PN結(jié)是一種常見的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),它由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體組成,這兩種半導(dǎo)體材料具有不同的摻雜濃度,形成一個正負(fù)載流的結(jié)構(gòu)。當(dāng)在PN結(jié)上施加正向電壓時,會引起空間電荷效應(yīng),即在PN結(jié)區(qū)域形成帶電
2024-03-01 11:14:59325 在各種傳感技術(shù)中,最常用和最廣泛的檢測磁場的方法是霍爾效應(yīng)法。基于霍爾效應(yīng),在各種應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)了許多霍爾效應(yīng)傳感器或換能器,它們最常用于感測接近度、速度、電流和位置。 這是因為可以在集成電路上構(gòu)建霍爾
2024-02-25 15:13:08127 ?單向?qū)щ娦缘模嵌O管,不是
PN結(jié)!?
真正令
PN結(jié) 導(dǎo)不了電的,關(guān)非 過不去,而是? 離不開及進(jìn)不來,
交叉對流無障礙,背道而馳不允許,所以,當(dāng)
PN結(jié)成了集電結(jié),單向?qū)щ娦跃捅淮蚱屏恕?/div>
2024-02-25 08:57:14
將P型半導(dǎo)體連接到正電極,則耗盡層的幅度變窄,P型區(qū)域內(nèi)的空穴越過PN結(jié)移動到N型區(qū)域,N型區(qū)域內(nèi)的電子則移動到P型區(qū)域。
2024-02-06 10:58:55567 1、結(jié)型場效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類型。這里的溝道是指導(dǎo)電的主要離子,N溝道為電子,P溝道為空穴。
為使N溝道場效應(yīng)管能夠正常工作,應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓,以保證耗盡層承受反向電壓;在漏源之間
2024-01-30 11:51:42
1、結(jié)型場效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類型。
為使N溝道場效應(yīng)管能夠正常工作,應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓,以保證耗盡層承受反向電壓;在漏源之間加正向電壓,以形成漏極電流。N溝道場效應(yīng)管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
在負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò)沒有考慮到反饋支路的負(fù)載效應(yīng),只是認(rèn)為反饋網(wǎng)絡(luò)是單向的,即沒有考慮到輸入經(jīng)反饋網(wǎng)絡(luò)到輸出的過程,如果考慮到反饋支路的負(fù)載效應(yīng),就必須重新分析反饋環(huán)節(jié)的影響。
1、請問如何判斷反饋支路
2024-01-26 09:58:01
為了使PN/PN耦合器的去分類請求也能動畫化,ACK_REQ信號必須連接到網(wǎng)絡(luò)的“基本功能”=“x”。
2024-01-25 10:26:07158 熱電效應(yīng)是指當(dāng)兩個不同材料的接觸處存在溫度差時,會產(chǎn)生電場或電勢差,從而引起電荷的移動和電流的產(chǎn)生。熱電效應(yīng)的研究對于熱電材料的開發(fā)和熱電轉(zhuǎn)換技術(shù)的應(yīng)用有著重要的意義。 熱電效應(yīng)可以分為三種
2024-01-18 11:43:15646 電流熱效應(yīng)是指電流通過導(dǎo)體時,導(dǎo)體會受到Joule熱的加熱現(xiàn)象。根據(jù)電阻的熱效應(yīng),電器的功率會因為電流熱效應(yīng)而變大。 首先,我們需要了解電流熱效應(yīng)的原理。當(dāng)電流通過導(dǎo)體時,導(dǎo)體內(nèi)部的自由電子會受
2024-01-16 10:43:48208 利用電流熱效應(yīng)工作的電器是指那些根據(jù)電流通過導(dǎo)體產(chǎn)生的熱量來實現(xiàn)其功能的電器。電流熱效應(yīng)是指當(dāng)電流通過導(dǎo)體時,由于導(dǎo)體的電阻,電能會被轉(zhuǎn)化為熱能,導(dǎo)致導(dǎo)體溫度升高。這種熱能轉(zhuǎn)化的現(xiàn)象廣泛應(yīng)用于各種
2024-01-16 10:41:10224 微波爐的工作原理并非通過電流的熱效應(yīng)實現(xiàn),而是利用了微波的特殊性質(zhì)以及分子的共振吸收來加熱食物的。 微波爐是一種利用高頻無線電波的設(shè)備,它的工作原理基于電磁輻射和分子的轉(zhuǎn)動和共振吸收。微波爐主要
2024-01-12 17:51:34391 場效應(yīng)管和IGBT的驅(qū)動經(jīng)常聽到米勒效應(yīng)這個詞,查閱了一些資料是柵極和漏極之間的等效電容,這個等效電容在場效應(yīng)管或者IGBT開通的時候在某一階段會放大較多倍,進(jìn)而導(dǎo)致驅(qū)動電路需要提供的電壓電流增多
2024-01-11 16:47:48
PN編碼器缺點(diǎn):1、帶寬占用大:由于PN編碼器使用了正負(fù)極性和零態(tài)信號,對信號的頻帶要求較高,如果信號頻帶過窄,可能造成信號失真。因此在使用PN編碼器時需要考慮到其較大的帶寬占用問題。2、硬件可靠成本略高:它的硬件實現(xiàn)比較復(fù)雜,需要較高的成本。
2024-01-10 10:41:58157 【科普小貼士】什么是pn結(jié)?
