雙向邏輯電平轉換器是一種電子器件,用于在不同電壓邏輯電平之間進行轉換。它可以將一個邏輯電平轉換為另一個邏輯電平,從而確保在不同電壓環境下的設備之間能夠正常通信和協作。
2024-02-19 16:54:00465 48VPOE開關電源適配器測試電壓應力,開機及正常工作電壓應力沒有問題,測試輸出短路時IC電壓應力峰值高達700V,IC內置MOS耐壓650V,試了不同IC也是有這種情況,怎樣才能把短路電壓應力降低一些?附:短路時電壓應力圖
2021-12-01 07:59:25
提升導通能量,當柵極電阻降低時,導通能量也隨之降低。圖2 Eon和Rg的關系曲線當橫跨柵極電阻器的壓降超過了半橋轉換器上MOSFET的閾值電壓,就會發生寄生導通,即米勒效應。此時,反向恢復能量(Err
2019-07-09 04:20:19
電流檢測電阻 R1輸出電容器 C5輸出整流二極管 D4 EMI對策 實裝PCB板布局與總結使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的設計案例 前言設計中使用的電源IC專為SiC-MOSFET優化評価
2018-11-27 16:40:24
-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的設計案例 前言設計中使用的電源IC專為SiC-MOSFET優化評価編絕緣型反激式轉換器的性能評估和檢查要點 所謂隔離型反激式轉換器的性能評估和檢查要點 性能評估事例中所使用電源IC
2018-11-27 16:38:39
時間trr快(可高速開關)?trr特性沒有溫度依賴性?低VF(第二代SBD)下面介紹這些特征在使用方面發揮的優勢。大幅降低開關損耗SiC-SBD與Si二極管相比,大幅改善了反向恢復時間trr。右側的圖表為
2019-03-27 06:20:11
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優勢
2021-03-10 08:26:03
希望一種器件就能滿足其所 有應用要求,從而簡化 BOM 并降低成本。利用多電平轉換器很容 易達到 1500 VDC以上的高工作電壓(例如大規模儲能使用2000 VDC), 此類電壓對于為安全而實施
2018-10-30 11:48:08
分為三大類:開關的驅動,組合電源的正確選擇,以及功率轉換器環路的正確控制。[color=rgb(51, 51, 51) !important]在SiC MOSFET驅動方面,工程師需要考慮新的問題,比如
2019-07-16 23:57:01
節能課題。以低功率DC/DC轉換器為例,隨著移動技術的發展,超過90 %的轉換效率是很正常的,然而高電壓、大電流的AC/DC轉換器的效率還存在改善空間。眾所周知,以EU為主的相關節能指令強烈要求電氣
2018-11-29 14:35:23
簡介 在過去的幾十年中,半導體行業已經采取了許多措施來改善基于硅MOSFET(parasitic parameters),以滿足開關轉換器(開關電源)設計人員的需求。行業效率標準以及市場對效率
2023-03-14 14:05:02
摘要Type II 補償器通常用于電流模式控制的開關轉換器回授電路,一般可獲得良好的線電壓與負載調節及瞬時響應。然而當工作點(如輸入電壓或負載電流)改變,原設計的補償器可能會有穩定度變差,或相位裕度
2019-07-23 07:27:19
在開關電源轉換器中,如何充分利用SiC器件的性能優勢?
2021-02-22 07:16:36
您可能會把模數轉換器或者數模轉換器缺少輸出穩定性的原因歸咎于實際轉換器本身。但其實轉換器周圍的電壓參考才是真正的罪魁禍首。我們將圍繞電壓參考如何改變轉換器性能作介紹?
