嵌入式鐵電存儲(chǔ)器可實(shí)現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計(jì)。將鐵電存儲(chǔ)器添加到微控制器中可以進(jìn)行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與處理，是存儲(chǔ)系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計(jì)量?jī)x表到
2024-03-06 09:57:22
如下圖所示，GD32F4系列內(nèi)部SRAM分為通用SRAM空間和TCMSRAM空間，其中通用SRAM為從0x20000000開(kāi)始的空間，TCMSRAM為從0x10000000開(kāi)始的64KB空間。大家
2024-02-24 09:43:16
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賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元（訪問(wèn)時(shí)間高達(dá)20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合，可提供快速的異步讀寫(xiě)訪問(wèn)速度，并在其整個(gè)工作范圍內(nèi)具有20年的數(shù)據(jù)保留。
2024-02-19 10:52:40191 
我正在與 SafetPack 為 TC38x 調(diào)試的無(wú)損測(cè)試 (MBIST) 合作。 但我找不到 Geth Tx/Rx RAM 和 gtm_mcsxslow/Fast-DPLL RAM 的正確的 SRAM 初始化過(guò)程。
你能否給我一些關(guān)于上面提到的 RAMS 的初始化過(guò)程的提示。
2024-02-01 07:09:22
賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元（訪問(wèn)時(shí)間高達(dá)20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合，可提供快速的異步讀寫(xiě)訪問(wèn)速度，并在其整個(gè)工作范圍內(nèi)具有20年的數(shù)據(jù)保留。
2024-01-09 10:54:28171 
問(wèn)一下大家.
如何放大10nV 直流信號(hào). (內(nèi)阻是60K) .用普通運(yùn)放是放大不了的.太多噪聲.
2024-01-02 06:36:47
RAM來(lái)維持它的運(yùn)行和使用，只有在保存相關(guān)文件時(shí)才會(huì)轉(zhuǎn)存到 microSD 卡。
正是這種搭配才使得核桃派有了易失性和非易失性的記憶，RAM 是掉電不保存，而 microSD 卡則是掉電保存。
核桃派
2024-01-01 21:58:36
SRAM (Static Random Access Memory)是一種高速、隨機(jī)訪問(wèn)的存儲(chǔ)器，它以其快速的讀寫(xiě)操作和不需要刷新的特點(diǎn)而受到廣泛使用。本文將詳細(xì)介紹SRAM的讀寫(xiě)電路設(shè)計(jì)
2023-12-18 11:22:39496 的設(shè)計(jì)縮小更多尺寸。然而，當(dāng)我們轉(zhuǎn)向更小尺寸的節(jié)點(diǎn)時(shí)，保持這種區(qū)別變得越來(lái)越具有挑戰(zhàn)性。現(xiàn)在，SRAM 正在遵循越來(lái)越多的邏輯設(shè)計(jì)規(guī)則，并且與基于邏輯晶體管的設(shè)計(jì)相比，進(jìn)一步縮小存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)并不明顯。
2023-12-15 09:43:42175 SRAM是采用CMOS工藝的內(nèi)存。自CMOS發(fā)展早期以來(lái)，SRAM一直是開(kāi)發(fā)和轉(zhuǎn)移到任何新式CMOS工藝制造的技術(shù)驅(qū)動(dòng)力。
2023-12-06 11:15:31635 該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
SRAM 的數(shù)量是任何人工智能處理解決方案的關(guān)鍵要素，它的數(shù)量在很大程度上取決于您是在談?wù)摂?shù)據(jù)中心還是設(shè)備，或者是訓(xùn)練還是推理。但我想不出有哪些應(yīng)用程序在處理元件旁邊沒(méi)有至少大量的 SRAM，用于運(yùn)行人工智能訓(xùn)練或推理。
2023-11-12 10:05:05452 nv32f100為什么能模擬usb通訊，比如hid鍵盤(pán)之類(lèi)的，而其他單片機(jī)必須要有usb外設(shè)才能用
2023-11-03 08:21:47
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開(kāi)啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開(kāi)啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
STM32怎么實(shí)現(xiàn)一個(gè)非阻塞性的串口屏收發(fā)
2023-10-24 08:15:33
AT32 部分型號(hào)有零等待閃存和非零等待閃存，程序在零等待閃存執(zhí)行速度比在非零等待閃存執(zhí)行速度快，如果有函數(shù)對(duì)執(zhí)行速度有要求，可以將該函數(shù)加載到零等待區(qū)執(zhí)行。當(dāng)零等待閃存使用完后，如果還有函數(shù)對(duì)執(zhí)行速度有要求，可以將該函數(shù)加載到 SRAM 執(zhí)行，前提是SRAM 還有足夠的空間存放該函數(shù)代碼。
2023-10-20 06:10:59
如何捕捉并重現(xiàn)稍縱即失的瞬時(shí)信號(hào)？
2023-10-18 06:26:54
