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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>EV集團(tuán)和肖特?cái)y手證明300-MM光刻/納米壓印技術(shù)在玻璃制造中已就緒

EV集團(tuán)和肖特?cái)y手證明300-MM光刻/納米壓印技術(shù)在玻璃制造中已就緒

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光刻機(jī)結(jié)構(gòu)及IC制造工藝工作原理

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2024-01-19 14:06:424311

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2024-01-03 18:12:21346

改進(jìn)芯片技術(shù)的關(guān)鍵因素——光刻技術(shù)

使用13.5nm波長(zhǎng)的光進(jìn)行成像的EUV光刻技術(shù)已被簡(jiǎn)歷。先進(jìn)的邏輯產(chǎn)品依賴于它,DRAM制造商已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)。
2023-12-29 15:22:31172

聯(lián)電12納米技術(shù)授英特爾,或成聯(lián)發(fā)科生產(chǎn)關(guān)鍵

據(jù)可靠消息來源透露,聯(lián)電已就12納米工藝授權(quán)與英特爾進(jìn)行多輪接觸且近期將達(dá)成協(xié)議。主要原因在于聯(lián)電的12納米 ARM架構(gòu)技術(shù)和主攻 x86 架構(gòu)的英特爾形成了很好的互補(bǔ)效應(yīng),根據(jù)計(jì)劃,聯(lián)電將在今后一段時(shí)間內(nèi)收授高達(dá)數(shù)百億新臺(tái)幣的專利費(fèi)。
2023-12-28 14:46:00197

佳能推出FPA-1200NZ2C納米壓印半導(dǎo)體制造設(shè)備

對(duì)于納米壓印技術(shù),佳能半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)務(wù)部巖本和德介紹道,它是通過將刻有半導(dǎo)體電路圖的掩膜壓制于晶圓之上完成二維或三維電路成型的過程。巖本進(jìn)一步補(bǔ)充道,若對(duì)掩膜進(jìn)行改良,將有可能實(shí)現(xiàn)2nm級(jí)別的電路線條寬度。
2023-12-25 14:51:51316

300毫米芯片的設(shè)備需求日益飆升

在過去的幾年里,200mm設(shè)備在市場(chǎng)上一直供不應(yīng)求,但現(xiàn)在整個(gè)300mm供應(yīng)鏈也出現(xiàn)了問題。傳統(tǒng)上,300毫米設(shè)備的交貨時(shí)間為三到六個(gè)月,而特定系統(tǒng)的交貨時(shí)間更長(zhǎng)。然而,如今,采購(gòu)極紫外(EUV)光刻掃描儀可能需要一年或更長(zhǎng)時(shí)間。沉積、蝕刻和其他系統(tǒng)的交付周期也很長(zhǎng)。
2023-12-20 13:31:32172

EV集團(tuán)將層轉(zhuǎn)移技術(shù)引入大批量制造

來源:Silicon Semiconductor 紅外激光切割技術(shù)能夠以納米精度從硅襯底上進(jìn)行超薄層轉(zhuǎn)移,徹底改變了先進(jìn)封裝和晶體管縮放的3D集成。 EV集團(tuán)(EVG)推出了EVG?850
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“半導(dǎo)體研發(fā)機(jī)構(gòu) imec 的項(xiàng)目經(jīng)理塞德里克-羅林(Cedric Rolin)說:”納米壓印技術(shù)很難在質(zhì)量上與 EUV 相媲美。” 他說,納米壓印的缺陷率“相當(dāng)高”。
2023-12-06 15:54:42314

為什么選擇索雷碳納米聚合物材料技術(shù)修復(fù)鍵槽磨損

某造紙公司出現(xiàn)了鍵槽磨損,鍵槽磨損1-1.5mm公司選擇索雷碳納米聚合物材料技術(shù)來進(jìn)行修復(fù)。
2023-12-04 09:42:590

半導(dǎo)體制造光刻工藝講解

光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化,從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上,從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:241334

光刻膠國(guó)內(nèi)市場(chǎng)及國(guó)產(chǎn)化率詳解

KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進(jìn)行光刻光刻膠。248nmKrF光刻技術(shù)已廣 泛應(yīng)用于0.13μm工藝的生產(chǎn)中,主要應(yīng)用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產(chǎn)中。
2023-11-29 10:28:50283

助力電子產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展,華秋電子設(shè)計(jì)與制造技術(shù)研討會(huì)成功舉辦

的轉(zhuǎn)型升級(jí),一站式數(shù)字化電子供應(yīng)鏈應(yīng)愈發(fā)重要,數(shù)字化智能制造的全鏈條電子設(shè)計(jì)與制造的問題也越來越受到重視。 在此背景下,華秋聯(lián)合新一代產(chǎn)業(yè)園主辦的《2023電子設(shè)計(jì)與制造技術(shù)研討會(huì)》于11月23
2023-11-24 16:50:33

數(shù)字化供應(yīng)鏈助力電子產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展,華秋2023電子設(shè)計(jì)與制造技術(shù)研討會(huì)成功舉辦!

