STM32G031k8t6串口發送進入硬件中斷
2024-03-13 07:59:54
硬件使用STM32G030C8T6的PA6的AF5功能，即TIM16_CH1驅動一個無源蜂鳴器，輸出一個2.7K-2.9K的方波，占空比為50%，始終沒有成功，查閱datasheet發現PA6也可以
2024-03-12 08:27:58
燒錄時有什么特別注意事項嗎？
3）另外STM32G030K8T6TR的GPIO口內部是否有帶上拉到VDD的保護二極管？GPIO口可承受的最大電壓是多少？
2024-03-12 06:32:39
使用的是STM32MP135DA芯片，搭載4GbMT41K256M16TW-107 IT:P，開發板，
請問
1、是否可以直接燒錄DDR_init工程。
2、要使得程序在DDR中運行，是先燒錄DDR_Init 程序，然后再燒錄應用程序就可以了嘛
2024-03-11 07:44:21
綜合測試儀，支持5G NR SA，配合MT8821C后還支持5G NR NSA。 ?1. 支持各種測試要求 MT8000A 通過一體化硬件切換應用支持非
2024-03-07 10:05:28
->CCR3的值TIM1CH3和TIM1CH3N也就是MT4和MT5通道會同時輸出。我想請問MT4和MT5怎么配置才能各自獨立輸出呢，芯片用的是STM32F103R8T6.
2024-03-07 06:43:11
有沒有大神可以接CS32G020K8U6+SC8815 儲能 應用開發
2024-01-29 17:55:40
Cotext-A53雙核CPU，1.3GHZ主頻
2、WIFI芯片：MT7976CN 802.11AX協議 無線速率3000M
3、內存：1GB高速DDR （可選配EMMC）
4、閃存：128MB SPI NAND
2024-01-13 10:28:20
MT6785安卓核心板采用了MT6785(Helio G95)處理器，該處理器包括了8個核心，其中有2個主頻為2.05GHz的Cortex A76處理器和6個主頻為2.0GHz的Cortex
2024-01-09 19:16:51
特征
寬工作電壓范圍： 3.0V至28V
最大輸出匯電流50 mA
開放集電器預驅動器
電源反向極性保護
可用在SIP-3L包
一般說明
FS41是一個集成的霍爾效應鎖存傳感器，設計用于無刷直流電機
2023-12-20 16:20:31
型號：TK8S06K3L-VB絲?。篤BE1695品牌：VBsemi參數說明：- 極性：N溝道- 額定電壓：60V- 最大連續漏極電流：18A- 靜態漏極-源極電阻（RDS(ON)）：73m
2023-12-15 10:34:42
香蕉派BPI-R3 Mini路由器板開發板采用聯發科MT7986A(Filogic 830)四核ARM A53芯片設計，板載2G DDR 內存，8G eMMC和128MB SPI NAND存儲
2023-11-30 16:06:19
香蕉派BPI-R4路由器板采用聯發科MT7988A (Filogic 880)四核ARM Corex-A73方案設計，板載4GB DDR4內存,8GB eMMC存儲,128MB SPI-NAND閃存
2023-11-30 16:01:52
，1.3GHZ主頻
2、WIFI芯片：MT7976CN802.11AX協議 無線速率3000M
3、內存：1GB高速DDR
4、閃存：128MB SPI NAND FLSAH
二、硬件接口規格
1、DC供電
2023-11-30 15:27:34
MT7981B 主芯片，主頻高達 1.3GHZ； 配備獨立的 MT7976CN WIFI6 芯片、2.5G網口RTL8221B芯片
高速 1GB DDR4，256MB SPI Nand Flash；
1
2023-11-23 15:38:45
STM8L151G6能跑RTOS么？
2023-11-09 06:47:25
STM8S903F3M6，ST/意法，16 MHz STM8S 8位MCUSTM8S903F3M6，ST/意法，16 MHz STM8S 8位MCUSTM8S903F3M6，描述STM8S903K3
