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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>納米圖形襯底對(duì)AlGaN基深紫外LED中光子輸運(yùn)的影響

納米圖形襯底對(duì)AlGaN基深紫外LED中光子輸運(yùn)的影響

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2023-06-22 00:16:002277

光子集成芯片是什么

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簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)微波光子集成芯片和硅基光子集成芯片

微波光子集成芯片是一種新型的集成光電子器件,它將微波信號(hào)和光信號(hào)在同一芯片上進(jìn)行處理和傳輸。這種芯片的基本原理是利用光子器件和微波器件的相互作用來(lái)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的傳輸和處理。光子器件通常由光源、光調(diào)制器
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在面對(duì)紫外光子成像技術(shù)時(shí),面臨著諸多挑戰(zhàn)。光子密度大、需要高頻觸發(fā)采集,以及實(shí)時(shí)計(jì)算光子位置進(jìn)行譜圖繪制,這些都對(duì)采集設(shè)備的性能提出了極高的要求。
2024-03-20 09:56:0774

光子成像技術(shù)原理及優(yōu)勢(shì)分析

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2024-03-19 16:51:15116

半導(dǎo)體襯底和外延有什么區(qū)別?

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2024-03-08 11:07:41155

Intel 硅光子

Intel 硅光子Intel?硅光子將硅集成電路和半導(dǎo)體激光兩個(gè)重要發(fā)明結(jié)合在一起。與傳統(tǒng)電子產(chǎn)品相比,它可以實(shí)現(xiàn)更遠(yuǎn)距離的數(shù)據(jù)傳輸。它利用了Intel?大批量硅制造的效率。特性為數(shù)據(jù)中心及其他領(lǐng)域
2024-02-27 12:19:00

紫外發(fā)光二極管的發(fā)光原理 紫外發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)

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新型光子芯片:以光子替換電子執(zhí)行AI數(shù)學(xué)運(yùn)算

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2024-02-18 16:17:21308

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首個(gè)在6英寸藍(lán)寶石襯底上的1700V GaN HEMTs器件發(fā)布

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2024-01-25 10:17:24365

半導(dǎo)體襯底材料的選擇

電子科技領(lǐng)域中,半導(dǎo)體襯底作為基礎(chǔ)材料,承載著整個(gè)電路的運(yùn)行。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,對(duì)半導(dǎo)體襯底材料的選擇和應(yīng)用要求也越來(lái)越高。本文將為您詳細(xì)介紹半導(dǎo)體襯底材料的選擇、分類以及襯底與外延的搭配方案。
2024-01-20 10:49:54474

半導(dǎo)體資料丨鈮酸鋰光子集成電路、碳化硅光子應(yīng)用、ACL蝕刻

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GaN微納結(jié)構(gòu)及其光電子器件研究

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2029年襯底和外延晶圓市場(chǎng)將達(dá)到58億美元,迎來(lái)黃金發(fā)展期

在功率和光子學(xué)應(yīng)用強(qiáng)勁擴(kuò)張的推動(dòng)下,到2029年,全球化合物半導(dǎo)體襯底和外延晶圓市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到58億美元。隨著MicroLED的發(fā)展,射頻探索新的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。
2024-01-05 15:51:06353

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2024-01-02 11:42:21531

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2023-10-09 18:16:12383

紫外 (EUVL) 光刻設(shè)備技術(shù)應(yīng)用分析

歐洲極紫外光刻(EUVL)技術(shù)利用波長(zhǎng)為13.5納米光子來(lái)制造集成電路。產(chǎn)生這種光的主要來(lái)源是使用強(qiáng)大激光器產(chǎn)生的熱錫等離子體。激光參數(shù)被調(diào)整以產(chǎn)生大多數(shù)在13.5納米附近發(fā)射的錫離子(例如Sn10+-Sn15+)。
2023-09-25 11:10:50264

納米團(tuán)簇應(yīng)變下電子輸運(yùn)研究

幾十年來(lái),納米團(tuán)簇備受研究者的關(guān)注。人們對(duì)納米團(tuán)簇的興趣主要源于其在化學(xué)和物理性質(zhì)上與宏觀水平明顯不同的特點(diǎn)。
2023-09-22 17:06:23886