的轉(zhuǎn)型升級(jí),一站式數(shù)字化電子供應(yīng)鏈應(yīng)愈發(fā)重要,數(shù)字化智能制造的全鏈條電子設(shè)計(jì)與制造的問題也越來越受到重視。 在此背景下,華秋聯(lián)合新一代產(chǎn)業(yè)園主辦的《2023電子設(shè)計(jì)與制造技術(shù)研討會(huì)》于11月23
2023-11-24 16:47:41

可繞過EUV量產(chǎn)5nm!佳能CEO:納米壓印設(shè)備無法賣到中國(guó)!

雖然目前在光刻機(jī)市場(chǎng),還有尼康和佳能這兩大供應(yīng)商,但是這兩家廠商的產(chǎn)品主要都是被用于成熟制程芯片的制造,全球市場(chǎng)份額僅有10%左右,ASML一家占據(jù)了90%的市場(chǎng)份額,并壟斷了尖端的EUV光刻機(jī)的供應(yīng)。
2023-11-23 16:14:45485

基于JSM-35CF SEM的納米電子束光刻系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)與應(yīng)用

在電子和電氣制造業(yè)中,光刻技術(shù)制造無源/有源器件的重要步驟。
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就緒狀態(tài)和等待狀態(tài)的區(qū)別

就緒狀態(tài)和等待狀態(tài)是計(jì)算機(jī)領(lǐng)域中一對(duì)常用的術(shù)語,用于描述進(jìn)程或線程在執(zhí)行時(shí)的不同狀況。下面我將詳細(xì)解釋就緒狀態(tài)和等待狀態(tài)的區(qū)別。 就緒狀態(tài)(Ready State)是指進(jìn)程或線程已經(jīng)滿足了執(zhí)行的條件
2023-11-17 11:29:55754

ASML攜全景光刻解決方案亮相進(jìn)博會(huì)

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佳能押注納米壓印技術(shù) 挑戰(zhàn)***老大ASML

據(jù)DIGITIMES此前消息,SK海力士2023年引進(jìn)佳能納米壓印設(shè)備,正在進(jìn)行測(cè)試與研發(fā),目標(biāo)在2025年左右將該設(shè)備用于3D NAND量產(chǎn)。有業(yè)內(nèi)人士表示:“與EUV相比,納米壓印技術(shù)形成圖案
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納米探針式輪廓儀

圖儀器SJ5730系列納米探針式輪廓儀采用超高精度納米衍射光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)、超高直線度研磨級(jí)摩擦導(dǎo)軌、高性能直流伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、高性能計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)技術(shù),分辨率高達(dá)0.1nm,系統(tǒng)殘差小于3nm
2023-11-09 09:14:22

顛覆性技術(shù)!半導(dǎo)體行業(yè)再放大招!

顛覆性技術(shù)!半導(dǎo)體行業(yè)再放大招! 近日,日本佳能官方發(fā)布 納米壓印(NIL)半導(dǎo)體制造設(shè)備 未來,或?qū)⑻娲鶤SML光刻機(jī) 成為更低成本的芯片制造設(shè)備! 要知道,半導(dǎo)體是目前全球經(jīng)濟(jì)的核心,在中國(guó)
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什么是納米壓印技術(shù)?能否取代***?

