電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高密度、3V 至36V輸入、1V至16V輸出、2A電源模塊采用增強(qiáng)型HotRod? QFN封裝TPSM63602數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-22 16:22:350 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)的核心組件中,內(nèi)存的性能與穩(wěn)定性至關(guān)重要。高密度DDR4芯片作為當(dāng)前內(nèi)存技術(shù)的杰出代表,不僅憑借其卓越的性能表現(xiàn)和微型化技術(shù)贏得了廣泛認(rèn)可,還在多個(gè)方面展現(xiàn)出了獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。
2024-03-22 14:47:4262 讓量子計(jì)算機(jī)走出實(shí)驗(yàn)室造中國(guó)自主可控量子計(jì)算機(jī)量子芯片作為量子計(jì)算機(jī)的核心部件,扮演著類似于傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)中‘大腦’的角色。而與此同時(shí),高密度微波互連模組則像是‘神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)’,在量子芯片與外部設(shè)備之間
2024-03-15 08:21:0572 孔插頭 高密度聚乙烯 黃色
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全球連接與傳感領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)TE Connectivity (TE)近日宣布推出的高密度(HD)+ 金手指電源連接器是市場(chǎng)上可實(shí)現(xiàn)最高電流密度的金手指電源連接器,能夠支持高達(dá)3千瓦的電源功率,從而
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這位博主堅(jiān)持認(rèn)為,在今年的年底,小米僅計(jì)劃生產(chǎn)搭載驍龍8 Gen 3或驍龍8 Gen 4處理器的機(jī)型。另外,預(yù)計(jì)這兩款新品都將搭載超大容量的高密度硅負(fù)離子電池,屏幕大小、外觀設(shè)計(jì)以及后置攝像頭的配置保持不變。
2024-03-06 10:18:00131 的布局也就成了大家設(shè)計(jì)PCB高頻板時(shí)候需要探討的關(guān)鍵點(diǎn)。接下來(lái)深圳PCBA公司為大家介紹下高頻PCB設(shè)計(jì)布局的注意要點(diǎn)。 高頻PCB設(shè)計(jì)布局注意要點(diǎn) ? (1)高頻電路傾向于具有高集成度和高密度PCB設(shè)計(jì)布線。使用多層板既是PCB設(shè)計(jì)布線所必需的,也是減少干擾的
2024-03-04 14:01:0271 VicorPoweringInnovation播客介紹了OLogic如何推崇高密度電源模塊來(lái)推動(dòng)當(dāng)今的機(jī)器人革命從玩具到建筑工地工具OLogic加速機(jī)器人創(chuàng)意從概念到生產(chǎn)的進(jìn)程馬薩諸塞州安多
2024-02-28 00:00:00772 VicorPoweringInnovation播客介紹了OLogic如何推崇高密度電源模塊來(lái)推動(dòng)當(dāng)今的機(jī)器人革命從玩具到建筑工地工具OLogic加速機(jī)器人創(chuàng)意從概念到生產(chǎn)的進(jìn)程馬薩諸塞州安多
2024-02-28 00:00:00745 特點(diǎn)●超高密度細(xì)胞溝設(shè)計(jì)為低RDS(開)?!駡?jiān)固而可靠?!癖砻姘惭b軟件包。
2024-02-22 14:44:260 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SOT-23-3 N通道高密度壕溝MOSFET PL2300GD數(shù)據(jù)手冊(cè)》資料免費(fèi)下載
2024-02-21 14:35:290 原有的DRAM采用2D結(jié)構(gòu),即大量元件密集排布在同一平面。然而,為了提升性能,儲(chǔ)存行業(yè)正致力于開發(fā)高密度的3D DRAM。這項(xiàng)技術(shù)包括水平堆積和垂直堆積兩種方式,均能有效地增加存儲(chǔ)空間。
