,具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。電話151-5220-9946 QQ 2360670759
2021-12-16 16:51:05
專業(yè)回收,觸控屏,變頻器,AB模塊。新舊不限,大量上門回收IGBT模塊,或個(gè)人滯留,或工程剩余模塊要處理的主營產(chǎn)品:常年回收igbt功率模塊,電源模塊,可控硅模塊,ipm功率模塊,gtr達(dá)林頓模塊
2021-03-04 13:57:12
無錫地區(qū)大量上門回收IGBT模塊、IGBT是能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)暮诵钠骷请娏﹄娮友b置的“CPU” 。采用IGBT進(jìn)行功率變換，能夠提高用電效率和質(zhì)量，具有節(jié)能和綠色環(huán)保的特點(diǎn)，是解決能源短缺
2021-09-16 14:23:35
高價(jià)格回收IGBT模塊、回收西門康模塊,英飛凌模塊,回收富士模塊,回收三菱模塊,功率模塊,二手拆機(jī)模塊,變頻器模塊,新舊均可IGBT是以GTR為主導(dǎo)元件,MOSFET為驅(qū)動(dòng)元件的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)的復(fù)合器
2022-01-01 19:08:53
半導(dǎo)體功率元件正朝著大電流、高電壓、快通斷、功耗小、易保護(hù)、模塊化方向發(fā)展直流高壓發(fā)生器，隨著半導(dǎo)體元件制造工藝的完善和制造技術(shù)的提高。現(xiàn)已出現(xiàn)了雙極性晶體管GP功率場效應(yīng)管MOSFET功率絕緣柵
2018-11-27 11:04:24
本文對IGBT的功率和熱循環(huán)、材料選型以及電氣特性等問題和故障模式進(jìn)行了探討。
2021-05-14 06:52:53
根據(jù)加速極電源模塊IGBT 工作頻率不高的特點(diǎn)，設(shè)計(jì)RCD 吸收回路對IGBT 串聯(lián)均壓是可行的.其IGBT 驅(qū)動(dòng)模塊采用2SD315A 并給出它的工作原理。從得到的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明該電路的設(shè)計(jì)
2009-12-19 13:30:12
16 大功率IGBT驅(qū)動(dòng)模塊2SD315A 的特性及其應(yīng)用:介紹了一種適用于大功率IGBT 的新型驅(qū)動(dòng)模塊,該模塊工作頻率高,驅(qū)動(dòng)電流大,具有完善的短路、過流保護(hù)和電源監(jiān)控功能。關(guān)鍵詞:模塊
2010-01-07 11:04:27195 Application Note
1. IGBT 模塊的一般認(rèn)識(shí) ..21.1 NF 系列IGBT 模塊的特點(diǎn)..21.2 型
2010-02-19 11:10:01681 根據(jù)加速極電源模塊IGBT工作頻率不高的特點(diǎn),設(shè)計(jì)RCD吸收回路對IGBT串聯(lián)均壓是可行的.其IGBT驅(qū)動(dòng)模塊采用2SD315A并給出它的工作原理。從得到的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明該電路的設(shè)計(jì)是合理的且
2010-07-14 16:20:4857
可控硅、達(dá)靈頓、IGBT、MOSFET等大功率模塊外形圖
（供參考）
2009-07-25 14:45:452146 IGBT和續(xù)流二極管的功率模塊單元電路
(a)所示為單開關(guān)模塊; (b)所示為兩單元(半橋)模塊; (c)所示為H橋(單相橋)模塊; (d)所示為不對稱H橋模塊; (e)所示為三相橋(六單元或逆
2010-02-17 23:12:172894 
M57962L驅(qū)動(dòng)大功率IGBT模塊時(shí)的應(yīng)用電路
2010-02-18 11:20:464335 
大功率模塊和（可控硅 IGBT GTR 場效應(yīng)）模塊大全
2010-03-05 15:09:141554 英飛凌推出了完整的三相逆變器系統(tǒng)解決方案(基于HybridPACK 2 IGBT模塊的HybridKIT)，可減少設(shè)計(jì)人員在(H)EV逆變器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)階段的工作量，并幫助他們對英飛凌的HybridPACK2 IGBT功率模塊
2010-06-30 16:52:391218 
賽米控推出其最新的MiniSKiiP IGBT功率半導(dǎo)體模塊，該模塊目前也可提供三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。與競爭對手的產(chǎn)品相比，新模塊擁有4.9 A/cm2的額定電流
2011-05-06 08:34:24870 介紹了IR2110驅(qū)動(dòng)芯片的特點(diǎn)．對驅(qū)動(dòng)電路作了部分改進(jìn)，通過選取臺(tái)理的參數(shù)、加上脈寬限制舌口電平箝位電路，使其應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)大中功率IGBT模塊。實(shí)驗(yàn)證明了該電路的可行性。
2011-09-23 15:54:08275 闡述了IGBT 驅(qū)動(dòng)電路的基本特點(diǎn), 針對模塊器件的特點(diǎn), 設(shè)計(jì)了一緊湊、實(shí)用的驅(qū)動(dòng)電路板, 解決了功率電子電路中電源多的問題L 試驗(yàn)證明, 此電路可靠, 具有可拓展性和保護(hù)功能.