2023-10-17 16:52:24
IAR的8K限制、32K限制都是說的什么意思？
2023-10-16 16:32:19
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，動態隨機存取存儲器 16Gb低VDDQ移動低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一種高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
本文檔描述了的功能、引腳、機械數據和訂購信息中密度STM8L15x器件（STM8L151Cx/Kx/Gx、STM8L152Cx/Kx具有16K字節或32K字節閃存密度的微控制器）。這些設備在
2023-10-10 08:30:46
本文檔描述了的功能、引腳、機械數據和訂購信息中密度STM8L15x器件（STM8L151Cx/Kx/Gx、STM8L152Cx/Kx具有16K字節或32K字節閃存密度的微控制器）。這些設備在
2023-10-10 08:25:55
STM8S103x訪問線8位微控制器提供8k字節閃存程序存儲器，加上集成的真數據EEPROM。STM8S微控制器系列參考手冊（RM0016）將該家族中的設備稱為低密度設備。它們提供以下好處：
?降低
2023-10-10 08:19:04
Ymodem-1K和Ymodem-g兩個協議有什么不同的地方
2023-10-09 07:06:14
。
關鍵特性
全志H618，四核ARM Cortex?-A53處理器
ARM Mali G31圖形處理器
WIFI & 藍牙
2G LPDDR4 RAM
8G eMMC閃存
1
2023-10-08 15:25:13
高性能FPGA核心板，具有高數據帶寬、高存儲容量的特點，適用于視頻圖像處理、高速數據采集、工業控制等多元應用場景。
盤古50Pro核心板掛載2片MICRON公司MT41K256M16TW-107:P
2023-09-22 14:35:21
，適用于高速數據通信、處理、采集等方面的應用。
核心板掛載2 片MICRON公司的MT41K256M16TW-107:P DDR3芯片，每片DDR容量為4Gbit；2片DDR芯片組合成32bit的數據
2023-09-21 15:42:41
stc8g1k08的ispusb下載口可以在程序中使用嗎
2023-09-21 07:26:10
stc8g1k08的硬件i2c可以從機模式嗎
2023-09-20 06:38:16
安卓主板MT6771/MT8788/MT8183/MT8385_聯發科安卓主板開發方案。該處理器采用了Cortex-A53架構設計，并采用了12nm低功耗高性能工藝制程，主頻高達2.0GHz，搭配
2023-09-19 19:31:48
905 
以MT41J128M型號為舉例：128Mbit=16Mbit*8banks 該DDR是個8bit的DDR3，每個bank的大小為16Mbit，一共有8個bank。
2023-09-15 15:30:09629 
8K@60fps H.265/VP9視頻解碼和8K@30fps H.265/H.264視頻編碼，支持同編同解，最 高可實現32路1080P@30fps解碼 和16路1080P@30fps編碼；強大的視頻編解碼能力可讓畫面8K高清呈現，畫質更細膩.
2023-09-11 20:25:54
香蕉派BPI-R3開源路由器開發板采用聯發科MT7986 (Filogic 830)四核 ARMA53 + MT7531A芯片設計,板載2G DDR內存與8G eMMC存儲,這是一個非常高性能
2023-09-05 08:53:56730 
求一份 cs32g020k8u6的Demo Code郵箱zx988001@163.com萬分感謝
2023-08-25 17:53:28
使用的是DDR200T，它板載了512M DDR3L的內存，跑的的一個UX600的demosoc.