2021-04-07 06:33:14
等于輸入,同時 或 的輸出又變為高電平。另外 和 輸出的脈沖信號又控制符號觸發器置位或清零,指出方向。 表示正向, 表示反向。圖5--32是電壓頻率轉換的波形圖。電壓頻率轉換器的輸出一方面作為工作臺
2009-05-07 00:07:34
和SiC-MOSFET:SCT2H12NZ的隔離型準諧振AC/DC轉換器示例下一篇文章計劃介紹用于設計的電源IC和準諧振類型。關鍵要點:?準諧振方式的隔離型AC/DC轉換器的設計案例。?功率開關中使用SiC-MOSFET。
2018-11-27 17:03:34
電壓。 該款 IC 的基本構建塊集成了多個組件,如線性穩壓器、RC 振蕩器、電壓電平轉換器以及四個功率 MOS 開關。為實現無閉鎖 (latch-up-free) 的操作,電路會自動感測該器件最負極
2009-10-28 14:46:23
雖然大多數制造商已在電路中使用采購的開關模式電源,但他們通常對于在設計中使用第三方 DC/DC 轉換器仍然有所遲疑。其中有兩個主要原因:一方面是 DC/DC 轉換器以低直流電源工作,屬于相對簡單
2018-12-03 09:53:40
額定擊穿電壓器件中的半導體材料方面勝過Si.Si在600V和1200V額定功率的SiC肖特基二極管已經上市,被公認為是提高功率轉換器效率的最佳解決方案。 SiC的設計障礙是低水平寄生效應,如果內部和外部
2022-08-12 09:42:07
電路。MDQ500-16-ASEMI單相整流模塊也可以用在開關電源中,那么MDQ500-16在開關電源中有什么作用呢? MDQ500-16參數描述型號:MDQ500-16封裝:M34特性:單相整流模塊電性
2021-08-26 16:54:15
用于電壓轉換的每個開關模式穩壓器都會引起干擾。在電壓轉換器的輸入端和輸出端,有一部分是通過線傳輸的,但也有一部分是輻射的。這些干擾主要是由快速開關的邊緣引起的。
2019-08-02 07:14:00
場效應晶體管。拓撲如圖2所示采用諧振技術,利用變壓器的磁化電感(LM)和漏電感(LK)的諧振加上小的輸出電容(CO)來實現零電壓開關(ZVS),限制關閉電流,消除體二極管導通。圖2:高頻總線轉換器在高頻
2019-04-04 06:20:39
不同性能的電平轉換器,有雙向和單相配置、不同電壓轉換和不同速度的,用戶根據需要選擇最好的方案。器件間板級通信(如MCU到外設)往往靠SPI或I2C.對于SPI,采用單向電平轉換器是合適的,而對于I2C
2018-09-30 16:26:58
圍向接地。該電壓可通過輔助繞組的匝數比 (NA/NP)傳感。當控制器觀察到變壓器失電,就可增加t5延遲來實現谷值開關。注意,圖4 中的波形只是一個截圖,此時轉換器工作在近臨界傳導狀態下,正在進行谷值
2018-10-09 14:20:15
為什么應該在SEPIC轉換器中使用耦合電感?
2024-02-06 06:58:00
。設計挑戰然而,SiC MOSFET 技術可能是一把雙刃劍,在帶來改進的同時,也帶來了設計挑戰。在諸多挑戰中,工程師必須確保:以最優方式驅動 SiC MOSFET,最大限度降低傳導和開關損耗。最大
2017-12-18 13:58:36
直接影響轉換器的體積、功率密度和成本。 然而,所使用的半導體開關遠非理想,并且由于開關轉換期間電壓和電流之間的重疊而存在開關損耗。這些損耗對轉換器工作頻率造成了實際限制。諧振拓撲可以通過插入額外的電抗
2023-02-21 16:01:16
摘要 本文介紹了碳化硅(SiC)器件在高頻率 LLC 諧振 DC/DC 轉換器中的應用。此類轉換器可用于母線轉換器、電動汽車充電機、服務器電源和儲能系統。在開關頻率較高的情況下,LLC 變壓器
2023-02-27 14:02:43
降低轉換器效率,并會導致不可接受的熱應力。與基于電感的傳統降壓型轉換器相比,開關式電容轉換器 (電荷泵) 可顯著提高效率并縮小解決方案尺寸。在電荷泵中,采用飛跨電容代替電感以存儲能量并將其從輸入端傳遞到
2020-10-27 07:58:39
IC比預想中更易于使用? 開關穩壓器的優點? 制作DCDC轉換器電路? 正確使用三端穩壓器和開關IC? 總結使用開關穩壓器制作DCDC轉換器開關穩壓器IC是一種電源IC,可從某一直流電壓中獲取所需電壓
