手冊說L9369的PROM不是非易失存儲，那么如果芯片掉電（VBP），PROM中的數據是否會全部丟失？
EPB應用是否要求VBP掛KL30上
2024-03-21 07:19:54
嵌入式鐵電存儲器可實現超低功耗微控制器的設計。將鐵電存儲器添加到微控制器中可以進行快速可靠的非易失性數據存儲與處理，是存儲系統狀態、數據記錄及在多種應用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計量儀表到
2024-03-06 09:57:22
3 月 5 日消息，美光科技公司計劃率先支持佳能的納米印刷技術，從而進一步降低生產 DRAM 存儲芯片的單層成本。 美光公司近日舉辦了一場演講，介紹在將納米印刷技術應用于 DRAM 生產的一些細節
2024-03-06 08:37:35
61 近期的演示會上，美光詳細闡述了其針對納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出，DRAM工藝的每一個節點以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得愈發復雜。
2024-03-05 16:18:24190 三星作為行業領軍者，在本季度DRAM營收達到79.5億美元，環比增長近50％，主要受益于1αnm DDR5的出貨提速，服務器DRAM出貨量躍增逾60％。
2024-03-05 15:40:57162 DRAM（動態隨機存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 
近日，三星電子宣布在硅谷設立下一代3D DRAM研發實驗室，以加強其在存儲技術領域的領先地位。該實驗室的成立將專注于開發具有更高性能和更低功耗的3D DRAM，以滿足不斷增長的數據存儲需求。
2024-01-31 11:42:01362 的能力。
SD NAND FLASH 的主要特點包括：
安全性：SD NAND FLASH 提供了硬件和軟件層面的安全性保護，包括加密和訪問控制，以確保存儲的數據不容易被盜取或篡改。
高密度
2024-01-24 18:30:00
近日，三星宣布正在研發一種新型的LLW DRAM存儲器，這一創新技術具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領未來內存技術的發展。
2024-01-12 14:42:03282 有存儲模組廠收到三星2024年第一季度將DRAM價格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND閃存定價，但預計NAND價格將繼續上漲。2023年12月DRAM價格上漲2%-3%，大幅提升DRAM價格，但低于當月3D TLC NAND約10%的漲幅。
2024-01-08 16:43:54466 根據最新的存儲器模組行業消息，隨著自2023年下半年以來NAND Flash價格一路攀升，三星電子和美光等主要存儲器制造商計劃在Q1上調DRAM價格，漲幅預計將達到15%-20%。 業內分析師指出
2024-01-03 18:14:16872 隨著上游原廠醞釀提價，多家存儲器模塊業者已經開始備貨，以應對潛在的市場變化。預計供應給OEM廠商的合約價將在二季度起全面反映DRAM的漲價趨勢。
2024-01-03 15:34:13733 部分存儲模組廠已接到三星通知，要求明年年初至少將DRAM價格上調15%以上，且該通知并未涉及NAND閃存定價，故預計后者將會持續上漲。DRAM價格在去年年底上漲2%-3%，不及3D TLC NAND約10%；
2024-01-03 10:46:21550 RAM來維持它的運行和使用，只有在保存相關文件時才會轉存到 microSD 卡。
正是這種搭配才使得核桃派有了易失性和非易失性的記憶，RAM 是掉電不保存，而 microSD 卡則是掉電保存。
核桃派
2024-01-01 21:58:36
DRAM芯片全稱是動態隨機存儲器，是一種隨機存儲器（RAM），與CPU直接交換數據，可隨時讀寫且速度快，斷電后存儲數據丟失，是易失性存儲器，也就是俗稱的“內存”。
2023-12-26 12:25:561003 
從存儲芯片的市場表現來看，兩大類別DRAM（動態隨機存取存儲器）與NAND Flash（閃存存儲器）目前的價格較今年谷底都出現了上漲。
2023-12-19 15:19:32136 直線電機怎樣優化它的速度環，有什么標準
2023-12-15 07:35:15
描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲器。它的256K內存由8位的32，768個字組成。該器件采用Atmel先進的非易失性CMOS技術制造，訪問時間高達150 ns，功耗僅為440
2023-12-08 15:05:01
dram和nand的區別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機存取存儲器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003905 DRAM芯片市場一直以來主要由三星、SK海力士和美光三家海外存儲廠商主導，東海證券在今年9月份發表的一份研報中指出，在2023年第二季度，三星電子占全球DRAM市場營收的38.14%，SK海力士占比達 32.29%，美光的市占率也達到25.03%，市場高度集中。
2023-12-05 16:26:31507 該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據
2023-11-27 16:37:59
易失性存儲和精確的實時時鐘，本文推薦使用國產PB85RS2MC鐵電存儲器用于該存儲系統中。鐵電存儲器PB85RS2MC在系統主要是實現數據的非易失性存儲和的實時時
2023-11-27 10:17:05
