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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>富士通新款4Mbit FRAM可穩(wěn)定在125℃高溫下運(yùn)行

富士通新款4Mbit FRAM可穩(wěn)定在125℃高溫下運(yùn)行

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2024-02-02 07:48:06

保障BMS電池管理系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵組件

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2024-01-30 08:16:05

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2024-01-25 07:07:12

高溫壓力變送器的原理是什么樣的

壓力變送器由傳感器、信號(hào)調(diào)理電路、輸出電路等組成。傳感器是其核心部件,負(fù)責(zé)感知和轉(zhuǎn)換高溫環(huán)境中的壓力信號(hào)。傳感器通常由高溫合金材料制成,具有良好的熱穩(wěn)定性和機(jī)械強(qiáng)度,能夠在高溫條件下長(zhǎng)期穩(wěn)定工作。傳感器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)包
2024-01-23 17:04:58216

廣州海谷高溫型溫濕度變送器:為工業(yè)環(huán)境提供穩(wěn)定、精確的溫濕度監(jiān)測(cè)

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2024-01-22 16:38:48233

高溫型溫濕度變送器

WT04S 高溫變送器——采用獨(dú)立式薄膜型濕敏電容做為濕度敏感元件、鉑電阻做為溫度敏感元件。薄膜型濕敏電容具有穩(wěn)定性強(qiáng)、耐溫高等特性,能夠長(zhǎng)期工作在高溫等環(huán)境。鉑電阻同樣具有溫度測(cè)量范圍寬、精度高,工作穩(wěn)定性好等特性,WT04S 型高溫變送器能夠工作在+180℃范圍內(nèi)。
2024-01-22 14:23:41

ADUCM360高溫測(cè)試ADC輸出不穩(wěn)定是什么原因?qū)е碌模吭趺唇鉀Q?

。都是耐溫125度的器件。 在測(cè)試過(guò)程中,常溫測(cè)試沒(méi)有錯(cuò)誤,溫度輸出穩(wěn)定高溫測(cè)試時(shí),溫度輸出會(huì)時(shí)常出現(xiàn)錯(cuò)誤,出現(xiàn)錯(cuò)誤的溫度值也不確定,隨后又自動(dòng)恢復(fù)正常。 貼一測(cè)試中的數(shù)據(jù): (Ur5
2024-01-12 08:02:39

伺服同步主軸電機(jī)可以承受的最高溫度是多少?

設(shè)計(jì)最高主軸轉(zhuǎn)速4000rmp,但是現(xiàn)在主軸轉(zhuǎn)速3000rmp,電機(jī)溫度已經(jīng)達(dá)到并穩(wěn)定在85℃。由于不清楚這種電機(jī)可以承受的最高溫度,所以一直沒(méi)有使用3000rmp以上的轉(zhuǎn)速。問(wèn)題二,請(qǐng)問(wèn)長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行,此電機(jī)可以承受的最高溫度?
2024-01-10 06:46:35

富士通嵌入FRAM的RFID射頻芯片,無(wú)限次擦寫(xiě)

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2023-12-27 13:53:33

Tg-5511cb tcxo高穩(wěn)定性 105℃高溫

。頻率/溫度特性表現(xiàn)出色,±0.28 × 10^6Max.(-40oC至+85oC),這意味著無(wú)論是在極寒還是高溫環(huán)境下,都能保持穩(wěn)定的頻率輸出外形尺寸僅為5.0
2023-12-26 10:19:530

富士通收購(gòu)新光電氣

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什么是FRAM?關(guān)于鐵電存儲(chǔ)器FRAM的特性介紹

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2023-12-15 11:35:46412

48億美元!富士通將把芯片封裝部門(mén)出售給JIC財(cái)團(tuán)

財(cái)團(tuán)成員包括DNP和三井化學(xué),預(yù)計(jì)在法規(guī)許可后,將于八月底進(jìn)一步向富士通未擁有的股票發(fā)起收購(gòu)要約;收購(gòu)價(jià)格定為每股5920日元,相比周一收盤(pán)價(jià)溢價(jià)13%。新光電氣對(duì)此表示贊許,鼓勵(lì)股東予以接納。
2023-12-13 13:49:18246

低溫錫膏和高溫錫膏的區(qū)別

錫膏和高溫錫膏的主要成分是相同的,都是由錫粉、導(dǎo)電粉、懸浮穩(wěn)定劑、助劑等組成。然而,低溫錫膏中的焊錫粉的熔點(diǎn)較低,通常在183°C以下,而高溫錫膏中的焊錫粉的熔點(diǎn)則在230°C以上。這是因?yàn)榈蜏劐a膏通常在較低的溫度下使用,而高
2023-12-08 15:45:56624