2023-12-13 15:06:07684 采用不同的摻雜工藝將P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體制作在同一塊硅片上,在它們的交界面就形成了PN結(jié), PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?。
2023-12-06 16:44:391041 ad8346汽車級最高工作環(huán)境溫度是125度,最高結(jié)溫是多少攝氏度?
2023-12-05 07:44:20
上一個輸錯了型號,AD8436BRQZ 的datasheet里沒有最大結(jié)溫
2023-12-05 06:37:12
您好,看了關(guān)于測試碼部分的pn9和pn23偽隨機(jī)碼,想用pn9序列做對齊,但是不太明白如何計算輸出的pn碼,有沒有關(guān)于如何生成這個碼的具體算法呢?或者具體生成值的表格呢?謝謝!
2023-12-01 08:29:55
上期簡單描述了下PN結(jié)的基本結(jié)構(gòu)和耗盡區(qū)的形成過程,為方便后續(xù)定量研究,還是要從能帶圖入手,先看下平衡PN結(jié)的能帶圖吧,通過能帶圖,可以獲得PN結(jié)的很多有用的信息。
2023-11-30 18:25:262612 半導(dǎo)體器件有四種基本結(jié)構(gòu),而PN結(jié)無疑是最常見,也是最重要的結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 18:22:43975 IGBT與功率MOS最大的區(qū)別就是背面多了一個pn結(jié),在正向?qū)〞r,背面pn結(jié)構(gòu)向N-區(qū)注入空穴,使得N-區(qū)的電阻率急劇減小(即電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng))。
2023-11-29 15:16:24381 下面簡要推導(dǎo)PN結(jié)導(dǎo)通狀態(tài)下的電荷濃度分布以及電流、電壓的關(guān)系。
2023-11-28 16:32:04477 動,其PN結(jié)沒有電流通過,二極管截止。
2. MOSFET工作原理
MOS 場效應(yīng)管也被稱為MOS FET, 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect
2023-11-28 15:53:49
在我們現(xiàn)有的功率半導(dǎo)體器件中,PN結(jié)占據(jù)了極其重要的地位,其正向阻斷能力的優(yōu)劣直接決定著功率半導(dǎo)體器件的可靠性及適用范圍。
2023-11-24 15:47:53408 何謂PN結(jié)的擊穿特性?雪崩擊穿和齊納擊穿各有何特點(diǎn)? PN結(jié)的擊穿特性是指當(dāng)在PN結(jié)上施加的電壓超過一定的值時,PN結(jié)將發(fā)生擊穿現(xiàn)象,電流迅速增大,導(dǎo)致結(jié)電壓快速降低。擊穿是指在正向或反向電壓
2023-11-24 14:20:271216 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《pn結(jié)工作原理.zip》資料免費(fèi)下載
2023-11-20 14:39:413 場效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件,它可以用來放大或者控制電流 。根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同,場效應(yīng)管可以分為結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場效應(yīng)管(MOSFET)。其中,JFET是由一個pn結(jié)構(gòu)組成,而MOSFET
2023-11-17 16:29:521230 ICS83PN625I 數(shù)據(jù)表
2023-11-03 18:30:170 呈正相關(guān)性。 首先,二極管的電容效應(yīng)包括勢壘電容CB和擴(kuò)散電容CD兩個部分。 勢壘電容CB(Cr) 在 PN 結(jié)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)中,PN結(jié)空間內(nèi)缺少導(dǎo)電的載流子,其電導(dǎo)率很低,因此相當(dāng)于介質(zhì)。 而PN結(jié)兩側(cè)的P區(qū)和N區(qū),P區(qū)空穴多,N區(qū)電子多,因為擴(kuò)散,會在中間形成
