? ? ??IGBT的四個主要參數(shù) ? ? ? IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）是一種功率半導(dǎo)體器件，用于控制大電流和高電壓。它的四個
2024-03-22 08:37:29
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=-1V；封裝: SOT23詳細參數(shù)說明和應(yīng)用簡介：G3401-VB 是一款 P-Channel 溝道 MOSFET，采用 SOT23 封裝。其主要參數(shù)包括最大耐
2024-03-19 17:30:30
ACE3413BM+H-VB 詳細參數(shù)說明和應(yīng)用簡介：- **封裝：** SOT23- **絲印：** VB2290- **品牌：** VBsemi**主要參數(shù)：**- **溝道類型
2024-03-11 11:54:50
和電子元件連接。 獨石電容參數(shù)主要包括容值、電壓系列、額定電流、溫度系數(shù)、額定電壓、失效率等。 首先，容值是指獨石電容器所能存儲的電荷量大小，通常以法拉為單位表示。容值決定了電容器的電荷和電壓之間的關(guān)系，越大的容值意
2024-03-07 13:53:06201 玻璃管保險絲的工作原理及主要參數(shù)? 玻璃管保險絲是一種常見的過載保護元件，通常由玻璃管和內(nèi)部金屬絲構(gòu)成。當(dāng)電流大于設(shè)定值時，保險絲會斷開電路，以保護電路和電器設(shè)備不受過載損壞。 玻璃管
2024-03-05 17:29:07166 在溫度補償晶體振蕩器的實際應(yīng)用中，除了標稱頻率、PPM精度和溫度穩(wěn)定性等主要參數(shù)外，還有一些其他重要參數(shù)需要注意。在標準電源電壓、標準負載電容阻抗、參考溫度等條件不變的情況下，溫度補償晶體振蕩器的頻率精度可以達到0.5PPM以上。
2024-02-26 18:05:31624 
晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的元件，它的性能參數(shù)直接影響著設(shè)備的工作效率和穩(wěn)定性。晶體管的主要參數(shù)有最大漏極電壓、最大集電極電流、最大功耗、最大封裝溫度、最大峰值電流等。
2024-02-23 10:04:37207 硬件設(shè)計好不好，電容參數(shù)知多少？ 原文整理自書籍《硬件設(shè)計指南》 電容是我們電子電路設(shè)計中最常用的元件之一，除了基本的電容容值之外，電容還有其他6大參數(shù)，你知道幾個呢？本文章介紹MLCC陶瓷電容
2024-02-21 15:10:26154 
安規(guī)電容器降壓原理** **主要是利用電容在一定交流信號頻率下產(chǎn)生的容抗來限制最大工作電流。
2024-02-20 15:09:55738 
晶振的作用、原理以及主要參數(shù)。 一、晶振的作用： 晶振的主要作用是產(chǎn)生穩(wěn)定的時鐘信號，用于同步電子設(shè)備中的各個模塊的工作。因為晶振產(chǎn)生的振蕩頻率非常穩(wěn)定，能夠提供高精度的定時信號，因此晶振在數(shù)字電路和通信系統(tǒng)中具有重要的作用。穩(wěn)定的時鐘
2024-02-04 10:08:51392 X電容和Y電容作用 安規(guī)電容X與Y的區(qū)別? X電容和Y電容都屬于安規(guī)電容，它們在電子產(chǎn)品中起著重要的作用。雖然它們都是電容器，但是它們具有一些區(qū)別。本文將詳細討論X電容和Y電容的作用、區(qū)別以及它們
2024-01-31 15:45:51461 電容是電子器件中常見的元件之一，用于存儲和釋放電能。在電子產(chǎn)品中，不同型號和參數(shù)的電容具有不同的特性和應(yīng)用。 一、電容的基本概念和分類 電容的基本概念： 電容是由兩個導(dǎo)體板之間隔開一層絕緣材料
2024-01-30 14:06:111296 變?nèi)荻O管（也稱為可變電容二極管或變?nèi)萜鳎┦且环N電子元器件，其容值可以通過外部電壓進行調(diào)節(jié)。在電路中，變?nèi)荻O管可以用于各種應(yīng)用，包括調(diào)諧、濾波、振蕩和頻率選擇等。下面將詳細介紹變?nèi)荻O管的參數(shù)
2024-01-24 16:00:56334 電容器是電子電路中不可或缺的元件之一，它主要用于儲存和釋放電能，在電路中起到耦合、旁路、濾波、調(diào)諧等多種作用。了解和識別電容的參數(shù)對于正確選擇和使用電容器至關(guān)重要。本文將詳細介紹電容的主要參數(shù)及其