超算連續(xù)霸榜,富士通推動(dòng)計(jì)算技術(shù)革新

點(diǎn)擊上方“ 富士通中國(guó) ”關(guān)注我們 近日,由日本理化學(xué)研究所(RIKEN)和富士通聯(lián)合開(kāi)發(fā)的 超級(jí)計(jì)算機(jī)“富岳(Fugaku)” 在最新公布的HPCG和Graph500 BFS(廣度優(yōu)先搜索)等多個(gè)
2023-11-29 17:10:02228

可在125°C高溫環(huán)境下工作的4Mbit FeRAM,都具有哪些特性呢?

FeRAM 是非易失性存儲(chǔ)器,具有較高的讀/寫(xiě)耐久性和快速的寫(xiě)入特征 ,因此在汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用需求。 在 汽車(chē) 領(lǐng)域,F(xiàn)eRAM可以用于存儲(chǔ)各種傳感器帶來(lái)的數(shù)據(jù),如車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng)中的GPS等數(shù)據(jù),記錄安全氣囊的數(shù)據(jù);在電池管理系統(tǒng)中記錄電池單元的電壓,溫度和電流等數(shù)據(jù),監(jiān)控電池的短期和長(zhǎng)期性能狀態(tài);在胎壓監(jiān)測(cè)系統(tǒng)中實(shí)時(shí)記錄輪胎壓力。此外,F(xiàn)eRAM還可以用于新能源汽車(chē)的電池管理系統(tǒng)BMS中。 在 工業(yè) 領(lǐng)域,F(xiàn)eRAM可以用于各種需
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技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)可持續(xù)未來(lái),富士通亮相第25屆中國(guó)高交會(huì)

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富士通造出日本首臺(tái)屬于私營(yíng)企業(yè)的量子計(jì)算機(jī)

另外,富士通決定與政府支援研究機(jī)構(gòu)日本物理學(xué)、化學(xué)研究所(riken)于2021年共同設(shè)立和光研究中心,共同開(kāi)發(fā)量子計(jì)算機(jī)。日本物理、化學(xué)研究所于2023年3月推出了日本第一臺(tái)具有64個(gè)量子比特、使用低溫超導(dǎo)電路的量子計(jì)算機(jī)。
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可在125°C 環(huán)境下工作的汽車(chē)級(jí)I2C接口FeRAM

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助力碳中和目標(biāo),富士通在行動(dòng)

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再度亮相服貿(mào)會(huì),看富士通如何用實(shí)際行動(dòng)助力可持續(xù)發(fā)展

點(diǎn)擊上方“ 富士通中國(guó) ”關(guān)注我們 2023年中國(guó)國(guó)際服務(wù)貿(mào)易交易會(huì)(服貿(mào)會(huì))近日在北京開(kāi)幕。富士通(中國(guó))信息系統(tǒng)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“富士通”)副總裁汪波先生受邀出席本次服貿(mào)會(huì),并在9月3日舉行
2023-09-06 17:10:02230

電能質(zhì)量在線監(jiān)測(cè)裝置,保障電網(wǎng)穩(wěn)定運(yùn)行

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2023-08-29 16:18:41360

為可持續(xù)發(fā)展貢獻(xiàn)實(shí)際價(jià)值,富士通從這三點(diǎn)入手

點(diǎn)擊上方“ 富士通中國(guó) ”關(guān)注我們 可持續(xù)轉(zhuǎn)型 可持續(xù)轉(zhuǎn)型 是指企業(yè)在環(huán)境、經(jīng)濟(jì)和社會(huì)方面做出結(jié)構(gòu)性的改變,以實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)。在過(guò)去幾年里,可持續(xù)轉(zhuǎn)型逐漸成為企業(yè)重要的戰(zhàn)略選擇,成為實(shí)現(xiàn)企業(yè)獲得
2023-08-28 17:10:01231

無(wú)懼盛夏高溫,戶外智能網(wǎng)關(guān)有什么秘訣?

