現(xiàn)象：
用stm32的spi接口驅(qū)動MB85RS2MT(此芯片兼容FM25H20),問題是用示波器能看到單片機有數(shù)據(jù)輸出，但是我讀不出任何數(shù)據(jù)，讀出的都是0x00，不知道是什么原因，發(fā)帖求助。下面
2024-03-20 08:08:05
富士通與亞馬遜云服務(wù)AWS宣布深化合作，共同推出現(xiàn)代化加速聯(lián)合計劃，旨在推動AWS云上遺留應(yīng)用程序的現(xiàn)代化進程。該計劃將于4月1日正式啟動，將富士通的系統(tǒng)集成能力與AWS的專業(yè)服務(wù)相結(jié)合，為運行在本地大型機和UNIX服務(wù)器上的傳統(tǒng)關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用程序提供評估、遷移和現(xiàn)代化服務(wù)。
2024-03-19 10:59:35
220 海信85E8K 4K超清全面屏智能液晶電視，無疑是現(xiàn)代家庭娛樂的巔峰之作。搭載MediaTek MT9653智能電視平臺，它憑借強勁的算力，確保了長久使用的流暢體驗，仿佛每一次開機都是全新的開始。
2024-03-14 10:26:05174 國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代
2024-02-22 09:31:16123 
富士通株式會社（以下簡稱“富士通”）發(fā)布了最新的集團人工智能（AI）戰(zhàn)略，聚焦深化人類與AI之間的協(xié)作，并提出了將AI作為“可信賴的助手”這一愿景，為提升人類生產(chǎn)力與創(chuàng)造力提供全方位支持。
2024-02-21 17:09:10377 
MRAM是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同方向的極化時，MTJ的隧道結(jié)便會顯現(xiàn)出低電阻特性;反之MTJ便會有高電阻。
2024-02-19 11:32:41367 
FRAM的“耐力”定義為疲勞后的記憶狀態(tài)保持能力，或在許多開關(guān)周期后維持鐵電開關(guān)電荷的非易失性部分的能力。
2024-02-19 10:21:1779 
當我發(fā)送讀取請求或 RDID 請求時，我沒有收到從 FRAM 芯片返回的數(shù)據(jù)。
我不確定自己做錯了什么。
我已經(jīng)將我的波形 HOLD_N、CS_N、FRAM 中的串行數(shù)據(jù)、串行數(shù)據(jù)附加到 FRAM、CLK、WP_N 中。
2024-01-25 07:07:12
LVDS擴頻輸出。RS2CG5705B被配置為選擇擴展和時鐘選擇。使用鎖相環(huán)（PLL）技術(shù)，該電路采用25MHz的晶體輸入，并在100MHz和200MHz的時鐘頻率下產(chǎn)生4對差分輸出（HCSL）。它還
2024-01-24 17:31:16
國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代
2024-01-20 09:57:35106 
MRAM或磁性隨機存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲元素。
2024-01-09 14:24:03208 
FeRAM在汽車行駛記錄儀中應(yīng)用:
存儲實時的數(shù)據(jù)如速度、剎車.
