FRAM_READ_INST0x03 //讀存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
#define FRAM_WRITE_INST0x02//寫存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
#define FRAM_STATUS_REG0x0 //
#define
2024-03-20 08:08:05
我有個(gè)應(yīng)用設(shè)計(jì),MCU用的是STM32G070rbt6芯片,外擴(kuò)了一片鐵電存儲(chǔ)器FRAM。STM32G070在2.0V-3.3V工作電壓下都能正常工作,但鐵電存儲(chǔ)器FRAM的工作電壓
2024-03-13 08:04:03
同一個(gè)存儲(chǔ)器的不同物理位置,因此程序指令和數(shù)據(jù)的寬度相同,如英特爾公司的8086中央處理器的程序指令和數(shù)據(jù)都是16位寬。
數(shù)學(xué)家馮·諾依曼提出了計(jì)算機(jī)制造的三個(gè)基本原則,即采用二進(jìn)制邏輯、程序存儲(chǔ)執(zhí)行
2024-03-12 10:25:21
TC364 微控制器是否支持外部存儲(chǔ)器?
根據(jù)我的閱讀,外部總線接口用于外部存儲(chǔ)器。 在該微控制器的數(shù)據(jù)手冊(cè)中,我看到外部總線為 0。
2024-03-04 06:13:37
通過(guò)多級(jí)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì),存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)能夠在存儲(chǔ)容量和訪問(wèn)速度之間找到一個(gè)平衡點(diǎn)。高速緩存存儲(chǔ)器和主存儲(chǔ)器提供了快速的訪問(wèn)速度,而輔助存儲(chǔ)器則提供了大量的存儲(chǔ)空間。
2024-02-19 13:54:42121 Flash存儲(chǔ)器的寫操作具有特殊性,它只能將數(shù)據(jù)位從1寫成0,而不能從0寫成1。因此,在對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行寫入操作之前,必須先執(zhí)行擦除操作,將預(yù)寫入的數(shù)據(jù)位初始化為1。
2024-02-19 11:37:28536 ram在計(jì)算機(jī)和數(shù)字系統(tǒng)中用來(lái)暫時(shí)存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram)既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。
2024-02-19 11:23:31570 ROM(Read-Only Memory)是一種只讀存儲(chǔ)器,用于存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)程序和數(shù)據(jù),它在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中扮演著非常重要的角色。ROM的存儲(chǔ)內(nèi)容在制造時(shí)就被寫入,并且在計(jì)算機(jī)運(yùn)行過(guò)程中不能被改變。ROM
2024-02-05 10:05:10740 1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存(即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問(wèn)
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
1) 用于存儲(chǔ) scr 程序的程序存儲(chǔ)器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
2024-01-30 08:18:12
當(dāng)我發(fā)送讀取請(qǐng)求或 RDID 請(qǐng)求時(shí),我沒(méi)有收到從 FRAM 芯片返回的數(shù)據(jù)。
我不確定自己做錯(cuò)了什么。
我已經(jīng)將我的波形 HOLD_N、CS_N、FRAM 中的串行數(shù)據(jù)、串行數(shù)據(jù)附加到 FRAM、CLK、WP_N 中。
2024-01-25 07:07:12
鐵電存儲(chǔ)器通常具有更快的隨機(jī)存取時(shí)間(Access Time),能夠更快地執(zhí)行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢,通常與鐵電存儲(chǔ)器相比較為遲鈍。
2024-01-23 18:17:51517 ADuCM360/1是否支持存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器DMA傳輸?
