我有個應(yīng)用設(shè)計，MCU用的是STM32G070rbt6芯片，外擴了一片鐵電存儲器FRAM。STM32G070在2.0V-3.3V工作電壓下都能正常工作，但鐵電存儲器FRAM的工作電壓
2024-03-13 08:04:03
TC364 微控制器是否支持外部存儲器？
根據(jù)我的閱讀，外部總線接口用于外部存儲器。 在該微控制器的數(shù)據(jù)手冊中，我看到外部總線為 0。
2024-03-04 06:13:37
存儲器層次結(jié)構(gòu)可以從圖片中清晰的看出來，圖片中共分為六級，越向上的層次，存儲器速度越快，容量更小，造價越高。
2024-02-19 14:03:42
415 
通過多級存儲器的設(shè)計，存儲器層次結(jié)構(gòu)能夠在存儲容量和訪問速度之間找到一個平衡點。高速緩存存儲器和主存儲器提供了快速的訪問速度，而輔助存儲器則提供了大量的存儲空間。
2024-02-19 13:54:42121 
DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 
1) 允許一個物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器進(jìn)行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲器。
2024-01-30 08:18:12
鐵電存儲器通常具有更快的隨機存取時間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲器相比較為遲鈍。
2024-01-23 18:17:51517 
我想使用 DAP 協(xié)議對 TC38x 系列 MCU 的 pFlash/DFlash 進(jìn)行編程。
是否有任何記錄了 DAP 協(xié)議詳細(xì)信息的相關(guān)文檔？ 如何通過 DAP 協(xié)議訪問內(nèi)部存儲器？
提前謝謝了！
2024-01-23 07:51:15
只讀存儲器（ROM）是一種計算機存儲設(shè)備，用于存儲固定數(shù)據(jù)和指令，其特點如下： 數(shù)據(jù)固定性：只讀存儲器中的數(shù)據(jù)是在出廠時被編程固化的，用戶無法進(jìn)行修改。這意味著ROM中的信息是靜態(tài)的、不可
2024-01-17 14:17:39290 ADuCM360/1是否支持存儲器到存儲器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
隨著人們對計算機和電子設(shè)備的需求不斷增長，存儲器的種類也越來越多。其中，RAM（Random Access Memory，隨機訪問存儲器）是計算機中最常用的一種存儲器。RAM可以分為兩種類型，一種
2024-01-12 17:27:15513 靠近 CPU 的小、快速的高速緩存存儲器（cache memory）做為一部分存儲在相對慢速的主存儲器（main memory）中數(shù)據(jù)和指令的緩沖區(qū)域。
2023-12-25 09:21:50242 
如果按照資料里的：0x1419 0x0000 準(zhǔn)備從存儲器位置0x19讀取數(shù)據(jù)。
0x2000 0x0100 準(zhǔn)備從控制寄存器讀取數(shù)據(jù)。SDO輸出16位字，其中最后10位包含存儲器位置0x19的內(nèi)容
2023-12-06 06:04:03
在數(shù)字電子設(shè)備中，存儲器是至關(guān)重要的部分。它負(fù)責(zé)存儲和檢索數(shù)據(jù)，以支持各種計算和數(shù)據(jù)處理任務(wù)。在存儲器市場中，有兩種主要的類型：隨機訪問存儲器 ( RAM ) 和只讀存儲器 ( ROM )。盡管都是存儲器，但它們之間存在一些關(guān)鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17732 
現(xiàn)異常，導(dǎo)致設(shè)備無法正常工作。下面將詳細(xì)介紹影響晶振正常工作的三個主要因素。 首先，溫度是影響晶振正常工作的重要因素之一。晶振是由諧振器和反饋電路構(gòu)成的，在高溫環(huán)境下，晶振的諧振器元件會發(fā)生熱膨脹，導(dǎo)致諧振頻率發(fā)生
2023-11-23 10:00:17492 閃速存儲器 （Flash Memory）簡稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17911 
半導(dǎo)體存儲器用于數(shù)據(jù)存儲。按照電源在關(guān)斷后數(shù)據(jù)是否依舊被保存的方式區(qū)分，存儲器可分為非易失性存儲器 (Non-volatile Memory，NVM)和易失性存儲器 （volatile Memory
2023-11-16 09:14:06413 何謂半導(dǎo)體存儲器？ 半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點。 關(guān)閉電源
2023-11-15 10:20:01731 
單片機的存儲器主要有幾個物理存儲空間
2023-11-01 06:22:38
單片機的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了啊？？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
本應(yīng)用筆記詳細(xì)描述了如何利用AT32系列MCU存儲器中的零等待區(qū)（ZW），實現(xiàn)在擦除或者編程過程中保證CPU重要內(nèi)容正常運行，免受MCU失速影響。
2023-10-24 08:17:28
AT32 SPIM Application Note描述了怎么使用AT32 MCU的SPIM作為外部存儲器的擴展功能。
2023-10-24 08:03:56
mcs-8051單片機的程序存儲器是多少
2023-10-18 07:33:36
存儲領(lǐng)域發(fā)展至今，已有很多不同種類的存儲器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見的存儲器及其應(yīng)用。
2023-10-17 15:45:50521 
內(nèi)存地址空間是否一定大于所有物理存儲器的容量？
2023-10-17 07:14:45
存儲器測試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
自舉程序存儲在 STM32 器件的內(nèi)部自舉 ROM 存儲器（系統(tǒng)存儲器）中。在生產(chǎn)期間由 ST編程。其主要任務(wù)是通過一種可用的串行外設(shè)（USART、CAN、USB、I2C 等）將應(yīng)用程序下載到內(nèi)部
2023-09-28 07:15:06
怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢，在各個領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
如何檢測24c存儲器容量
2023-09-25 06:48:32
晶振損壞了，STM32還能正常運行？
2023-09-21 17:10:42525 
在SoC中，存儲器是決定性能的另一個重要因素。不同的SoC設(shè)計中，根據(jù)實際需要采用不同的存儲器類型和大小。
2023-09-18 16:22:19325 
存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類，前者在掉電后會失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
)都是獨立和軟件可配置的 每個通道都有3個事件標(biāo)志位DMA半傳輸DMA傳輸完成和DMA傳輸出錯 支持存儲器->存儲器外設(shè)->存儲器存儲器->外設(shè)和外設(shè)-&
2023-09-13 08:06:16
系統(tǒng)架構(gòu)
? 多層AHB總線矩陣
? 存儲空間
? 存儲器映射
? 片上SRAM
? 位帶操作
? 片上閃存
? 自適應(yīng)閃存加速器（STM32F2新增）
? 啟動模式
? 代碼空間的動態(tài)重映射（STM32F2新增）
? 內(nèi)嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
在刪除和重新加載塊后，可能會在用戶存儲器(裝入和工作存儲器)中產(chǎn)生間隔，從而減少可使用的存儲器區(qū)域。使用壓縮功能，可將現(xiàn)有塊在用戶存儲器中無間隔地重新排列，并創(chuàng)建連續(xù)的空閑存儲 空間。
2023-09-11 17:35:43592 
Flash存儲器是一種非易失性存儲器，即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。
2023-09-09 16:22:282617 存儲器是計算機中的重要組成部分，用于存儲程序、數(shù)據(jù)和控制信息等。根據(jù)存儲信息的介質(zhì)和訪問方式的不同，存儲器可以分為隨機存儲器（RAM）、只讀存儲器（ROM）和硬盤存儲器等幾類。本文將介紹存儲器的工作原理、分類及結(jié)構(gòu)。
2023-09-09 16:18:272105 STM32 F7 概述? STM32總線架構(gòu)和存儲器映射? 總線架構(gòu)? 存儲器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復(fù)位和時鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
根據(jù)專利要點，提供本申請的一種存儲器是檢測方法及存儲半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中存儲單位與上線之間漏電測定的復(fù)雜技術(shù)問題，該存儲器的檢測方法如下：選通字線，通過位線在所有存儲單元中寫設(shè)定存儲。
2023-09-07 14:27:24523 
庫的慢-慢工藝點對塊進(jìn)行合成，以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時序特性。
接口存儲器端口上的信號符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲器組件所要求的時序要求
2023-08-21 06:55:33
存儲器子系統(tǒng)的主要功能是在云計算和人工智能 (AI)、汽車和移動等廣泛應(yīng)用中盡可能快速可靠地為主機（CPU 或 GPU）提供必要的數(shù)據(jù)或指令。片上系統(tǒng) (SoC) 設(shè)計人員可以選擇多種類型的存儲器
2023-08-17 09:54:20414 
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的動態(tài)存儲器控制器（DMC）和靜態(tài)存儲器控制器
2023-08-02 14:51:44
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的靜態(tài)存儲器控制器（SMC）。AHB MC有一個
2023-08-02 07:14:25
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的動態(tài)存儲器控制器（DMC）和靜態(tài)存儲器控制器
2023-08-02 06:26:35
一個可隨時存取數(shù)據(jù)的存儲器，即可讀(取)或?qū)?存)的存儲器，簡稱ram。
2023-07-25 15:28:37641 TBW（Total Bytes Written）是衡量閃存存儲器壽命和耐用性的重要指標(biāo)。但由于寫入放大的影響，實際TBW值可能會偏離理論值。本文將介紹TBW的概念以及寫入放大系數(shù)，并探討如何降低寫入放大對存儲器的影響。
2023-07-25 14:19:39253 對于存儲器間接尋址，可以在變量中存儲地址。變量可以是 WORD 或 DWORD 數(shù)據(jù)類型。變量可以位于存儲器區(qū)域“數(shù)據(jù)”（DB 或 DI）、“位存儲器” (M) 或“臨時本地數(shù)據(jù)” (L) 中。
2023-07-15 11:20:312717 何謂半導(dǎo)體存儲器？ 半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點。 關(guān)閉電源
2023-07-12 17:01:131098 
可編程控制器的存儲器由只讀存儲器ROM、隨機存儲器RAM和可電擦寫的存儲器EEPROM三大部分構(gòu)成，主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序及工作數(shù)據(jù)。
2023-07-11 14:26:421719 8 存儲器 8.5 外部存儲器 RA6 MCU包含用于連接到外部存儲器和器件的外部數(shù)據(jù)總線。某些產(chǎn)品還包括一個內(nèi)置的SDRAM控制器，可通過該控制器使用最高達(dá)128MB的外部SDRAM。八個可編程
2023-06-28 12:10:02348 
易失性存儲器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲器的發(fā)展史，本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲器的發(fā)展歷程。易失性存儲器在計算機開機時存儲數(shù)據(jù)，但在關(guān)閉時將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28874 存儲器是用來進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲的（指令也是一種數(shù)據(jù)），按使用類型可分為只讀存儲器ROM(Read Only Memory)和隨機訪問存儲器RAM(Random Access Memory)，RAM是其中最為常見的一種形式。
