想用IS62WV51216擴充SRAM，使用了正點原子的mymalloc內存管理，但是內存初始化后一段時間就mymalloc分配地址失敗，發現是內存狀態表全部不為0，換了一塊IS62WV5121還是一樣，有大佬知道可能是什么原因不
2024-03-18 06:10:11
存儲芯片是一種用于存儲數據的集成電路芯片，也被稱為存儲器芯片。
2024-02-29 09:09:22
393 ram在計算機和數字系統中用來暫時存儲程序、數據和中間結果。隨機存取存儲器（ram）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。
2024-02-19 11:23:31570 
DRAM（動態隨機存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 
1) 允許一個物理內存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數據存儲器進行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數據存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數據的數據存儲器。
2024-01-30 08:18:12
鐵電存儲器通常具有更快的隨機存取時間（Access Time），能夠更快地執行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲器相比較為遲鈍。
2024-01-23 18:17:51517 
我想使用 DAP 協議對 TC38x 系列 MCU 的 pFlash/DFlash 進行編程。
是否有任何記錄了 DAP 協議詳細信息的相關文檔？ 如何通過 DAP 協議訪問內部存儲器？
提前謝謝了！
2024-01-23 07:51:15
ADuCM360/1是否支持存儲器到存儲器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
是Volatile RAM（易失性存儲器），又稱為SRAM（Static Random Access Memory，靜態隨機訪問存儲器）；另一種是Non-volatile RAM（非易失性存儲器），又稱
2024-01-12 17:27:15513 描述：AT32F403A引腳比較緊張，XMC（類似于STM32 FSMC）只支持復用模式，就是A0-A15和D0-D15都用一個引腳，如果要用，只能用鎖存器將地址鎖存，實現地址線和數據線的分離，目前
2024-01-04 10:46:19
人工智能芯片通常使用 SRAM 存儲器作為緩沖器（buffers），其可靠性和速度有助于實現高性能。
2024-01-03 17:16:041432 
DRAM芯片全稱是動態隨機存儲器，是一種隨機存儲器（RAM），與CPU直接交換數據，可隨時讀寫且速度快，斷電后存儲數據丟失，是易失性存儲器，也就是俗稱的“內存”。
2023-12-26 12:25:561003 
從存儲芯片的市場表現來看，兩大類別DRAM（動態隨機存取存儲器）與NAND Flash（閃存存儲器）目前的價格較今年谷底都出現了上漲。
2023-12-19 15:19:32136 SRAM (Static Random Access Memory)是一種高速、隨機訪問的存儲器，它以其快速的讀寫操作和不需要刷新的特點而受到廣泛使用。本文將詳細介紹SRAM的讀寫電路設計
2023-12-18 11:22:39496 SRAM是采用CMOS工藝的內存。自CMOS發展早期以來，SRAM一直是開發和轉移到任何新式CMOS工藝制造的技術驅動力。
2023-12-06 11:15:31635 如果按照資料里的：0x1419 0x0000 準備從存儲器位置0x19讀取數據。
0x2000 0x0100 準備從控制寄存器讀取數據。SDO輸出16位字，其中最后10位包含存儲器位置0x19的內容
2023-12-06 06:04:03
在數字電子設備中，存儲器是至關重要的部分。它負責存儲和檢索數據，以支持各種計算和數據處理任務。在存儲器市場中，有兩種主要的類型：隨機訪問存儲器 ( RAM ) 和只讀存儲器 ( ROM )。盡管都是存儲器，但它們之間存在一些關鍵區別。
2023-12-05 15:46:17732 
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據
2023-11-27 16:37:59
電表作為一個計量用電量的儀器，電表的精度不但與檢測芯片的精度有關，而且與其存儲方式有關，如果檢測到的電量數據不能隨機寫入存儲器或寫入存儲器過程出錯電表的精度就會大大降低。 在智能電表數據
2023-11-21 09:59:20
20世紀70 年代到 90年代中期，動態隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是異步接口，這樣它可以隨時響應控制輸入信號的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:27378 ，VM）兩大類。例如，人們熟知的閃速存儲器 ( Flash Memory，簡稱 Flash）就屬于 NVM，靜態隨機存取存儲器 (Static Random Access Memory， SRAM）和動態隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 后存儲內容會丟失的存儲器稱作易失存儲器（Volatile Memory），存儲內容不會丟失的存儲器稱作非易失存儲器（Non-Volatile Memory）。 半導體存儲器分類 1、按功能分為 （1）隨機存取存儲器（RAM）特點：包括DRAM（動態隨機存取存儲器）和SRAM（靜態隨
2023-11-15 10:20:01731 