2023-11-01 17:12:04509 ,產(chǎn)生擊穿,把這種在強(qiáng)電場作用下,使勢壘區(qū)中原子直接激發(fā)的擊穿現(xiàn)象稱為齊納擊穿。齊納擊穿一般發(fā)生在摻雜濃度較高的PN結(jié)中。這是因為摻雜濃度較高的PN結(jié),空間電荷區(qū)的電荷密度很大,寬度較窄,只要加不大
2023-10-20 10:10:21
,產(chǎn)生擊穿,把這種在強(qiáng)電場作用下,使勢壘區(qū)中原子直接激發(fā)的擊穿現(xiàn)象稱為齊納擊穿。齊納擊穿一般發(fā)生在摻雜濃度較高的PN結(jié)中。這是因為摻雜濃度較高的PN結(jié),空間電荷區(qū)的電荷密度很大,寬度較窄,只要加不大
2023-10-20 10:07:05
為什么加正向電壓PN結(jié)變薄,加反向會變厚呢? PN結(jié)是半導(dǎo)體器件中最基本和最常用的一種器件,具有正向?qū)ê头聪蚪刂沟奶匦浴H绻麑?b class="flag-6" style="color: red">PN結(jié)的兩端施加正向電壓,電子從N型區(qū)流向P型區(qū),空穴從P型區(qū)流向
2023-10-19 16:42:521803 pn結(jié)的電容效應(yīng) 為什么在pn結(jié)間加入i層可以減小結(jié)電容? PN結(jié)是一種半導(dǎo)體器件,其中P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體間由弱耗盡區(qū)隔離。這種器件有許多應(yīng)用,例如光電探測器、太陽能電池、場效應(yīng)晶體管和整流器
2023-10-19 16:42:49507 ,使電子與空穴向反方向漂移。這兩種運(yùn)動達(dá)到平衡時的結(jié)果就是形成一段沒有載流子的區(qū)域,稱為空間電荷區(qū),也叫耗盡層。這個空間電荷區(qū)叫做PN結(jié)。
2023-10-19 14:16:45540 PN結(jié)加正向電壓時,空間電荷區(qū)將變窄是因為:**PN結(jié)外加正向電壓,此時外電場將多數(shù)載流子推向空間電荷區(qū),使其變窄,削弱了內(nèi)電場
2023-10-18 17:38:582411 ICS83PN161I 數(shù)據(jù)表
2023-10-11 18:30:020 PN/PN 耦合器用于連接兩個不同 PROFINET 子網(wǎng),實現(xiàn)多個控制器不同子網(wǎng)間的可靠數(shù)據(jù)交換
2023-10-11 16:49:421769 PN結(jié)的反向擊穿有哪幾種形式?? PN結(jié)(即正負(fù)電極結(jié))是半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)之一,它是由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體直接接觸組成的簡單晶體管結(jié)構(gòu)。PN結(jié)的一個重要特性是反向擊穿,它指的是當(dāng)PN結(jié)處于反向
2023-09-21 16:09:471700 Chipown經(jīng)典多模式ACDC芯片PN8715H/PN8712H系列,可完美替代進(jìn)口工業(yè)級芯片5ARxx系列 。
2023-09-14 14:33:42709 什么是PN結(jié)的導(dǎo)通電壓?? PN結(jié)是半導(dǎo)體器件中最常見的元器件之一,它將p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體的材料在一起,通過電場使它們連接在一起,并形成一個電子流的管道。在其中,導(dǎo)通電壓是PN結(jié)的一個重要參數(shù)
2023-09-13 15:09:292819 pn結(jié)是怎么形成的?有哪些基本特性 PN結(jié)是半導(dǎo)體器件中最基本的元器件之一,它的存在使得晶體管、二極管、光電池等半導(dǎo)體器件得以實現(xiàn)。PN結(jié)是由n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體通過特定工藝加工、熱擴(kuò)散或離子注入
2023-09-13 15:09:203674 簡述pn結(jié)的三種擊穿機(jī)理? PN結(jié)是半導(dǎo)體器件中最常見的結(jié)構(gòu)之一,它由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體材料組成。在正向偏壓下,PN結(jié)會工作在正常的導(dǎo)電狀態(tài),而在反向偏壓下,PN結(jié)則會發(fā)生擊穿現(xiàn)象,這是PN
2023-09-13 15:09:182979 密切相關(guān)。在PN結(jié)外加正向偏壓的情況下,暗電流隨外加電壓增大而急劇增大,遠(yuǎn)大于光電流,因此加正偏壓無意義。在PN結(jié)外加反向偏壓的情況下,暗電流隨反向偏壓升高而增加。