2024-01-29 09:31:17231 【摘要/前言】 “角度”,這個(gè)詞每天都出現(xiàn)在我們的生活中,有物理學(xué)的角度,如街邊的拐角,還有視覺上的角度和觀點(diǎn)中的角度~ Samtec新型? AcceleRate? mP 高密度電源/信號(hào)互連
2024-01-05 11:47:24103 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PL2302GD N溝道高密度溝槽MOSFET英文資料》資料免費(fèi)下載
2024-01-05 11:12:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PL2300GD N溝道高密度溝槽MOSFET英文資料》資料免費(fèi)下載
2024-01-05 11:08:290 部分存儲(chǔ)模組廠已接到三星通知,要求明年年初至少將DRAM價(jià)格上調(diào)15%以上,且該通知并未涉及NAND閃存定價(jià),故預(yù)計(jì)后者將會(huì)持續(xù)上漲。DRAM價(jià)格在去年年底上漲2%-3%,不及3D TLC NAND約10%;
2024-01-03 10:46:21550 高密度互連印刷電路板:如何實(shí)現(xiàn)高密度互連 HDI
2023-12-05 16:42:39226 54V,有效降低了電源全鏈路損耗,改善了數(shù)據(jù)中心能效。結(jié)合在氣流優(yōu)化、液冷散熱等方面的技術(shù)改進(jìn),以及第四代英特爾 至強(qiáng) 可擴(kuò)展處理器帶來(lái)的更高能耗比,我們推出了綠色的高密度算力整機(jī)柜方案,打造了可持續(xù)的數(shù)據(jù)中心典范。我們也和英特爾將技術(shù)成果標(biāo)準(zhǔn)化,幫助更多企業(yè)構(gòu)建綠色的高密度算力
2023-12-01 20:40:03467 增加3D(三維)NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因?yàn)橹С謧鹘y(tǒng)高密度技術(shù)的基本技術(shù)預(yù)計(jì)將在不久的將來(lái)達(dá)到其極限。2025 年至 2030 年間,新的基礎(chǔ)技術(shù)的引入和轉(zhuǎn)化很可能會(huì)變得更加普遍。
2023-11-30 10:20:26244 2023年11月24日,雷賽智能基于二十余年伺服行業(yè)成功經(jīng)驗(yàn),歷經(jīng)一年多努力,研發(fā)成功FM1系列高密度無(wú)框電機(jī)和微型伺服驅(qū)動(dòng)器,推動(dòng)人形機(jī)器人等產(chǎn)業(yè)發(fā)展,幫助廣大客戶進(jìn)行進(jìn)口替代和升級(jí)降本。
2023-11-27 17:28:10872 某些載板為了提高鏈接密度,會(huì)采用孔上孔結(jié)構(gòu)。由于一般填孔程序多少都可能殘存氣泡,因此氣泡殘存量會(huì)直接影響鏈接質(zhì)量。氣泡允許殘存量沒有清楚標(biāo)準(zhǔn),只要信賴度不成問(wèn)題,多數(shù)都不會(huì)成為致命傷。但如果氣泡恰好落在孔口區(qū),出現(xiàn)問(wèn)題的機(jī)會(huì)就相對(duì)增加。
2023-11-24 15:53:18110 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《一種高密度、易于設(shè)計(jì)的通道間隔離模擬輸入模塊完整解決方案.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-23 10:34:550 目前三星仍然是全球?qū)@谝唬?002年三星宣布研發(fā)MRAM,2005年三星率先研究STT-MRAM,但是此后的十年間,三星對(duì)MRAM的研發(fā)一直不溫不火,成本和工藝的限制,讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào)。
2023-11-22 14:43:53213 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《突破PLC DCS多通道模擬輸入通道間隔離、高密度和EMI高輻射的設(shè)計(jì)障礙.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-22 10:42:400 高密度、高復(fù)雜性的多層壓合pcb電路板
2023-11-09 17:15:32870 JSCJ長(zhǎng)晶長(zhǎng)電科技面向5G射頻功放推出的高密度異構(gòu)集成SiP解決方案即將在國(guó)內(nèi)大規(guī)模量產(chǎn)