DRAM制造技術進入10nm世代（不到20nm世代）已經過去五年了。過去五年，DRAM技術和產品格局發生了巨大變化。因此，本文總結和更新了DRAM的產品、發展和技術趨勢。
2023-11-25 14:30:15536 
芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情況下，DRAM——尤其是高帶寬存儲器（HBM）——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有著良好的記錄，也有成熟的工藝，而且比SRAM便宜得多
2023-11-22 16:36:08476 
20世紀70 年代到 90年代中期，動態隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是異步接口，這樣它可以隨時響應控制輸入信號的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:27378 DRAM有多種類型可供選擇。有些速度非常快，如HBM，但也很昂貴。其他類型速度較慢，但價格便宜，如基本的DDR DIMM。然而，變化的是，在異構架構中，兩者都可以發揮重要作用，以及多種其他DRAM類型和更狹義的存儲器，如MRAM或ReRAM。
2023-11-15 11:27:13243 
但是，存儲芯片大企業的價格已經出現上漲跡象。還有外電報道說，已經從dram開始的存儲器價格上升趨勢正在擴大到nand閃存。
2023-11-13 14:53:28487 存儲分為大存儲和利基存儲兩大塊。大存儲包括用于手機、PC和服務器的DRAM以及3D Nand，主要供應商為以三星為代表的國際頭部廠商。
2023-11-07 14:22:09133 筆電DDR5 16Gb SO-DIMM 高容量存儲器模組合約價，10 月也較9 月上漲11.5%，到每單位33 美元。智能手機DRAM合約價也開始漲價。TrendForce 預計第四季行動DRAM
2023-11-03 17:23:09959 單片機的存儲器主要有幾個物理存儲空間
2023-11-01 06:22:38
在2023年2月在國際學會ISSCC上，三星電子正是披露了公司研發的存儲容量為24Gbit的DDR5 DRAM的概要（下圖左）和硅芯片（下圖右）。
2023-10-29 09:46:58783 
SSD主要由控制單元和存儲單元(當前主要是FLASH閃存顆粒)組成，控制單元包括SSD控制器、主機接口、DRAM等,存儲單元主要是NAND FLASH顆粒。
2023-10-27 10:27:03198 
描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲器。它的256K內存由8位的32，768個字組成。該器件采用Atmel先進的非易失性CMOS技術制造，訪問時間高達150 ns，功耗僅為440
2023-10-26 10:45:10
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
本文將介紹芯片設計中動態隨機存取存儲器（DRAM）的相關知識，包括其工作原理、分類以及在現代電子設備中的應用。
2023-10-23 10:07:34816 如何捕捉并重現稍縱即失的瞬時信號？
2023-10-18 06:26:54
使用，需要增添片外存儲器。因此鐵電存儲器（FRAM）是便攜式醫療設備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
非易失性的新技術，力求制造出同時替代閃存和DRAM的通用存儲。 ? ULTRARAM 與閃存和DRAM的區別 ? 閃存和DRAM作為已經被行業使用了數十年的存儲形式，因為其特性不同，往往只能被分別用于特定場景中。以閃存為例，其具有非易失性、非破壞性讀出和高度擴展性等特點，但缺點在于
2023-10-09 00:10:001311 在當前我們比較熟悉的存儲產品就是DRAM和NAND，DRAM和NAND也一直在尋求高帶寬和低功耗的發展。
2023-10-07 10:18:221688 
眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。本文所提到的國產鐵電存儲器PB85RS2MC在數據保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
內存應該是每個硬件工程師都繞不開的話題，稍微復雜一點的系統都需要用到DRAM，并且DRAM是除CPU之外，最為復雜也最貴的核心部件了，其設計，仿真，調試，焊接，等等都非常復雜，且重要。對DRAM
2023-09-25 11:38:421902 
SSD主要由控制單元和存儲單元(當前主要是FLASH閃存顆粒)組成，控制單元包括SSD控制器、主機接口、DRAM等,存儲單元主要是NAND FLASH顆粒。
2023-09-25 09:45:51161 
據消息人士透露，nand閃存價格從第三季度初的最低點開始逐漸反彈，到目前為止已經上漲了10%以上。他表示：“nand價格上漲將為dram價格上漲營造有利的市場氛圍。存儲器模塊制造企業正在密切關注dram價格反彈的時間。
2023-09-20 10:19:50503 日前有消息稱，存儲芯片領域正在迎來一輪明顯的復蘇，特別是移動DRAM芯片銷售行業。
2023-09-14 10:42:471045 在下面的圖中顯示了堆疊式DRAM存儲節點相關部分的結構圖。下圖(a)顯示了堆疊式DRAM存儲節點接觸(SNC)結構。
2023-09-08 10:02:25592 
飛思卡爾的Kinetis設備提供FlexMemory技術，該技術為靈活的內存使用提供了多功能和強大的解決方案。
FlexMemory由FlexNVM和FlexRAM組成。
FlexNVM是一種非易失
2023-09-04 06:29:35