這些噪聲源的成因可以歸結(jié)為物質(zhì)的光電效應(yīng)以及熱效應(yīng)等,具體取決于光電探測器的設(shè)計和工作環(huán)境。
2023-09-01 17:05:31
在上一節(jié)計算光學(xué)小講堂中,我們學(xué)習(xí)了光源掩模協(xié)同優(yōu)化(source mask co-optimization, SMO)的相關(guān)知識。這一節(jié)我們將主要探索光學(xué)鄰近效應(yīng)修正(Optical Proximity Correction,OPC)技術(shù)是如何用來提升光刻工藝窗口,為芯片生產(chǎn)保駕護(hù)航的。
2023-09-01 09:48:442297 I2C1 使用 pin PN4 和 PN5 來通信失敗, 但作為 GPIO 成功使用 。
你需要檢查電路是否有強(qiáng)烈的阻力
2023-08-25 06:56:40
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PN7160卡仿真.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-17 14:32:490 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PN7160安卓移植指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-17 11:40:261 結(jié)型場效應(yīng)管柵極反偏但仍有電流,MOS場效應(yīng)管柵極絕緣,沒有電流。
2023-08-17 09:19:34616 ICS83PN148I 數(shù)據(jù)表
2023-07-14 11:40:380 ICS83PN128I 數(shù)據(jù)表
2023-07-13 19:22:020 ICS83PN156I 數(shù)據(jù)表
2023-07-10 20:39:050 ICS83PN187I 數(shù)據(jù)表
2023-07-10 20:38:460 83PN15639 數(shù)據(jù)表
2023-07-10 19:36:180 GT41FUA-PN,霍爾效應(yīng)傳感器,設(shè)計用于無刷直流電機(jī)應(yīng)用的電子換向。該裝置包括一個用于磁傳感的片上霍爾電壓發(fā)生器,一個放大霍爾電壓的比較器,以及一個用于提供噪聲抑制的開關(guān)磁滯,開放收集器輸出
2023-07-07 14:29:160 什么是PN編碼器?PN編碼器主要應(yīng)用與優(yōu)點(diǎn):PN編碼器具有很多優(yōu)點(diǎn)。首先,它可以將原始信號進(jìn)行變換編碼,從而增加了發(fā)送信號的保密性。其次,它可以通過事先協(xié)定好的代碼進(jìn)行解碼,提高了數(shù)據(jù)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性
2023-07-05 13:55:521297 半導(dǎo)體可以摻雜其他材料,變成p型或n型。pn結(jié)二極管可以是正向偏置或反向偏置。led是產(chǎn)生光子的正向偏壓二極管。太陽能電池是吸收光子的pn結(jié),給電子足夠的能量進(jìn)入導(dǎo)帶。
2023-06-30 09:51:361958 供應(yīng)PN8160SEC-R1H,更多產(chǎn)品手冊、提供PN8160SEC-R1H 12V2A適配器方案,更多pn8160數(shù)據(jù)手冊應(yīng)用料資請向芯朋微代理驪微電子申請。>>
2023-06-10 10:59:394 場效應(yīng)管可以分成兩大類,一類是結(jié)型場效應(yīng)管(JFET),另一類是絕緣柵場效應(yīng)管(MOSFET)。
2023-06-08 09:20:14430 CPU 1514SP T-2 PN和CPU 1514TP TF-2 PN,它們不僅具有擴(kuò)展的運(yùn)動控制功能,而且,以SIMATIC S7-1500控制器的創(chuàng)新固件版本V3.0為基礎(chǔ)。
2023-06-07 15:48:06364 PN7150作為卡模擬功能時,華為手機(jī)無法讀取卡模擬。使用小米/三星等手機(jī)模擬讀卡成功。對比兩個日志文件發(fā)現(xiàn),華為手機(jī)讀取PN7150卡模擬時,識別的是NFC-DEP,而小米手機(jī)識別
2023-06-05 08:00:41
我正在嘗試使用 PN532 芯片模擬 NFC 卡 - 因此將 PN532 放在桌子上,使用 Android 或 iOS 設(shè)備,能夠從芯片讀取數(shù)據(jù)。這個想法是使用 PN532 的主動功能使讀/寫過程更容易/更快/防故障。
但是,我遇到了問題。有什么我應(yīng)該效仿的例子嗎?