2024-01-15 07:43:09
MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)(1T-1MTJ)體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元素。
2024-01-09 14:24:03208 FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個(gè)突出特性。特點(diǎn)是:“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46412 如何充分利用單片機(jī)(MCU)的非易失性存儲(chǔ)器 單片機(jī)(MCU)的非易失性存儲(chǔ)器(NVM)是存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序的重要組成部分。它可以保留數(shù)據(jù),即使在斷電或復(fù)位后也不會(huì)丟失。為了充分利用MCU的NVM,我們
2023-12-15 10:10:49507 如果按照資料里的:0x1419 0x0000 準(zhǔn)備從存儲(chǔ)器位置0x19讀取數(shù)據(jù)。
0x2000 0x0100 準(zhǔn)備從控制寄存器讀取數(shù)據(jù)。SDO輸出16位字,其中最后10位包含存儲(chǔ)器位置0x19的內(nèi)容
2023-12-06 06:04:03
在數(shù)字電子設(shè)備中,存儲(chǔ)器是至關(guān)重要的部分。它負(fù)責(zé)存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù),以支持各種計(jì)算和數(shù)據(jù)處理任務(wù)。在存儲(chǔ)器市場(chǎng)中,有兩種主要的類型:隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器 ( RAM ) 和只讀存儲(chǔ)器 ( ROM )。盡管都是存儲(chǔ)器,但它們之間存在一些關(guān)鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17732 的。可執(zhí)行文件必須在目標(biāo)操作系統(tǒng)上構(gòu)建,并且不能在另一個(gè)操作系統(tǒng)上或同一操作系統(tǒng)的另一個(gè)版本上運(yùn)行。例如,Windows 7的安裝程序或可執(zhí)行文件在不同的Windows版本上(例如Windows XP
2023-12-02 21:47:52
電表作為一個(gè)計(jì)量用電量的儀器,電表的精度不但與檢測(cè)芯片的精度有關(guān),而且與其存儲(chǔ)方式有關(guān),如果檢測(cè)到的電量數(shù)據(jù)不能隨機(jī)寫入存儲(chǔ)器或?qū)懭?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器過(guò)程出錯(cuò)電表的精度就會(huì)大大降低。 在智能電表數(shù)據(jù)
2023-11-21 09:59:20
程序經(jīng)過(guò)編譯后,變成了可執(zhí)行的文件,可執(zhí)行文件主要包括代碼和數(shù)據(jù)兩部分,代碼是只讀的,數(shù)據(jù)則是可讀可寫的。 可執(zhí)行文件由操作系統(tǒng)加載到內(nèi)存中,交由CPU去執(zhí)行,現(xiàn)在問(wèn)題來(lái)了,CPU怎么去訪問(wèn)代碼和數(shù)據(jù)
2023-11-08 17:04:37402 單片機(jī)的存儲(chǔ)器主要有幾個(gè)物理存儲(chǔ)空間
2023-11-01 06:22:38
單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間,其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少?
2023-11-01 06:20:34
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于FPGA在通訊領(lǐng)域和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-26 11:06:550 大家有誰(shuí)知道AT89C52怎么選擇外部存儲(chǔ)器,我之前用的是P89V51,選擇外部存儲(chǔ)器是定義AUXR=0x02;,但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了,程序該怎么改了啊??AT89C52手??冊(cè)上找不到怎么選擇外部存儲(chǔ)器說(shuō)明,各位高手有誰(shuí)知道啊 ??
2023-10-26 06:11:25
對(duì)于做快速存儲(chǔ)采集數(shù)據(jù)類產(chǎn)品的用戶來(lái)說(shuō),在處理突發(fā)掉電情況時(shí)需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失,這種情況下有很多種解決方案,鐵電存儲(chǔ)器(FRAM) 就是個(gè)很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-10-19 09:28:15
內(nèi)存地址空間是否一定大于所有物理存儲(chǔ)器的容量?