晶能光電硅襯底UVA LED 產(chǎn)品性能處于行業(yè)先進(jìn)水平

2023年9月,第三屆紫外LED國(guó)際會(huì)議暨長(zhǎng)治LED發(fā)展推進(jìn)大會(huì)在長(zhǎng)治隆重召開,國(guó)內(nèi)外專家云集,深入交流紫外LED最新技術(shù)進(jìn)展與發(fā)展趨勢(shì)。晶能光電外延工藝高級(jí)經(jīng)理周名兵受邀作《硅襯底GaN基近紫外
2023-09-19 11:11:285752

基于鋸齒形石墨烯納米帶及其五元環(huán)衍生結(jié)構(gòu)的自旋卡諾電子學(xué)器件設(shè)計(jì)

為了減小界面處的晶格形變,提高電子透射性能,我們基于STGNR和5-STGNR納米帶,設(shè)計(jì)了全新的自旋卡諾電子學(xué)器件。采用非平衡態(tài)格林函數(shù)結(jié)合密度泛函理論,選取對(duì)稱與不對(duì)稱邊緣的STGNR納米帶,計(jì)算了多種構(gòu)型的異質(zhì)結(jié)并計(jì)算自旋卡諾輸運(yùn)性質(zhì),包括熱電流的自旋極化、熱致磁阻和自旋塞貝克效應(yīng)等。
2023-09-12 17:59:51487

詳解LED、激光LD與量子點(diǎn)上的納米材料

不是所有尺寸小于100nm納米材料都叫納米科技納米科技廣義的定義,泛指尺寸小于100nm(納米)的材料,而研究納米材料的科學(xué)技術(shù)泛稱為「納米科技(Nanotechnology)」。納米技術(shù)的研究領(lǐng)域
2023-09-09 08:28:01562

DUV μLED在無(wú)線光通信領(lǐng)域的研究現(xiàn)狀

為慶祝河北工業(yè)大學(xué)校慶120周年,《紅外與激光工程》聯(lián)合河北工業(yè)大學(xué)共同出版“河北工業(yè)大學(xué)校慶專刊“,特邀請(qǐng)張紫輝教授團(tuán)隊(duì)撰寫“AlGaN深紫外微型發(fā)光二極管的研究進(jìn)展” 文章,總結(jié)了深紫外
2023-09-05 11:16:48337

深紫外μLED作為日盲紫外光通信光源的研究現(xiàn)狀和綜合分析

實(shí)現(xiàn)深紫外光通信的一個(gè)關(guān)鍵器件是深紫外光源。早期深紫外光源利用高壓汞燈實(shí)現(xiàn),但汞燈的調(diào)制帶寬非常小,這嚴(yán)重影響了深紫光通信的傳輸速率。
2023-09-05 11:13:00484

晶能光電首發(fā)12英寸硅襯底InGaN基三基色外延

近日,晶能光電發(fā)布12英寸硅襯底InGaN基紅、綠、藍(lán)全系列三基色Micro LED外延技術(shù)成果。
2023-09-01 14:07:44737

什么是雙光子態(tài) 如何測(cè)量雙光子態(tài)

測(cè)量雙光子態(tài)是一項(xiàng)重要的任務(wù),因?yàn)樗梢宰屛覀兞私怆p光子態(tài)的量子特性,以及如何利用它們進(jìn)行量子信息處理。然而,測(cè)量雙光子態(tài)并不是一件容易的事情,因?yàn)樗鼈兪欠墙?jīng)典的對(duì)象,不能用經(jīng)典的方法來(lái)描述。
2023-08-31 10:54:52541

Crystal IS宣布推出首款4英寸AlN襯底

近日,日本化工企業(yè)旭化成(Asahi Kasei)旗下的高性能LED制造商Crystal IS宣布,公司生產(chǎn)出了首款4英寸氮化鋁(AlN)襯底,展示了公司生長(zhǎng)氮化鋁塊狀單晶工藝的可擴(kuò)展性,以滿足各類應(yīng)用的生產(chǎn)需求。
2023-08-29 14:37:29847