2012-05-02 14:52:01142 諸如高環(huán)境溫度、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件，要求對IGBT功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(guān)注，以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮，并保持
2012-10-09 14:06:404116 
本文根據(jù)IGBT的短路特性和大功率IGBT模塊的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)設(shè)計(jì)了一種新型大功率IGBT模塊的短路檢測電路，采用兩級di/dt檢測IGBT兩類短路狀態(tài)的實(shí)用方法。
2016-08-17 15:19:155190 
帶逆阻型IGBT的三電平NPC-2功率模塊的門極驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用
2017-02-28 23:14:222 IGBT單管和IGBT模塊的控制電路是一樣的，它們的作用和工作原理基本一樣，IGBT模塊可以看成是多個(gè)IGBT單管集成的模塊。IGBT模塊封裝技術(shù)拓展了IGBT的運(yùn)用領(lǐng)域和功能。IGBT是集功率
2017-05-14 15:02:3412273 
IGBT的優(yōu)勢在于輸入阻抗很高，開關(guān)速率快，導(dǎo)通態(tài)電壓低，關(guān)斷時(shí)阻斷電壓高，集電極和發(fā)射機(jī)承受電流大的特點(diǎn)，目前已經(jīng)成為電力電子行業(yè)的功率半導(dǎo)體發(fā)展的主流器件。IGBT已經(jīng)由第三代發(fā)展到第五代
2017-11-14 14:20:2025 模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)；當(dāng)前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場上將越來越多見。
2017-11-23 10:07:3974853 
壓接式絕緣柵極雙極性晶體管（ IGBT）模塊因優(yōu)越的電氣性能和封裝設(shè)計(jì)，受到柔性直流輸電等大功率應(yīng)用場合的青睞，其模塊可靠性也成為大功率應(yīng)用場合研究的重點(diǎn)，而IGBT模塊結(jié)溫是影響器件可靠性
2018-02-01 10:20:499 目前已有場終止型絕緣柵雙極性晶體管（ IGBT）行為模型以及仿真軟件中的IGBT模型末專門針對中電壓大功率IGBT模塊搭建，不能準(zhǔn)確模擬其區(qū)別于中小功率IGBT的行為特性。在已有行為模型基礎(chǔ)上，提出
2018-03-08 09:21:360 有導(dǎo)通壓降大、電壓與電流容量小的缺點(diǎn)。而雙極型器件恰怡有與之相反的特點(diǎn)，如電流控制、導(dǎo)通壓降小、功率容里大等，二者復(fù)合，正所謂優(yōu)勢互補(bǔ)。 IGBT 管，或者IGBT模塊的由來，即基于此。
2018-05-18 13:12:0014868 
英飛凌公司高級經(jīng)理陳子穎在高工電動(dòng)車·電動(dòng)物流車產(chǎn)業(yè)峰會(huì)上，發(fā)表了《電動(dòng)商用車IGBT模塊的關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用要求》的精彩演講，詳細(xì)闡述了IGBT的標(biāo)準(zhǔn)體系、電動(dòng)商用車IGBT模塊應(yīng)用特點(diǎn)等內(nèi)容。
2018-07-29 09:33:075238 當(dāng)代的感應(yīng)熱處理技術(shù)具有優(yōu)質(zhì)、高效、環(huán)保等諸多特點(diǎn)，符合現(xiàn)代汽車生產(chǎn)需要，因而得到廣泛應(yīng)用。作為感應(yīng)熱處理技術(shù)基礎(chǔ)的變頻器的IGBT模塊已商品化，在我國感應(yīng)加熱領(lǐng)域已成功生產(chǎn)出10～100 kHz、功率達(dá)數(shù)百千瓦的IGBT變頻電源。
2018-12-12 09:02:0013211 
Littelfuse公司是全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，已擴(kuò)充其專為電機(jī)控制和逆變器應(yīng)用設(shè)計(jì)的IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。 IGBT功率模塊提供廣泛的包裝設(shè)計(jì)，現(xiàn)包括半橋、六只裝以及
2018-09-05 08:44:004843 高壓永磁斷路器，變頻器、IGBT模塊、IGBT功率模塊專用高頻貼片電容1812/2KV/NP0/222J礦業(yè)產(chǎn)品專用貼片電容1812 100V 6.8UF/685K X7R以上為X7R材質(zhì)，容量精度為10%,耐溫-55-+125度原廠直銷，品質(zhì)保證。更多規(guī)格歡迎查詢和免費(fèi)索樣~