2023-10-17 07:14:45
存儲(chǔ)器測(cè)試問(wèn)題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
、SPI、USART、I2C、USB、,可以…)。IAP已為希望更新其應(yīng)用程序軟件的用戶實(shí)現(xiàn)通過(guò)在程序執(zhí)行期間對(duì)閃存程序存儲(chǔ)器進(jìn)行重新編程來(lái)對(duì)其自身進(jìn)行編程。主要IAP的優(yōu)點(diǎn)是能夠重新編程閃存和數(shù)據(jù)
2023-10-10 07:42:44
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《如何對(duì)STM8S和STM8A閃存程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)EEPROM進(jìn)行編程.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-07 16:05:500 單片機(jī)功能強(qiáng)大,我想它可以完成存儲(chǔ)器6116的數(shù)據(jù)存取功能吧?這或許是認(rèn)識(shí)單片機(jī)比較容易的一步?討厭我這個(gè)問(wèn)題的朋友您就別看了,我真的不是想愚弄您。
2023-10-07 08:16:39
怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
眾所周知,鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。本文所提到的國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上,不僅不需要備用電池,而且
2023-09-27 10:00:51
如何檢測(cè)24c存儲(chǔ)器容量
2023-09-25 06:48:32
對(duì)于做快速存儲(chǔ)采集數(shù)據(jù)類產(chǎn)品的用戶來(lái)說(shuō),在處理突發(fā)掉電情況時(shí)需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失,這種情況下有很多種解決方案,鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)就是個(gè)很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-09-22 08:01:59496 存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩類,前者在掉電后會(huì)失去記憶的數(shù)據(jù),后者即使在切斷電源也可以保持數(shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 )都是獨(dú)立和軟件可配置的 每個(gè)通道都有3個(gè)事件標(biāo)志位DMA半傳輸DMA傳輸完成和DMA傳輸出錯(cuò) 支持存儲(chǔ)器->存儲(chǔ)器外設(shè)->存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器->外設(shè)和外設(shè)-&
2023-09-13 08:06:16
系統(tǒng)架構(gòu)
? 多層AHB總線矩陣
? 存儲(chǔ)空間
? 存儲(chǔ)器映射
? 片上SRAM
? 位帶操作
? 片上閃存
? 自適應(yīng)閃存加速器(STM32F2新增)
? 啟動(dòng)模式
? 代碼空間的動(dòng)態(tài)重映射(STM32F2新增)
? 內(nèi)嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
每當(dāng)一個(gè)核通過(guò)MVA操作對(duì)另一個(gè)核執(zhí)行廣播無(wú)效指令高速緩存時(shí),例如,當(dāng)將可執(zhí)行代碼從閃存復(fù)制到存儲(chǔ)器時(shí),其他核每次都刷新并重新啟動(dòng)它們的預(yù)取單元,而不進(jìn)行任何處理。
由于該錯(cuò)誤,其他核心可能停止它們的執(zhí)行,直到不再發(fā)生剩余的廣播操作。
2023-09-01 09:16:59
分散加載是ARM鏈接器提供的一種機(jī)制,它允許您將可執(zhí)行映像分區(qū)為可在內(nèi)存中獨(dú)立定位的區(qū)域。
在一個(gè)簡(jiǎn)單的嵌入式計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中,存儲(chǔ)器分為只讀存儲(chǔ)器和隨機(jī)存儲(chǔ)器。
鏈接器產(chǎn)生的鏡像被分為“只讀”段
2023-08-24 08:23:51
新唐很多mcu可以在spi flash上直接尋址,執(zhí)行代碼,很多自帶內(nèi)部spi flash作為代碼存儲(chǔ)器,這樣雖然可以降低成本,但代碼在spi flash上執(zhí)行是極其慢的,一些關(guān)鍵函數(shù)必須得定向到
2023-08-24 07:21:51
庫(kù)的慢-慢工藝點(diǎn)對(duì)塊進(jìn)行合成,以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時(shí)序特性。
接口存儲(chǔ)器端口上的信號(hào)符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲(chǔ)器組件所要求的時(shí)序要求
2023-08-21 06:55:33
指定在加載和執(zhí)行時(shí)輸出圖像中各個(gè)代碼和數(shù)據(jù)節(jié)的內(nèi)存位置。