氮化鎵襯底和外延片哪個(gè)技術(shù)高 襯底為什么要做外延層

氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的電子特性和高頻特性,適用于高功率、高頻率和高溫應(yīng)用。 使用氮化鎵襯底可以在上面
2023-08-22 15:17:312375

旭化成旗下Crystal IS宣布生產(chǎn)4英寸氮化鋁單晶襯底

氮化鋁基板具有低缺陷密度、高紫外線透明度和低雜質(zhì)濃度、超寬帶差距及高熱傳導(dǎo)效率,對(duì)uvc led及電力配件等產(chǎn)業(yè)非常有魅力。根據(jù)目前uvc紫外led的需求,4英寸基板的使用率超過(guò)80%。
2023-08-16 11:08:29603

Kyosemi Gan型紫外線傳感器產(chǎn)品概述

用于深紫外線傳感應(yīng)用的GaN型紫外線傳感器。 與Si型紫外線傳感器相比,新產(chǎn)品對(duì)UV-B和UV-C深紫外線具有更高的靈敏度。 通過(guò)使用GaN,產(chǎn)品的靈敏度是Si型UV傳感器的三倍。
2023-08-11 11:50:40261

幾種led襯底的主要特性對(duì)比 氮化鎵同質(zhì)外延的難處

GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為:襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計(jì)→器件制造。其中,襯底是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底,GaN自然是最適合用來(lái)作為GaN外延膜生長(zhǎng)的襯底材料。
2023-08-10 10:53:31664

一種接近像素級(jí)讀出的超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器(SNSPD)陣列

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,近期,南京大學(xué)張蠟寶教授課題組研制出一種接近像素級(jí)讀出的超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器(SNSPD)陣列
2023-08-10 09:26:54754

Unity的高級(jí)圖形技術(shù)解讀

本指南向您介紹Unity的一些高級(jí)圖形概念。您將需要使用自定義著色器,本指南將帶您了解這些著色器,并向您介紹一些其他移動(dòng)概念和工具。 在本指南的最后,您將了解到: ?如何實(shí)現(xiàn)頂點(diǎn)和片段著色器
2023-08-02 07:44:02

介質(zhì)超構(gòu)表面的CMOS兼容制備工藝的進(jìn)展

超構(gòu)表面為納米光子器件賦予了更高的自由度與靈活度,使實(shí)用的微納米光子器件的實(shí)現(xiàn)成為可能。
2023-07-27 09:39:03832

深紫外光刻復(fù)雜照明光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

。照明系統(tǒng)是光刻機(jī)的重要組成部分,其主要作用是提供高均勻性照明、控制曝光劑量和實(shí)現(xiàn)離軸照明,以提高光刻分辨率和增大焦深。論文以深紫外光刻照明系統(tǒng)光學(xué)設(shè)計(jì)為研究方向,對(duì)照明系統(tǒng)關(guān)鍵單元進(jìn)行了光學(xué)設(shè)計(jì)與仿真研究。
2023-07-17 11:02:38592

光子學(xué)器件的逆向設(shè)計(jì)方法和應(yīng)用

光子學(xué)器件通過(guò)物體與光的相互作用可以實(shí)現(xiàn)對(duì)光場(chǎng)多維度的調(diào)控,在現(xiàn)代光學(xué)的各個(gè)領(lǐng)域都有廣闊的應(yīng)用前景。傳統(tǒng)光子學(xué)器件的設(shè)計(jì)主要是基于已知的物理原理,然后通過(guò)對(duì)個(gè)別特征參數(shù)的微調(diào)以實(shí)現(xiàn)對(duì)光子學(xué)結(jié)構(gòu)的優(yōu)化。
2023-07-15 11:06:41876

芯片制造和傳統(tǒng)IC封裝的生產(chǎn)有何不一樣

DUV是深紫外線,EUV是極深紫外線。從制程工藝來(lái)看,DUV只能用于生產(chǎn)7nm及以上制程芯片。而只有EUV能滿足7nm晶圓制造,并且還可以向5nm、3nm繼續(xù)延伸。
2023-07-10 11:36:26734