2018-10-29 09:43:20430 視頻簡介：這視頻介紹我們?nèi)碌腝0和Q2系列功率模塊，應(yīng)用于太陽能逆變器，額定功率超過100kVA。Q0PACK模塊包括一個(gè)T-NPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，具有65A / 1200V IGBT、60A
2019-03-14 06:12:004628 
現(xiàn)有的IGBT模塊封裝焊接結(jié)構(gòu)主要采用兩種方式：一種是將絕緣襯板焊接在基板上封裝成IGBT模塊，再通過硅脂與散熱器配合安裝的方式，它以IGBT模塊為單元進(jìn)行功率等級的選配，具備通用性強(qiáng)、可拆裝互換、驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)簡單等特點(diǎn)，其降低了對應(yīng)用開發(fā)水平的要求，但存在如下問題：
2020-12-02 15:36:063859 
igbt模塊散熱的過程依次為igbt在結(jié)上發(fā)生功率損耗；結(jié)上的溫度傳導(dǎo)到igbt模塊殼上；igbt模塊上的熱傳導(dǎo)散熱器上；散熱器上的熱傳導(dǎo)到空氣中。
2022-03-11 11:20:176503 
IGBT 功率模塊基本的封裝工藝介紹，給初入半導(dǎo)體芯片制造封裝的工程師作為參考資料。
2022-06-17 14:28:4251 諸如高環(huán)境溫度、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件，要求對IGBT功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(guān)注，以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮，并保持很高的可靠性。本文對IGBT
2022-08-06 14:54:531999 IGBT模塊是新一代的功率半導(dǎo)體電子元件模塊，誕生于20世紀(jì)80年代，并在90年代進(jìn)行新一輪的改革升級，通過新技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)在的IGBT模塊已經(jīng)成為集通態(tài)壓降低、開關(guān)速度快、高電壓低損耗、大電流
2022-10-20 10:57:50777 諸如高環(huán)境溫度、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件，要求對IGBT功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(guān)注，以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮，并保持很高的可靠性。本文對IGBT的功率和熱循環(huán)進(jìn)行了探討。
2022-12-02 11:46:35968 新的PrimePACK? 2300V IGBT模塊主要是為1500V逆變器開發(fā)的。它的特點(diǎn)是在1500V工作電壓下，直流穩(wěn)定性比較好，即在宇宙輻射下具有很高的魯棒性，以及175℃的過載結(jié)溫可以支持LVRT等故障模式。此外，與IGBT4解決方案相比，該模塊實(shí)現(xiàn)了更高的功率密度，從而在系統(tǒng)層面上性價(jià)比。
2023-02-01 15:18:13461 智能功率模塊（IPM）是一種功率半導(dǎo)體模塊，可將操作IGBT所需的所有電路集成到一個(gè)封裝中。它包括所需的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)功能，以及IGBT。這樣，可以通過可用的IGBT技術(shù)獲得最佳性能。
2023-02-02 14:39:142430 
賽米控近期完成了基于成熟大功率三電平IGBT模塊并聯(lián)的功率模組參考設(shè)計(jì)與測試驗(yàn)證。本文將詳細(xì)的介紹這款設(shè)計(jì)。
2023-02-07 09:12:041555 1700V以下大功率IGBT智能驅(qū)動(dòng)模塊使用手冊 （采用100%國產(chǎn)化元器件設(shè)計(jì)） 云南拓普科技出品的系列大功率IGBT智能驅(qū)動(dòng)模塊是特別為100%國產(chǎn)化需求企業(yè)推出的一款可靠、安全的高性能驅(qū)動(dòng)模塊
2023-02-16 15:01:5512 IGBT模塊接口是一種用于連接IGBT模塊和其他電子設(shè)備的接口。
2023-02-17 18:21:211011 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模塊是一種功率半導(dǎo)體器件，它是由多個(gè)IGBT芯片、反并聯(lián)二極管、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等組成的集成模塊。IGBT模塊通常根據(jù)結(jié)構(gòu)、電壓、電流、功率等參數(shù)進(jìn)行分類。
2023-02-20 17:32:254883 IGBT功率模塊是指采用lC驅(qū)動(dòng)，利用最新的封裝技術(shù)將IGBT與驅(qū)動(dòng)電路、控制電路和保護(hù)電路高度集成在一起的模塊。其類別從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM.