2023-11-01 15:20:20254 V)。 電感-電感-電容(LLC)轉(zhuǎn)換器是公認(rèn)的總線轉(zhuǎn)換器首選拓?fù)?,因?yàn)樗軌蛟诟唛_關(guān)頻率下在寬負(fù)載范圍內(nèi)保持零電壓開關(guān)。在本電源提示中,我將概述效率超過(guò) 98% 的高密度 1 MHz 1 kW 八分之一磚 LLC 轉(zhuǎn)換器中使用的變壓器。 任何實(shí)用的LLC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)都始于諧振電路的
2023-10-25 17:15:381019 簡(jiǎn)儀推出新產(chǎn)品高密度多功能數(shù)據(jù)采集模塊——PCIe/PXIe-5113/5113s,針對(duì)高密度模擬輸入通道需求提供高性價(jià)比的解決方案,擴(kuò)展DAQ數(shù)據(jù)采集產(chǎn)品的涵蓋范圍。 產(chǎn)品亮點(diǎn) 01 高密度模擬
2023-10-25 14:30:59450 三星電子在此次會(huì)議上表示:“從2023年5月開始批量生產(chǎn)了12納米級(jí)dram,目前正在開發(fā)的11納米級(jí)dram將提供業(yè)界最高密度?!绷硗?,三星正在準(zhǔn)備10納米dram的新的3d構(gòu)架,并計(jì)劃為一個(gè)芯片提供100gb (gigabit)以上的容量。
2023-10-23 09:54:24485 我們提出了一種高密度3kW電源解決方案,移除輸入整流二極管,使用圖騰極PFC電路和650VSiCMOSFET和以及次級(jí)側(cè)控制LLC帶同步整流功能的轉(zhuǎn)換器。本方案是推動(dòng)高效率和減小電源尺寸:其中
2023-10-12 08:27:40751 的節(jié)能模式允許設(shè)計(jì)低功耗應(yīng)用程序。
這些功能使STM32F103xx高密度高性能線路微控制器適用于廣泛應(yīng)用的系列,醫(yī)療和手持設(shè)備、PC和游戲外圍設(shè)備、GPS平臺(tái)、工業(yè)應(yīng)用程序、PLC、逆變器、打印機(jī)、掃描儀、報(bào)警系統(tǒng)、視頻對(duì)講和暖通空調(diào)
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/周凱揚(yáng))在近期的閃存峰會(huì)上,一家由英國(guó)蘭卡斯特大學(xué)孵化的初創(chuàng)公司Quinas Technology獲得了創(chuàng)新大獎(jiǎng)。他們展示了ULTRARAM,一個(gè)結(jié)合了DRAM高性能和閃存
2023-10-09 00:10:001311 在當(dāng)前我們比較熟悉的存儲(chǔ)產(chǎn)品就是DRAM和NAND,DRAM和NAND也一直在尋求高帶寬和低功耗的發(fā)展。
2023-10-07 10:18:221688 對(duì)于嵌入式開發(fā)者來(lái)講,對(duì)產(chǎn)品設(shè)計(jì)小型化的追求似乎是永無(wú)止境的。這種追求帶來(lái)了兩個(gè)直接的挑戰(zhàn):一是如何在有限的空間內(nèi)“堆料”,滿足不斷增加的功能性要求;二是如何實(shí)現(xiàn)高密度、高可靠的互連,以滿足系統(tǒng)連接
2023-10-04 08:10:012595 本工作來(lái)自多倫多大學(xué)和谷歌Shehbaz Jaffer,發(fā)表于FAST 2022。為了解決下一代高密度閃存低耐久性帶來(lái)的可靠性挑戰(zhàn),
2023-09-21 09:31:48405 開發(fā)完成的高密度成品制造解決方案進(jìn)入產(chǎn)能擴(kuò)充階段,預(yù)計(jì)2024年起相關(guān)產(chǎn)品營(yíng)收規(guī)模翻番,將有利促進(jìn)第三代半導(dǎo)體器件在全球應(yīng)用市場(chǎng)的快速上量。 碳化硅,氮化鎵產(chǎn)品相對(duì)于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有更高的開關(guān)速度,支持高電流密度,耐受
2023-09-19 10:20:38379 高密度服務(wù)器播放 rtsp 流出現(xiàn)斷連情況驗(yàn)證