微型化自由運(yùn)行單光子探測(cè)器的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

,是大氣遙感、三維成像等激光雷達(dá)系統(tǒng)的理想工作波段。近紅外波段單光子探測(cè)技術(shù)主要包括超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器、上轉(zhuǎn)換單光子探測(cè)器和InGaAs/InP單光子探測(cè)器。其中,InGaAs/InP單光子探測(cè)器具有體積小、低成本、易于系統(tǒng)集成和良好的綜合性能指標(biāo)等優(yōu)勢(shì),是實(shí)用化1.5 μm激光雷達(dá)的最佳選擇。
2023-07-03 16:31:45466

一種有趣的自旋輸運(yùn)調(diào)控機(jī)制--自旋分離器

? 0 1?引言?? 自旋輸運(yùn)的調(diào)控一直是自旋電子學(xué)研究領(lǐng)域的中心課題。到目前為止,沿著這條路線兩個(gè)著名的發(fā)現(xiàn)是半金屬輸運(yùn)和純自旋流的預(yù)測(cè),前者實(shí)現(xiàn)了100%自旋極化的單自旋輸運(yùn),后者表征為兩個(gè)自旋
2023-06-28 17:39:18479

光子芯片的原理、制造技術(shù)及應(yīng)用

光子芯片(Photonics Chip)是一種基于光子學(xué)原理的集成電路芯片,其主要應(yīng)用于光通信、光存儲(chǔ)、光計(jì)算、光傳感等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)電子芯片相比,光子芯片具有更高的速度、更低的功耗、更大的帶寬等優(yōu)勢(shì),因此被視為下一代信息技術(shù)的重要發(fā)展方向。本文將從光子芯片的原理、制造技術(shù)、應(yīng)用等方面進(jìn)行詳細(xì)介紹。
2023-06-28 17:27:498165

光子芯片的原理和應(yīng)用

光子芯片是一種基于光子學(xué)的集成電路,將光子器件集成在芯片上,實(shí)現(xiàn)了光電子集成。相比傳統(tǒng)的電子芯片,光子芯片具有更高的數(shù)據(jù)傳輸速度、更低的能耗和更大的帶寬。光子芯片的出現(xiàn)將會(huì)改變通信、計(jì)算、傳感等領(lǐng)域的面貌,具有廣闊的應(yīng)用前景。
2023-06-21 10:04:517249

上海微系統(tǒng)所研制高綜合性能超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器

超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器(SNSPD)優(yōu)異的時(shí)間特性(時(shí)間抖動(dòng)和響應(yīng)速度)是其最具吸引力的優(yōu)勢(shì)之一,并且已在量子通信、量子計(jì)算等領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。
2023-06-21 09:31:56410

光子學(xué)的發(fā)展和光子技術(shù)的廣泛應(yīng)用

,人類將邁進(jìn)光子時(shí)代,光子學(xué)的發(fā)展和光子技術(shù)的廣泛應(yīng)用將對(duì)人類生活產(chǎn)生巨大影響。 關(guān)鍵詞 :現(xiàn)代光學(xué);光子學(xué);光子技術(shù);應(yīng)用;光信息 光學(xué)是研究光的產(chǎn)生和傳播、光的本性、光與物質(zhì)相互作用的科學(xué)。光學(xué)作為一門誕生340余年的古
2023-06-17 10:15:57604

GaN單晶襯底顯著改善HEMT器件電流崩塌效應(yīng)

由于GaN和AlGaN材料中擁有較強(qiáng)的極化效應(yīng),AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)無(wú)需進(jìn)行調(diào)制摻雜就能在界面處形成高濃度的二維電子氣(2DEG),在此基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的高電子遷移率晶體管(HEMT)是GaN材料
2023-06-14 14:00:551652

圖形應(yīng)用中MAX6952和MAX6953 LED驅(qū)動(dòng)器的軟件控制

本應(yīng)用筆記是討論MAX6952和MAX6953 LED驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用中的軟件和處理器接口問(wèn)題的兩篇應(yīng)用筆記之一,用于構(gòu)建用于留言板和動(dòng)畫圖形顯示的點(diǎn)數(shù)海LED矩陣圖形面板。本說(shuō)明介紹了面板設(shè)計(jì)的軟件方面。
2023-06-08 16:15:20480