2023-02-22 15:02:552865 IGBT最常見的形式其實(shí)是模塊（Module），而不是單管。IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。
2023-02-22 15:08:141760 
大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路一直伴隨igbt技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展，現(xiàn)在市場上流行著很多種類非常成熟的大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路專用產(chǎn)品，成為大多數(shù)設(shè)計(jì)
工程師的首選;也有許多的工程師根據(jù)其電路的特殊要求
2023-02-24 10:51:3613 賽米控丹佛斯與羅姆在IGBT多源供應(yīng)方面進(jìn)一步加強(qiáng)合作 賽米控丹佛斯（總部位于德國紐倫堡）和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開發(fā)SiC（碳化硅）功率模塊方面，已有十多年的良好合作關(guān)系
2023-04-26 09:17:51608 
隨著IGBT的耗散功率和開關(guān)頻率不斷增大，以及工作環(huán)境嚴(yán)苛，使得IGBT模塊產(chǎn)生大量的熱量，由于模塊內(nèi)的熱量無法及時(shí)得到釋放，從而引起模塊內(nèi)部溫度升高。
2023-05-16 11:30:25513 
IGBT 功率模塊基本的封裝工藝詳細(xì)講解，可以作為工藝工程師的一個(gè)參考和指導(dǎo)。
絲網(wǎng)印刷目的：
將錫膏按設(shè)定圖形印刷于DBC銅板表面，為自動(dòng)貼片做好前期準(zhǔn)備
設(shè)備：
BS1300半自動(dòng)對位SMT錫漿絲印機(jī)
2023-06-19 17:06:410 隨著高速鐵路、城市軌道交通、新能源汽車、智能電網(wǎng)和風(fēng)能發(fā)電等行業(yè)發(fā)展，對于高壓大功率IGBT模塊的需求迫切且數(shù)量巨大。由于高壓大功率IGBT模塊技術(shù)門檻較高，難度較大，特別是要求封裝材料散熱性能更好
2023-04-21 10:18:28728 
散熱基板是IGBT功率模塊的核心散熱功能結(jié)構(gòu)與通道，也是模塊中價(jià)值占比較高的重要部件，車規(guī)級功率半導(dǎo)體模塊散熱基板必須具備良好的熱傳導(dǎo)性能、與芯片和覆銅陶瓷基板等部件相匹配的熱膨脹系數(shù)、足夠的硬度和耐用性等特點(diǎn)。
2023-07-06 16:19:33793 
IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)；當(dāng)前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；
2023-07-14 08:55:101659 根據(jù)IGBT的產(chǎn)品分類來看，按照其封裝形式的不同，可分為IGBT分立器件、IPM模塊和IGBT模塊。
2023-07-22 16:09:301502 
IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時(shí)間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543294 
電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器基本結(jié)構(gòu)可分為：殼體、高低壓連接器、電子控制元件、電氣控制元件、電氣功率元件。 電氣功率元件主要為IGBT集成功率模塊，是電氣控制器關(guān)鍵零部件。 通過電子控制元件與電氣控制
2023-07-28 11:03:451569 
針對汽車 IGBT 模塊的主要失效原理和引線鍵合壽命短板，結(jié)合仿真分析進(jìn)行了功率循環(huán)試驗(yàn)設(shè)計(jì)，結(jié)溫差 ΔTj 和流經(jīng)鍵合線的電流 IC 是影響鍵合點(diǎn)壽命的主要加速因子，中間溫度（Tjm
2023-08-08 10:56:361216 
IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過高導(dǎo)致的熱應(yīng)力，良好的熱管理對于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。新能源汽車電機(jī)控制器是典型的高功率密度部件，且功率密度隨著對新能源汽車性能需求的提高仍在
2023-08-23 09:33:23907 
功率半導(dǎo)體器件在現(xiàn)代電力控制和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。IGBT模塊和IPM模塊是其中兩個(gè)最為常見的器件類型。它們都可以用于控制大功率負(fù)載和驅(qū)動(dòng)電機(jī)等應(yīng)用，但是它們的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和功能有所不同，那么