2024-01-23 11:42:18609 二極管是電子器件中常見的一種元件，廣泛應(yīng)用于電路中。二極管具有許多主要參數(shù)，這些參數(shù)在選擇和使用二極管時至關(guān)重要。在本文中，我將詳細介紹二極管的主要參數(shù)以及使用中需要特別注意的參數(shù)。 額定電流
2024-01-23 11:37:35503 TVS反向工作時，在規(guī)定的IR條件下，TVS兩極的電壓值稱為額定反向工作電壓VWM.一般情況，VWM=（0.8~0.9）VBR，離散度為5%的TVS，VWM=0.85VBR（5%）;離散度為10%的TVS，VWM=0.81VBR（10%）。
2024-01-19 15:38:47427 
射頻功率放大器是一種將射頻信號放大到更高功率級別的電子設(shè)備。根據(jù)其工作原理和應(yīng)用要求，射頻功率放大器可以分為不同的類型。下面西安安泰將介紹一些常見的射頻功率放大器類型和相關(guān)的主要參數(shù)
2024-01-17 16:55:31152 
對于電容，大家應(yīng)該都聽說過，電容器是一種常見的電子元件，它的主要功能是儲存和釋放電能。下面我們就了解一下電容的作用。 隔直流：作用是阻止直流通過而讓交流通過。 旁路（去耦）：為交流電路中某些并聯(lián)
2024-01-17 16:21:01379 
逆變器是一種將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的電子設(shè)備，廣泛應(yīng)用于太陽能光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、電動汽車等領(lǐng)域。在選擇合適的逆變器時，需要關(guān)注其主要參數(shù)，以確保逆變器的性能和可靠性。那么逆變器的主要參數(shù)要求
2024-01-09 17:31:23366 在PCB設(shè)計中，軟件的安裝是我們邁出的第一步，接下來將詳細講解Altium Designer 23安裝教程。
2024-01-09 10:02:14897 
三電平拓撲中的飛跨電容是指在電路的輸出端使用電容來實現(xiàn)零電壓開關(guān)，從而降低電壓應(yīng)力和功率損耗。在設(shè)計飛跨電容參數(shù)時，需要考慮電容的額定電壓、容值以及電容的壓降。 首先，電容的額定電壓是指電容器能夠
2024-01-02 15:41:49591 和釋放電能。它有正負兩個極板，之間隔著一層絕緣介質(zhì)。電容器的主要參數(shù)是容量，單位是法拉（F）。電容器的兩個重要特性是充電和放電。
2023-12-29 14:47:17162 瞬態(tài)抑制二極管(TVS)的主要參數(shù)？|深圳比創(chuàng)達電子
2023-12-27 10:36:18205 
有必要定期檢查和測試電容器的好壞。本文將詳細介紹如何測量一個1000μF電容器的好壞以及常見故障的排除方法。 第一部分：電容器的基本知識 在開始測量之前，我們需要了解一些關(guān)于電容器的基本知識。電容器的主要參數(shù)是電容量（以法
2023-12-20 10:33:58762 霍爾元件的主要參數(shù)及其用途 引起霍爾元件誤差的因素? 霍爾元件是一種基于霍爾效應(yīng)的電子元件，廣泛應(yīng)用于測量、檢測、繼電器、電子開關(guān)、電子計算機、儀表、傳感器等領(lǐng)域。 一、霍爾元件的主要參數(shù)及其用途
2023-12-18 15:02:42744 ，以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和準確性。晶振的主要參數(shù)包括頻率、頻率穩(wěn)定性和工作溫度范圍等。下面將對這些參數(shù)進行詳細的介紹。 首先是晶振的頻率。晶振的頻率是指晶體的振蕩頻率，通常以赫茲（Hz）為單位。晶體的振蕩頻率取決于晶體的
2023-12-18 14:16:34495 當(dāng)頻率很高時，電容不再被當(dāng)做集總參數(shù)看待，寄生參數(shù)的影響不可忽略。寄生參數(shù)包括Rs，等效串聯(lián)電阻(ESR)和Ls等效串聯(lián)電感(ESL)。電容器實際等效電路如圖1所示，其中C為靜電容，1Rp為泄漏
2023-12-08 09:58:401971 
有關(guān)于MLCC（多層陶瓷電容）替代Film Cap (薄膜電容)的那些事
2023-12-04 17:35:37473 
Mbit/s。 超快速模式是一種單向模式，數(shù)據(jù)傳輸速度高達 5 Mbit/s。以下內(nèi)容主要討論在標準模式和快速模式下I2C硬件設(shè)計的注意事項。