在日益加劇的戶外高溫環(huán)境中,智慧路燈桿也面臨著嚴(yán)峻考驗(yàn)。如何保障智慧桿在高溫場(chǎng)景中也可靠運(yùn)行、有效響應(yīng)?佰馬智慧桿網(wǎng)關(guān)發(fā)揮五大優(yōu)勢(shì),完滿應(yīng)對(duì)高溫挑戰(zhàn)。
2023-08-21 17:29:43421

富士晶振正式入駐得捷電子和艾睿

富士晶振正式入駐得捷電子和艾睿
2023-08-15 17:21:46446

Emulex Gen 5光纖通道主機(jī)總線富士通適配器

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Emulex Gen 5光纖通道主機(jī)總線富士通適配器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-10 14:32:280

英飛凌擴(kuò)展數(shù)據(jù)記錄存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合,推出業(yè)內(nèi)首款1Mbit車(chē)規(guī)級(jí)串行EXCELON? F-RAM存儲(chǔ)器及新型4Mbit F-RAM存儲(chǔ)器

,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)進(jìn)一步擴(kuò)展其EXCELON? F-RAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品,推出兩款分別具有1Mbit4Mbit存儲(chǔ)密度的新型F-RAM存儲(chǔ)器。全新
2023-08-09 14:32:40397

請(qǐng)教個(gè)固態(tài)電容標(biāo)識(shí)

在08年買(mǎi)的臺(tái)機(jī)主板七彩虹c.m780gx5的上看見(jiàn)幾個(gè)電容,網(wǎng)上查了一,根據(jù)不是十分可靠的信息說(shuō)是富士通電容,耐壓和容量這個(gè)好理解, 問(wèn)題是第三排倆個(gè)大寫(xiě)字母什么意思 表示系列?表示誤差值?看
2023-08-07 18:16:43

用于實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的最佳非易失性存儲(chǔ)器

富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT,是富士通 FeRAM 非易失性存儲(chǔ)器串行接口系列中密度最高的產(chǎn)品。目前已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)產(chǎn)品。 在不斷變化的環(huán)境中,隨著傳感器信息數(shù)據(jù)量的增加和邊緣計(jì)算的擴(kuò)展,客
2023-08-04 11:55:04339

富士通發(fā)布FY23第一季度財(cái)報(bào)

點(diǎn)擊上方“ 富士通中國(guó) ”關(guān)注我們 2023財(cái)年第一季度財(cái)報(bào) 富士通于昨日發(fā)布了2023財(cái)年第一季度財(cái)報(bào)。根據(jù)財(cái)報(bào)顯示,2023財(cái)年第一季度整體營(yíng)收為7,996億日元,較上一年度同期實(shí)現(xiàn)小幅增長(zhǎng)
2023-07-28 17:15:01449

Pickering的微型耐高壓舌簧繼電器 現(xiàn)可在最高125°C的溫度下動(dòng)作

舌簧繼電器的領(lǐng)導(dǎo)廠商Pickering Electronics公司,今天推出了一款新型耐高溫耐高壓?jiǎn)瘟兄辈迳嗷衫^電器,能夠在高達(dá)125°C的溫度下動(dòng)作。新款104HT系列繼電器屬于微型耐高壓舌簧繼電器系列
2023-07-19 13:38:44666

富士通發(fā)布最新全球調(diào)查,闡述可持續(xù)轉(zhuǎn)型成功的四大關(guān)鍵要素

點(diǎn)擊上方“ 富士通中國(guó) ”關(guān)注我們 富士通近日發(fā)布了《2023富士通全球可持續(xù)轉(zhuǎn)型調(diào)查報(bào)告》。該報(bào)告對(duì)來(lái)自全球9個(gè)國(guó)家的1,800名企業(yè)高管及決策者進(jìn)行了調(diào)查, 闡述了可持續(xù)轉(zhuǎn)型(SX)的現(xiàn)狀以及
2023-07-12 17:10:01270

高溫下氧化鋁陶瓷電路板的穩(wěn)定性研究

隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展,對(duì)電路板的要求也越來(lái)越高。其中,高溫下斯利通氧化鋁陶瓷電路板因其高溫穩(wěn)定性、優(yōu)良的介電性能、較低的介電損耗和熱膨脹系數(shù)等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于航空航天、衛(wèi)星通信、汽車(chē)電子、軍事
2023-06-29 14:12:13352

未來(lái)6G網(wǎng)絡(luò)關(guān)鍵技術(shù):無(wú)線接入網(wǎng)絡(luò)設(shè)備虛擬化

虛擬化分布式單元(vDU)采用富士通軟件,在Wind River虛擬化平臺(tái)上部署,并在搭載英偉達(dá)硬件加速器的通用服務(wù)器上運(yùn)行
2023-06-16 14:40:54726

如何將可持續(xù)發(fā)展與您的業(yè)務(wù)相融合?富士通給出了答案

點(diǎn)擊上方“ 富士通中國(guó) ”關(guān)注我們 氣候變化、地緣政治緊張以及金融市場(chǎng)的動(dòng)蕩對(duì)我們的社會(huì)、商業(yè)和日常生活產(chǎn)生了重大影響。為了應(yīng)對(duì)當(dāng)前的系統(tǒng)性挑戰(zhàn),我們有必要建立一個(gè)再生型社會(huì)。通過(guò)建立循環(huán)經(jīng)濟(jì)模型
2023-06-14 17:10:02299