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2023-09-01 15:21:431 數(shù)據(jù)中心機(jī)房高密度布線是我們現(xiàn)在經(jīng)常關(guān)注的問(wèn)題,這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">高密度光纖配線箱的使用,很多人對(duì)于這一點(diǎn)有很多疑問(wèn),其實(shí)我們從數(shù)據(jù)中心機(jī)房網(wǎng)絡(luò)布線系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)就可以看出,當(dāng)前最重要的有四種,分別是集中化直連
2023-08-29 10:13:49234 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《通過(guò)博科FC16-64端口刀片簡(jiǎn)化高密度電纜部署.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-28 14:36:280 科蘭通訊小編一起來(lái)了解一下吧。 MPO高密度光纖配線架產(chǎn)品應(yīng)用: MPO/MTP光纖具體實(shí)踐于樓宇之間密集布線系統(tǒng)光纖通信系統(tǒng),局域網(wǎng)布線光有源設(shè)備中光鏈路互連,通信基站內(nèi)光纖布線,工業(yè)園區(qū)機(jī)房,商業(yè)大樓機(jī)房,有線電視網(wǎng),電信網(wǎng)絡(luò)局域網(wǎng)
2023-08-09 09:58:56285 快充需求推動(dòng)了高密度適配器的蓬勃發(fā)展。在實(shí)際的適配器設(shè)計(jì)中,花樣繁多的新型開關(guān)功率器件、拓?fù)浜涂刂品桨覆挥?jì)其數(shù)。
2023-08-02 11:31:42226 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于高密度和高效率電源設(shè)計(jì)的意法半導(dǎo)體WBG解決方案.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-01 16:54:170 PCB的布局也就成了大家設(shè)計(jì)PCB高頻板時(shí)候需要探討的關(guān)鍵點(diǎn)。接下來(lái)深圳PCBA公司為大家介紹下高頻PCB設(shè)計(jì)布局的注意要點(diǎn)。 高頻PCB設(shè)計(jì)布局注意要點(diǎn) (1)高頻電路傾向于具有高集成度和高密度PCB設(shè)計(jì)布線。使用多層板既是PCB設(shè)計(jì)布線所必需的,也是減少
2023-07-19 09:26:08518 當(dāng)工業(yè)4.0浪潮席卷而來(lái),智能傳感器在工廠環(huán)境中日益普及。廣泛使用的傳感器正帶來(lái)一個(gè)重要變化,即要在舊款控制器內(nèi)處理大量IO,包括數(shù)字IO或模擬IO。由此,構(gòu)建可控尺寸和熱量的高密度IO模塊成為關(guān)鍵。本文中ADI將重點(diǎn)介紹數(shù)字IO。
2023-07-13 16:56:041119 Weiking 灌封型寬范圍輸入電壓DC-DC? WK4128**D-08G系列 ? 產(chǎn)品概述 ? WK4128**D-08G系列DC-DC電源模塊內(nèi)部采用高密度組裝工藝方法,并配合使用具有優(yōu)異性
2023-07-03 11:08:55310 摘要:提出了一種只讀高密度光盤的DPD信號(hào)檢測(cè)方法,闡述了DPD信號(hào)檢測(cè)中均衡電路和相位檢測(cè)器的原理和設(shè)計(jì)方法,并基于CPLD器件實(shí)現(xiàn)了光盤高頻讀出信號(hào)的相位差檢測(cè)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,本文提出的方法可以準(zhǔn)確檢測(cè)光盤的DPD信號(hào)。
2023-06-29 17:07:390 尊敬的讀者,今天我將向大家介紹一款高密度集成的自主單端口以太網(wǎng)供電設(shè)備(PSE)控制器——MK3614。該設(shè)備是為IEEE 802.3af/at Power over Ethernet(PoE)系統(tǒng)
2023-06-26 16:33:21946 光纖連接器的高密度布局和設(shè)計(jì)方法是在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更多連接器數(shù)量的一種策略,以提高光纖網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的容量和效率。