SRAM 的數量是任何人工智能處理解決方案的關鍵要素，它的數量在很大程度上取決于您是在談論數據中心還是設備，或者是訓練還是推理。但我想不出有哪些應用程序在處理元件旁邊沒有至少大量的 SRAM，用于運行人工智能訓練或推理。
2023-11-12 10:05:05452 單片機的存儲器主要有幾個物理存儲空間
2023-11-01 06:22:38
單片機的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
ROM存儲和RAM存儲在物理結構上有什么區別，如何才能實現只讀存儲和隨機存儲？
2023-10-30 07:09:38
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了啊？？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
本文將介紹芯片設計中動態隨機存取存儲器（DRAM）的相關知識，包括其工作原理、分類以及在現代電子設備中的應用。
2023-10-23 10:07:34816 存儲器測試問題怎么才能穩定
2023-10-17 06:51:11
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，動態隨機存取存儲器 16Gb低VDDQ移動低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一種高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
相同點？
感覺6116數據的存取很簡單呀？設置成“寫入”狀態，在地址端0001-0101依次輸入數據0001，0010，0011，0100，0101后，把存儲器設置成“讀出”狀態就可以看到輸出端
2023-10-07 08:39:25
怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。本文所提到的國產鐵電存儲器PB85RS2MC在數據保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
，引腳描述，器件的機械及電氣參數，請參考STM8S增強型及基本型數據手冊。■ 關于內部FLASH存儲器的編程，擦除和保護，請參考STM8S Flash編程手冊(PM0051) 和STM8 SWIM
2023-09-25 07:33:11
如何檢測24c存儲器容量
2023-09-25 06:48:32
存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類，前者在掉電后會失去記憶的數據，后者即使在切斷電源也可以保持數據。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
CW32F003x3/x4是一款基于eFlash的單芯片微控制器，集成了ARM?Cortex?-M0+內核
具有高達48 MHz的主頻率、高速嵌入式存儲器（高達20 KB的FLASH和
至3K字節
2023-09-14 08:16:19
CW32F003x3/x4 是基于 eFlash 的單芯片微控制器，集成了主頻高達 48MHz 的 ARM? Cortex?-M0+ 內核、高速嵌入式存儲器（多至 20K 字節 FLASH 和多至
2023-09-14 08:05:00
CW32F030x6/x8 是基于 eFlash 的單芯片微控制器，集成了主頻高達 64MHz 的 ARM? Cortex?-M0+ 內核、高速嵌入式存儲器（多至 64K 字節 FLASH 和多至
2023-09-14 07:19:09
CW32F030x6/x8是一款基于eFlash的單芯片微控制器，集成了ARM?Cortex?-M0+內核
主頻率高達64MHz，高速嵌入式存儲器（高達64K字節的FLASH和高達
8K字節
2023-09-14 07:03:34
)都是獨立和軟件可配置的 每個通道都有3個事件標志位DMA半傳輸DMA傳輸完成和DMA傳輸出錯 支持存儲器->存儲器外設->存儲器存儲器->外設和外設-&
2023-09-13 08:06:16
系統架構
? 多層AHB總線矩陣
? 存儲空間
? 存儲器映射
? 片上SRAM
? 位帶操作
? 片上閃存
? 自適應閃存加速器（STM32F2新增）
? 啟動模式
? 代碼空間的動態重映射（STM32F2新增）
? 內嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
單精度數據處理指令和所有數據類型。
它還實現了一整套DSP(數字信號處理)指令和增強了應用程序安全性的存儲器保護單元(MPU)。
這些器件嵌入了高速存儲器(128K字節的閃存和32K字節的SRAM
2023-09-13 06:03:29
存儲器是計算機中的重要組成部分，用于存儲程序、數據和控制信息等。根據存儲信息的介質和訪問方式的不同，存儲器可以分為隨機存儲器（RAM）、只讀存儲器（ROM）和硬盤存儲器等幾類。本文將介紹存儲器的工作原理、分類及結構。
2023-09-09 16:18:272105 庫的慢-慢工藝點對塊進行合成，以200 MHz的目標速度確認時序特性。
接口存儲器端口上的信號符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術生產的單端口同步存儲器組件所要求的時序要求
2023-08-21 06:55:33
技術，每種技術都具有不同的特性和高級功能。雙數據速率 (DDR) 同步動態隨機存取存儲器 (SDRAM) 已成為主系統存儲器最主流的存儲器技術，因為它使用電容器作為存儲元件來實現高密度和簡單架構、低延遲和高性能、無限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20414 
發出警報聲。 本文主要介紹國產鐵電存儲器PB85RS2MC用于醫療生命監護儀的存儲方案中。對于這些應用，鐵電存儲器與EEPROM相比可以更頻繁地寫入，設備可以