2023-12-04 14:02:16721 
額定阻值（Resistance value）：電阻器的阻值是指在標準工作條件下的電阻值，通常以歐姆（Ω）為單位。
2023-12-01 09:16:48592 PCIE-5565型反射內(nèi)存卡是一款高性能、高可靠性的內(nèi)存卡，廣泛應(yīng)用于航空航天、工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。下面將詳細介紹PCIE-5565型反射內(nèi)存卡的主要參數(shù)。
2023-11-29 16:09:48224 電解電容在SVG產(chǎn)品中應(yīng)用實例及計算實例講解
2023-11-23 09:04:45408 
磁珠的工作原理、主要參數(shù)及選型 磁珠是目前廣泛應(yīng)用于生物分子分離和純化的一種高效分離材料。它的工作原理基于磁珠本身含有磁性材料，可以通過外加磁場來實現(xiàn)快速分離。本文將詳細介紹磁珠的工作原理、主要參數(shù)
2023-11-22 18:18:201142 鉭電容的主要性能參數(shù)有哪些？鉭電容如何選型？陶瓷電容會完全替代鉭電容嗎？ 鉭電容是一種常見的電容器，由鉭元件和電解液組成。它具有以下幾個主要性能參數(shù)： 1. 額定電容量（Rated
2023-11-22 17:26:36623 本文主要整理了“絕對最大值”和“推薦工作條件”兩個運放參數(shù)，因為這是在《運算放大器權(quán)威指南》參數(shù)講解中最前面的兩個參數(shù)，實際工作中接觸的最多。
2023-11-20 17:31:32440 
“ 電容是電子學(xué)三大基本無源器件之一。電容種類繁多，知識體系更為龐雜，常有因為對電容認識不深，存在一些不正確的使用，造成失效問題。本文系統(tǒng)講解電容的知識，第一部分介紹電容的原理和主要參數(shù)；第二部
2023-11-03 16:56:55626 
“ 本篇介紹鉭電解電容，同樣分3 個小節(jié)介紹：第一小節(jié)介紹鉭電解電容的結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)加工工藝流程；第二小節(jié)為鉭電解電容主要性能參數(shù)的變化特點，涉及到如何應(yīng)用等方面；第三小節(jié)為介紹鉭電解電容使用中的可靠性
2023-11-03 16:50:451043 
本系列文章將對LOAM源代碼進行講解，在講解過程中，涉及到論文中提到的部分，會結(jié)合論文以及我自己的理解進行解讀，尤其是對于其中坐標變換的部分，將會進行詳細的講解。
2023-11-01 10:49:09736 
更順利的通過電磁兼容性的測試也是對電容“絞盡腦汁”。想要用好電容就必須得先要了解電容準確的參數(shù)......上兩周有兩個客戶問道我關(guān)于電容S參數(shù)測量和使用的問題，周末的時候就花了點時間寫了點東西分享給大家，希望大家多多討論。
2023-10-30 11:03:19782 
供應(yīng)APG095N01 100v 65a 的mos管-G095N01 mos管主要參數(shù)，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供APG095N01 規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-10-27 17:14:45
晶體管的主要參數(shù)包括以下幾個方面。
2023-10-25 09:35:39672 MT8195安卓核心板,MT8195核心板主要參數(shù),安卓智能模組。基于臺積電6納米工藝制造的芯片。它采用了4個Cortex-A78大核和4個Cortex-A55小核，搭配Mali-G57MC5 GPU和APU 3.0，算力高達4 TOPs。
2023-10-19 18:26:19652 
了解TTL邏輯門電路的主要參數(shù)及測試方法。
2023-10-10 16:33:10822 
無刷電機的換向速度主要和什么參數(shù)有關(guān)系
2023-10-10 07:59:24
IGBT是如今被廣泛應(yīng)用的一款新型復(fù)合電子器件，而IGBT測試也變的尤為重要，其中動態(tài)測試參數(shù)是IGBT模塊測試一項重要內(nèi)容，IGBT動態(tài)測試參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能的重要依據(jù)。其動態(tài)測試參數(shù)主要有：主要參數(shù)有開關(guān)參數(shù)、柵極電阻、柵極電荷、寄生電容等。