新能源汽車的核心技術是大家熟知的動力電池、電池管理系統和整車控制單元。車載電子控制系統對于存取各類傳感器資料的需求持續增加，因此對于高性能非易失性存儲技術的需求也越來越高，因為當系統在進行資料分析
2023-09-01 10:04:52
內存芯片在驅動ic市場和ic技術發展方面發揮了重要作用。市場上兩個主要的內存產品分別是DRAM和NAND。
2023-09-01 09:43:093290 
軟件可能會允許惡意行為者不正當地從特權內存(DRAM或CPU緩存)中收集少量敏感數據。
·ARM認為這些利用不會損壞、修改或刪除數據。
·所有變體都基于導致高速緩存分配的推測性內存訪問。
然后，可以
2023-08-25 07:15:47
用MEMS技術制造的新型傳感器，就稱為MEMS傳感器。一般傳感器的主要構造有敏感元件、轉換元件、變換電路和輔助電源四部分組成。那么，MEMS傳感器的主要構造是怎樣的呢？
2023-08-23 17:38:541182 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器的存儲元是電容器和晶體管的組合。每個存儲單元由一個電容器和一個晶體管組成。電容器存儲位是用于存儲數據的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021022 動態隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量內存的數字電子設備，如現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。 技術進步驅動了DRAM的微縮，隨著技術在節點間迭代，芯片整體
2023-08-08 14:24:12744 
在過去一段時間內，存儲器市場遭受了來自PC和智能手機需求低迷的嚴重沖擊，導致DRAM價格持續下跌，整個行業景氣不振。特別是用于智能手機和PC上暫存數據的DRAM，價格長期跌跌不休，給廠商帶來了巨大
2023-08-03 15:18:57841 動態隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量內存的數字電子設備，如現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。
2023-08-03 12:27:03649 
據日經新聞7月31日報導，面向智能手機、PC的消費量DRAM價格已經連2個月呈現持平（價格未下跌）
2023-08-02 18:25:48351 動態存儲運行時數據在神經網絡的推理過程中。
?AXI接口M1用于允許更低帶寬和更高帶寬的內存事務
延遲因此，AXI M1接口可以連接到較慢或較少突發的存儲器例如閃存或DRAM。內存用于運行時的非易失性
2023-08-02 06:37:01
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器是一種易失性存儲器，意味著當斷電時，存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使用電容來存儲數據，電容需要持續地充電來保持數據的有效性。一旦斷電，電容會迅速失去電荷，導致存儲的數據丟失。
2023-07-28 15:02:032204 MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標準（易失性）CMOS RAM轉換為非易失性存儲器。它還會持續監控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時提供RAM寫保護
2023-07-21 15:01:52
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
兼容12個內核時鐘周期。片內集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存儲器。片內同時集成4 kB非易失性Flash/EE數據存儲器、256字節RAM和2 kB擴
2023-07-14 17:15:06
DS28E80為用戶可編程非易失存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲單元技術。DS28E80具有248字節用戶存儲器，分成8字節大小的存儲塊，每個存儲塊可具有寫保護
2023-07-13 17:01:58
DS28E80為用戶可編程非易失存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲單元技術。DS28E80具有248字節用戶存儲器，分成8字節大小的存儲塊，每個存儲塊可具有寫保護
2023-07-13 11:31:16
為了實現這一功能，還必須適合用于輔助計算的dram。現有智能手機使用的移動dram的速度是有限的。sk海力士根據蘋果公司的要求，提供了最適合操作r1芯片的dram。大幅增加了輸入/輸出（i/o）頻道的數量，可以將數據迅速傳送到存儲器內外。
2023-07-12 09:39:56375 據悉，DRAM批發價格為存儲廠商和客戶間每個月或每季敲定一次。業內人士稱，目前價格還在季末的拉鋸戰中，個別廠商面對的情況不一樣，若下游企業本身的庫存水位高，會不會接受價格調整還需再觀察。
2023-06-29 15:41:10262 存儲芯片行業目前正面臨長時間虧損衰退的情況，DRAM價格已經跌至不可再降的水平，但巨頭廠商似乎計劃推動價格上漲。
2023-06-29 14:57:32617 據悉，dram的批發價格是存儲器事業者和顧客公司之間每個月或每個季度決定的。業界人士表示：“目前價格還處于季節的最后階段，因此個別制造企業面臨的狀況有所不同。”并稱：“如果下級企業的庫存水位上升，是否會受到價格調整，還需要進一步觀察。”