富士通發(fā)布AI平臺(tái),幫助制造、零售等行業(yè)客戶加速部署AI技術(shù)

普通用戶還是企業(yè)用戶,都在不斷探索新的應(yīng)用場(chǎng)景。 ? 然而在實(shí)際使用中,AI的準(zhǔn)確性、可靠性仍然存在一定挑戰(zhàn),不進(jìn)行妥善處理則會(huì)給企業(yè)與社會(huì)造成負(fù)面影響和更大的風(fēng)險(xiǎn)。 ? 日前,富士通發(fā)布了AI平臺(tái)“Fujitsu Kozuchi”,將面向全球企業(yè)用戶提供一
2023-06-14 00:09:001080

加速AI創(chuàng)新,賦能可持續(xù)發(fā)展:富士通亮相2023中關(guān)村論壇

點(diǎn)擊上方“ 富士通中國(guó) ”關(guān)注我們 近日,富士通(中國(guó))信息系統(tǒng)有限公司副總裁汪波先生受邀出席2023中關(guān)村論壇平行活動(dòng)“ChatGPT 與人工智能前沿技術(shù)交流會(huì)”,并發(fā)表了題為《加速AI創(chuàng)新,共建
2023-06-08 19:55:02296

富士通與微軟宣布全球戰(zhàn)略合作,共同賦能“可持續(xù)轉(zhuǎn)型”

點(diǎn)擊上方“ 富士通中國(guó) ”關(guān)注我們 富士通株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱“富士通”)與微軟公司(以下簡(jiǎn)稱“微軟”)宣布簽署為期五年的戰(zhàn)略合作協(xié)議,進(jìn)一步擴(kuò)大雙方現(xiàn)有合作。該協(xié)議將涉及兩家公司的投資,以推動(dòng)富士通
2023-06-05 19:45:01379

如何保證直流穩(wěn)定化電源運(yùn)行穩(wěn)定

一般直流穩(wěn)定化電源在正常的使用狀態(tài)下是會(huì)穩(wěn)定的運(yùn)作。但是,根據(jù)使用方法的不同,該電源的輸出電壓也會(huì)變得不穩(wěn)定,甚至有時(shí)還會(huì)發(fā)生變動(dòng)。今天吉事勵(lì)為大家介紹當(dāng)直流穩(wěn)定化電源在恒壓動(dòng)作的情況下使用時(shí),由于
2023-05-31 18:11:04416

富士通亮相第七屆世界智能大會(huì)

? 富士通將利用在不同行業(yè)的先進(jìn)技術(shù)、技能和知識(shí)提供以人為本的數(shù)字服務(wù)、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)變能力和互聯(lián)互通的生態(tài)系統(tǒng),以推動(dòng)可持續(xù)轉(zhuǎn)型。——富士通(中國(guó))信息系統(tǒng)有限公司副總裁 汪波 近日,以“智行天下
2023-05-26 10:58:24495

光纖中常用到的高溫涂層有哪些

光纖在使用過(guò)程中需要具備較好的高溫穩(wěn)定性,因此需要使用一些具有高溫穩(wěn)定性的涂層來(lái)保護(hù)。以下是一些常用的高溫涂層。
2023-05-16 13:56:131109

富士通AI平臺(tái)“Fujitsu Kozuchi”加速AI與ML解決方案交付

? 在馬德里舉行的Fujitsu ActivateNow Technology Summit活動(dòng)期間,富士通發(fā)布了全新平臺(tái) "Fujitsu Kozuchi(項(xiàng)目代號(hào))--Fujitsu AI
2023-05-12 09:20:09176

復(fù)旦微電推出FM25/FM29系列SLC NAND存儲(chǔ)器新品

下一階段,復(fù)旦微電全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存儲(chǔ)器全系列產(chǎn)品將覆蓋64Kbit~2Mbit容量,F(xiàn)M25N將補(bǔ)全64Kbit~4Mbit全系列容量。
2023-05-05 11:23:26378

W25Q40換成W25Q64模塊是否能正常工作?