修改gcc_demooc_ddr.ld，讓LENGTH長度之和超過256M，比方這里是257M
2023-08-11 08:12:14
Memory
up to 4 GBDDR4 / DDR3 / DDR3L / LPDDR3 / LPDDR4
GPU
Mali-G31 MP2
Connectivity
Video
HDMI2.0a
2023-08-04 19:01:45
8V41N004I 數據表
2023-07-14 11:24:51
0 : PGL22G-MBG324），掛載16bit數據位寬的DDR3(總容量高達512Mbit)，系統存儲帶寬高達800Mb/s，充分滿足高速數據緩存處理需求；外圍接口豐富，不僅適用于教學，還可以用于項目開發，一板多用，滿足多方位開發需求～～
2023-06-28 10:46:17
的1，2，4，8，16分別是4K，8K，16K，32K，64K的FLASH；
C，D，E分別是48K，64K，128K的FLASH；
SRAM大小
對于M05X和MINI5X系列的分別是4K和2K
2023-06-27 06:20:43
1.DDR3 IP簡單讀寫測試實驗例程
1.1** 實驗目的**
MES22GP 開發板上有一片 Micron 的 DDR3（MT41K256M16 TW107：P）內存組件，擁有 16bit 位寬
2023-06-25 17:10:00
16bit數據位寬的DDR3(總容量高達512Mbit)，系統存儲帶寬高達800Mb/s，充分滿足高速數據緩存處理需求；外圍接口豐富。
2023-06-12 17:38:43
2022.04-00005-g8812d8f3da-dirty (May 09 2023 - 15:16:40 +0200)
DDRINFO: start DRAM init
DDRINFO: DRAM rate 3200 MTS
DRAM
2023-06-08 06:02:15
正在 使用 Murata Type 1ZM 模塊 (Nxp 88w8987)， 通常 情況下， 它能很好地發揮作用 。但是，在打開電源時，BT 的 MAC 地址更改為 41:41:41:41:41
2023-06-07 08:52:59
我正在嘗試為 S32G 配置 Micron MT25QU512 外部閃存，但找不到任何合適的示例。有人可以幫我處理任何用于 Micron 配置的 Tresos 示例嗎？
2023-06-05 06:43:15
如題降低lpddr4時鐘頻率為800M，使用lpddr4型號為MT53E1536M32D4DT-046
應用MX8M_Plus_LPDDR4_RPA_v8.xlsx配置lpddr4如下
應用工
2023-06-02 07:26:51
/INT16混合運算，可實現基于TensorFlow / MXNet / PyTorch / Caffe等一系列框架的網絡模型輕松轉換。8K視頻編解碼，圖像更清晰支持8K@60FPS的H.265
2023-05-25 20:36:28
S32G3開發板上使用的ddr芯片是micro MT53E1G32D2FW-046 AUT: B
但是我們的開發板使用的是三星的芯片（K4FBE3D4HM THCL）。
如何查看 S32G3 支持的 DDR 芯片？。以及如何支持新的DDR芯片？
2023-05-23 07:15:48
Marki Microwave 的 MT3H-0113L 是一款射頻混頻器，射頻頻率為 1.5 至 13 GHz，本振頻率為 1.5 至 13 GHz，中頻頻率為
2023-05-22 17:33:01
我們有一個帶有 S32G2 和 MT35XU512ABA1G12-0SIT（微米八進制 SPI 閃存）的定制板連接到端口 A。
我們正在嘗試從此內存啟動。
我們遵循了這個應用筆
2023-05-22 09:35:01
MES50HP 開發板簡介
MES50HP 開發板集成兩顆 4Gbit（512MB）DDR3 芯片,型號為 MT41K256M16。DDR3 的總線寬度共為 32bit。DDR3 SDRAM 的最高
2023-05-19 14:28:45
在本文中，我將解釋如何設置 iMX8M Plus 以使用 4K Dart BCON Basler 相機模塊。
要求：
i.MX 8M Plus 應用處理器評估套件。
用于 i.MX 8M
2023-05-19 06:54:53
我對從 S32G274A 控制 Micron MT35XU512ABA QSPI 串行 NOR 閃存感到頭疼。
該板是定制板（不是 NXP RDB2 或 EVP 之一）。
我使用 NXP
2023-05-18 08:48:37
): 512 bytes / 512 bytes
I/O size (minimum/optimal): 512 bytes / 512 bytes
Disk /dev/mtdblock3: 16
2023-05-17 10:17:36
我正在使用 S32G274A 板（不是 NXP 產品之一，它是由第三方制造的），它安裝了 Micron
MT35XU512ABA 八進制串行 NOR 閃存。對于 M7_0，我必須調整 RTD
