電子發燒友網站提供《高密度、3V至36V輸入、1V至6V輸出、2A電源模塊采用增強型HotRod? QFN封裝TLVM13620數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-22 16:30:040 電子發燒友網站提供《高密度、3V 至36V輸入、1V至16V輸出、2A電源模塊采用增強型HotRod? QFN封裝TPSM63602數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-22 16:22:350 在現代電子系統的核心組件中,內存的性能與穩定性至關重要。高密度DDR4芯片作為當前內存技術的杰出代表,不僅憑借其卓越的性能表現和微型化技術贏得了廣泛認可,還在多個方面展現出了獨特的優勢。
2024-03-22 14:47:4262 的優越性能,全閃存存儲陣列在數據中心中越來越受歡迎。這些存儲系統使用SSD作為主存儲和輔助存儲,提供更快的數據訪問、降低功耗并提高可靠性。 二、存儲級內存 存儲級內存(SCM)是一種新型非易失性內存,它將DRAM的速度與NAND閃存的
2024-03-18 17:39:22141 讓量子計算機走出實驗室造中國自主可控量子計算機量子芯片作為量子計算機的核心部件,扮演著類似于傳統計算機中‘大腦’的角色。而與此同時,高密度微波互連模組則像是‘神經網絡’,在量子芯片與外部設備之間
2024-03-15 08:21:0572 全球連接與傳感領域領軍企業TE Connectivity (TE)近日宣布推出的高密度(HD)+ 金手指電源連接器是市場上可實現最高電流密度的金手指電源連接器,能夠支持高達3千瓦的電源功率,從而
2024-03-06 16:51:58
這位博主堅持認為,在今年的年底,小米僅計劃生產搭載驍龍8 Gen 3或驍龍8 Gen 4處理器的機型。另外,預計這兩款新品都將搭載超大容量的高密度硅負離子電池,屏幕大小、外觀設計以及后置攝像頭的配置保持不變。
2024-03-06 10:18:00131 3 月 5 日消息,美光科技公司計劃率先支持佳能的納米印刷技術,從而進一步降低生產 DRAM 存儲芯片的單層成本。 美光公司近日舉辦了一場演講,介紹在將納米印刷技術應用于 DRAM 生產的一些細節
2024-03-06 08:37:3561 數據中心和企業級應用設計的高級存儲解決方案,其目標是通過智能化技術降低IT運營復雜度,同時最大化存儲資源的效率和價值。該系統通常具備以下核心特征:高性能與優化:通過
2024-03-05 13:53:1780 的布局也就成了大家設計PCB高頻板時候需要探討的關鍵點。接下來深圳PCBA公司為大家介紹下高頻PCB設計布局的注意要點。 高頻PCB設計布局注意要點 ? (1)高頻電路傾向于具有高集成度和高密度PCB設計布線。使用多層板既是PCB設計布線所必需的,也是減少干擾的
2024-03-04 14:01:0271 VicorPoweringInnovation播客介紹了OLogic如何推崇高密度電源模塊來推動當今的機器人革命從玩具到建筑工地工具OLogic加速機器人創意從概念到生產的進程馬薩諸塞州安多
2024-02-28 00:00:00745 特點●超高密度細胞溝設計為低RDS(開)。●堅固而可靠。●表面安裝軟件包。
2024-02-22 14:44:260 電子發燒友網站提供《SOT-23-3 N通道高密度壕溝MOSFET PL2300GD數據手冊》資料免費下載
2024-02-21 14:35:290 DRAM(動態隨機存取存儲器)存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷,而電荷的多寡則代表了一個二進制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 原有的DRAM采用2D結構,即大量元件密集排布在同一平面。然而,為了提升性能,儲存行業正致力于開發高密度的3D DRAM。這項技術包括水平堆積和垂直堆積兩種方式,均能有效地增加存儲空間。
2024-01-29 09:31:17231 閃存技術,通常用于存儲數據,并且具有一些額外的安全特性。這種技術結合了 NAND 閃存的高密度存儲能力和安全性能。它通常用于存儲數據,如圖像、視頻、音頻、文檔等,同時具備保護數據免受未經授權訪問或篡改
2024-01-24 18:30:00