ArkTS語(yǔ)言的虛擬機(jī)）實(shí)例，應(yīng)用組件之間可以方便的共享對(duì)象和狀態(tài)，同時(shí)減少?gòu)?fù)雜應(yīng)用運(yùn)行對(duì)內(nèi)存的占用。
采用面向?qū)ο蟮拈_(kāi)發(fā)方式，使得復(fù)雜應(yīng)用代碼可讀性高、易維護(hù)性好、可擴(kuò)展性強(qiáng)。
原生支持應(yīng)用組件級(jí)的跨端
2023-09-26 16:48:41
使用MM32F3270 FSMC驅(qū)動(dòng)SRAM
2023-09-18 16:29:50918 
M0 core上運(yùn)行。非易失性閃存允許進(jìn)行場(chǎng)上堆棧升級(jí)。? 低功耗特性:? BlueNRG可以使應(yīng)用程序滿足適度緊密的峰值電流需求。在輸出功率為1dBm時(shí)，最大峰值電流只有10mA。極低功率的休眠
2023-09-08 06:02:47
飛思卡爾的Kinetis設(shè)備提供FlexMemory技術(shù)，該技術(shù)為靈活的內(nèi)存使用提供了多功能和強(qiáng)大的解決方案。
FlexMemory由FlexNVM和FlexRAM組成。
FlexNVM是一種非易失
2023-09-04 06:29:35
讓一顆SRAM型FPGA在太空長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行的難度，就類(lèi)似練成獨(dú)孤九劍的難度。
2023-08-15 10:36:081898 
SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對(duì)SRAM型FPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會(huì)遇到的問(wèn)題及其影響。
2023-08-11 10:32:461086 
SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對(duì)SRAM型FPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會(huì)遇到的問(wèn)題及其影響。
2023-08-11 10:30:451264 
動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)運(yùn)行時(shí)數(shù)據(jù)在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的推理過(guò)程中。
?AXI接口M1用于允許更低帶寬和更高帶寬的內(nèi)存事務(wù)
延遲因此，AXI M1接口可以連接到較慢或較少突發(fā)的存儲(chǔ)器例如閃存或DRAM。內(nèi)存用于運(yùn)行時(shí)的非易失性
2023-08-02 06:37:01
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過(guò)如圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對(duì)DS1747內(nèi)部的所有寄存器進(jìn)行訪問(wèn)。RTC
2023-07-24 09:41:00
具有隱含時(shí)鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-24 09:32:13
具有隱含時(shí)鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-24 09:29:49
本次操作的SRAM的型號(hào)是IS62WV51216，是高速，8M位靜態(tài)SRAM。它采用ISSI（Intergrated Silicon Solution, Inc）公司的高性能CMOS技術(shù)，按照512K個(gè)字（16）位進(jìn)行組織存儲(chǔ)單元。
2023-07-22 14:58:561092 
具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 16:58:16
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有RTC報(bào)警、看門(mén)狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)非易失(NV) SRAM以及一個(gè)32.768kHz的頻率
2023-07-21 16:48:54
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有RTC報(bào)警、看門(mén)狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)非易失(NV) SRAM以及一個(gè)32.768kHz的頻率
2023-07-21 16:44:47
DS9034PC PowerCap是一款為非易失(NV) SRAM提供的鋰電池電源帽，基于Dallas Semiconductor直接表面貼裝PowerCap模塊封裝。PowerCap模塊焊接、清理
2023-07-21 15:42:57
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態(tài)的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:37:16
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-21 15:29:48
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM為16,384位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2048字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC
2023-07-21 15:28:06
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:20:44
