IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，它是由BJT（雙極型晶體管）和MOSFET（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式電子電力器件，即具有MOSFET的輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關速度高的優點，又具有雙極型功率晶體管的電流密度大、飽和壓降低、電流處理能力強的優點。

IGBT內部結構

為了更好了解IGBT，下面我們再來看看它的內部結構：一般，IGBT 有三個端子：集電極、發射極和柵極，他們都是附有金屬層。但是，柵極端子上的金屬材料具有二氧化硅層。IGBT結構其實就相當于是一個四層半導體的器件。四層器件是通過組合 PNP 和 NPN 晶體管來實現的，它們構成了 P-N-P-N 排列。

IGBT 有三個端子（集電極、發射極和柵極）都附有金屬層。然而，柵極端子上的金屬材料具有二氧化硅層。

IGBT結構是一個四層半導體器件。四層器件是通過組合 PNP 和 NPN 晶體管來實現的，它們構成了 PNPN 排列。

IGBT的內部結構圖

如上圖所示，最靠近集電極區的層是 （p+） 襯底，即注入區；在它上面是 N 漂移區域，包括 N 層。注入區將大部分載流子（空穴電流）從 （p+） 注入 N- 層。

漂移區的厚度決定了 IGBT 的電壓阻斷能力。

漂移區域的上面是主體區域，它由 （p） 基板組成，靠近發射極，在主體區域內部，有 （n+） 層。

收集器區域（或注入區域）和 N 漂移區域之間的連接點是 J2。類似地，N-區域 和 主體區域之間的結點是結點 J1。

注意： IGBT 的結構在拓撲上類似于“MOS”柵極的晶閘管。但是，晶閘管動作和功能是可抑制的，這意味著在 IGBT 的整個器件工作范圍內只允許晶體管動作。

IGBT 比晶閘管更可取，因為晶閘管等待過零的快速切換。