特性。這種技術結合了NAND閃存的高密度存儲能力和安全性能。它通常用于存儲數據,如圖像、視頻、音頻、文檔等,同時具備保護數據免受未經授權訪問或篡改的能力。SDNA
2024-01-24 18:29:55373 長江存儲晶棧Xtacking架構的原理就是在兩片獨立的晶圓上,分別加工外圍電路和存儲單元,然后在芯片封裝階段將兩者合二為一,更高效率的同時也實現了更高的密度、更快的速度。
2024-01-16 11:41:11354 近日,三星宣布正在研發一種新型的LLW DRAM存儲器,這一創新技術具有高帶寬和低功耗的特性,有望引領未來內存技術的發展。
2024-01-12 14:42:03282 【摘要/前言】 “角度”,這個詞每天都出現在我們的生活中,有物理學的角度,如街邊的拐角,還有視覺上的角度和觀點中的角度~ Samtec新型? AcceleRate? mP 高密度電源/信號互連
2024-01-05 11:47:24103 電子發燒友網站提供《PL2302GD N溝道高密度溝槽MOSFET英文資料》資料免費下載
2024-01-05 11:12:440 電子發燒友網站提供《PL2300GD N溝道高密度溝槽MOSFET英文資料》資料免費下載
2024-01-05 11:08:290 隨著上游原廠醞釀提價,多家存儲器模塊業者已經開始備貨,以應對潛在的市場變化。預計供應給OEM廠商的合約價將在二季度起全面反映DRAM的漲價趨勢。
2024-01-03 15:34:13733 DRAM芯片全稱是動態隨機存儲器,是一種隨機存儲器(RAM),與CPU直接交換數據,可隨時讀寫且速度快,斷電后存儲數據丟失,是易失性存儲器,也就是俗稱的“內存”。
2023-12-26 12:25:561003 門。盡管它們都是用于存儲數據的,但在構造、功能、性能和應用方面存在很多區別。 首先,DRAM和NAND的構造方式不同。DRAM是由一個個存儲單元組成的,每個存儲單元由一個電容和一個開關組成。在讀寫數據
2023-12-08 10:32:003905 高密度互連印刷電路板:如何實現高密度互連 HDI
2023-12-05 16:42:39226 54V,有效降低了電源全鏈路損耗,改善了數據中心能效。結合在氣流優化、液冷散熱等方面的技術改進,以及第四代英特爾 至強 可擴展處理器帶來的更高能耗比,我們推出了綠色的高密度算力整機柜方案,打造了可持續的數據中心典范。我們也和英特爾將技術成果標準化,幫助更多企業構建綠色的高密度算力
2023-12-01 20:40:03467 增加3D(三維)NAND閃存密度的方法正在發生變化。這是因為支持傳統高密度技術的基本技術預計將在不久的將來達到其極限。2025 年至 2030 年間,新的基礎技術的引入和轉化很可能會變得更加普遍。
2023-11-30 10:20:26244 2023年11月24日,雷賽智能基于二十余年伺服行業成功經驗,歷經一年多努力,研發成功FM1系列高密度無框電機和微型伺服驅動器,推動人形機器人等產業發展,幫助廣大客戶進行進口替代和升級降本。
2023-11-27 17:28:10872 電子發燒友網站提供《一種高密度、易于設計的通道間隔離模擬輸入模塊完整解決方案.pdf》資料免費下載
2023-11-23 10:34:550 電子發燒友網站提供《突破PLC DCS多通道模擬輸入通道間隔離、高密度和EMI高輻射的設計障礙.pdf》資料免費下載
2023-11-22 10:42:400 內部功能,這種產品也被稱作異步 DRAM 。 DRAM 的存儲單元的長寬比接近 1:1,為陣列(Array)形狀,存儲器的地址線則被分為行(Row)(地)址線和列(Column)(地)址線。行址線用來
2023-11-17 09:26:27378 何謂半導體存儲器? 半導體存儲器是指通過對半導體電路加以電氣控制,使其具備數據存儲保持功能的半導體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比,具有 數據讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點。 關閉電源
2023-11-15 10:20:01731 高密度、高復雜性的多層壓合pcb電路板
2023-11-09 17:15:32870 JSCJ長晶長電科技面向5G射頻功放推出的高密度異構集成SiP解決方案即將在國內大規模量產
2023-11-01 15:20:20254 ROM存儲和RAM存儲在物理結構上有什么區別,如何才能實現只讀存儲和隨機存儲?