2023-08-16 10:30:26
想用IS62WV51216擴充SRAM，使用了正點原子的mymalloc內存管理，但是內存初始化后一段時間就mymalloc分配地址失敗，發現是內存狀態表全部不為0，換了一塊IS62WV5121還是一樣，有大佬知道可能是什么原因不
2023-08-07 08:28:34
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結構（AMBA）的片上系統（SoC）外圍設備。它由ARM有限公司開發、測試和許可。
AHB MC利用了新開發的動態存儲器控制器（DMC）和靜態存儲器控制器
2023-08-02 14:51:44
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結構（AMBA）的片上系統（SoC）外圍設備。它由ARM有限公司開發、測試和許可。
AHB MC利用了新開發的靜態存儲器控制器（SMC）。AHB MC有一個
2023-08-02 07:14:25
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器是一種易失性存儲器，意味著當斷電時，存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使用電容來存儲數據，電容需要持續地充電來保持數據的有效性。一旦斷電，電容會迅速失去電荷，導致存儲的數據丟失。
2023-07-28 15:02:032204 本次操作的SRAM的型號是IS62WV51216，是高速，8M位靜態SRAM。它采用ISSI（Intergrated Silicon Solution, Inc）公司的高性能CMOS技術，按照512K個字（16）位進行組織存儲單元。
2023-07-22 14:58:561092 
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
ADSP-21992進一步擴展了ADSP-2199x混合信號DSP產品系列的性能，可提供32K字程序存儲器RAM和16K字數據存儲器RAM。此外，ADSP-21992還可提供片上CAN
2023-07-14 16:00:59
可編程控制器的存儲器由只讀存儲器ROM、隨機存儲器RAM和可電擦寫的存儲器EEPROM三大部分構成，主要用于存放系統程序、用戶程序及工作數據。
2023-07-11 14:26:421719 ，非易失性存儲器在計算機關閉后存儲數據仍保留在計算機中。易失性存儲器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲狀態。主要分為兩種類型：靜態隨機存取存儲器(SRAM)和動態隨機存取存儲器(DRAM)。 1963年，Fairchild發明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28874 存儲器是用來進行數據存儲的（指令也是一種數據），按使用類型可分為只讀存儲器ROM(Read Only Memory)和隨機訪問存儲器RAM(Random Access Memory)，RAM是其中最為常見的一種形式。
2023-06-27 16:45:30458 
靜態隨機存儲器(SRAM: Static Random Access Memory) 和動態隨機存儲器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。
2023-06-25 14:30:181959 
I/O寄存器、程序ROM、數據閃存和外部存儲器區域。 圖16. RA6M3存儲器映射 8.1 SRAM RA6 MCU提供帶
2023-06-21 12:15:03421 
鐵電存儲器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數據保持此狀態達100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
隨機存取存儲器(SRAM)，而系統存儲器(4KB)除可作啟動加載程序(Bootloader)外，也可一次性配置成一
般用戶程序和數據區，達到64+4KB的最大空間使用。片上還集成1個OTG控制器(設備模式支持
2023-06-08 16:10:08
鐵電存儲器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數據保持此狀態達100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
隨機存儲器可以隨時從任何一個指定地址中讀出數據，也可以隨時將數據寫入任何一個指定的存儲單元中
2023-06-05 15:49:47785 
************************************************* *************************************
* 詳細說明：
* 這個例子的目的是展示如何保存數據在 SRAM 存儲器中通過
2023-06-05 09:47:48
作為一種非易失性存儲器，鐵電存儲器兼具動態隨機存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優點，雖然容量和密度限制了其大規模應用，但在要求高安全性與高可靠性等工業應用場合，鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
16-MBIT（1M X 16）靜態隨機存儲器
2023-06-01 09:18:00
無論是在網飛上看電影、玩電子游戲，還是單純地瀏覽數碼照片，你的電腦都會定期進入內存獲取指令。沒有隨機存取存儲器（RAM），今天的計算機甚至無法啟動。
2023-05-30 15:19:55313 存儲器是集成電路領域的通用器件，其市場用量巨大，從類型上分為 ROMEPROM、E2PROM、SRAM、DRAM、FLASH 等。
