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電子發燒友網>今日頭條>關于IGBT的封裝失效機理的詳細講解

關于IGBT的封裝失效機理的詳細講解

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2023-06-21 09:17:03929

集成電路封裝失效分析方法

集成電路封裝失效分析就是判斷集成電路失效封裝相關的失效現象、形式(失效模式),查找封裝失效原因,確定失效的物理化學過程(失效機理),為集成電路封裝糾正設計、工藝改進等預防類似封裝失效的再發生,提升
2023-06-21 08:53:40572

IGBT功率模塊的封裝工藝介紹

IGBT 功率模塊基本的封裝工藝詳細講解,可以作為工藝工程師的一個參考和指導。 絲網印刷目的: 將錫膏按設定圖形印刷于DBC銅板表面,為自動貼片做好前期準備 設備: BS1300半自動對位SMT錫漿絲印機
2023-06-19 17:06:410

一文講透IGBT 模塊失效機理

驅動電路的工作頻率(最小脈寬)相對 IGBT 開關頻率(占空比范圍)不足,或輔助電源平均輸出功率不足,導致的輸出不穩定。這個問題導致的后果是,驅動狀態發生波動,系統最壞情況出現概率增加。
2023-06-16 10:34:23734

IGBT是什么

IGBT
YS YYDS發布于 2023-06-06 22:23:14

IGBT模塊是如何失效的?

IGBT模塊主要由若干混聯的IGBT芯片構成,個芯片之間通過鋁導線實現電氣連接。標準的IGBT封裝中,單個IGBT還會并有續流二極管,接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠,用塑料殼封裝
2023-06-02 09:09:29583

IGBT模塊是如何失效的?

IGBT模塊主要由若干混聯的IGBT芯片構成,個芯片之間通過鋁導線實現電氣連接。標準的IGBT封裝中,單個IGBT還會并有續流二極管,接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠,用塑料殼封裝,IGBT單元堆疊結構如圖1-1所示。
2023-05-30 08:59:52555

IGBT模塊的封裝形式及失效形式

單元,IGBT模塊得到越來越廣泛的應用。IGBT器件封裝形式主要有焊接式和壓接式兩種,其中焊接式發展成熟,應用廣泛。IGBT模塊的封裝結構比較復雜,是由多種材料組合
2023-05-18 10:11:522948

IGBT模塊主要失效形式

隨著IGBT的耗散功率和開關頻率不斷增大,以及工作環境嚴苛,使得IGBT模塊產生大量的熱量,由于模塊內的熱量無法及時得到釋放,從而引起模塊內部溫度升高。
2023-05-16 11:30:25512

TVS二極管失效機理失效分析

常用電路保護器件的主要失效模式為短路,瞬變電壓抑制器(TVS)亦不例外。TVS一旦發生短路失效,釋放出的高能量常常會將保護的電子設備損壞.這是TVS生產廠家和使用方都想極力減少或避免的情況
2023-05-12 17:25:483678

是否有任何關于LS1043A及時失效的信息?

我正在搜索有關 LS1043A 的信息。 是否有任何關于 LS1043A 及時失效的信息? 或者我應該為 FIT 計算?我正在嘗試計算它,但沒有足夠的信息。 #ls1043a #ls1023a #ls1046a
2023-05-06 08:49:13

同步輻射CT技術揭示正負極串擾失效機理:不均勻的離子通量

目前已有大量工作研究全固態鋰金屬電池ASSLMB的衰退機理
2023-05-04 17:41:40761

導致半導體制冷片失效的四個主要原因

通過實際經驗及測試發現,導致制冷片失效的原因主要有以下4個方面:1、熱應力:失效機理:半導體致冷器工作時一面吸熱、一面放熱,兩面工作在不同的溫度上。因為半導體材料和其他部件(導銅和瓷片)的熱膨脹
2023-04-28 17:54:362785

新能源汽車IGBT模塊結構講解

IGBT
YS YYDS發布于 2023-04-26 21:28:55

壓接型與焊接式IGBT失效模式與失效機理

失效率是可靠性最重要的評價標準,所以研究IGBT失效模式和機理對提高IGBT的可靠性有指導作用。
2023-04-20 10:27:041117

半導體集成電路失效分析原理及常見失效分析方法介紹!

失效分析(FA)是一門發展中的新興學科,近年開始從軍工向普通企業普及。它一般根據失效模式和現象,通過分析和驗證,模擬重現失效的現象,找出失效的原因,挖掘出失效機理的活動。在提高產品質量,技術開發
2023-04-18 09:11:211360

?壓接型IGBT器件的封裝結構及特性

絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,具有高輸入阻抗和低導通壓降的優點。
2023-04-15 14:23:581287

【資料】ACL/VPN/OSPF/VRRP/交換機/路由器等工作原理詳細講解

本帖最后由 小七小七 于 2023-4-10 08:52 編輯 因上傳限制,分成2個文件包,有需要的可以自行下載?。?!之前備考的時候學習整理的資料,供各位備考學習:1、ACL工作原理詳細講解2
2023-04-07 11:59:58

淺談IGBT的閂鎖效應

閂鎖(Lanch-up)效應,一般我們也可以稱之為擎住效應,是由于IGBT超安全工作區域而導致的電流不可控現象,當然,閂鎖效應更多的是決定于IGBT芯片本身的構造。實際工作中我們可能很少聽到一種失效率,閂鎖失效,今天我們就來聊一聊什么是閂鎖效應。
2023-04-06 17:32:551088

瞬態熱阻抗準確計算IGBT模塊結殼熱阻的方法

隨著半導體技術的迅速發展以及絕緣柵雙極型晶體管(insulatedgatebipolartranslator,IGBT)模塊的普遍應用,電力電子可靠性要求不斷提高,而過熱失效這一主要失效原因亦成為
2023-04-04 10:14:09965

IGBT是功率逆變器的重點保護對象

,無法修復。IGBT損壞意味著逆變器必須更換或大修。因此,IGBT是功率逆變器的重點保護對象。逆變器核心部件IGBT介紹以上就是IGBT失效的三種模式。電氣故障最為常
2023-03-30 10:29:45992

鋰離子電池負極衰減機理研究進展

碳材料,尤其石墨材料,是鋰離子電池中應用最廣泛的負極材料。 雖然其他負極材料,如合金類材料、硬碳材料等,也在被廣泛研究,但研究重點主要集中于活性材料的形貌控制和性能改進,關于其容量衰減的機理分析較少
2023-03-27 10:40:52538

全面的IGBT封裝設計解決方案

國內龐大的市場基礎、 潛在的電力電子裝備關鍵器件完全依靠進口的風險和國家產業升級共同推動了本土IGBT芯片設計、模塊封裝的技術進步和創新。
2023-03-27 09:34:091296

整理了關于國內IGBT的情況

簡單認識IGBT,并了解目前國內IGBT的情況
2023-03-26 00:05:201999

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