2023-09-04 16:10:494679 IGBT模塊的起源可以追溯到20世紀(jì)80年代，當(dāng)時(shí)日本的電子工程師們致力于克服傳統(tǒng)功率器件的局限性，尤其是普通雙極晶體管和場效應(yīng)晶體管（FET）。IGBT模塊的出現(xiàn)正是為了綜合這兩者的優(yōu)點(diǎn)，以滿足
2023-09-12 16:53:531805 
IGBT 功率模塊的開關(guān)特性是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，內(nèi)部的寄生電容和內(nèi)部和外接的電阻決定的。
2023-09-22 09:06:14432 
?IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管，特點(diǎn)是可以使用電壓控制、耐壓高、飽和壓降小、切換速度快、節(jié)能等。功率模塊是電動(dòng)汽車逆變器的核心部件，其封裝技術(shù)對系統(tǒng)性能和可靠性有著至關(guān)重要的影響。傳統(tǒng)的單面冷卻
2023-09-26 08:11:51586 IGBT模塊具有良好的開關(guān)性能、高速度和高效率等特點(diǎn)。IGBT模塊廣泛應(yīng)用于工業(yè)、通信、軍事、醫(yī)療等各個(gè)領(lǐng)域，成為高功率控制領(lǐng)域的主流技術(shù)之一。 IGBT模塊的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗是其效率的兩個(gè)重要指標(biāo)。在傳導(dǎo)損耗方面，IGBT模塊具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，即
2023-10-19 17:01:221318 IGBT模塊（Insulated Gate Bipolar Transistor Module）是一種集成了多個(gè)IGBT芯片、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等功能的模塊化電子元件。它是一種用于高功率電力電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件，常用于高壓、高電流的交流/直流變換器、逆變器和直流/直流變換器中。
2023-10-27 11:40:052515 
IGBT是新型功率半導(dǎo)體器件中的主流器件，已廣泛應(yīng)用于多個(gè)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。IGBT模塊中所涉及的焊接材料大多精密復(fù)雜且易損壞，制造商在IGBT模塊焊接裝配過程中正面臨著重重挑戰(zhàn)。
2023-10-31 09:53:451107 大功率應(yīng)用中，如電動(dòng)汽車、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、UPS等。在理解IGBT芯片、IGBT單管、IGBT模塊和IGBT器件之前，我們先來了解一下IGBT的基本工作原理和應(yīng)用特點(diǎn)。 1. IGBT的工作原理
2023-11-10 14:26:281270 提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
2023-11-23 15:53:38280 
是一種重要的關(guān)鍵技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換和能量控制系統(tǒng)中。 首先，我們來了解一下什么是IGBT模塊。IGBT模塊是一種功率半導(dǎo)體器件，是繼MOSFET和BJT之后的第三代功率開關(guān)器件。它具有低導(dǎo)通壓降、高開關(guān)速度和高耐受電壓的特點(diǎn)，適用于高
2023-12-07 16:45:21469 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種繼MOSFET和BJT之后的新型功率半導(dǎo)體器件，它的特點(diǎn)是結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低通壓損耗
2024-01-18 17:31:231082 IGBT模塊是一種常用的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電力電子系統(tǒng)中。
2024-02-26 18:25:18875 
Vishay近期發(fā)布五款新型半橋IGBT功率模塊，其改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均運(yùn)用Vishay領(lǐng)先
2024-03-08 11:45:51266
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工商網(wǎng)監(jiān)
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