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2023-11-08 14:34:02550

俄羅斯:2024年將制造350nm***,2026年生產(chǎn)130nm***

目前,俄羅斯雖然擁有利用外國(guó)制造設(shè)備的65納米技術(shù),但不能生產(chǎn)光刻機(jī)。在現(xiàn)代光刻設(shè)備的情況下,外國(guó)企業(yè)被禁止出口之后,俄羅斯正在忙于自身的生產(chǎn)設(shè)備開發(fā)。
2023-11-06 11:38:55473

石器時(shí)代?俄計(jì)劃生產(chǎn)350納米***

2024年亮相,而支持130納米制程的設(shè)備將于2026年投入生產(chǎn)。 在全球范圍內(nèi),只有荷蘭ASML和日本Nikon兩家公司生產(chǎn)光刻機(jī),這使得俄羅斯面臨技術(shù)及設(shè)備的供應(yīng)難題。然而,在國(guó)際制裁的背景下,俄羅斯決定走上了自研自產(chǎn)的道路,旨在建設(shè)本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。
2023-11-06 11:26:29212

佳能納米壓印半導(dǎo)體制造機(jī)價(jià)格或比ASML EUV設(shè)備低一位數(shù)

據(jù)悉,asml是唯一的極紫外光刻工具供應(yīng)商,極紫外線刻印工具是世界上最先進(jìn)的芯片制造機(jī)器,每臺(tái)價(jià)值數(shù)億美元。euv設(shè)備是數(shù)十年研究和投資的產(chǎn)物,是大規(guī)模生產(chǎn)最快、能源效率最高的芯片所必需的。
2023-11-06 09:29:32377

德州儀器亮相進(jìn)博會(huì) “芯”意滿滿展位已就緒

月 5 日 - 10 日 地點(diǎn):國(guó)家會(huì)展中心(上海市)4.1 館集成電路專區(qū) A1 - 01 德州儀器展位 目前,德州儀器的展臺(tái)搭建工作已全部準(zhǔn)備就緒300 平米進(jìn)博會(huì)展區(qū),涵蓋可再生能源、汽車電子與機(jī)器人三大領(lǐng)域技術(shù)與解決方案,為您打造沉浸式科技“芯”旅程! 你是
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半導(dǎo)體制造領(lǐng)域光刻膠的作用和意義

光刻是半導(dǎo)體加工中最重要的工藝之一,決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時(shí)間的40%-50%,占其總成本的30%。光刻膠是光刻環(huán)節(jié)關(guān)鍵耗材,其質(zhì)量和性能與電子器件良品率、器件性能可靠性直接相關(guān)。
2023-10-26 15:10:24359

如何減少太陽能電池入射光在電池器件中的反射

為了制備蜂窩狀紋理的絨面結(jié)構(gòu),研究人員利用了熱輔助紫外輥納米壓印光刻技術(shù)(TUV-Roller-NIL),基于TUV-Roller-NIL制造蜂窩紋理的工藝鏈可以分為以下四步。
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光學(xué)光刻技術(shù)有哪些分類 光刻技術(shù)的原理

光學(xué)光刻是通過廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫在涂有光刻膠的硅片上,通過光的照射,光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統(tǒng)能獲得的分辨率直接相關(guān),而減小照射光源的波長(zhǎng)是提高分辨率的最有效途徑。
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上海微系統(tǒng)所在300mm RF-SOI晶圓制造技術(shù)方面實(shí)現(xiàn)突破

近日,上海微系統(tǒng)所魏星研究員團(tuán)隊(duì)在300mm SOI晶圓制造技術(shù)方面取得突破性進(jìn)展,制備出了國(guó)內(nèi)第一片300mm 射頻(RF)SOI晶圓。
2023-10-23 09:16:45498

上海微系統(tǒng)所在300mm SOI晶圓制造技術(shù)方面實(shí)現(xiàn)突破

為制備適用于300 mm RF-SOI的低氧高阻襯底,團(tuán)隊(duì)自主開發(fā)了耦合橫向磁場(chǎng)的三維晶體生長(zhǎng)傳熱傳質(zhì)模型,并首次揭示了晶體感應(yīng)電流對(duì)硅熔體內(nèi)對(duì)流和傳熱傳質(zhì)的影響機(jī)制以及結(jié)晶界面附近氧雜質(zhì)的輸運(yùn)機(jī)制,相關(guān)成果分別發(fā)表在晶體學(xué)領(lǐng)域的頂級(jí)期刊《Crystal growth & design》
2023-10-20 14:30:45358

日本佳能發(fā)布新型***

來源:中國(guó)半導(dǎo)體論壇 編輯:感知芯視界 Link 10月13日消息,日本佳能宣布推出新型光刻設(shè)備:FPA-1200NZ2C納米壓印半導(dǎo)體制造設(shè)備! 受此消息影響,納米壓印概念股午后走高,匯創(chuàng)達(dá)午后
2023-10-17 11:07:23230

