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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>FRAM能夠?qū)⒖蓤?zhí)行代碼和數(shù)據(jù)組合在一個(gè)單存儲(chǔ)器中

FRAM能夠?qū)⒖蓤?zhí)行代碼和數(shù)據(jù)組合在一個(gè)單存儲(chǔ)器中

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2023-08-02 09:41:21

ARM966E-S處理技術(shù)參考手冊(cè)

些應(yīng)用,高性能、低系統(tǒng)成本、小芯片尺寸和低功耗都很重要。 ARM966E-S處理宏單元提供了個(gè)完整的高性能處理子系統(tǒng),包括個(gè)ARM9E-S RISC整數(shù)CPU、用于每個(gè)指令和數(shù)據(jù)CPU接口的緊密
2023-08-02 07:46:42

單片機(jī)外擴(kuò)ram數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器

一個(gè)可隨時(shí)存取數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,即可讀(取)或?qū)?存)的存儲(chǔ)器,簡(jiǎn)稱ram。
2023-07-25 15:28:37641

ADSP-21992BSTZ是存儲(chǔ)器

 ADSP-21992進(jìn)步擴(kuò)展了ADSP-2199x混合信號(hào)DSP產(chǎn)品系列的性能,可提供32K字程序存儲(chǔ)器RAM和16K字數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM。此外,ADSP-21992還可提供片上CAN
2023-07-14 16:00:59

DS1922L-F5#是存儲(chǔ)器

iButton?溫度記錄(DS1922L/T)是堅(jiān)固耐用的自供電系統(tǒng),能夠測(cè)量溫度并將測(cè)量結(jié)果記錄在受保護(hù)的存儲(chǔ)器內(nèi)。記錄溫度的頻率由用戶定義。總共可以保存8192個(gè)8位數(shù)據(jù)記錄或4096個(gè)16
2023-07-14 09:24:23

DS1923-F5#是存儲(chǔ)器

iButton?溫度/濕度記錄(DS1923)是堅(jiān)固耐用的自供電系統(tǒng),能夠測(cè)量溫度與/或濕度,并將測(cè)量結(jié)果記錄在受保護(hù)的存儲(chǔ)器內(nèi)。記錄頻率由用戶定義。總共可以保存8192個(gè)8位讀數(shù)或4096個(gè)16
2023-07-14 09:18:41

20個(gè)python3大項(xiàng)目開(kāi)發(fā)源代碼(含可執(zhí)行程序及源碼)

現(xiàn)在免費(fèi)下載源碼的網(wǎng)站不太多了,特地收集整理了20個(gè)python3大項(xiàng)目開(kāi)發(fā)源代碼。內(nèi)含可執(zhí)行程序與源代碼,非常適合入門進(jìn)階的同學(xué)借鑒學(xué)習(xí)。無(wú)論是做畢業(yè)設(shè)計(jì)還是項(xiàng)目答辯都是不錯(cuò)的資源。
2023-07-06 10:47:20803

鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在智能配電箱中的應(yīng)用

鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)具有非易失性,讀寫速度快,沒(méi)有寫等待時(shí)間等優(yōu)勢(shì),能夠像RAM一樣操作,低功耗,擦寫使用壽命長(zhǎng),芯片的擦寫次數(shù)為100萬(wàn)次,比一般的E2PROM存儲(chǔ)器高10倍。特別適合在為工業(yè)
2023-06-29 09:39:03382

回顧易失性存儲(chǔ)器發(fā)展史

易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展回顧,上期我們回顧了非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展史,本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)開(kāi)機(jī)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),但在關(guān)閉時(shí)將其擦除,但是
2023-06-28 09:05:28874

PLC系統(tǒng)的存儲(chǔ)器分類介紹

PLC系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序和工作狀態(tài)數(shù)據(jù)。PLC的存儲(chǔ)器包括系統(tǒng)存儲(chǔ)器和用戶存儲(chǔ)器
2023-06-26 14:02:453775

RA6快速設(shè)計(jì)指南 [10] 存儲(chǔ)器 (2)

8 存儲(chǔ)器 8.4 片上閃存 RA6 MCU具有兩部分閃存:代碼閃存和數(shù)據(jù)閃存,各部分的大小和擦寫周期數(shù)因器件而異。閃存控制單元 (FCU) 控制閃存的編程和擦除。閃存應(yīng)用程序命令接口 (FACI
2023-06-26 12:10:03375

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲(chǔ)器(Non Volatile Memory)。易失性存儲(chǔ)器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存,斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失,主要有
2023-06-25 14:30:181959

RA6快速設(shè)計(jì)指南 [9] 存儲(chǔ)器 (1)