2022-07-27 11:20:39
方法,由于平均電流和飽和電流更低,電感和電感器體積都大大減小。 輸出紋波電壓輸出濾波器級中的紋波電流抵消可帶來比單相轉換器更低的輸出電容器紋波電壓。這就是多相轉換器為什么是首選的原因。方程式 1
2018-09-19 11:43:05
引言對于電流在 25 A 左右的低壓轉換器應用而言,單相降壓控制器非常有效。若電流再大的話,功耗和效率就開始出現問題。一種較好的方法是使用多相降壓控制器。本文將簡單比較,使用多相降壓轉換器和單相
2022-11-23 06:04:49
減小。 輸出紋波電壓 輸出濾波器級中的紋波電流抵消可帶來比單相轉換器更低的輸出電容器紋波電壓。這就是多相轉換器為什么是首選的原因。方程式 1 和方程式 2 計算出了每個電感中所抵消的紋波電流百分比
2018-11-26 16:52:21
裝置機器人商用空調工業用照明(路燈等)內置SiC MOSFET的AC/DC轉換器IC產品陣容產品名稱封裝電源電壓范圍MOSFET工作頻率VCC OVP *^1^FB OLP *^2^工作溫度范圍
2022-07-27 11:00:52
了約22%。橙色部分表示開關損耗,降低的損耗大部分是開關損耗。在30kHz條件下,首先是IGBT的開關損耗大幅增加。眾所周知,這是IGBT高速開關所面對的課題。全SiC功率模塊的開關損耗雖然也有
2018-11-27 16:37:30
三電平(ThreeLevel,TL)整流器是一種可用于高壓大功率的PWM整流器,具有功率因數接近1,且開關電壓應力比兩電平減小一半的優點。文獻[1]及[2]提到一種三電平Boost電路,用于對整流橋
2012-12-27 16:57:40
介紹了采用商用1200V碳化硅(SiC)MOSFET和肖特基二極管的100KHz,10KW交錯式硬開關升壓型DC / DC轉換器的參考設計和性能。 SiC功率半導體的超低開關損耗使得開關頻率在硅實現方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24
內置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT:RGWxx65C系列內置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD+IGBT的車載充電器案例中開關損耗降低67%關鍵詞* ? SiC肖特基勢壘二極管(SiC
2022-07-27 10:27:04
電容器和一個二極管實現了開關電壓的充分利用,以產生一個負輸出。一個耦合電容器 C5 在停機期間增添了輸入至輸出斷接功能,這與 CUK 轉換器是相似的。圖 2:–120V 負輸出轉換器圖 3 示出了一個
2018-08-23 14:22:18
1700V高耐壓,還是充分發揮SiC的特性使導通電阻大幅降低的MOSFET。此外,與SiC-MOSFET用的反激式轉換器控制IC組合,還可大幅改善效率。ROHM不僅開發最尖端的功率元器件,還促進充分發揮
2018-12-04 10:11:25
描述在輸入電壓范圍為 9V 至 18V,電流為 12A 時,該汽車單相同步降壓轉換器可提供 3.3V 電壓。短時間運行的擴展輸入電壓范圍為 4.5V 至 32V。主要特色高效率緊湊的尺寸低輸入和輸出電壓紋波
2018-09-30 09:19:55
輸入電壓為較高的48 V時MOSFET開關損耗將增加。新方法新的創新型控制器設計方法將一個開關電容轉換器與一個同步降壓轉換器結合起來。開關電容電路將輸入電壓降低2倍,然后饋入同步降壓轉換器。這種技術先將
2018-10-23 11:46:22
降低整個轉換器的可靠性。然后,這一問題在4開關降壓-升壓轉換器中翻了一番,因為它有兩個階段――降壓和升壓。當設計人員直接將降壓轉換器的電路參數復制到4開關降壓-升壓轉換器的升壓段時,就會產生錯誤。隨著這種拓撲結構在應用中越來越受歡迎,了解dv/dt電感導通問題變得越來越重要。
2020-10-30 09:04:18
。隨著這種拓撲結構在應用中越來越受歡迎,了解dv/dt電感導通問題變得越來越重要。在4開關降壓-升壓轉換器中,dv/dt電感導通是由同步整流MOSFET在降壓段和升壓段快速升高的漏源電壓引起的。由于