佳能推出納米壓印半導(dǎo)體制造設(shè)備 或?yàn)橹忻栏?jìng)爭(zhēng)增添新戰(zhàn)線

據(jù)佳能介紹,傳統(tǒng)的光刻設(shè)備將電路圖案投射到涂有防腐劑的晶片上,而新產(chǎn)品就像郵票一樣,在晶片上印上印有電路圖案的掩模來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。由于電路圖案的傳遞過程不經(jīng)過光學(xué)結(jié)構(gòu),因此可以在晶片上準(zhǔn)確再現(xiàn)掩模的細(xì)微電路圖案。
2023-10-16 11:40:29701

各種光刻技術(shù)你都了解嗎?

當(dāng)制程節(jié)點(diǎn)演進(jìn)到5nm時(shí),DUV和多重曝光技術(shù)的組合也難以滿足量產(chǎn)需求了,EUV光刻機(jī)就成為前道工序的必需品了,沒有它,很難制造出符合應(yīng)用需求的5nm芯片,即使不用EUV能制造出一些5nm芯片,其整個(gè)生產(chǎn)線的良率也非常低,無法形成大規(guī)模的商業(yè)化生產(chǎn)。
2023-10-13 14:45:03834

璞璘科技獲數(shù)千萬元天使輪融資,聚焦納米壓印技術(shù)

璞璘科技成立于2017年,致力于納米壓印設(shè)備及材料的生產(chǎn)和開發(fā)。據(jù)璞璘科技官方消息,公司是目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上唯一一家集納米壓印設(shè)備、材料、技術(shù)于一體的納米壓印尖端微納米制造企業(yè)。
2023-10-13 10:03:231622

納米級(jí)測(cè)量?jī)x器:窺探微觀世界的利器

納米科技的迅猛發(fā)展將我們的視野拓展到了微觀世界,而測(cè)量納米級(jí)尺寸的物體和現(xiàn)象則成為了時(shí)下熱門的研究領(lǐng)域。納米級(jí)測(cè)量?jī)x器作為一種重要的工具,扮演著重要的角色。那么,如何才能準(zhǔn)確測(cè)量納米級(jí)物體呢?
2023-10-11 14:37:46

芯片制造發(fā)展是否存在新路徑

技術(shù)發(fā)展的角度看,芯片線寬越來越小,各種光學(xué)效應(yīng)、系統(tǒng)誤差和工藝條件偏差等變得越來越精細(xì)。計(jì)算光刻可以通過算法建模、仿真計(jì)算、數(shù)據(jù)分析和結(jié)果優(yōu)化等手段解決半導(dǎo)體制造過程中的納米級(jí)掩模修復(fù)、芯片設(shè)計(jì)、制造缺陷檢測(cè)與矯正
2023-10-10 16:42:24486

俄羅斯開發(fā)出可替代***的芯片制造設(shè)備

這個(gè)復(fù)合體由兩種設(shè)施組成。第一個(gè)裝置是為“無掩模納米光刻”設(shè)計(jì)的,可以在沒有口罩的情況下將圖像投射到基板上。第二種設(shè)備位于第一種設(shè)備制造的基板圖案上,利用蝕刻形成納米結(jié)構(gòu)。
2023-10-10 14:27:04436

半導(dǎo)體制造光刻原理、工藝流程

光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一,是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成,是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化學(xué)反應(yīng),經(jīng)曝光、顯影等光刻工藝,將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上,是用于微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性電子化學(xué)品。
2023-10-09 14:34:491674

極紫外 (EUVL) 光刻設(shè)備技術(shù)應(yīng)用分析

歐洲極紫外光刻(EUVL)技術(shù)利用波長(zhǎng)為13.5納米的光子來制造集成電路。產(chǎn)生這種光的主要來源是使用強(qiáng)大激光器產(chǎn)生的熱錫等離子體。激光參數(shù)被調(diào)整以產(chǎn)生大多數(shù)在13.5納米附近發(fā)射的錫離子(例如Sn10+-Sn15+)。
2023-09-25 11:10:50264

芯片和線路板的光刻技術(shù)不同?差別在哪里?