氯吸附單層黑磷烯的自旋輸運(yùn)性質(zhì)研究

本項(xiàng)目通過(guò)密度泛函理論結(jié)合非平衡格林函數(shù)方法研究了Cl原子吸附黑磷的自旋輸運(yùn)性質(zhì),拓展了鹵素原子吸附黑磷的研究。研究結(jié)果表明由于Cl原子的吸附,黑磷的帶隙從1.3 eV的直接帶隙變?yōu)?.26 eV的間接帶隙。
2023-06-02 15:10:31450

基于AlN單晶襯底AlGaN溝道型MOSHFET功率最新進(jìn)展

近期,美國(guó)南卡羅來(lái)納大學(xué)報(bào)道了在AlN單晶襯底上通過(guò)MOCVD生長(zhǎng)的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSHFET)器件。
2023-05-25 10:13:09679

基于AlN單晶襯底AlGaN溝道型MOSHFET最新進(jìn)展

近期,美國(guó)南卡羅來(lái)納大學(xué)報(bào)道了在AlN單晶襯底上通過(guò)MOCVD生長(zhǎng)的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSHFET)器件。與相比之下,單晶
2023-05-25 09:51:23599

FemtoMPP多光子聚合激光微加工工作站

FemtoMPP多光子聚合激光微加工工作站      MPP 是一種獨(dú)特的技術(shù),用于對(duì)具有納米分辨率的微米級(jí)物體進(jìn)行3D結(jié)構(gòu)化。我們開發(fā)的激光微加工工作站可在單個(gè)基板上
2023-05-24 11:00:10

全息圖增強(qiáng)納米級(jí)3D打印技術(shù)

目前,用于制造具有復(fù)雜形狀的納米級(jí)物體的最精確的3D打印技術(shù)可能是雙光子光刻。這種方法依賴于液態(tài)樹脂,只有當(dāng)它們同時(shí)吸收兩個(gè)光子而不是一個(gè)光子時(shí),它們才會(huì)固化。這使得能夠精確制造具有體素(相當(dāng)于像素的3D)的物體,尺寸只有幾十納米
2023-05-17 09:59:22661

基于光子纖維素納米晶的柔性汗液傳感器

團(tuán)隊(duì)發(fā)展了一種制造不溶性CNC基水凝膠的簡(jiǎn)單且有效的方法,利用分子間氫鍵重構(gòu),熱脫水使優(yōu)化的CNC復(fù)合光子膜在水溶液中形成一個(gè)穩(wěn)定的水凝膠網(wǎng)絡(luò)。
2023-05-15 17:03:32136

淺談抗靜電指標(biāo)差的LED失效分析案例

紅光LED芯片是單電極結(jié)構(gòu),它兩個(gè)電極之間的材質(zhì)、厚度、襯底材料與雙電極的藍(lán)綠光LED不一樣,所承受的靜電能量要比雙電極的高很多。
2023-05-15 09:26:20423

半導(dǎo)體材料在納米光子學(xué)中的作用

半導(dǎo)體材料在開發(fā)納米光子技術(shù)方面發(fā)揮著重要作用。
2023-05-14 16:58:55590

小型超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)系統(tǒng),為機(jī)載平臺(tái)提供高精度探測(cè)數(shù)據(jù)

根據(jù)工作機(jī)理,單光子探測(cè)器主要有光電倍增管(PMT)、單光子雪崩二極管(SPAD)、超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器(SNSPD)等類型。其中,SNSPD因其具有探測(cè)效率高、時(shí)間精度高、探測(cè)速度快和暗計(jì)數(shù)率低等特點(diǎn),并且通過(guò)探測(cè)器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)后具備光子數(shù)分辨的能力
2023-05-10 09:37:09795

簡(jiǎn)述碳化硅襯底類型及應(yīng)用

碳化硅襯底 產(chǎn)業(yè)鏈核心材料,制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。
2023-05-09 09:36:483426