2023-06-01 08:42:59
二極管大家都很熟悉,前面也好幾次對其工作特性分析過,具有導(dǎo)電單向性,其主要性能參數(shù)有:反向峰值電壓,正向平均電流,正向耗散功率,pn結(jié)電容、溫度效應(yīng),一般大家都比較關(guān)心靠前的那些參數(shù)指標(biāo),卻很少過多
2023-05-30 09:16:562189 我了解到NXP PN7160的部分固件存放在FLASH中,可以通過sFWU的方式進(jìn)行更新。
2023-05-30 07:30:06
關(guān)于二極管的原理來自于PN結(jié),下圖為本征半導(dǎo)體。
2023-05-29 10:31:131124 我設(shè)計了帶有 I2C 端口的 PN7160 和 PN7161 板。
我得到以下結(jié)果:
1.所有PN7160板都運(yùn)行良好。
2.所有PN7161板都不工作,啟動失敗。
PN7160 和 PN
2023-05-29 07:02:23
PN7462 是否支持 Segger RTT?
2023-05-19 07:35:56
PN560是否支持felica?哪些NXP芯片支持felica?
多謝!
2023-05-09 06:17:58
當(dāng)我以共享模式運(yùn)行 libnfc-nci demoapp 時,閱讀器設(shè)備顯示 pn7150 的 uid 是“040302010400”,但是我如何為 PN7150 設(shè)置特定的 UID?
我可以參考什么文件?
2023-05-08 08:44:55
我正在使用 PN7462 開發(fā)套件和 MCUXpresso IDE v11.4.1,在調(diào)試代碼時出現(xiàn)錯誤,
圖片中提到的,你能告訴我為什么這個錯誤也有根本原因和解決方案嗎,
2023-05-05 11:10:03
我看有些項目使用PN7150時使用的驅(qū)動為pn544,文件列表如下
dx@ubuntu:~/nfc/pn544$ ls
2023-05-04 07:08:48
我正在尋找使用 PN7150 讀/寫 MIFARE Ultralight 頁面的命令序列。我正在努力閱讀 PN7150 用戶手冊 - 我看到了 MIFARE Classic(帶身份驗證)的序列圖,但沒有看到 MIFARE Ultralight。誰能啟發(fā)我或指出一些示例代碼。
2023-05-04 07:04:12
我正在開發(fā)一款 Android12 設(shè)備,它將使用 PN532 實現(xiàn) NFC 功能。我搜索了 PN532 產(chǎn)品介紹,但沒有找到 PN532 的 android12 移植指南。
我可以從你那里得到一些
2023-04-23 07:51:12
我想使用 PN7362 芯片實現(xiàn) NFC 功能。但是,如果安裝MCUXpresso IDE 搜索SDK,則沒有PN7362 的SDK。
我不知道如何在 MCUXpresso IDE 中使用我在恩智浦
2023-04-23 06:56:21
ICS83PN625I 數(shù)據(jù)表
2023-04-17 18:46:590 ICS83PN161I 數(shù)據(jù)表
2023-04-14 19:17:410 放大狀態(tài)下的三極管是兩個PN結(jié)都大于0.7V嗎?求解
2023-04-12 11:30:57
如何解決PCB制造中的HDI工藝內(nèi)層漲縮對位問題呢?
2023-04-06 15:45:50
ICS83PN148I 數(shù)據(jù)表
2023-04-04 18:46:090 我們正在開發(fā)一款帶有 PN5190 的閱讀器。 部分讀者在調(diào)用函數(shù)phhalHw_Pn5190_EnBootNormalMode時初始化PN5190失敗,返回錯誤。通常當(dāng)PN5190正常工作時,初始
2023-04-03 08:55:36
ICS83PN128I 數(shù)據(jù)表
2023-03-30 19:50:370 二極管具有電容效應(yīng)。它的電容包括勢壘電容CB和擴(kuò)散電容CD。
1.勢壘電容CB(Cr)
前面已經(jīng)講過,PN結(jié)內(nèi)缺少導(dǎo)電的載流子,其電導(dǎo)率很低,相當(dāng)于介質(zhì);而PN結(jié)兩側(cè)的P區(qū)、N區(qū)的電導(dǎo)率高,相當(dāng)于金屬導(dǎo)體。從這一結(jié)構(gòu)來看,PN結(jié)等效于一個電容器。
2023-03-30 13:58:342860 我有一個問題。可以用libnfc-nci驅(qū)動pn532嗎?如果可以驅(qū)動,我們有任何說明嗎?我期待著您的反饋。
2023-03-29 07:58:08
ICS83PN156I 數(shù)據(jù)表
2023-03-24 18:49:290 ICS83PN187I 數(shù)據(jù)表
2023-03-24 18:49:120 83PN15639 數(shù)據(jù)表
2023-03-23 19:44:410 CONNDSUBPLUG17POSSTRSLDCUP
2023-03-23 02:16:21
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