2023-06-27 16:45:30458 
PLC系統(tǒng)中的存儲器主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序和工作狀態(tài)數(shù)據(jù)。PLC的存儲器包括系統(tǒng)存儲器和用戶存儲器。
2023-06-26 14:02:453775 半導(dǎo)體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
8 存儲器 RA6 MCU支持4GB的線性地址空間，范圍為 0000 0000h 到 FFFF FFFFh ，其中包含程序、數(shù)據(jù)和外部存儲器總線。該系列的某些產(chǎn)品包括一個SDRAM控制器，可利用
2023-06-21 12:15:03421 
隨機存儲器可以隨時從任何一個指定地址中讀出數(shù)據(jù)，也可以隨時將數(shù)據(jù)寫入任何一個指定的存儲單元中
2023-06-05 15:49:47785 
主存儲器的主要技術(shù)指標(biāo)
* **存儲容量**
存儲器可以容納的二進(jìn)制信息量（尋址空間，由CPU的地址線決定）
* **實際存儲容量：** 在計算機系統(tǒng)中具體配置了多少內(nèi)存。
* **存取速度：** 存取時間是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經(jīng)歷的時間，也稱為讀寫周期；
2023-05-26 11:28:10822 
磁表面存儲器——磁表面存儲器，它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來記錄信息的，載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質(zhì)。
存儲密度——磁表面存儲器單位長度或單位面積磁層表面所能存儲的二進(jìn)制信息量
2023-05-26 11:27:061409 在單板設(shè)計中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計，都離不開存儲器設(shè)計：1、存儲器介紹存儲器的分類大致可以劃分如下：ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM在系統(tǒng)停止供電
2023-05-19 17:04:36766 
在單板設(shè)計中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計，都離不開存儲器設(shè)計：
1、存儲器介紹
存儲器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
單片機的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
80C51單片機中存儲器是RAM和ROM分開編址的嗎？求解答
2023-05-09 16:04:22
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設(shè)、外設(shè)到存儲器。在第十三章以及第二十七章，已講解存儲器到存儲器傳輸方式以及存儲器到外設(shè)傳輸方式，本章將講解DMA外設(shè)到存儲器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè)，通過串口調(diào)試助手等向開發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)會被返回給開發(fā)板并通過串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設(shè)、外設(shè)到存儲器。前面已講解過關(guān)于存儲器到存儲器數(shù)據(jù)傳輸方式，本章將講解存儲器到外設(shè)的傳輸方式以及在下一章將會講解外設(shè)到存儲器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器
2023-04-19 17:45:462541 51單片機外擴數(shù)據(jù)存儲器最大的容量是多少？可以達(dá)到50MB嗎？用的是什么芯片？
2023-04-19 16:34:36
本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
寄存器是計算機硬件中最快、最小、最常用的存儲器。它是CPU內(nèi)部的存儲器，通常作為指令和數(shù)據(jù)的存儲和暫存空間。在CPU中，寄存器直接與算術(shù)邏輯單元(ALU)相連，用于存儲操作數(shù)或運算結(jié)果。
2023-04-09 18:43:059369 存儲設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
及SRAM相當(dāng),大大超出了閃存的105次。在功能及性能方面均超過現(xiàn)有存儲器的自旋注入MRAM,很有可能將會取代在設(shè)備中使用的多種存儲器(見圖1)。如果關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)工作進(jìn)展順利，自旋注入MRAM今后
2023-04-07 16:41:05
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們?nèi)绾问褂谩Ｕ堉笇?dǎo)我們實現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
我知道當(dāng)HSM工作或像S32R45這樣的MCU工作時時鐘是不同的。所以加密的功能正常工作。但是不能從外部存儲器讀取任何數(shù)據(jù)。解決此問題的解決方案是什么？
2023-04-03 08:34:09
我們知道計算機只有CPU是不能工作的，那理論上除了CPU還需要什么硬件呢？答：還需要 存儲器 。
那什么是存儲呢？在電子計算機中，用來存儲數(shù)據(jù)和指令等的記憶部件，叫做存儲器。 存儲器是由一些編號的單元所組成。 單元的編號叫做地址。
2023-03-30 14:41:501662 
存儲器按存儲介質(zhì)特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計算機角度上看，易失性存儲器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
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