DS1270 16M非易失SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:18:27
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:13:33
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標(biāo)準(zhǔn)（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器。它還會(huì)持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時(shí)提供RAM寫(xiě)保護(hù)
2023-07-21 15:01:52
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
兼容12個(gè)內(nèi)核時(shí)鐘周期。片內(nèi)集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存儲(chǔ)器。片內(nèi)同時(shí)集成4 kB非易失性Flash/EE數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)RAM和2 kB擴(kuò)
2023-07-14 17:15:06
DeepCover?嵌入式安全方案采用多重先進(jìn)的物理安全機(jī)制保護(hù)敏感數(shù)據(jù)，提供最高等級(jí)的密鑰存儲(chǔ)安全保護(hù)。DeepCover安全管理器(DS3605)集成非易失(NV) SRAM控制器、實(shí)時(shí)
2023-07-14 15:15:30
NV021 Final 數(shù)據(jù)表
2023-07-10 21:00:31
0 IP_數(shù)據(jù)表(M-1):SRAM and TCAM
2023-07-06 20:12:090 NV4V31SF 數(shù)據(jù)表
2023-07-04 20:27:470 NV4V41SF 數(shù)據(jù)表
2023-07-04 20:27:360 NV4V31MF 數(shù)據(jù)表
2023-07-04 20:27:190 DS4510是CPU監(jiān)控電路，具有內(nèi)部集成的64字節(jié)EEPROM存儲(chǔ)器和四個(gè)可編程的非易失性(NV) I/O引腳。它配備了工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)I2C接口，使用 快速模式(400kbps)或
2023-07-04 16:58:41
DS4550是9位，非易失(NV) I/O擴(kuò)展器，具有I2C兼容串行接口或IEEE? 1149.1 JTAG端口控制的64字節(jié)NV用戶存儲(chǔ)器。DS4550采用數(shù)字編程替代硬件跳線和機(jī)械開(kāi)關(guān)，實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)
2023-07-04 16:43:20
檢測(cè)模式，可以根據(jù)不同的需求進(jìn)行定制。
總之，分離式液位傳感器是一種高精度、高可靠性、適用范圍廣、安裝方便、可編程性強(qiáng)的液位檢測(cè)設(shè)備。相比于傳統(tǒng)的浮球傳感器，它具有更多的優(yōu)勢(shì)，可以更好地滿足不同行業(yè)的液位檢測(cè)需求。
2023-06-20 14:02:25
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來(lái)測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問(wèn)題：非易失性內(nèi)存有寫(xiě)入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫(xiě)入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫(xiě)入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫(xiě)入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
NV170D-SOP8語(yǔ)音芯片有一組PWM輸出口，可以直推0.5w喇叭，音質(zhì)清晰，內(nèi)置LVR復(fù)位，無(wú)需外加復(fù)位電路。
2023-05-22 14:33:55176 
一種便攜式存儲(chǔ)設(shè)備，當(dāng)插入計(jì)算機(jī)時(shí)，被解析為內(nèi)置硬盤(pán)設(shè)備。這也是一種非易失性閃存。與MMC和SD卡一樣，USB閃存驅(qū)動(dòng)器是一種更受歡迎的可移動(dòng)存儲(chǔ)形式。
5、RAM
RAM是一個(gè)易失性內(nèi)存選項(xiàng)。一旦設(shè)備
2023-05-18 14:13:37
SRAM（Static RAM）不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)？其中的“刷新電路”什么意思？謝謝~
2023-05-10 14:56:06
targets”列出了 crypt。我可以成功地按照 i.MX Linux 用戶指南中的說(shuō)明使用 CAAM 可信純密鑰加密/解密非易失性存儲(chǔ)上的數(shù)據(jù)，但 bsp 不包括使用 CAAM 標(biāo)記密鑰加密所需
2023-05-09 08:45:33
我們正在使用 iMXRT1176。我們的要求是使用片上SRAM和QSPI flash。
我們?cè)?SDK 中使用 sd_jpeg 示例并且它運(yùn)行完美。
給出了兩個(gè) icf 文件：
1) 內(nèi)存
2023-05-05 06:38:08
如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶手冊(cè)