推薦型號：MB85RS64T
·非易失性存儲器
·高可靠性
·FeRAM無需寫等待，快速讀寫
·低功耗，靜態(tài)電流小于10uA
·無限次的擦寫次數(shù)(一萬億次)
2024-01-02 15:46:16314 
富士通嵌入FRAM的RFID射頻芯片MB89R118C的優(yōu)點:? 抗金屬，可在金屬環(huán)境中使用。? 可耐200度高溫。? 高速數(shù)據(jù)寫入：可提高數(shù)據(jù)寫入時的效率。? 穩(wěn)定的通信距離
2023-12-27 13:53:33
財團成員包括DNP和三井化學(xué)，預(yù)計在法規(guī)許可后，將于八月底進一步向富士通未擁有的股票發(fā)起收購要約；收購價格定為每股5920日元，相比周一收盤價溢價13%。新光電氣對此表示贊許，鼓勵股東予以接納。
2023-12-13 13:49:18246 國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代
2023-12-13 09:58:29155 
點擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 近日，由日本理化學(xué)研究所（RIKEN）和富士通聯(lián)合開發(fā)的 超級計算機“富岳（Fugaku）” 在最新公布的HPCG和Graph500 BFS（廣度優(yōu)先搜索）等多個
2023-11-29 17:10:02228 
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
易失性存儲和精確的實時時鐘，本文推薦使用國產(chǎn)PB85RS2MC鐵電存儲器用于該存儲系統(tǒng)中。鐵電存儲器PB85RS2MC在系統(tǒng)主要是實現(xiàn)數(shù)據(jù)的非易失性存儲和的實時時
2023-11-27 10:17:05
的優(yōu)勢。在本文中，我們將詳細討論Code::Blocks相比VS的優(yōu)勢，并提供最少1500字的詳盡、詳實和細致信息。 Code::Blocks是一個自由開源的C++ IDE，它支持多種編程語言和平臺，包括
2023-11-26 09:52:111021 目前三星仍然是全球?qū)＠谝唬?002年三星宣布研發(fā)MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對MRAM的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào)。
2023-11-22 14:43:53213 
點擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 11月15日-19日，第二十五屆中國國際高新技術(shù)成果交易會（簡稱“高交會”）在深圳會展中心拉開帷幕。富士通（中國）信息系統(tǒng)有限公司CEO汪波先生受邀出席本次高交會
2023-11-20 17:10:03178 
要考慮到電能系統(tǒng)復(fù)雜多變的環(huán)境、低功耗、讀寫操作頻率和斷電保存的能力。目前符合電能質(zhì)量監(jiān)測系統(tǒng)存儲要求的是國產(chǎn)PB85RS2MC（富士通MB85RS2MT），兩款
2023-11-17 10:28:51
點擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 隨著全球各地監(jiān)管政策的出臺，對于企業(yè)環(huán)境、社會和治理（ESG）相關(guān)指標的披露也愈發(fā)嚴格。與此同時，來自客戶需求及外部環(huán)境的變化也為企業(yè)推動合規(guī)層面的積極變革創(chuàng)造
2023-11-13 17:15:02193 我們使用微量序列 NOR MT25QL256ABA( 32MB) 鞭笞, 無法使用“ flexspi_ nor_flash_ page_ page_ progragram” API 程序到 16MB
2023-11-13 06:39:52
MB89R118C|富士通嵌入FRAM的RFID LSI無線射頻識別芯片
2023-11-09 13:59:01431 國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代
2023-11-06 10:15:17143 
點擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 2023財年上半年財報 富士通近日發(fā)布了2023財年上半年財報。根據(jù)財報顯示，2023財年上半年整體營收為1.7118兆日元，較上一年度同期提升2.7
2023-11-01 17:10:02429 
pwm相比dac的優(yōu)勢有么？
2023-10-28 07:49:58
點擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 本月，富士通與日本理化學(xué)研究所（RIKEN）宣布，在RIKEN RQC-Fujitsu合作中心成功開發(fā)出了 新型 64 量子位超導(dǎo)量子計算機 。理化學(xué)研究所于今
2023-10-27 09:15:02168 
CC3200和esp8266相比性能有優(yōu)勢么？
2023-10-23 08:08:40
點擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 本周，第29屆智能交通世界大會在蘇州國際博覽中心召開。本屆大會主題是“智能交通 美好生活”，會議為期5天，內(nèi)容主要包括智能交通論壇、智能交通展覽、技術(shù)和文
2023-10-21 16:25:01232 