線路板的光刻技術(shù)
2023-09-21 10:20:34607

SHELLBACK 獲得美國(guó)主要 300mm 芯片制造商復(fù)購(gòu)訂單

制造商為SHELLBACK 300毫米生產(chǎn)線訂購(gòu)的eaglei 300 caster檢查系統(tǒng),為驗(yàn)證300毫米foup及fosb的重要大小,在清潔前和清潔后,通過準(zhǔn)確的、可編程的多點(diǎn)晶圓載具檢查,以確保只有在公差范圍內(nèi)的載具才能重新進(jìn)入生產(chǎn),從而提高晶圓廠產(chǎn)量。
2023-09-20 11:54:10558

玻璃瓶軸偏差測(cè)定儀

玻璃瓶軸偏差測(cè)定儀 玻璃制造業(yè),瓶子的設(shè)計(jì)和制造不僅需要美觀,更要求高度的實(shí)用性和精密度。其中,玻璃瓶的垂直軸偏差是評(píng)價(jià)其質(zhì)量的重要指標(biāo)之一。為了確保玻璃瓶垂直軸的偏差規(guī)定范圍內(nèi)
2023-09-19 14:31:35

化學(xué)機(jī)械拋光(CMP) 技術(shù)的發(fā)展應(yīng)用及存在問題

納米級(jí)[1] 。傳統(tǒng)的平面化技術(shù)如基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射玻璃 SOG、低壓 CVD、等離子體增強(qiáng) CVD、偏壓濺射和屬于結(jié)構(gòu)的濺射后回腐蝕、熱回流、淀積 —腐蝕 —淀積等 , 這些技術(shù) IC
2023-09-19 07:23:03

蘇大維格:28nm***光柵尺周期精度需小于2nm

公開的資料顯示,蘇大維格他致力于微納關(guān)鍵技術(shù),柔性智能制造、柔性光電子材料的創(chuàng)新應(yīng)用,涉及微納光學(xué)印材、納米印刷、3D成像材料、平板顯示(大尺寸電容觸控屏,超薄導(dǎo)光板)、高端智能微納裝備(納米壓印、微納直寫光刻、3D光場(chǎng)打印等)的開發(fā)和技術(shù)產(chǎn)業(yè)化
2023-09-11 11:45:593530

基于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的光伏玻璃制造運(yùn)維管理系統(tǒng)

制造企業(yè)形成新的要求,企業(yè)紛紛尋求降本升效的手段。 在光伏玻璃產(chǎn)線中,投料、熔化、成型、退火、切割、制品是一個(gè)完整的生產(chǎn)流程,其中生產(chǎn)過程的溫濕度、壓力等工藝參數(shù)對(duì)生產(chǎn)效率至關(guān)重要,通過將產(chǎn)線上溫濕度傳感器、
2023-08-24 14:07:04253

半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解

半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541221

浸沒式光刻,拯救摩爾定律

2000年代初,芯片行業(yè)一直致力于從193納米氟化氬(ArF)光源光刻技術(shù)過渡到157納米氟(F 2 )光源光刻技術(shù)
2023-08-23 10:33:46798

光刻技術(shù)概述及其分類

光刻是一種圖像復(fù)制技術(shù),是集成電路工藝中至關(guān)重要的一項(xiàng)工藝。簡(jiǎn)單地說,光刻類似照相復(fù)制方法,即將掩膜版上的圖形精確地復(fù)制到涂在硅片表面的光刻膠或其他掩蔽膜上面,然后在光刻膠或其他掩蔽膜的保護(hù)下對(duì)硅片進(jìn)行離子注入、刻蝕、金屬蒸鍍等。
2023-08-07 17:52:531479

EUV光刻市場(chǎng)高速增長(zhǎng),復(fù)合年增長(zhǎng)率21.8%

EUV掩膜,也稱為EUV掩模或EUV光刻掩膜,對(duì)于極紫外光刻(EUVL)這種先進(jìn)光刻技術(shù)至關(guān)重要。EUV光刻是一種先進(jìn)技術(shù),用于制造具有更小特征尺寸和增強(qiáng)性能的下一代半導(dǎo)體器件。
2023-08-07 15:55:02396

蘇州新維度微納科技有限公司舉行落成儀式,聚焦納米壓印

據(jù)新維度公司總經(jīng)理羅鋼博士介紹,新維度公司繼承了劉忠范教授和瑞典lars montelius教授的納米壓印技術(shù)系統(tǒng),是世界主要納米壓印技術(shù)路線之一。
2023-07-20 10:58:361179

另有13家300mm晶圓廠將在2023年投產(chǎn)