2023-04-27 20:25:406 我正在使用 S32k358 uC，我想禁用內(nèi)存區(qū)域的數(shù)據(jù)緩存。在框圖中，我看到樹(shù)形 SRAM 塊 SRAM0、SRAM1、SRAM2。是否可以禁用 SRAM2 的數(shù)據(jù)緩存并保留 SRAM 0 和 SRAM1 的數(shù)據(jù)緩存？
2023-04-23 08:01:09
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲(chǔ)在安全非易失性存儲(chǔ) (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
NV040C語(yǔ)音芯片，可部分替代MCU的功能，通過(guò)通訊口調(diào)用NV040C語(yǔ)音芯片集成的標(biāo)準(zhǔn)功能模塊，實(shí)現(xiàn)更多的擴(kuò)展功能應(yīng)用，在MCU開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)上可節(jié)省1元以上的成本，同時(shí)省去產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程中各類(lèi)需求功能代碼的開(kāi)發(fā)和調(diào)試時(shí)間。
2023-04-10 12:45:27273 我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗(yàn)證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項(xiàng)目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會(huì)丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫(xiě)時(shí)間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
據(jù)保留?無(wú)限的讀/寫(xiě)耐力?無(wú)磨損?有競(jìng)爭(zhēng)力的定價(jià)?穩(wěn)定的制造業(yè)供應(yīng)鏈?小尺寸BGA封裝圖1 引腳普通針MR3A16ACMA35是一個(gè)8Mb非易失性RAM，組織為512kx16，采用3.3V標(biāo)稱(chēng)電源供電
2023-04-07 16:26:28
可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲(chǔ)器容量。快速的寫(xiě)入速度和無(wú)限的耐用性使該存儲(chǔ)器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11
ELP-04NV
2023-04-06 23:35:38
SRAM可以分為低速、中速、高速。===========================================================16位寬的SRAM//16BITSRAM指針
2023-04-06 15:13:03554 
景和功能上都有所不同，語(yǔ)音時(shí)長(zhǎng)也不同。 目前市面上需求量最多的是40秒和80秒的語(yǔ)音芯片，那么80秒的語(yǔ)音芯片有哪些呢？ 一、NV語(yǔ)音芯片系列：NV080C、NV080D、NVG080W、NV080B等； 九芯電子的語(yǔ)音芯片主要是品牌代表N+語(yǔ)音系列V+語(yǔ)音時(shí)長(zhǎng)（如080）+芯片系
2023-03-30 14:47:16446 
今天就帶你詳細(xì)了解一下到底什么是SRAM，在了解SRAM之前，有必要先說(shuō)明一下RAM：RAM主要的作用就是存儲(chǔ)代碼和數(shù)據(jù)供CPU在需要的時(shí)候調(diào)用。
2023-03-30 14:11:51587 
BOARD EVAL NV890101MWTX
2023-03-30 11:56:04
BOARD EVAL FOR NV890100
2023-03-30 11:54:40
BOARD EVAL NV890201MWTX
2023-03-30 11:54:30
BOARD EVAL FOR NV706271
2023-03-29 22:54:26
B02P-NV(LF)(SN)
2023-03-29 21:59:06
B04P-NV(LF)(SN)
2023-03-29 21:52:39
B03P-NV(LF)(SN)
2023-03-29 21:50:16
ATTACHMNT NP3 PANEL CUTOUT NV3
2023-03-29 19:55:45
GASKET WATERPROOF FOR NV3Q 10/PK
2023-03-29 19:55:44
WATERPROOF PACKINGS FOR NV3W
2023-03-29 19:55:44
Battery NV Series
2023-03-29 19:55:43
PROTECTIVE SHEETS FOR NV3Q
2023-03-29 19:55:43
PROTECTIVE SHEETS FOR NV3W
2023-03-29 19:55:43
親愛(ài)的社區(qū)，我有幾個(gè)關(guān)于 SRAM ECC 的問(wèn)題。1) SRAM 上的ECC 是否默認(rèn)啟用？哪些代碼使 SRAM 上的 ECC 啟用？2) 我試圖從 M7 內(nèi)核啟動(dòng) A53 內(nèi)核，所以我必須
2023-03-27 09:15:16
NV021 Final 數(shù)據(jù)表
2023-03-24 19:10:280 我目前正在嘗試防止臨時(shí)對(duì)稱(chēng)密鑰在重新啟動(dòng)后保留在內(nèi)存中。我的巧妙計(jì)劃是使用 i.MX RT1064 處理器寄存器（保證在重啟時(shí)歸零）對(duì)它們進(jìn)行異或，我在重啟時(shí)將其設(shè)置為隨機(jī)數(shù)。（這與非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
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