2023-05-16 06:04:49
8V41N010 數據表
2023-05-15 18:52:400 描述 MT2496是一個完全集成的，高效的3A同步整流降壓變頻器。MT2496在一個較寬的輸出電流負載范圍內高效工作。該設備提供了兩種操作模式，PWM控制和PFM模式切換控制
2023-05-09 13:50:01
和阻焊層擴展。或者至少是用于 IMX93 評估套件的東西。
4) 我們還聯系了 Micron 以獲得 MT53E1G16D1FW-046 AAT:A 的傳播延遲值。如果你有這些可用的，它也會有所幫助。
5）關于EVK的另一個問題。數據線似乎沒有調好。例如 DRAM_DATA14_A。它是否正確？
2023-05-09 10:36:32
我們使用 mx6ul 14x14_evk 板和 DDR3L。
通過在 u-boot 中設置 mx6ul_14x14_evk_defconfig，DDR3L 時鐘運行在 400MHZ。
我們想將
2023-05-08 08:44:36
我有一塊使用基于 i.MX8QM MEK 板的 i.MX8QM 的板。我使用了 2 x MT53D512M32D2（總計 4GB DDR 內存）并且它可以正常工作。
現在我想把內存加倍到 8GB。我
2023-05-04 06:39:14
我們目前正在使用 LPDDR4 設計一個新的基于 iMX8M Plus 的定制板：Micron MT53D512M32D2，它有兩個版本：MT53D512M
2023-04-28 07:42:53
1000LA（LoongArch64 架構兼容）
CPU 核心數
雙核
CPU 主頻
800-1000MHz
內存容量
1GB DDR3（2片512MB）
存儲容量
32GB SSD(M.2 2242)
接口
2023-04-27 08:59:02
核 Cortex-A55
GPU:ARM Mali-G610 MP4,
NPU AI邊緣計算 : 6Tops@INT8
板載8G LPDDR4 內存 和 32G eMMC 存儲
2 10/100
2023-04-26 14:09:47
您好，我有一塊使用 i.MX 8M Nano UltraLite Quad (MIMX8MN5DVPIZAA) 和 16Gbit LPDDR4 (Micron MT53E1G16D1
2023-04-26 07:40:25
我有 LS1046AFRWY 板的克隆。高速公路板使用 MT40A512M16JY-083E:B（商業級DDR4）。我的克隆使用 MT40A512M16JY-083E IT:B（工業級 DDR
2023-04-24 08:08:20
512k*8的RAM芯片需要多少條地址線進行尋址？需要多少條數據線？具體過程是怎樣的？
2023-04-19 16:32:31
我們目前使用的 LPDDR4 即將停產。我們目前使用 MT53E256M32 D2 DS- 053 WT:B，最接近的替代品是 MT53E256M32 D1 KS- 046 WT:L。主要的兩個區別
2023-04-19 06:56:55
硬件平臺：imx8mplus（8G SDRAM：MT53E2G32D4DT-046 WT:A） 我的板上有一個 8G SDRAM (MT53E2G32D4DT-046 WT:A)。請參考附件
2023-04-14 06:18:29
ls1046a ddr 內存 8G 升級到 16G 硬件和軟件需要哪些改動 ..?
2023-04-10 06:21:57
我們使用 10*MT40A1G16 獲得 16GB 內存，一個 ddr 控制器連接 8GB。三個問題：1)在codewarrior ddr config上，我們應該選擇什么dram類型？NoDimm
2023-04-03 07:24:21
了什么。謝謝。 13:41:16 **** 項目 HVBMS-RD_Bring-up_example_S32DS 配置 Debug_FLASH 的增量構建 **** make -j8 all構建
2023-03-31 06:53:35
8V41S104I 數據表
2023-03-29 19:57:220 MT41K256M16TW-107:P TR
2023-03-29 17:14:58
我想在我的 Yocto 圖像中包含 k3s。我按如下方式編輯了 local.conf，但出現了構建錯誤。該日志已附上。MACHINE ??= 'imx8mp-lpddr4-evk' DISTRO
2023-03-27 06:18:22
親愛的團隊，我們使用 iMX8M+ 和 8GB LDDR4 RAM-MT53E2G32D4NQ-046 WT:A 開發了定制板。我們使用內核 (5.10.35) 和 BSP 成功啟動了電路板。現在
2023-03-24 06:54:09
我正在開發帶有 i.MX8 QXP MCU 的新板，將使用帶 ECC 的 DDR3L。在文檔 i.MX8 QM / i.MX8 QXP 硬件開發人員指南中，有一些針對 fly-by 拓撲中的 16
2023-03-23 09:08:52
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