insmod加載fram.ko模塊，出現(xiàn)spi_probe success!說明驅(qū)動和設(shè)備樹匹配成功。
（3）在/dev/下看有沒有pb85rs設(shè)備。
（4）使用./writeframAPP
2023-10-19 09:28:15
據(jù)悉，還決定以目前市價約26億美元（約2.6萬億韓元）出售富士通持有的信子50%的股份。貝恩資本、kkr、阿波羅全球管理公司和日本政府支持的投資公司日本投資公司等對投標表現(xiàn)出了興趣
2023-10-18 10:19:57227 , ±25V CMR, and ±25kV ESD Protection Data Sheet相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有MAX33076E: High-Speed Quad RS-422/RS
2023-10-13 18:34:17
目前，日本在量子領(lǐng)域的研發(fā)進展落后于中美兩國，但此前已經(jīng)制定發(fā)展規(guī)劃。富士通計劃將量子計算機與超級計算機相結(jié)合，以提高計算能力。未來，富士通將會把量子計算機投入實際應(yīng)用，進行分子構(gòu)型模擬、材料特性分析等
2023-10-09 11:03:15503 另外，富士通決定與政府支援研究機構(gòu)日本物理學(xué)、化學(xué)研究所（riken）于2021年共同設(shè)立和光研究中心，共同開發(fā)量子計算機。日本物理、化學(xué)研究所于2023年3月推出了日本第一臺具有64個量子比特、使用低溫超導(dǎo)電路的量子計算機。
2023-10-08 11:16:11524 NEW PRODUCT ?I 2 C 接口 512Kbit FeRAM MB85RC512LY 加賀富儀艾電子旗下的代理品牌富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司于近期 宣布推出 I 2 C 接口
2023-09-28 16:20:02267 
與此同時，富士通還積極投身到全球各項可持續(xù)發(fā)展及碳中和行動項目當中。就在本月，富士通宣布通過參與世界可持續(xù)發(fā)展工商理事會(WBCSD)的碳足跡數(shù)據(jù)共享倡議行動(PACT)，成功實現(xiàn)了整個供應(yīng)鏈中二氧化碳排放量的可視化。
2023-09-22 17:12:49653 MR500E工業(yè)4G路由器采用超小體積設(shè)計，尺寸為長88mm高25mm寬62mm，非常便于攜帶和安裝。此外，MR500E工業(yè)4G插卡路由器還具備1個WAN口和1個LAN口或2個LAN口，網(wǎng)速速率為
2023-09-20 14:42:39
點擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 2023年中國國際服務(wù)貿(mào)易交易會（服貿(mào)會）近日在北京開幕。富士通（中國）信息系統(tǒng)有限公司（以下簡稱“富士通”）副總裁汪波先生受邀出席本次服貿(mào)會，并在9月3日舉行
2023-09-06 17:10:02230 
點擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 可持續(xù)轉(zhuǎn)型 可持續(xù)轉(zhuǎn)型 是指企業(yè)在環(huán)境、經(jīng)濟和社會方面做出結(jié)構(gòu)性的改變，以實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展目標。在過去幾年里，可持續(xù)轉(zhuǎn)型逐漸成為企業(yè)重要的戰(zhàn)略選擇，成為實現(xiàn)企業(yè)獲得
2023-08-28 17:10:01231 
PB85RS128可替換MB85RS128B（富士通）/ FM25V01A-GTR（賽普拉斯）
2023-08-22 16:38:15
2 PB85RS2MC可替換MB85RS2MT（富士通）/FM25V20A（賽普拉斯）
2023-08-22 09:56:047 耗盡導(dǎo)致設(shè)備故障；本文推薦使用FRAM PB85RS2MC用于CT掃描機控制系統(tǒng)，它具有很多無可超越的優(yōu)點，包括快速寫入、耐久性、低功耗和耐輻射性，能夠替代SRAM
2023-08-11 11:18:20
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Emulex Gen 5光纖通道主機總線富士通適配器.pdf》資料免費下載
2023-08-10 14:32:280 富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存儲器串行接口系列中密度最高的產(chǎn)品。目前已實現(xiàn)量產(chǎn)產(chǎn)品。 在不斷變化的環(huán)境中，隨著傳感器信息數(shù)據(jù)量的增加和邊緣計算的擴展，客
2023-08-04 11:55:04339 
點擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 2023財年第一季度財報 富士通于昨日發(fā)布了2023財年第一季度財報。根據(jù)財報顯示，2023財年第一季度整體營收為7,996億日元，較上一年度同期實現(xiàn)小幅增長
2023-07-28 17:15:01449 
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
NP40N10YDF, NP40N10VDF, NP40N10PDF 數(shù)據(jù)表