2023-10-30 07:09:38
SSD主要由控制單元和存儲單元(當前主要是FLASH閃存顆粒)組成,控制單元包括SSD控制器、主機接口、DRAM等,存儲單元主要是NAND FLASH顆粒。
2023-10-27 10:27:03198 簡儀推出新產品高密度多功能數據采集模塊——PCIe/PXIe-5113/5113s,針對高密度模擬輸入通道需求提供高性價比的解決方案,擴展DAQ數據采集產品的涵蓋范圍。 產品亮點 01 高密度模擬
2023-10-25 14:30:59450 三星電子在此次會議上表示:“從2023年5月開始批量生產了12納米級dram,目前正在開發的11納米級dram將提供業界最高密度。”另外,三星正在準備10納米dram的新的3d構架,并計劃為一個芯片提供100gb (gigabit)以上的容量。
2023-10-23 09:54:24485 如何開發與存儲位置無關的STM32應用?
2023-10-18 16:46:38285 Zynq中存儲程序的地方有QSPI Flash,SD卡,EMMC。
2023-10-17 17:00:38635 怎么把單片機存儲單元清0或置1?
2023-10-16 07:59:42
、SPI、USART、I2C、USB、,可以…)。IAP已為希望更新其應用程序軟件的用戶實現通過在程序執行期間對閃存程序存儲器進行重新編程來對其自身進行編程。主要IAP的優點是能夠重新編程閃存和數
2023-10-10 07:42:44
MCU中整數是用什么方式來存儲的
2023-10-10 07:33:50
對于嵌入式開發者來講,對產品設計小型化的追求似乎是永無止境的。這種追求帶來了兩個直接的挑戰:一是如何在有限的空間內“堆料”,滿足不斷增加的功能性要求;二是如何實現高密度、高可靠的互連,以滿足系統連接
2023-10-04 08:10:012595 怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
隨著信息技術的飛速發展,數據存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器,NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優勢,在各個領域得到了廣泛應用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結構特點、性能指標及應用領域進行詳細解析,以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 使用的熟練情況,直接關系到系統設計的優劣。本文試著用比較通俗系統的圖片和文字來解說,DRAM中一個基本電路單元的工作原理。
2023-09-25 11:38:421902 SSD主要由控制單元和存儲單元(當前主要是FLASH閃存顆粒)組成,控制單元包括SSD控制器、主機接口、DRAM等,存儲單元主要是NAND FLASH顆粒。
2023-09-25 09:45:51161 電子發燒友網站提供《如何配置存儲器保護單元(MPU).pdf》資料免費下載
2023-09-25 09:33:450 開發完成的高密度成品制造解決方案進入產能擴充階段,預計2024年起相關產品營收規模翻番,將有利促進第三代半導體器件在全球應用市場的快速上量。 碳化硅,氮化鎵產品相對于傳統的硅基功率器件具有更高的開關速度,支持高電流密度,耐受
2023-09-19 10:20:38379 高密度服務器播放 rtsp 流出現斷連情況驗證
2023-09-18 07:14:50
在下面的圖中顯示了堆疊式DRAM存儲節點相關部分的結構圖。下圖(a)顯示了堆疊式DRAM存儲節點接觸(SNC)結構。
2023-09-08 10:02:25592 根據專利要點,提供本申請的一種存儲器是檢測方法及存儲半導體相關技術領域中存儲單位與上線之間漏電測定的復雜技術問題,該存儲器的檢測方法如下:選通字線,通過位線在所有存儲單元中寫設定存儲。