該控制器訪問(wèn)連接到外部存儲(chǔ)器總線的SDRAM器件。程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共用地址空間;使用單獨(dú)的總線分別訪問(wèn)這兩個(gè)存儲(chǔ)器,從而提高性能并允許在同一個(gè)周期訪問(wèn)程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器映射中包含片上RAM、外設(shè)
2023-06-21 12:15:03421

鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在MCU中的應(yīng)用

鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料,這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性,芯片能在常溫、沒(méi)有電場(chǎng)的情況下,數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上
2023-06-20 14:19:25391

國(guó)芯思辰 |國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC可在多MCU系統(tǒng)的應(yīng)用

鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料,這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性,芯片能在常溫、沒(méi)有電場(chǎng)的情況下,數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上,鐵電
2023-06-08 09:52:17

如何保存數(shù)據(jù)在SRAM存儲(chǔ)器通過(guò)SW?

************************************************* ************************************* * 詳細(xì)說(shuō)明: * 這個(gè)例子的目的是展示如何保存數(shù)據(jù)在 SRAM 存儲(chǔ)器通過(guò)
2023-06-05 09:47:48

什么是外部存儲(chǔ)器

存儲(chǔ)密度分為道密度、位密度和面密度。 數(shù)據(jù)傳輸率——磁表面存儲(chǔ)器在單位時(shí)間內(nèi)向主機(jī)傳送數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)
2023-05-26 11:27:061409

單板硬件設(shè)計(jì):存儲(chǔ)器( NAND FLASH)

EEPROM的變種,變成了存儲(chǔ)器的統(tǒng)稱。 狹義的EEPROM: 這種rom的特點(diǎn)是可以隨機(jī)訪問(wèn)和修改任何一個(gè)字節(jié),可以往每個(gè)bit寫入0或者1。這是最傳統(tǒng)的種EEPROM,掉電后數(shù)據(jù)不丟失
2023-05-19 15:59:37

S32G如何在linux下將c編程可執(zhí)行文件放入開(kāi)發(fā)板?

核頭文件找不到打開(kāi)或關(guān)閉函數(shù)。 我在網(wǎng)上搜索,它告訴我 SCP 命令可以做到,但我不想使用以太網(wǎng)。 有人可以告訴我將可執(zhí)行文件放入板的步驟嗎?或者它有些方法可以將它構(gòu)建到圖像? 我更新了c文件和可執(zhí)行文件,請(qǐng)幫助我。
2023-05-19 07:00:50

存儲(chǔ)介質(zhì)的類型有哪些?

與NOR Flash相比,其讀取速度慢得多。由于NAND電路的布局,存儲(chǔ)器是串行訪問(wèn)的。這些設(shè)備可以次寫入一個(gè)字節(jié)到單個(gè)內(nèi)存地址。NAND是理想的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。它通常存在于需要頻繁上傳和覆蓋大文件
2023-05-18 14:13:37

Netsol并口STT-MRAM非易失存儲(chǔ)S3R8016

數(shù)據(jù)始終是非易失性的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,并有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無(wú)限的續(xù)航特性,它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲(chǔ)數(shù)據(jù)記錄、備份存儲(chǔ)器和工作存儲(chǔ)器
2023-05-12 16:31:39268

單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢?

單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢?
2023-05-10 15:17:56

80C51單片機(jī)存儲(chǔ)器是RAM和ROM分開(kāi)編址的嗎?

80C51單片機(jī)存儲(chǔ)器是RAM和ROM分開(kāi)編址的嗎?求解答
2023-05-09 16:04:22

CH32V103基礎(chǔ)教程28-DMA (外設(shè)到存儲(chǔ)器

關(guān)于DMA,具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式:存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。在第十三章以及第二十七章,已講解存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器傳輸方式以及存儲(chǔ)器到外設(shè)傳輸方式,本章將講解DMA外設(shè)到存儲(chǔ)器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè),通過(guò)串口調(diào)試助手等向開(kāi)發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)會(huì)被返回給開(kāi)發(fā)板并通過(guò)串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41

CH32V103基礎(chǔ)教程27-DMA (存儲(chǔ)器到外設(shè))

。關(guān)于DMA存儲(chǔ)器到外設(shè)傳輸方式,程序,首先定義個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內(nèi)部 FLASH,然后通過(guò)DMA的方式傳輸?shù)酱诘?b class="flag-6" style="color: red">數(shù)據(jù)寄存,然后通過(guò)串口把這些數(shù)據(jù)發(fā)送到電腦的上位機(jī)顯示出來(lái)。
2023-04-20 16:35:13

51單片機(jī)外擴(kuò)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器最大的容量是多少?

51單片機(jī)外擴(kuò)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器最大的容量是多少?可以達(dá)到50MB嗎?用的是什么芯片?
2023-04-19 16:34:36

如何在P1020RDB運(yùn)行獨(dú)立的可執(zhí)行文件?