 新的300晶圓廠將于2023年啟動(dòng),提供動(dòng)力晶體管、先進(jìn)邏輯、oem服務(wù)。將于2023年開業(yè)的13個(gè)300mm 晶圓廠中有5個(gè)是非ic產(chǎn)品生產(chǎn),其中3個(gè)在中國(guó),2個(gè)在日本。今年新成立的300mm晶圓廠的三分之二正在進(jìn)行預(yù)定型生產(chǎn),其中4家完全致力于委托其他公司制造半導(dǎo)體。
2023-07-20 09:25:50587

光刻掩膜版測(cè)溫儀,光刻機(jī)曝光光學(xué)系統(tǒng)測(cè)溫儀

GK-1000光刻掩膜版測(cè)溫儀,光刻機(jī)曝光光學(xué)系統(tǒng)測(cè)溫儀光刻機(jī)是一種用于微納米加工的設(shè)備,主要用于制造集成電路、光電子器件、MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))等微細(xì)結(jié)構(gòu)。光刻機(jī)是一種光學(xué)投影技術(shù),通過將光線通過
2023-07-07 11:46:07

3D IC對(duì)光刻技術(shù)的新技術(shù)要求

中國(guó)科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國(guó)家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對(duì)先進(jìn)光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計(jì)優(yōu)化》研討課。在授課過程中,除教師系統(tǒng)地講授
2023-06-30 10:06:02261

基于機(jī)器學(xué)習(xí)的逆向光刻技術(shù)

中國(guó)科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國(guó)家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對(duì)先進(jìn)光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計(jì)優(yōu)化》研討課。在授課過程中,除教師系統(tǒng)地講授
2023-06-29 10:02:17327

淺談半導(dǎo)體制造中的光刻工藝

在之前的文章里,我們介紹了晶圓制造、氧化過程和集成電路的部分發(fā)展史。現(xiàn)在,讓我們繼續(xù)了解光刻工藝,通過該過程將電子電路圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上。光刻過程與使用膠片相機(jī)拍照非常相似。但是具體是怎么實(shí)現(xiàn)的呢?
2023-06-28 10:07:472427

一文了解光刻的歷史

如今,光刻技術(shù)已成為一項(xiàng)容錯(cuò)率極低的大產(chǎn)業(yè)。全球領(lǐng)先的荷蘭公司 ASML 也是歐洲市值最大的科技公司。它的光刻工具依賴于世界上最平坦的鏡子、最強(qiáng)大的商用激光器之一以及比太陽表面爆炸還高的熱度,在硅上刻出微小的形狀,尺寸僅為幾納米
2023-06-26 16:59:16569

綜述:聚合物薄膜的非光刻圖案化方法

光刻圖案化方法可以從圖案設(shè)計(jì)的自由度上分為三大類,第一類能夠自由形成任意圖案,主要包括掃描探針刻印(SPL)和噴墨打印;第二類需要在模板或預(yù)圖案化基材的輔助下形成復(fù)雜的圖案,包括區(qū)域選擇性沉積(ASD)、納米壓印(NIL)、微接觸印刷(mCP)
2023-06-21 15:49:50522

硅基光刻技術(shù)在柔性電子器件制造中的應(yīng)用

近日,湖南大學(xué)段輝高教授團(tuán)隊(duì)通過開發(fā)基于“光刻膠全干法轉(zhuǎn)印”技術(shù)的新型光刻工藝,用于柔性及不規(guī)則(曲面、懸空)襯底上柔性電子器件的原位和高保形制造,為高精度、高可靠性和高穩(wěn)定性柔性電子器件的制造提供
2023-06-17 10:19:38507

芯片制造光刻工藝詳細(xì)流程圖

光刻機(jī)可分為前道光刻機(jī)和后道光刻機(jī)。光刻機(jī)既可以用在前道工藝,也可以用在后道工藝,前道光刻機(jī)用于芯片的制造,曝光工藝極其復(fù)雜,后道光刻機(jī)主要用于封裝測(cè)試,實(shí)現(xiàn)高性能的先進(jìn)封裝,技術(shù)難度相對(duì)較小。
2023-06-09 10:49:205857

芯片制造光刻步驟詳解

芯片前道制造可以劃分為七個(gè)環(huán)節(jié),即沉積、涂膠、光刻、去膠、烘烤、刻蝕、離子注入。
2023-06-08 10:57:093765

一文看懂EUV光刻

極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)是當(dāng)今使用的最先進(jìn)的光刻系統(tǒng)。本文將介紹這項(xiàng)重要但復(fù)雜的技術(shù)
2023-06-06 11:23:54688