這使您能夠創(chuàng)建跨越多個(gè)記憶的復(fù)雜圖像。
鏈接器可以執(zhí)行公共部分消除和未使用部分消除,以減小輸出圖像的大小。
此外,鏈接器使您能夠:
·生成有關(guān)
2023-08-12 07:46:01
【 2023 年 8 月 8 日 , 德國(guó)慕尼黑訊】 汽車事件數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)(EDR)市場(chǎng)的不斷發(fā)展正在推動(dòng)專用數(shù)據(jù)記錄存儲(chǔ)設(shè)備的需求,這些設(shè)備能夠即時(shí)捕獲關(guān)鍵數(shù)據(jù)并可靠地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)長(zhǎng)達(dá)數(shù)十年。近日
2023-08-09 14:32:40397 確保單元正確操作。在這樣做的過(guò)程中,在MBIST使用的地址和數(shù)據(jù)路徑中實(shí)現(xiàn)了一些額外的測(cè)試覆蓋。您只能將MBIST控制器與緩存控制器一起使用,以執(zhí)行級(jí)別2(L2)緩存RAM的內(nèi)存測(cè)試。
2023-08-02 17:33:52
確保單元正確操作。在這樣做的過(guò)程中,在MBIST使用的地址和數(shù)據(jù)路徑中實(shí)現(xiàn)了一些額外的測(cè)試覆蓋。必須僅將L220 MBIST控制器與L220緩存控制器一起使用,才能執(zhí)行<Level 2>緩存RAM的內(nèi)存測(cè)試。
2023-08-02 14:47:18
ARM720T是一款通用的32位微處理器,具有8KB的高速緩存、擴(kuò)大的寫入緩沖區(qū)和內(nèi)存管理單元(MMU),組合在一個(gè)芯片中。ARM720T中的CPU是ARM7TDMI。ARM720T是與ARM處理器
2023-08-02 11:36:56
性能--ARM調(diào)試架構(gòu),額外支持實(shí)時(shí)調(diào)試。這使關(guān)鍵異常處理程序能夠在調(diào)試系統(tǒng)時(shí)執(zhí)行。
?支持外部緊密耦合存儲(chǔ)器(TCM)。為每個(gè)外部指令和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器塊提供TCM接口。指令和數(shù)據(jù)TCM塊的大小都是特定于實(shí)現(xiàn)者的,可以在0KB到1MB之間
2023-08-02 10:17:36
ARM946E-S是一個(gè)可合成的宏單元,結(jié)合了ARM處理器。它是ARM9Thumb系列高性能32位片上系統(tǒng)處理器解決方案的一員。
ARM946E-S具有緊密耦合的SRAM存儲(chǔ)器、指令和數(shù)據(jù)緩存
2023-08-02 09:41:21
些應(yīng)用中,高性能、低系統(tǒng)成本、小芯片尺寸和低功耗都很重要。
ARM966E-S處理器宏單元提供了一個(gè)完整的高性能處理器子系統(tǒng),包括一個(gè)ARM9E-S RISC整數(shù)CPU、用于每個(gè)指令和數(shù)據(jù)CPU接口的緊密
2023-08-02 07:46:42
一個(gè)可隨時(shí)存取數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器,即可讀(取)或?qū)?存)的存儲(chǔ)器,簡(jiǎn)稱ram。
2023-07-25 15:28:37641 ADSP-21992進(jìn)一步擴(kuò)展了ADSP-2199x混合信號(hào)DSP產(chǎn)品系列的性能,可提供32K字程序存儲(chǔ)器RAM和16K字數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM。此外,ADSP-21992還可提供片上CAN
2023-07-14 16:00:59
iButton?溫度記錄器(DS1922L/T)是堅(jiān)固耐用的自供電系統(tǒng),能夠測(cè)量溫度并將測(cè)量結(jié)果記錄在受保護(hù)的存儲(chǔ)器內(nèi)。記錄溫度的頻率由用戶定義。總共可以保存8192個(gè)8位數(shù)據(jù)記錄或4096個(gè)16
2023-07-14 09:24:23
iButton?溫度/濕度記錄器(DS1923)是堅(jiān)固耐用的自供電系統(tǒng),能夠測(cè)量溫度與/或濕度,并將測(cè)量結(jié)果記錄在受保護(hù)的存儲(chǔ)器內(nèi)。記錄頻率由用戶定義。總共可以保存8192個(gè)8位讀數(shù)或4096個(gè)16
2023-07-14 09:18:41
現(xiàn)在免費(fèi)下載源碼的網(wǎng)站不太多了,特地收集整理了20個(gè)python3大項(xiàng)目開(kāi)發(fā)源代碼。內(nèi)含可執(zhí)行程序與源代碼,非常適合入門進(jìn)階的同學(xué)借鑒學(xué)習(xí)。無(wú)論是做畢業(yè)設(shè)計(jì)還是項(xiàng)目答辯都是不錯(cuò)的資源。
2023-07-06 10:47:20803 鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)具有非易失性,讀寫速度快,沒(méi)有寫等待時(shí)間等優(yōu)勢(shì),能夠像RAM一樣操作,低功耗,擦寫使用壽命長(zhǎng),芯片的擦寫次數(shù)為100萬(wàn)次,比一般的E2PROM存儲(chǔ)器高10倍。特別適合在為工業(yè)