2023-06-29 11:00:47393 ，非易失性存儲器在計算機關閉后存儲數據仍保留在計算機中。易失性存儲器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲狀態。主要分為兩種類型：靜態隨機存取存儲器(SRAM)和動態隨機存取存儲器(DRAM)。 1963年，Fairchild發明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28874 半導體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數據信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數據會丟失，主要
2023-06-25 14:30:181959 
DRAM錯誤數據主要通過Linux檢錯糾錯驅動程序采集。同時獲取每個CE的微觀地址信息，即channel、rank、bank、row和column。
2023-06-01 14:34:21183 
存儲器是集成電路領域的通用器件，其市場用量巨大，從類型上分為 ROMEPROM、E2PROM、SRAM、DRAM、FLASH 等。
2023-05-30 09:56:44251 
我們正在構建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內存有寫入限制，所以我需要使用易失性內存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
內存系統：緩存、DRAM、磁盤是第一本以某種方式呈現整個層次結構的書一致性，涵蓋完整的內存層次結構，并以重要的細節處理每個方面。這本書作為專家設計人員的權威參考手冊，但是它是如此完整，以至于可以
2023-05-26 15:42:59
0 DRAM 連接32位SDRAM時，最大支持64Mx32bit？
2023-05-26 07:27:07
器。由于它只使用一個MOS管來存信息，所以集成度可以很高，容量能夠做的很大。SDRAM比它多了一個與CPU時鐘同步。
DRAM分為很多種，常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM
2023-05-19 15:59:37
;
Adafruit_MCP23017 mcp;
易失性無符號長 last_interrupt；// 用于存儲上次中斷的時間（以毫秒為單位），用于去抖動
int debounce_delay = 100
2023-05-19 09:44:15
設備和RAM。
NOR Flash和NAND Flash都是非易失性存儲介質，即使沒有電源，也可以保留數據。MultiMediaCard (MMC)和Secure Digital (SD)卡是符合相應
2023-05-18 14:13:37
汽車是半導體行業增長最快的領域之一。據預測，汽車領域內存（DRAM）與存儲（NAND/ NOR）市場總值將從 2021 年的 40 億美元增長到 2025 年的 100 億美元 （如圖 1 所示
2023-05-17 09:33:18417 
基于先進CXL 2.0的128GB CXL DRAM將于今年量產，加速下一代存儲器解決方案的商用化
2023-05-15 17:02:10179 SRAM（Static RAM）不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據？其中的“刷新電路”什么意思？謝謝~
2023-05-10 14:56:06
電子發燒友網報道（文/周凱揚）在存儲行業有些萎靡不振的當下，大部分廠商都在絞盡腦汁地去庫存，也有的廠商考慮從新的技術方向給存儲行業注入生機，比如最近發布了3D X-DRAM技術的NEO
2023-05-08 07:09:001982 
文件。我為配置工具提供了一個自定義的 dcd.bin 文件。
最近我對我的程序進行了更改：我更改了分散文件以將目標文件之一存儲在 DRAM 的未緩存部分中。由于我進行了此更改，配置工具在嘗試構建
2023-04-28 07:02:14
電子發燒友網報道（文/黃晶晶） SK海力士近日發布全球首次實現垂直堆疊12個單品DRAM芯片，成功開發出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產品。
2023-04-23 00:01:002616 
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應用程序中，我們需要將安全數據（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區域
2023-04-14 07:38:45
中，車載電子系統設計的復雜度顯著提升，對于存儲產品而言，大容量、實時響應、高可靠性和安全性必不可少，兆易創新車規級GD25/55 SPI NOR Flash和GD5F SPINAND Flash具有豐富
2023-04-13 15:18:46
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術規格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理器的系統最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲器，實時時鐘，低VDD復位，看門狗定時器，非易失性事件計數器，可鎖定的64位序列號區域以及
2023-04-07 16:23:11
在CH573存儲中，分為用戶應用程序存儲區CodeFlash，用戶非易失數據存儲區DataFlash,系統引導程序存儲區Bootloader，系統非易失配置信息存儲區InfoFlash。一般在使用時
2023-04-07 11:46:50
三相異步電動機為什么會旋轉？怎樣改變它的方向？
2023-04-07 10:12:18
請教一下大神伺服電機失步時是怎樣得到補償的？
2023-03-23 15:34:44
電子發燒友App
工商網監
評論