氦質(zhì)譜檢漏儀電子束***檢漏

上海伯東客戶某光刻機(jī)生產(chǎn)商, 生產(chǎn)的電子束光刻機(jī) Electron Beam Lithography System 最大能容納 300mmφ 的晶圓片和 6英寸的掩模版, 適合納米壓印, 光子器件
2023-06-02 15:49:40492

光刻技術(shù)再次升級(jí)了

中國(guó)在半導(dǎo)體芯片制造方面仍落后于美國(guó)。早在上世紀(jì)60年代,美國(guó)就開始占據(jù)世界半導(dǎo)體市場(chǎng)的絕對(duì)主導(dǎo)地位。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,半導(dǎo)體芯片的制造越來越精細(xì)化。從最初的65納米工程到現(xiàn)在的7納米技術(shù)開發(fā),美國(guó)一直處于領(lǐng)先地位。
2023-06-01 10:12:43583

納米壓印,終于走向臺(tái)前?

納米壓印技術(shù),即Nanoimprint Lithography(NIL),是一種新型的微納加工技術(shù)。該技術(shù)將設(shè)計(jì)并制作在模板上的微小圖形,通過壓印技術(shù)轉(zhuǎn)移到涂有高分子材料的硅基板上。
2023-05-19 09:37:47949

EUV光刻技術(shù)優(yōu)勢(shì)及挑戰(zhàn)

EUV光刻技術(shù)仍被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的關(guān)鍵途徑。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和成熟,預(yù)計(jì)EUV光刻將在未來繼續(xù)推動(dòng)芯片制程的進(jìn)步。
2023-05-18 15:49:041790

全息圖增強(qiáng)納米級(jí)3D打印技術(shù)

目前,用于制造具有復(fù)雜形狀的納米級(jí)物體的最精確的3D打印技術(shù)可能是雙光子光刻。這種方法依賴于液態(tài)樹脂,只有當(dāng)它們同時(shí)吸收兩個(gè)光子而不是一個(gè)光子時(shí),它們才會(huì)固化。這使得能夠精確制造具有體素(相當(dāng)于像素的3D)的物體,尺寸只有幾十納米
2023-05-17 09:59:22661

一文講透光刻膠及芯片制造關(guān)鍵技術(shù)

在集成電路制造領(lǐng)域,如果說光刻機(jī)是推動(dòng)制程技術(shù)進(jìn)步的“引擎”,光刻膠就是這部“引擎”的“燃料”。
2023-05-13 11:28:381119

新品推薦|XD770.300S大負(fù)載壓電納米定位臺(tái)

壓電納米定位臺(tái)在精密定位領(lǐng)域中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用,可集成于各類高精密裝備,為其提供納米級(jí)運(yùn)動(dòng)控制,且應(yīng)用非常廣泛,例如顯微掃描、光路調(diào)整、納米操控技術(shù)、激光干涉、納米光刻、生物科技、光通信、納米
2023-05-11 08:56:02347

淺談光刻技術(shù)

在整個(gè)芯片制造過程中,幾乎每一道工序的實(shí)施都離不開光刻技術(shù)光刻技術(shù)也是制造芯片最關(guān)鍵的技術(shù),占芯片制造成本的35%以上。
2023-04-26 08:57:031033

PCB制造基本工藝及目前的制造水平

  一、PCB制造基本工藝及目前的制造水平   PCB設(shè)計(jì)最好不要超越目前廠家批量生產(chǎn)時(shí)所能達(dá)到的技術(shù)水平,否則無法加工或成本過高。   1.1層壓多層板工藝   層壓多層板工藝是目前廣泛
2023-04-25 17:00:25

太陽能光伏玻璃與浮法玻璃有什么區(qū)別?