2023-05-30 09:56:44251 
，并把電容放電，藉此來保持數據的連續性。
SRAM：
SRAM利用寄存器來存儲信息，所以一旦掉電，資料就會全部丟失，只要供電，它的資料就會一直存在，不需要動態刷新，所以叫靜態隨機存儲器。
3.產品應用
2023-05-19 15:59:37
鐵電存儲器硬件接線圖傳統的數據存儲器，讀寫速度較慢，存儲單元反復擦寫后容易損壞，無法滿足機艙油氣濃度數據存儲的要求，故此，國產鐵電存儲器可快速讀寫，擦寫次數可達1E6 次讀/寫操作*1，是本方案最理想的選擇。
2023-05-18 12:39:21137 
ES32H040x芯片概述ES32H040x系列微控制器使用32位ARM Cortex-M0內核，帶有存儲器保護單元。最高支持48MHz系統時鐘頻率。最大128K Byte Flash
2023-05-16 15:07:14
單片機的程序存儲器和數據存儲器共處同一地址空間為什么不會發生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應用中。串行訪問的靜態隨機存取存儲器采用先進的CMOS技術進行設計和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時，應該將其設置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
單精度數據處理指令和數據類型。它還具有一組DSP指令和提高應用安全性的一個存儲器保護單元(MPU)。NS32F407XX 器件集成了高速嵌入式存儲器( Flash存儲器和 SRAM的容量分別高達 1M
2023-04-20 18:11:37
單精度數據處理指令和數據類型。它還具有一組DSP指令和提高應用安全性的一個存儲器保護單元(MPU)。NS32F407XX 器件集成了高速嵌入式存儲器( Flash存儲器和 SRAM的容量分別高達 1M
2023-04-19 21:13:57
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態隨機存儲器
2023-04-19 17:45:462542 51單片機外擴數據存儲器最大的容量是多少？可以達到50MB嗎？用的是什么芯片？
2023-04-19 16:34:36
本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現數據在兩個內存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態的源數據，存放在內部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數據拷貝到目標地址上（內部SRAM），最后對比源數據和目標地址的數據，判斷傳輸是否準確。
2023-04-17 15:28:08
XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行閃速存儲器，可直接從雙/四SPI接口執行代碼，存儲語音、文本和數據，提供的靈活性和性能遠超普通串行閃速存儲器，非常適合于
2023-04-14 10:42:553817 
數據信息。它們都是電子可寫和可擦除存儲器，用以存儲單片機的應用程序及數據信息。這些數據可在芯片上或芯片外存儲信息。盡管Flash和EEPROM設備都可以存儲嵌入式設備中使用的信息，但是它們的體系結構
2023-04-07 16:42:42
產品會取代獨立存儲器目前各廠商已經基本掌握了用于實現第一階段應用的關鍵技術。在車載MCU中,通常是將設備工作時使用的sram存儲器和用于存放程序的閃存集成在同一塊芯片上。如果能夠將自旋注入MRAM集成到
2023-04-07 16:41:05
恩智浦半導體宣布推出新款芯片UCODE 9xm，兼具靈活的大容量存儲器及先進的讀/寫性能。UCODE 9xm旨在提高整個系統的可靠性和準確性，使客戶能夠利用更小的標簽天線，對更小的物體進行單獨標記
2023-04-07 13:31:15850 推出新款芯片 UCODE?9xm ，兼具靈活的大容量存儲器及先進的讀/寫性能。UCODE 9xm旨在提高整個系統的可靠性和準確性，使客戶能夠利用更小的標簽天線，對更小的物體進行單獨標記，并將其集成到智能制造過程、供應鏈管理和追蹤應用中。用戶可以憑借該產品靈活地標記多
2023-04-07 08:15:02519 這兩個存儲器，從而提高性能并允許在同一個周期訪問程序和數據。存儲器映射中包含片上RAM、外設I/O寄存器、程序ROM、數據閃存和外部存儲器區域。 圖13. RA2A1存儲器映射 7.1 SRAM
2023-04-06 16:45:03466 SDRAM英文名是：Synchronous Dynamic Random Access Memory，即同步動態隨機存儲器，同步指存儲器的工作需要參考時鐘。
2023-04-04 17:11:323330 
我們正在嘗試將內部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們如何使用。請指導我們實現這一目標
2023-04-04 08:16:50
外部存儲器引發的性能損失。-4 組8通道增強型 PWM 控制器，其中 2 組高分辨率PWM調制精度高達100ps，提升了系統控制精度，并可實現單芯片控制多軸電機或者單芯片實現復雜拓撲的數字電源。-2 個
2023-04-03 14:32:24
存儲器按存儲介質特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計算機角度上看，易失性存儲器可以理解為內存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
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