2023-06-29 09:39:03382 易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展回顧,上期我們回顧了非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展史,本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)開(kāi)機(jī)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),但在關(guān)閉時(shí)將其擦除,但是
2023-06-28 09:05:28874 PLC系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序和工作狀態(tài)數(shù)據(jù)。PLC的存儲(chǔ)器包括系統(tǒng)存儲(chǔ)器和用戶存儲(chǔ)器。
2023-06-26 14:02:453775 8 存儲(chǔ)器 8.4 片上閃存 RA6 MCU具有兩部分閃存:代碼閃存和數(shù)據(jù)閃存,各部分的大小和擦寫周期數(shù)因器件而異。閃存控制單元 (FCU) 控制閃存的編程和擦除。閃存應(yīng)用程序命令接口 (FACI
2023-06-26 12:10:03375 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲(chǔ)器(Non Volatile Memory)。易失性存儲(chǔ)器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存,斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失,主要有
2023-06-25 14:30:181959 該控制器訪問(wèn)連接到外部存儲(chǔ)器總線的SDRAM器件。程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共用地址空間;使用單獨(dú)的總線分別訪問(wèn)這兩個(gè)存儲(chǔ)器,從而提高性能并允許在同一個(gè)周期訪問(wèn)程序和數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器映射中包含片上RAM、外設(shè)
2023-06-21 12:15:03421 鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料,這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性,芯片能在常溫、沒(méi)有電場(chǎng)的情況下,數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上
2023-06-20 14:19:25391 鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料,這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性,芯片能在常溫、沒(méi)有電場(chǎng)的情況下,數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上,鐵電
2023-06-08 09:52:17
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* 詳細(xì)說(shuō)明:
* 這個(gè)例子的目的是展示如何保存數(shù)據(jù)在 SRAM 存儲(chǔ)器中通過(guò)
2023-06-05 09:47:48
。存儲(chǔ)密度分為道密度、位密度和面密度。
數(shù)據(jù)傳輸率——磁表面存儲(chǔ)器在單位時(shí)間內(nèi)向主機(jī)傳送數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)
2023-05-26 11:27:061409 EEPROM的變種,變成了一類存儲(chǔ)器的統(tǒng)稱。
狹義的EEPROM:
這種rom的特點(diǎn)是可以隨機(jī)訪問(wèn)和修改任何一個(gè)字節(jié),可以往每個(gè)bit中寫入0或者1。這是最傳統(tǒng)的一種EEPROM,掉電后數(shù)據(jù)不丟失
2023-05-19 15:59:37
核頭文件中找不到打開(kāi)或關(guān)閉函數(shù)。
我在網(wǎng)上搜索,它告訴我 SCP 命令可以做到,但我不想使用以太網(wǎng)。
有人可以告訴我將可執(zhí)行文件放入板的步驟嗎?或者它有一些方法可以將它構(gòu)建到圖像中?
我更新了c文件和可執(zhí)行文件,請(qǐng)幫助我。
2023-05-19 07:00:50
與NOR Flash相比,其讀取速度慢得多。由于NAND電路的布局,存儲(chǔ)器是串行訪問(wèn)的。這些設(shè)備可以一次寫入一個(gè)字節(jié)到單個(gè)內(nèi)存地址。NAND是理想的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。它通常存在于需要頻繁上傳和覆蓋大文件
2023-05-18 14:13:37
其數(shù)據(jù)始終是非易失性的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,并有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無(wú)限的續(xù)航特性,它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲(chǔ)器和工作存儲(chǔ)器。
2023-05-12 16:31:39268 單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢?