垂直金屬包層結(jié)構(gòu)助力提高納米LED光提取效率

基于硅基Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體納米線(NW)的納米級(jí)光源有望成為下一代硅光子學(xué)、生物成像、片上顯微鏡以及激光雷達(dá)(LiDAR)技術(shù)的基石。
2023-05-05 09:06:29235

基于AT89C51單片機(jī)按鍵控制8×8LED點(diǎn)陣屏顯示圖形

基于AT89C51單片機(jī)按鍵控制8×8LED點(diǎn)陣屏顯示圖形仿真及代碼
2023-05-04 15:43:051

上海光機(jī)所在光學(xué)操控二維納米片運(yùn)動(dòng)方面獲得進(jìn)展

研究團(tuán)隊(duì)利用傳統(tǒng)的機(jī)械剝離法在藍(lán)寶石襯底上制備了二維金屬納米片,利用光學(xué)顯微鏡將飛秒脈沖激光垂直輻射在納米片上:當(dāng)脈沖激光照射時(shí),二維納米片開始運(yùn)動(dòng),并在均勻光照區(qū)域內(nèi)持續(xù)運(yùn)動(dòng),通過(guò)激光的移動(dòng)來(lái)改變輻照區(qū)域
2023-04-28 10:35:17483

請(qǐng)問(wèn)使用proteus仿真軟件實(shí)現(xiàn)LED穩(wěn)定顯示多幅圖形的原理是什么?

請(qǐng)問(wèn)使用proteus仿真軟件實(shí)現(xiàn)LED穩(wěn)定顯示多幅圖形的原理是什么 圖中的4020和2764都是通過(guò)什么原理實(shí)現(xiàn)LED圖形一幀一幀顯示的
2023-04-26 16:24:34

基于51單片機(jī)按鍵控制8×8LED點(diǎn)陣屏顯示圖形仿真設(shè)計(jì)

基于51單片機(jī)按鍵控制8×8LED點(diǎn)陣屏顯示圖形仿真設(shè)計(jì),資料包含仿真及源程序文件
2023-04-20 16:30:2012

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》III-V的光子學(xué)特性

書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章:III-V的光子學(xué)特性 編號(hào):JFKJ-21-215 作者:炬豐科技 摘要 ? ???III-V型半導(dǎo)體納米線已顯示出巨大的潛力光學(xué)、光電和電子器件的構(gòu)建
2023-04-19 10:03:0093

提高金剛石/石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)界面的熱輸運(yùn)

隨著人工智能和高端芯片、微納米器件的快速發(fā)展,芯片的高功率密度導(dǎo)致芯片內(nèi)產(chǎn)生大量的積熱,導(dǎo)致芯片性能和可靠性下降,甚至導(dǎo)致芯片損壞和整個(gè)系統(tǒng)損壞。因此,熱管理和溫度控制顯著影響微電子器件的性能和發(fā)展。該領(lǐng)域的微觀尺度換熱備受關(guān)注,其中界面熱輸運(yùn)占據(jù)了主導(dǎo)地位。
2023-04-18 09:27:29345

InGaAs單光子雪崩焦平面研究進(jìn)展

光子探測(cè)器是一種可檢測(cè)單個(gè)光子能量的高靈敏度器件。按工作原理不同,單光子探測(cè)器可分為光電倍增管(PMT)、超導(dǎo)單光子探測(cè)器(SSPD)和單光子雪崩光電二極管(SPAD)。
2023-04-15 16:00:591405

襯底GaN LED技術(shù)的應(yīng)用機(jī)遇與挑戰(zhàn)

Micro LED作為“終極顯示技術(shù)”其在未來(lái)?yè)碛星|級(jí)的市場(chǎng),報(bào)告指出了Micro LED的優(yōu)勢(shì)及面臨的挑戰(zhàn)。面向AR應(yīng)用,Micro LED在亮度、能效、可靠性、響應(yīng)時(shí)間、色彩飽和度、厚度、尺寸等方面具有優(yōu)異的性能,市場(chǎng)潛力巨大。
2023-04-08 11:17:09382

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