2023-09-07 14:27:24523 富士膠片株式會社和 IBM宣布共同開發了原始記錄容量達50TB的磁帶存儲系統,為目前全球最高磁帶容量(*1)。富士膠片已開始生產高密度磁帶,用于IBM企業級磁帶驅動器 TS1170。第六代 IBM 3592 JF磁帶采用了新開發的精細混合磁性顆粒技術,可實現更高的數據存儲容量。
2023-09-05 16:47:16336 虹科電源測試系統ATE升級實現更高的測試密度和更低的測試成本01高密度精度測量單元HK-HDPMU在單板上提供多達192個額外的獨立參數測量單元(PMU)通道。虹科解決方案將增加并行測試,而無需創建
2023-09-04 16:22:23317 電子發燒友網站提供《高密度布線設計指南.pdf》資料免費下載
2023-09-01 15:21:431 數據中心機房高密度布線是我們現在經常關注的問題,這是因為高密度光纖配線箱的使用,很多人對于這一點有很多疑問,其實我們從數據中心機房網絡布線系統的結構就可以看出,當前最重要的有四種,分別是集中化直連
2023-08-29 10:13:49235 電子發燒友網站提供《通過博科FC16-64端口刀片簡化高密度電纜部署.pdf》資料免費下載
2023-08-28 14:36:280 /秒)到1600 MB/秒。
更快的網絡技術的好處很容易理解。數據傳輸更快。鏈接較少為了完成相同的任務,需要管理的設備更少,消耗的功率更少。
采用第五代光纖通道。一些服務器和存儲技術的進步推動了對更大的SAN帶寬,包括應用程序和存儲容量的增長,高密度服務器
2023-08-25 17:19:060 DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲器的存儲元是電容器和晶體管的組合。每個存儲單元由一個電容器和一個晶體管組成。電容器存儲位是用于存儲數據的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021022 器技術,每種技術都具有不同的特性和高級功能。雙數據速率 (DDR) 同步動態隨機存取存儲器 (SDRAM) 已成為主系統存儲器最主流的存儲器技術,因為它使用電容器作為存儲元件來實現高密度和簡單架構、低延遲和高性能、無限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20414 MPO光纖配線架應用于大型數據中心機房MDF,近幾年來,MPO高密度光纖配線架在機房布線中應用廣泛,得到項目的青睞使用,這就有很多人有一個疑問,到底是什么樣的有點讓此類配線架火起來的,下面就跟著
2023-08-09 09:58:56285 快充需求推動了高密度適配器的蓬勃發展。在實際的適配器設計中,花樣繁多的新型開關功率器件、拓撲和控制方案不計其數。
2023-08-02 11:31:42226 電子發燒友網站提供《用于高密度和高效率電源設計的意法半導體WBG解決方案.pdf》資料免費下載
2023-08-01 16:54:170 ,狀態仍然會保留,即斷電不丟失。
NAND Flash
存儲單元串聯排列的結構稱為 NAND Flash,NAND Flash的一個特點是可以高密度排列存儲單元。
NAND Flash 相比較于
2023-07-28 16:23:18
DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲器是一種易失性存儲器,意味著當斷電時,存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使用電容來存儲數據,電容需要持續地充電來保持數據的有效性。一旦斷電,電容會迅速失去電荷,導致存儲的數據丟失。
2023-07-28 15:02:032204 PCB的布局也就成了大家設計PCB高頻板時候需要探討的關鍵點。接下來深圳PCBA公司為大家介紹下高頻PCB設計布局的注意要點。 高頻PCB設計布局注意要點 (1)高頻電路傾向于具有高集成度和高密度PCB設計布線。使用多層板既是PCB設計布線所必需的,也是減少