2023-05-10 15:17:56
80C51單片機(jī)中存儲(chǔ)器是RAM和ROM分開(kāi)編址的嗎?求解答
2023-05-09 16:04:22
關(guān)于DMA,具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式:存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。在第十三章以及第二十七章,已講解存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器傳輸方式以及存儲(chǔ)器到外設(shè)傳輸方式,本章將講解DMA外設(shè)到存儲(chǔ)器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè),通過(guò)串口調(diào)試助手等向開(kāi)發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)會(huì)被返回給開(kāi)發(fā)板并通過(guò)串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41
。關(guān)于DMA存儲(chǔ)器到外設(shè)傳輸方式,程序中,首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內(nèi)部 FLASH中,然后通過(guò)DMA的方式傳輸?shù)酱诘?b class="flag-6" style="color: red">數(shù)據(jù)寄存器,然后通過(guò)串口把這些數(shù)據(jù)發(fā)送到電腦的上位機(jī)顯示出來(lái)。
2023-04-20 16:35:13
51單片機(jī)外擴(kuò)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器最大的容量是多少?可以達(dá)到50MB嗎?用的是什么芯片?
2023-04-19 16:34:36
UART0 的串行連接 + Tera Term)。我打算使用能夠為該板生成代碼的 Green Hills 編譯器生成我的可執(zhí)行文件。
2023-04-19 07:29:12
本章教程講解DMA存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中,首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內(nèi)部 FLASH,然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上(內(nèi)部SRAM),最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù),判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行閃速存儲(chǔ)器,可直接從雙/四SPI接口執(zhí)行代碼,存儲(chǔ)語(yǔ)音、文本和數(shù)據(jù),提供的靈活性和性能遠(yuǎn)超普通串行閃速存儲(chǔ)器,非常適合于
2023-04-14 10:42:553817 寄存器是計(jì)算機(jī)硬件中最快、最小、最常用的存儲(chǔ)器。它是CPU內(nèi)部的存儲(chǔ)器,通常作為指令和數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和暫存空間。在CPU中,寄存器直接與算術(shù)邏輯單元(ALU)相連,用于存儲(chǔ)操作數(shù)或運(yùn)算結(jié)果。
2023-04-09 18:43:059373 存儲(chǔ)設(shè)備,包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無(wú)需持續(xù)供電,即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
的普及應(yīng)用將大致分為兩個(gè)階段。第一階段,它將取代車載MCU中應(yīng)用的嵌入式存儲(chǔ)器,其后在第二階段,它將取代手機(jī)中的MCP以及獨(dú)立DRAM和獨(dú)立NOR閃存等。圖1 65nm產(chǎn)品會(huì)取代嵌入式存儲(chǔ)器,45nm
2023-04-07 16:41:05
,并與FRAM兼容。兩種產(chǎn)品都使用標(biāo)準(zhǔn)的SRAM并行地址(A0-16),字節(jié)寬的雙向數(shù)據(jù)引腳(DQ0-7)和控制信號(hào)(/E,/W,/G)。每個(gè)模塊都可以由一個(gè)公共的定時(shí)接口支持,并且將用作隨機(jī)存取讀
2023-04-07 16:26:28
FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起,主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器,實(shí)時(shí)時(shí)鐘,低VDD復(fù)位,看門狗定時(shí)器,非易失性事件計(jì)數(shù)器,可鎖定的64位序列號(hào)區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11
7. 存儲(chǔ)器 RA2 MCU支持4GB的線性地址空間,范圍為0000 0000h到FFFF FFFFh,其中可以包含程序、數(shù)據(jù)和外部存儲(chǔ)器總線。程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共用地址空間;可使用單獨(dú)的總線分別訪問(wèn)
2023-04-06 16:45:03466 我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器(而不是 EEPROM)。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器,如果可能,我們?nèi)绾问褂谩U?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
我知道當(dāng)HSM工作或像S32R45這樣的MCU工作時(shí)時(shí)鐘是不同的。所以加密的功能正常工作。但是不能從外部存儲(chǔ)器讀取任何數(shù)據(jù)。解決此問(wèn)題的解決方案是什么?
2023-04-03 08:34:09
存儲(chǔ)器FRAM 16 K(2 K x 8)位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲(chǔ)器FRAM 64 K(8 K×8)位I2C
2023-03-29 21:29:56
存儲(chǔ)器FRAM 16 K(2 K×8)位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲(chǔ)器FRAM 256 K(32 K×8)位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲(chǔ)器FRAM 256 K(32 K×8)位SPI
2023-03-29 20:47:37
64 K(8 K×8)位I2C存儲(chǔ)器FRAM
2023-03-27 13:39:18
評(píng)論
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