如果將閃存芯片W25Q40(4Mbit)換成W25Q64(64Mbit),模塊是否能正常工作?而且,最有趣的是,是否支持在 NodeMcu 中處理文件? PS 如何確定可用于錄制文件的閃存容量?
2023-04-28 07:33:59

8Mbit的esp-03的corect固件問(wèn)題求解

嗨, 我有 8Mbit 的 esp-03 的 corect 固件問(wèn)題 當(dāng)我將新的 lua 固件下載到 4Mb 時(shí),一切都是 corect, 當(dāng)我嘗試對(duì) 8Mb 做同樣的事情時(shí),我也必須
2023-04-26 08:48:33

CLRC66301HN無(wú)法寫(xiě)入富士通MB89R118C電子標(biāo)簽數(shù)據(jù)是怎么回事?

富士通電子芯片MB89R118C使用CLRC66301HN只讀取數(shù)據(jù)區(qū)不寫(xiě)入數(shù)據(jù),請(qǐng)告知
2023-04-23 07:19:24

環(huán)氧灌封膠保障汽車(chē)點(diǎn)火線圈的穩(wěn)定運(yùn)行

由于點(diǎn)火線圈的工作環(huán)境較為惡劣,常常會(huì)被雨水、灰塵、振動(dòng)等因素影響到正常工作,因此為了保護(hù)設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行,通常會(huì)使用環(huán)氧灌封膠對(duì)其進(jìn)行封裝保護(hù)。
2023-04-10 17:36:12458

FRAM相比Everspin MRAM具有哪些優(yōu)勢(shì)?

Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上運(yùn)行,但還允許系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員利用MRAM的四倍隨機(jī)存取周期時(shí)間。Everspin
2023-04-07 16:26:28

MB85R4M2TFN-G-ASE1

IC FRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP
2023-03-28 16:49:14

MB85RS4MTPF-G-JNERE2

IC FRAM 4MBIT SPI 40MHZ 8SOP
2023-03-28 00:13:59

MB85R4001ANC-GE1

IC FRAM 4MBIT PARALLEL 48TSOP
2023-03-27 13:52:07

MB85R4002ANC-GE1

IC FRAM 4MBIT PARALLEL 48TSOP
2023-03-27 13:52:07

FM22LD16-55-BG

IC FRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
2023-03-27 13:52:04

CY15B104QN-50SXI

IC FRAM 4MBIT SPI 50MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:44:22

FM22L16-55-TG

IC FRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
2023-03-27 13:44:12

MB85RQ4MLPF-G-BCERE1

IC FRAM 4MBIT SPI/QUAD I/O 16SOP
2023-03-27 13:38:23

CY15B104QI-20LPXC

IC FRAM 4MBIT SPI 20MHZ 8GQFN
2023-03-27 13:38:06

FM22LD16-55-BG

IC FRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
2023-03-27 13:24:33

CY15B104QN-20LPXC

IC FRAM 4MBIT SPI 20MHZ 8GQFN
2023-03-27 13:11:26

CY15B104QN-20LPXI

IC FRAM 4MBIT SPI 20MHZ 8GQFN
2023-03-27 13:11:26

CY15V104QN-20LPXC

IC FRAM 4MBIT SPI 20MHZ 8GQFN
2023-03-27 13:11:25

CY15V104QN-20LPXI

IC FRAM 4MBIT SPI 20MHZ 8GQFN
2023-03-27 13:11:25

CY15B104QI-20LPXI

IC FRAM 4MBIT SPI 20MHZ 8GQFN
2023-03-27 13:10:48

CY15V104QI-20LPXI

IC FRAM 4MBIT SPI 20MHZ 8GQFN
2023-03-27 13:10:48

CY15B104QN-50LPXI

IC FRAM 4MBIT SPI 50MHZ 8GQFN
2023-03-27 13:10:21

CY15V104QN-50LPXI

IC FRAM 4MBIT SPI 50MHZ 8GQFN
2023-03-27 13:10:21

CY15V104QI-20LPXC

IC FRAM 4MBIT SPI 20MHZ 8GQFN
2023-03-27 13:08:42

CY15V104QN-50SXI

IC FRAM 4MBIT SPI 50MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:08:09

CY15B104Q-SXIT

IC FRAM 4MBIT SPI 40MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:06:58

FM22L16-55-TGTR

IC FRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
2023-03-27 13:03:24

FM22LD16-55-BGTR

IC FRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
2023-03-27 13:02:04

CY15B104Q-LHXIT

IC FRAM 4MBIT SPI 40MHZ 8DFN
2023-03-27 12:54:10

CY15B104Q-LHXI

IC FRAM 4MBIT SPI 40MHZ 8TDFN
2023-03-27 12:01:56

CY15B104Q-SXI

IC FRAM 4MBIT SPI 40MHZ 8SOIC
2023-03-27 12:01:55

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