2023-07-19 09:26:08518 聯訊儀器PXIe源測量單元(SMU)集成高精度源和測量單元,可利用PXIe源測量單元構建高密度并行測試系統,以滿足大規模半導體集成電路的高通道密度,并增加配置的靈活性,最大化測試效率,降低測試成本。
2023-07-18 00:00:00385 當工業4.0浪潮席卷而來,智能傳感器在工廠環境中日益普及。廣泛使用的傳感器正帶來一個重要變化,即要在舊款控制器內處理大量IO,包括數字IO或模擬IO。由此,構建可控尺寸和熱量的高密度IO模塊成為關鍵。本文中ADI將重點介紹數字IO。
2023-07-13 16:56:041119 存儲主控芯片是一種集成電路芯片,用于控制和管理存儲設備。它負責管理多個存儲單元(如內存、固態硬盤、閃存卡等)之間的數據傳輸和存取操作。存儲主控芯片通常包括處理器、內存控制器、接口控制器等功能模塊,以實現高效、可靠的數據傳輸和存儲管理。
2023-07-10 15:50:172807 petaexpress云存儲服務是一種海量、安全、低成本、高可靠的云存儲服務,是一種通過互聯網在遠程服務器上保存數據、訪問和管理數據存儲服務。 云存儲服務的優勢 1、總體成本:使用云存儲,不需要購買
2023-07-07 16:48:24398 Weiking 灌封型寬范圍輸入電壓DC-DC? WK4128**D-08G系列 ? 產品概述 ? WK4128**D-08G系列DC-DC電源模塊內部采用高密度組裝工藝方法,并配合使用具有優異性
2023-07-03 11:08:55310 摘要:提出了一種只讀高密度光盤的DPD信號檢測方法,闡述了DPD信號檢測中均衡電路和相位檢測器的原理和設計方法,并基于CPLD器件實現了光盤高頻讀出信號的相位差檢測。實驗結果表明,本文提出的方法可以準確檢測光盤的DPD信號。
2023-06-29 17:07:390 存儲芯片行業目前正面臨長時間虧損衰退的情況,DRAM價格已經跌至不可再降的水平,但巨頭廠商似乎計劃推動價格上漲。
2023-06-29 14:57:32617 據悉,dram的批發價格是存儲器事業者和顧客公司之間每個月或每個季度決定的。業界人士表示:“目前價格還處于季節的最后階段,因此個別制造企業面臨的狀況有所不同。”并稱:“如果下級企業的庫存水位上升,是否會受到價格調整,還需要進一步觀察。”
2023-06-29 11:00:47393 說明 使用“掃描 RLO 的信號上升沿”指令,可查詢邏輯運算結果 (RLO) 的信號狀態從“0”到“1”的更改。該指令將比較 RLO 的當前信號狀態與保存在邊沿存儲位( )中上一次查詢的信號狀態
2023-06-28 16:20:11355 光纖連接器的高密度布局和設計方法是在有限的空間內實現更多連接器數量的一種策略,以提高光纖網絡系統的容量和效率。
2023-06-26 15:20:001129 路由器、智能穿戴設備等各類終端產品。隨著5G的導入,模塊要有更高的功率,工作頻率、更大的帶寬和更小的模組尺寸。 長電科技面向5G射頻功放打造的高密度異構集成SiP解決方案,具備高密度集成、高良品率等顯著優勢。該方案通過工藝流程優化、
2023-06-19 16:45:00355 GaN高密度300W交直流變換器
2023-06-19 06:03:23
Holt集成電路公司的HI-3220是一個單體系列芯片CMOS高密度應用數據管理IC能夠管理、存儲和轉發航空電子數據16個ARINC 429接收信道之間的消息,以及八個ARINC 429發射信道
2023-06-15 15:14:352 Holt集成電路公司的HI-3220是一系列單片CMOS高密度應用數據管理IC,能夠在16個ARINC 429接收通道和8個ARINC 429-發送通道之間管理、存儲和轉發航空電子數據消息,使這些
2023-06-15 11:20:44
隨機存儲器可以隨時從任何一個指定地址中讀出數據,也可以隨時將數據寫入任何一個指定的存儲單元中