2023-07-14 09:43:230 點擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 富士通近日發(fā)布了《2023富士通全球可持續(xù)轉(zhuǎn)型調(diào)查報告》。該報告對來自全球9個國家的1,800名企業(yè)高管及決策者進行了調(diào)查， 闡述了可持續(xù)轉(zhuǎn)型(SX)的現(xiàn)狀以及
2023-07-12 17:10:01270 
AT25PE40 數(shù)據(jù)表
2023-07-03 18:52:460 鐵電存儲器(FRAM)具有非易失性，讀寫速度快，沒有寫等待時間等優(yōu)勢，能夠像RAM一樣操作，低功耗，擦寫使用壽命長，芯片的擦寫次數(shù)為100萬次，比一般的E2PROM存儲器高10倍。特別適合在為工業(yè)
2023-06-29 09:39:03382 品佳集團代理的MediaTek Genio 130/130A(MT7931/MT7933)微處理器產(chǎn)品，為基于Arm Cortex-M33架構(gòu)處理器，時脈可達300MHz，內(nèi)建最高8MB SRAM，提供高效運算能力。
2023-06-25 14:29:37658 
國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代
2023-06-21 13:56:52582 品佳集團代理的MediaTek Genio 130/130A(MT7931/MT7933)微處理器產(chǎn)品，為基于Arm Cortex-M33架構(gòu)處理器，時脈可達300MHz，內(nèi)建最高8MB SRAM，提供高效運算能力。
2023-06-20 15:04:12638 
，鐵電存儲器不需要定時刷新，能在斷電情況下保存數(shù)據(jù)，特別適合在那些對寫入時間和次數(shù)有較高要求的應(yīng)用場合，而且與其MCU接口電路簡單，應(yīng)用方便，本文介紹了國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在其多MCU系統(tǒng)中的應(yīng)用。
2023-06-20 14:19:25391 
和耐久性設(shè)計，這些要求使國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC成為最佳的存儲選擇。PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元，該芯片不需要電池就可以
2023-06-12 14:55:12308 
點擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 近日，富士通（中國）信息系統(tǒng)有限公司副總裁汪波先生受邀出席2023中關(guān)村論壇平行活動“ChatGPT 與人工智能前沿技術(shù)交流會”，并發(fā)表了題為《加速AI創(chuàng)新，共建
2023-06-08 19:55:02296 
點擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 富士通株式會社（以下簡稱“富士通”）與微軟公司（以下簡稱“微軟”）宣布簽署為期五年的戰(zhàn)略合作協(xié)議，進一步擴大雙方現(xiàn)有合作。該協(xié)議將涉及兩家公司的投資，以推動富士通
2023-06-05 19:45:01379 使用國產(chǎn)鐵電存儲芯片PB85RS2MC是一種最理想的選擇。該芯片不但在功能上正好滿足上述要求，而且憑借獨特的優(yōu)點性能是其它存儲器都無法達到的。
2023-06-01 10:59:48187 
Everspin型號MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲芯片，組織為16位的65536個字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時序，續(xù)航時間無限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時間內(nèi)始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 為了進行性能比較，使用了三種不同的存儲芯片，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR閃存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND閃存。
2023-05-31 17:14:24788 
? 富士通將利用在不同行業(yè)的先進技術(shù)、技能和知識提供以人為本的數(shù)字服務(wù)、數(shù)據(jù)驅(qū)動的應(yīng)變能力和互聯(lián)互通的生態(tài)系統(tǒng)，以推動可持續(xù)轉(zhuǎn)型?！?b class="flag-6" style="color: red">富士通（中國）信息系統(tǒng)有限公司副總裁 汪波 近日，以“智行天下
2023-05-26 10:58:24495 PB85RS2MC應(yīng)用框圖 PB85RS2MC芯片為低功耗9微安（待機），工作電壓2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的溫度范圍內(nèi)工作，芯片的數(shù)據(jù)在85℃工作環(huán)境下可以保存10年，在25℃工作環(huán)境下可以保存200年，且具有防潮、防電擊和抗震等特性，能滿足惡劣的環(huán)境條件。
2023-05-25 10:08:41495 
其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器。