2019-07-16 06:44:27
電壓為較高的48 V時MOSFET開關損耗將增加。 新方法 新的創新型控制器設計方法將一個開關電容轉換器與一個同步降壓轉換器結合起來。開關電容電路將輸入電壓降低2倍,然后饋入同步降壓轉換器。這種
2018-12-03 10:58:08
設計方面,SiC功率模塊被認為是關鍵使能技術。 為了提高功率密度,通常的做法是設計更高開關頻率的功率轉換器。 DC/DC 轉換器和應用簡介 在許多應用中,較高的開關頻率會導致濾波器更小,電感和電容值
2023-02-20 15:32:06
濾波電感。有了電容濾波器,LLC轉換器還可以使用額定電壓較低的整流器,從而降低系統成本。此外,次級側整流器可實現零電流轉換,大大減少了反向恢復損耗。利用LLC拓撲結構的各項優勢,可進一步提高效率,降低
2022-11-10 06:45:30
。 LLC 轉換器和二極管類型 LLC是一種常用拓撲,可為初級側橋晶體管提供零電壓開關,如圖1所示。它允許使用高開關頻率,同時保持出色的效率水平,因為初級MOSFET中的開關損耗最小。在次級側,輸出
2023-02-21 16:27:41
工程界普遍認為,當升壓轉換器必須提供高輸出電壓、在低輸入電壓下工作、提供高升壓比或支持高負載電流時,需使用多相位功能。相比單相位設計,多相位升壓設計有多項優勢,包括:提高效率、改善瞬態響應,以及降低
2020-09-30 09:27:31
工程界普遍認為,當升壓轉換器必須提供高輸出電壓、在低輸入電壓下工作、提供高升壓比或支持高負載電流時,需使用多相位功能。相比單相位設計,多相位升壓設計有多項優勢,包括:提高效率、改善瞬態響應,以及降低
2022-07-01 09:34:22
開關轉換器包括無源器件,如電阻器、電感、電容器,也包括有源器件,如功率開關。當您研究一個功率轉換器時,這大多數器件都被認為是理想的:當開關關斷時,它們不會降低兩端的電壓,電感不具有電阻損耗等特性
2020-10-28 07:28:36
假設您有一個 SiC 晶體管應用,它需要大約 +15V 的正柵極驅動電壓和大約 -4V 的負柵極驅動電壓,以獲得最佳性能和最低開關損耗(圖 1)。您查看制造商的數據表,發現具有這種特殊非對稱輸出電壓組合的隔離式 DC/DC 轉換器不作為標準產品存在。你能做什么?
2022-04-12 17:23:13
實際電池電壓調整直流母線電壓 (380-425V)。這是為了幫助DC/DC轉換器以較小的增益范圍工作。為了在功率密度、效率、熱性能和傳導EMI之間取得平衡,圖騰柱PFC的高頻半橋Q1和Q3的開關頻率
2023-02-27 09:44:36
描述該參考設計是一種寬輸入電壓范圍的 SEPIC 轉換器,使用經濟高效的分立啟動電路提供高達 30W 的連續輸出功率,可提供高達 80V 的輸入。另一個分立 UVLO 電路可防止低輸入電壓下的大輸
2022-09-16 07:05:21
描述PMP21274 是采用 LM5112 控制器的單相升壓轉換器。此參考設計的輸入工作電壓為 12V 至 50V。此設計具有 54V 輸出,能夠提供 2.5A 持續電流。LM5112 具有旁路功能
2018-10-14 11:38:38
隨著相位增多而提高,交錯操作會顯著降低輕載效率。因此,與單相轉換器相比,交錯式多相轉換器具有更高的重載效率,但輕載效率則較低。轉換器的效率為(公式3):[img][/img] 對于單相轉換器,空載
2011-07-14 08:52:28
。ALD4213模擬開關內部的集成電平轉換器和邏輯門提供邏輯轉換,可將單個5V輸入轉換為±5V邏輯擺幅。該電路在時鐘控制下閉合兩個開關S 1和S 4。在一個時鐘周期的前半部分,C 1充電至等于輸入電壓V
2020-06-03 13:57:17
求推薦一個最低電壓1.3V,400MHZ以上的電平轉換器
2020-06-27 14:46:16
來減小電感器尺寸,但是這會降低轉換器效率,因為與開關相關的損耗會導致不可接受的熱應力。與傳統的基于電感的降壓轉換器相比,開關電容轉換器(電荷泵)可顯著提高效率并縮小解決方案尺寸。在電荷泵中,使用飛跨
2019-04-16 18:27:07