2023-06-05 15:49:47785 選通管(Selector)。為了抑制交叉存儲陣列的漏電流問題,往往引入選通管與存儲單元集成設計。相比于非易失性器件,易失性憶阻器作為選通管時,不需要額外的復位操作,簡化了外圍電路的設計,有助于存儲芯片的高密度集成;
2023-06-02 14:43:371592 高密度互連 (HDI) 需求主要來自于芯片供應商。最初的球柵陣列封裝 (BGA) 支持常規過孔。
2023-06-01 16:43:58523 作為一種非易失性存儲器,鐵電存儲器兼具動態隨機存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優點,雖然容量和密度限制了其大規模應用,但在要求高安全性與高可靠性等工業應用場合,鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 被相關人閱讀。新手對電腦的設計空間。雖然內存技術在密度和性能方面有所提高,
而新的存儲設備技術為設計方案、原理和方法提供了改進的特性-在這個驚人的完整的論文中提出的氣味學將仍然有幾十年的有用。我只希望有一本書在三十多
2023-05-26 15:42:590 以更低的成本獲得更高的存儲性能可能會在存儲設備的設計中造成瓶頸。為了實現更高的性能,設備必須使用片上DRAM,這增加了總體成本。這就是統一內存擴展(UME),JEDEC規范的出現。它被定義為 JEDEC UFS(通用閃存)規范的擴展。JEDEC UFS設備使用NAND閃存技術進行數據存儲。
2023-05-26 14:22:28673 磁表面存儲器——磁表面存儲器,它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來記錄信息的,載體和表面磁性材料統稱為記錄介質。
存儲密度——磁表面存儲器單位長度或單位面積磁層表面所能存儲的二進制信息量
2023-05-26 11:27:061409 在這個技術革命的時代,人工智能應用程序、高端服務器和圖形等領域都在不斷發展。這些應用需要快速處理和高密度來存儲數據,其中高帶寬內存 (HBM) 提供了最可行的內存技術解決方案。
2023-05-25 16:39:333396 ,降低了成本。
flash 分為 nor flash 和 nand flash:
nor flash 數據線和地址線分開,可以實現ram一樣的隨機尋址功能,可以讀取任何一個字節。但是擦除仍要按塊來擦
2023-05-19 15:59:37
電子發燒友網報道(文/周凱揚)在存儲行業有些萎靡不振的當下,大部分廠商都在絞盡腦汁地去庫存,也有的廠商考慮從新的技術方向給存儲行業注入生機,比如最近發布了3D X-DRAM技術的NEO
2023-05-08 07:09:001982 內存芯片中每個單元都有以字節線和比特線組合的獨立地址。以2016年主流4GB單面8芯片內存條為例,每粒內存芯片有4G個獨立地址。
2023-04-25 10:05:085448 被廣泛應用于在布線過程里需要高密度集成光纖線路環境中。 ? 解決高密度高速傳輸需求的MPO ? MPO,全名Multi-fiber Push ON,是用來做設備到光纖布線鏈路的跳接線。MPO光纖跳線由MPO連接器和光纜組成。MPO連接器是一種使用精密模具成型在機械
2023-04-18 01:16:005585 。根據閃存的類型,閃存的使用壽命會縮短,大多數閃存產品在磨損開始惡化存儲完整性之前,能夠承受大約10000至1000000次擦除/寫入循環。就大小和成本而言,閃存具有比EEPROM更小的存儲單元尺寸,并且實現成本更低。原作者:宇芯電子
2023-04-07 16:42:42
的可擦寫次數多,并且性能有所提高。如果這兩種存儲器的成本一樣,肯定會選擇MRAM。當采用65nm工藝的自旋注入MRAM量產時,將有可能實現對車載MCU中嵌入式存儲器的取代。原作者:宇芯電子
2023-04-07 16:41:05
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