UART0 的串行連接 + Tera Term)。我打算使用能夠為該板生成代碼的 Green Hills 編譯生成我的可執(zhí)行文件。
2023-04-19 07:29:12

CH32V103基礎(chǔ)教程13-DMA(存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器

本章教程講解DMA存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序,首先定義個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內(nèi)部 FLASH,然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上(內(nèi)部SRAM),最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù),判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08

XMC串行閃速存儲(chǔ)器——XM25QH64C/XM25QH128C

XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行閃速存儲(chǔ)器,可直接從雙/四SPI接口執(zhí)行代碼存儲(chǔ)語(yǔ)音、文本和數(shù)據(jù),提供的靈活性和性能遠(yuǎn)超普通串行閃速存儲(chǔ)器,非常適合于
2023-04-14 10:42:553817

寄存器和存儲(chǔ)器如何區(qū)分

寄存器是計(jì)算機(jī)硬件中最快、最小、最常用的存儲(chǔ)器。它是CPU內(nèi)部的存儲(chǔ)器,通常作為指令和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和暫存空間。在CPU中,寄存器直接與算術(shù)邏輯單元(ALU)相連,用于存儲(chǔ)操作數(shù)或運(yùn)算結(jié)果。
2023-04-09 18:43:059373

非易失性存儲(chǔ)器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點(diǎn)

存儲(chǔ)設(shè)備,包括Flash和EEPROM。、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無(wú)需持續(xù)供電,即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42

MRAM實(shí)現(xiàn)對(duì)車載MCU嵌入式存儲(chǔ)器的取代

的普及應(yīng)用將大致分為兩個(gè)階段。第階段,它將取代車載MCU應(yīng)用的嵌入式存儲(chǔ)器,其后在第二階段,它將取代手機(jī)的MCP以及獨(dú)立DRAM和獨(dú)立NOR閃存等。圖1 65nm產(chǎn)品會(huì)取代嵌入式存儲(chǔ)器,45nm
2023-04-07 16:41:05

FRAM相比Everspin MRAM具有哪些優(yōu)勢(shì)?

,并與FRAM兼容。兩種產(chǎn)品都使用標(biāo)準(zhǔn)的SRAM并行地址(A0-16),字節(jié)寬的雙向數(shù)據(jù)引腳(DQ0-7)和控制信號(hào)(/E,/W,/G)。每個(gè)模塊都可以由個(gè)公共的定時(shí)接口支持,并且將用作隨機(jī)存取讀
2023-04-07 16:26:28

非易失性存儲(chǔ)器FM33256B-G特征介紹

FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理的系統(tǒng)最常用的功能集成在起,主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器,實(shí)時(shí)時(shí)鐘,低VDD復(fù)位,看門狗定時(shí),非易失性事件計(jì)數(shù),可鎖定的64位序列號(hào)區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11

RA2快速設(shè)計(jì)指南 [6] 存儲(chǔ)器

7. 存儲(chǔ)器 RA2 MCU支持4GB的線性地址空間,范圍為0000 0000h到FFFF FFFFh,其中可以包含程序、數(shù)據(jù)和外部存儲(chǔ)器總線。程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共用地址空間;可使用單獨(dú)的總線分別訪問(wèn)
2023-04-06 16:45:03466

是否可以將FLASH用作輔助存儲(chǔ)器

我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 的輔助存儲(chǔ)器(而不是 EEPROM)。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器,如果可能,我們?nèi)绾问褂谩U?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50

為什么無(wú)法從S32R45等mucu的外部存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù)

我知道當(dāng)HSM工作或像S32R45這樣的MCU工作時(shí)時(shí)鐘是不同的。所以加密的功能正常工作。但是不能從外部存儲(chǔ)器讀取任何數(shù)據(jù)。解決此問(wèn)題的解決方案是什么?
2023-04-03 08:34:09

MB85RS16PNF-G-JNERE1

存儲(chǔ)器FRAM 16 K(2 K x 8)位SPI
2023-03-29 21:29:57

MB85RC64TAPNF-G-BDERE1

存儲(chǔ)器FRAM 64 K(8 K×8)位I2C
2023-03-29 21:29:56

MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1

存儲(chǔ)器FRAM 16 K(2 K×8)位I2C
2023-03-29 21:29:55

MB85RC256VPNF-G-JNERE1

存儲(chǔ)器FRAM 256 K(32 K×8)位I2C
2023-03-29 21:29:55

MB85RS256BPNF-G-JNERE1

存儲(chǔ)器FRAM 256 K(32 K×8)位SPI
2023-03-29 20:47:37

MB85RC64APNF-G-JNERE1

64 K(8 K×8)位I2C存儲(chǔ)器FRAM
2023-03-27 13:39:18

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