用戶選擇四種不同的運作模式。它由四個級聯降壓-升壓轉換器的單相象限組成,包括四個開關、一個電感器和兩個電容器。根據不同電子開關的功能,電路可以降低或升高輸入電壓。開關組件由碳化硅(SiC
2021-07-13 07:30:00
用戶選擇四種不同的運作模式。它由四個級聯降壓-升壓轉換器的單相象限組成,包括四個開關、一個電感器和兩個電容器。根據不同電子開關的功能,電路可以降低或升高輸入電壓。開關組件由碳化硅(SiC
2022-04-15 14:51:38
連續導通模式(CCM)反激式轉換器通常用于中等功率隔離應用。與非連續導通模式(DCM)操作相比,CCM操作的特點是峰值開關電流更低,輸入和輸出電容更小,EMI更低,工作占空比范圍更窄。這些優點以及
2018-09-12 09:19:55
降低了工作占空比,從而實現了更高的開關頻率,更小的元件尺寸和更低的FET電壓。降低的占空比還可以提供更多的控制器選擇,這些控制器以前在傳統的升壓轉換器中實現時無法以足夠高的占空比工作。
2020-08-10 14:27:34
在設計功率轉換器時,碳化硅(SiC)等寬帶隙(WBG)技術現在是組件選擇過程中的現實選擇。 在設計功率轉換器時,碳化硅(SiC)等寬帶隙(WBG)技術現在是組件選擇過程中的現實選擇。650V
2023-02-23 17:11:32
設計一個簡易的AD轉換器的采樣保持電路,要求采樣方波的上升沿采樣,高電平保持,低電平時歸零。該如何設計模擬開關呢?
2023-10-25 12:07:38
相工作是透明的。所有 4 相的限流值和開關頻率都可以非常容易地用單個電阻編程,就像在單相設計中一樣。類似地,輸出電壓設置和環路補償與其它熟悉的 DC/DC 轉換器設計也沒有不同。這種類型 POL
2019-05-13 14:11:41
SiC-MOSFET用作開關的準諧振轉換器IC。在使用電源IC的設計中,要使用SiC-MOSFET需要專用的電源IC設計中使用的電源IC是ROHM的“BD7682FJ-LB”這款IC
2018-11-27 16:54:24
。這對于優化CLLC轉換器的效率非常重要,尤其是在高頻下。直流母線最大電壓為425V,電池為450V。考慮到降額可靠性要求,在OBC應用中最好使用650V SiC MOSFET。為了提供6.6kW
2019-10-25 10:02:58
為什么使用DC-DC轉換器應盡可能靠近負載的負載點(POL)電源?效率和精度是兩大優勢,但實現POL轉換需要特別注意穩壓器設計。接近電源。這是提高電源軌的電壓精度、效率和動態響應的最佳方法之一。負載
2021-12-14 07:00:00
`DC/DC轉換器是利用MOSFET開關閉合時在電感器中儲能,并產生電流。當開關斷開時,貯存的電感器能量通過二極管輸出給負載。如下圖所示。所示三種變換器的工作原理都是先儲存能量,然后以受控方式釋放
2019-03-25 16:31:54
時的占空比通常限制在50%以下,并在每個開關周期復位變壓器磁芯。一般會用第三繞組實現磁通量復位。當功率電平在200W以下時,通常使用單開關正激轉換器。由于FET上的電壓應力是輸入電壓、反射的變壓器電壓
2018-10-16 19:33:11
。隨著這種拓撲結構在應用中越來越受歡迎,了解dv/dt電感導通問題變得越來越重要。在4開關降壓-升壓轉換器中,dv/dt電感導通是由同步整流MOSFET在降壓段和升壓段快速升高的漏源電壓引起的。由于
2018-10-30 09:05:44
有助于將晶體管保持在安全工作區域。圖3比較了恒流和折返限流兩種方案的VOUT與IOUT響應曲線。與恒流限流相反,輸出電流(IOUT)的減小降低了功耗,從而降低了開關轉換器的熱應力。圖3. 恒流和折返兩種
2018-10-23 11:46:36
開關轉換器包括無源器件,如電阻器、電感、電容器,也包括有源器件,如功率開關。當您研究一個功率轉換器時,這大多數器件都被認為是理想的:當開關關斷時,它們不會降低兩端的電壓,電感不具有電阻損耗等特性
2019-08-07 08:19:32
處理器(例如ADSP-CM419F)完成。最后,利用高能效隔離式∑-?型轉換器(例如AD7403)檢測電壓,從而實現設計的緊湊性。在Si IGBT到SiC MOSFET的過渡階段,必須考慮混合拓撲結構
2018-10-22 17:01:41