浮法玻璃是一種常見的玻璃制造工藝,其生產(chǎn)過程中將玻璃原料(例如硅砂、碳酸鈉、石灰石等)融化后,從玻璃熔浴上方均勻地流出,經(jīng)冷卻固化成薄片狀玻璃。這種技術(shù)可以制造出高質(zhì)量、均勻厚度的玻璃,用途廣泛。
2023-04-25 11:18:471260

光刻技術(shù)的種類介紹

根據(jù)維基百科的定義,光刻是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟,該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu),然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓,還可以是其他金屬層、介質(zhì)層,例如玻璃、SOS中的藍(lán)寶石。
2023-04-25 11:11:331242

什么是光刻技術(shù)

光刻技術(shù)簡(jiǎn)單來講,就是將掩膜版圖形曝光至硅片的過程,是大規(guī)模集成電路的基礎(chǔ)。目前市場(chǎng)上主流技術(shù)是193nm沉浸式光刻技術(shù),CPU所謂30nm工藝或者22nm工藝指的就是采用該技術(shù)獲得的電路尺寸。
2023-04-25 11:02:322261

光刻技術(shù)簡(jiǎn)述

光刻技術(shù)是將掩模中的幾何形狀的圖案轉(zhuǎn)移到覆蓋在半導(dǎo)體晶片表面的薄層輻射敏感材料(稱為抗蝕劑)上的過程
2023-04-25 09:55:131057

計(jì)算光刻技術(shù)有多重要?計(jì)算光刻如何改變2nm芯片制造

光刻是在晶圓上創(chuàng)建圖案的過程,是芯片制造過程的起始階段,包括兩個(gè)階段——光掩膜制造和圖案投影。
2023-04-25 09:22:16696

中國(guó)最先進(jìn)的***是多少納米

中國(guó)在芯片制造領(lǐng)域一直在追趕先進(jìn)的技術(shù),雖然在一些關(guān)鍵技術(shù)方面還存在一定差距,但近年來中國(guó)在光刻機(jī)領(lǐng)域取得了一些進(jìn)展,下面將詳細(xì)介紹中國(guó)目前最先進(jìn)的光刻機(jī)是多少納米
2023-04-24 15:10:0159466

PCB制造過程分步指南

核心材料是環(huán)氧樹脂和玻璃纖維,也被稱為基材。層壓板是接收構(gòu)成PCB的銅的理想主體。基板材料為PCB提供了堅(jiān)固且防塵的起點(diǎn)。銅兩面都預(yù)先粘合在一起。該過程涉及消磨銅,以揭示薄膜的設(shè)計(jì)。  PCB
2023-04-21 15:55:18

負(fù)光刻膠顯影殘留原因

151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會(huì)有一撮殘留,找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52

如何將mipi相機(jī)與imx8mm接口連接?

大家好,我正在將 FCB-EV9500M 與 imx8mm 接口。我面臨的問題是 FCB-EV9500M 是 visca 協(xié)議及其 mipi 傳感器。FCB-EV9500 不是i2c 通訊協(xié)議。有誰知道如何將這個(gè) mipi 相機(jī)與 imx8mm 接口?
2023-04-03 08:45:06

DESFire EV3是否適用于EV2讀卡器?

MF3D(H)x3 數(shù)據(jù)表(MIFARE DESFire EV3 非接觸式多應(yīng)用 IC (nxp.com))讀到 DESFire EV2 EV3 的設(shè)計(jì)是為了保持向后兼容性。我想知道這是由于
2023-03-31 08:49:45

SEMI報(bào)告:全球300mm晶圓廠2023年產(chǎn)能擴(kuò)張速度趨緩,2026年將創(chuàng)歷史新高

美國(guó)加州時(shí)間2023年3月27日,SEMI在《300mm晶圓廠展望報(bào)告-至2026年》(300mm Fab Outlook to 2026)中指出,全球半導(dǎo)體制造商預(yù)計(jì)2026年將增加300mm
2023-03-29 16:47:442044

新思科技攜手英偉達(dá),加速計(jì)算光刻進(jìn)入“iPhone時(shí)刻”

數(shù)十年來,為制造工藝制作掩模一直是半導(dǎo)體制造中的重要環(huán)節(jié)。隨著我們轉(zhuǎn)向采用5nm、3nm甚至2nm等更先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn),縮短計(jì)算光刻耗時(shí)可幫助半導(dǎo)體制造公司高效地制造芯片。作為該領(lǐng)域的先鋒企業(yè),新思科
2023-03-25 16:40:01495

GTC 2023 NVIDIA將加速計(jì)算引入半導(dǎo)體光刻 計(jì)算光刻技術(shù)提速40倍

GTC 2023 NVIDIA將加速計(jì)算引入半導(dǎo)體光刻 計(jì)算光刻技術(shù)提速40倍 NVIDIA cuLitho的計(jì)算光刻庫可以將計(jì)算光刻技術(shù)提速40倍。這對(duì)于半導(dǎo)體制造而言極大的提升了效率。甚至可以說
2023-03-23 18:55:377488

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