2023-06-26 15:20:001129 路由器、智能穿戴設(shè)備等各類終端產(chǎn)品。隨著5G的導(dǎo)入,模塊要有更高的功率,工作頻率、更大的帶寬和更小的模組尺寸。 長(zhǎng)電科技面向5G射頻功放打造的高密度異構(gòu)集成SiP解決方案,具備高密度集成、高良品率等顯著優(yōu)勢(shì)。該方案通過(guò)工藝流程優(yōu)化、
2023-06-19 16:45:00355 GaN高密度300W交直流變換器
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Holt集成電路公司的HI-3220是一個(gè)單體系列芯片CMOS高密度應(yīng)用數(shù)據(jù)管理IC能夠管理、存儲(chǔ)和轉(zhuǎn)發(fā)航空電子數(shù)據(jù)16個(gè)ARINC 429接收信道之間的消息,以及八個(gè)ARINC 429發(fā)射信道
2023-06-15 15:14:352 Holt集成電路公司的HI-3220是一系列單片CMOS高密度應(yīng)用數(shù)據(jù)管理IC,能夠在16個(gè)ARINC 429接收通道和8個(gè)ARINC 429-發(fā)送通道之間管理、存儲(chǔ)和轉(zhuǎn)發(fā)航空電子數(shù)據(jù)消息,使這些
2023-06-15 11:20:44
高密度互連 (HDI) 需求主要來(lái)自于芯片供應(yīng)商。最初的球柵陣列封裝 (BGA) 支持常規(guī)過(guò)孔。
2023-06-01 16:43:58523 在這個(gè)技術(shù)革命的時(shí)代,人工智能應(yīng)用程序、高端服務(wù)器和圖形等領(lǐng)域都在不斷發(fā)展。這些應(yīng)用需要快速處理和高密度來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),其中高帶寬內(nèi)存 (HBM) 提供了最可行的內(nèi)存技術(shù)解決方案。
2023-05-25 16:39:333396 Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會(huì)上,除了鎧俠、SK海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、三星等大廠所做的技術(shù)分享外,大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創(chuàng)企業(yè)。這是一家專為NAND閃存和DRAM內(nèi)存開發(fā)創(chuàng)新架構(gòu)的廠商,其去年推出的X-NAND第二代技術(shù),允許3D NAND閃存
2023-05-08 07:09:001982 S3A1604是一種NETSOL MRAM存儲(chǔ)芯片。具有SPI總線接口、XIP(就地執(zhí)行)性能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)系統(tǒng)??梢?b class="flag-6" style="color: red">取代具有相同功能和非易失性的閃存、FeRAM或(nv)SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式,以允許帶寬擴(kuò)展選項(xiàng)。
2023-04-27 17:33:44420 (DRAM)的高集成度,而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。 即:MRAM是非揮發(fā)性介質(zhì); MRAM是磁性隨機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì); MRAM具有RAM的讀寫速度。
2023-04-19 17:45:462542 被廣泛應(yīng)用于在布線過(guò)程里需要高密度集成光纖線路環(huán)境中。 ? 解決高密度高速傳輸需求的MPO ? MPO,全名Multi-fiber Push ON,是用來(lái)做設(shè)備到光纖布線鏈路的跳接線。MPO光纖跳線由MPO連接器和光纜組成。MPO連接器是一種使用精密模具成型在機(jī)械
2023-04-18 01:16:005585 及SRAM相當(dāng),大大超出了閃存的105次。在功能及性能方面均超過(guò)現(xiàn)有存儲(chǔ)器的自旋注入MRAM,很有可能將會(huì)取代在設(shè)備中使用的多種存儲(chǔ)器(見圖1)。如果關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)工作進(jìn)展順利,自旋注入MRAM今后
2023-04-07 16:41:05
評(píng)論
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