。MOSFET不是邏輯電平,并且引腳DRVUV和DRVSET與INTVCC相連,以提供10V柵極驅動。引腳VPRG1連接到INTVCC,以在第一個通道上選擇5V輸出電壓。圖2顯示了轉換器的效率。DC1998A
2019-10-25 09:59:35
為了減小輸出電容和電感的尺寸以節省印刷電路板(PCB)空間,越來越多的高輸入電壓DC/DC轉換器在更高的開關頻率下工作。然而,隨著輸出電壓降至5V和更低,設計更快的開關高輸入電壓降壓DC/DC轉換器
2019-07-16 23:54:06
= V drive Q g Fsw –較低的R DS(on)減小了傳導損耗,其中V drive是驅動電壓,F sw是FET開關頻率。除了Q g和R DS(on)之外,在高頻轉換器中選擇組件時,考慮C
2022-05-11 10:17:28
= V drive Q g Fsw –較低的R DS(on)減小了傳導損耗,其中V drive是驅動電壓,F sw是FET開關頻率。除了Q g和R DS(on)之外,在高頻轉換器中選擇組件時,考慮C
2022-05-25 10:08:50
零電壓開關全橋轉換器設計降低元器件電壓應力
很多電源管理應用文章都介紹過采用 ZVS(零電壓開關)技術實現無損轉換的優勢。為了實現 ZVT(零電壓轉換),漏-源電
2009-11-03 09:03:33787 電平轉換器,電平轉換器原理和相關電路分析
在新一代電子電路設計中, 隨著低電壓邏輯的引入,系統內部常常出現輸入/ 輸出邏輯不協
2010-03-24 14:41:148176 在于諧振電容吸收了開關管和續流二極管的結電容,諧振電感吸收了變壓器的漏感.使得功率器件的電壓應力大大降低,負載范圍也變寬。
2016-05-11 14:54:564 本文提出一種零電壓零電流開關PWM復合式全橋三電平變換器,該變換器的一個橋臂為三電平橋臂,其開關管的電壓應力為輸入電壓的一半,可在很寬的負載范圍內實現零電壓開關,可以選用 MOSFEI;另一個
2016-05-11 15:15:165 TXS0202是一個2位電壓電平轉換器,用于在芯片間USB(IC-USB)應用中優化。
2018-05-11 11:25:5810 開關電源(DC-DC轉換器)真的會降低模數轉換器的性能嗎?
2018-12-12 14:17:543793 新唐I2C電平轉換器家族產品提供I2C/SMBus接口雙向電壓電平的轉換,并同時提供高規格的ESD保護。
2019-11-19 09:40:541470 隨著技術的進步,設備必須繼續具有出色的性能和效率。盡管傳統的多電平轉換器 ( MLC ) 滿足了這些需求,但它們仍然需要大量的電力電子開關和支持電路,并且系統復雜,所有這些都會導致額外的成本和龐大的系統。本文討論了一種有效的 MLC 修改,它使用先進技術來增強傳統類型的轉換器。
2022-07-29 09:54:29635 和高功率應用。2在這種配置中,總線電壓是平均分配的,這使我們可以使用低額定值的設備。在 NPC 轉換器中使用 SiC MOSFET 增加了高開關頻率和電荷密度的優勢,但以設計問題為代價,因為在 SiC 二極管 NPC (DNPC) 的情況下,內部開關的器件電壓大于外部開關)。
2022-08-04 10:41:261532 微控制器之間進行 DATA、RST 和 CLK 信號轉換。高速電平轉換器可支持 B 類、C 類 SIM 卡,并支持未來的 IO 電壓為 1.2 V 的主機處理器。
2022-08-11 10:49:591752 本設計筆記展示了如何通過降低振蕩器頻率來提高電壓轉換器的效率。在20mA電壓轉換器上增加一個振蕩器電容可降低振蕩器頻率,從而在降低IO值時提高電壓轉換效率。采用 ICL7660 電荷泵。
2023-01-14 11:03:11882 此前共用19個篇幅介紹了“使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的設計案例”,本文將作為該系列的最后一篇進行匯總。該設計案例中有兩個關鍵要點。一個是功率開關中使用了SiC-MOSFET。
2023-02-17 09:25:08480
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