2023-05-12 16:31:39268 ? 在馬德里舉行的Fujitsu ActivateNow Technology Summit活動期間，富士通發(fā)布了全新平臺 "Fujitsu Kozuchi（項目代號）--Fujitsu AI
2023-05-12 09:20:09176 
描述 MT2593是一款輸入耐壓可達40V的降壓式DC/DC驅(qū)動電路，能夠?qū)崿F(xiàn)精確的恒流以及恒壓功能。 MT2593內(nèi)置75mohm的功率MOSFET，可持續(xù)輸出 5V
2023-05-10 16:49:10
如果將閃存芯片W25Q40（4Mbit）換成W25Q64（64Mbit），模塊是否能正常工作？而且，最有趣的是，是否支持在 NodeMcu 中處理文件？
PS
如何確定可用于錄制文件的閃存容量？
2023-04-28 07:33:59
富士通電子芯片MB89R118C使用CLRC66301HN只讀取數(shù)據(jù)區(qū)不寫入數(shù)據(jù)，請告知
2023-04-23 07:19:24
PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元，對標富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛，無污染。
2023-04-20 11:29:57224 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器
2023-04-19 17:45:462544 我想將 iMX RT1024 連接到 MR5A16A MRAM MR5A16A MRAM 數(shù)據(jù)表聲明它與 SRAM 接口兼容但是，通過比較 MR5A16A 數(shù)據(jù)表和 iMX RT1024 參考手冊
2023-04-17 07:52:33
的擦除操作，而且寫人時間也比閃存少幾個數(shù)量級。即使是與現(xiàn)有存儲器中性能較高的DRAM(讀取1寫入時間為30ns~50ns)相比，自旋注入MRAM的高性能仍然很突出。此外可擦寫次數(shù)超過1015次,和DRAM
2023-04-07 16:41:05
8Mb MRAM MR3A16ACMA35采用48引腳BGA封裝。MR3A16ACMA35的優(yōu)點與富士通FRAM相比，升級到Everspin MRAM具有許多優(yōu)勢：?更快的隨機訪問操作時間?高可靠性和數(shù)
2023-04-07 16:26:28
隨著萬物智聯(lián)時代的到來，智能汽車等新興應(yīng)用場景對存儲提出了更高的性能要求。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司提供的一款2Mbit FeRAM——MB85RS2MLY
2023-04-07 11:24:481501 IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN
2023-04-06 16:00:29
NP40N10YDF, NP40N10VDF, NP40N10PDF 數(shù)據(jù)表
2023-03-31 19:32:380 我想知道S32K3xx EMIOS模塊與S32K1xx FTM模塊相比有什么優(yōu)勢？
2023-03-31 09:08:42
由于RS-422/RS-485使用差分信號，它對噪聲的抵抗力更強，可以使用更長的電纜和/或高數(shù)據(jù)速率，尤其是在嘈雜的環(huán)境中。此外，RS-485允許多點操作，最多32 個單位負載。收發(fā)器可能會
2023-03-30 15:32:20
存儲器FRAM 128K（16 K×8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲器FRAM 16 K（2 K x 8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲器FRAM 1M（128 K×8） 40MHz SPI
2023-03-29 20:47:53
存儲器FRAM 256 K（32 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:37
窄帶內(nèi)存FRAM 512K（64 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:00
IC FRAM 4MBIT SPI 40MHZ 8SOP
2023-03-28 00:13:59
IC FRAM 2MBIT SPI 50MHZ 8SOP
2023-03-27 14:52:16
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8DIP
2023-03-27 13:53:28
IC FRAM 128KBIT SPI 25MHZ 8SOP
2023-03-27 13:52:38
IC FRAM 1MBIT SPI 40MHZ 8WLP
2023-03-27 13:38:52
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8SOP
2023-03-27 13:38:42
IC FRAM 1MBIT SPI 40MHZ 8DIP
2023-03-27 13:01:56
IC FRAM 256KBIT SPI 25MHZ 8SOP
2023-03-25 03:51:44
IC FRAM 2MBIT SPI 25MHZ 8SOP
2023-03-25 03:50:39
IC FRAM 2MBIT SPI 25MHZ 8DIP
2023-03-25 03:39:53
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