2023-10-09 15:14:35644 
STM32的ADC采樣頻率主要和什么參數(shù)有關(guān)系
2023-10-09 06:52:31
開環(huán)差分放大倍數(shù)（Aod）。一般對應(yīng)的運放datasheet里面有這個參數(shù)。
2023-10-08 16:36:23492 
使用Sigirty進行PDN仿真時，比較關(guān)鍵的一步是設(shè)置電容的S參數(shù)模型，近來有不少同學(xué)和同行朋友來要一些電容的S參數(shù)模型
2023-10-02 15:04:001018 
一、觸頭的主要參數(shù) 觸頭有四個主要參數(shù)：開距、超程、初壓力和終壓力。 1、開距 開距即觸頭行程，也稱觸頭斷開距離。 2、超程 超程即觸頭在閉合位置時，動靜觸頭移開時的距離。 3、初壓力 初壓力
2023-09-24 15:33:581656 在微波系統(tǒng)中，我們通常使用S參數(shù)而不是Y參數(shù)或Z參數(shù)來進行描述。這主要是因為S參數(shù)提供了一種便捷的方式來描述微波系統(tǒng)的性能。
2023-09-22 09:52:17655 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是小米的2D激光雷達拆解圖和講解。
2023-09-22 08:07:45
下面從，晶振參數(shù)，MCU規(guī)格書與晶振下關(guān)的內(nèi)容，逐步說明晶振如何選型，原廠如何測試哪些參數(shù)，特殊情況如何處理，大家一起共同進步!
2023-09-14 16:03:132593 
以上是TDK品牌SPM4010系列繞線功率貼片電感參數(shù)表，功率貼片電感一般使用在DCDC上。
2023-09-11 17:26:131288 
和一個NTC測溫元件，并與一個高性能 8 位單片機相連接。 二.DHT11主要參數(shù) （1）濕度分辨率為8bit，測量精度為±4%RH（25℃），最大的測量范圍為20~90%RH，響應(yīng)時間為6-16秒； （2）溫度分辨率為8bit，測量精度為±1℃，測量范圍為0 50℃，響應(yīng)時間為6 30秒。 （3）傳感器
2023-09-11 11:17:043486 
在整個PCBA生產(chǎn)制造過程中， PCB 設(shè)計是至關(guān)重要的一部分，今天主要是關(guān)于 PCB 雜散電容、影響PCB 雜散電容的因素，PCB 雜散電容計算，PCB雜散電容怎么消除。
2023-09-11 09:41:20770 
MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)下的阻抗。導(dǎo)通阻抗越大，則開啟狀態(tài)時的損耗越大。因此，要盡量減小MOSFET的導(dǎo)通阻抗。
2023-09-06 10:47:40590 
功率二極管主要參數(shù)有哪些？ 功率二極管是一種電子元器件，通常用于控制高電壓和高電流的開關(guān)電路和放大電路中。功率二極管的主要參數(shù)與其使用環(huán)境和應(yīng)用目的有關(guān)。在本文中，我們將詳細討論功率二極管的主要參數(shù)
2023-08-28 17:22:411713 傳統(tǒng)的電容器件。因此，貼片電容和膽電容在性能、參數(shù)、應(yīng)用范圍、使用壽命、價格等方面都有很大差異。本文將詳細介紹貼片電容和膽電容的特點和用途，分析它們能否互相替代。 一、貼片電容的特點和用途 1.特點： 貼片電容是
2023-08-25 14:38:43397 貼片Y電容是一種小型化的電容器。在電路設(shè)計中，它的作用非常重要。通過控制電容值，可以實現(xiàn)對電路的頻率響應(yīng)、相位響應(yīng)和阻抗匹配等方面的調(diào)整。貼片Y電容存在著很多的規(guī)格參數(shù)。我們知道貼片Y電容的參數(shù)有好多個。其中，最基本的參數(shù)包括電容值、公差、額定電壓、電容器系列等，下面弗瑞鑫將逐一為大家講解。
2023-08-24 09:31:52555 在IOT設(shè)備中，基于全宅聯(lián)控的需求，萬能紅外遙控器也涌現(xiàn)出各種不同的產(chǎn)品形態(tài)。一個好的萬能遙控器要求覆蓋距離遠、范圍廣，而且操作成功率也要高！
2023-08-23 09:18:031254 
鏡頭的主要參數(shù)有焦距、分辨率、工作距離、景深、視野范圍、畸變量等。
2023-08-19 14:28:27941 目前來說說晶振的標稱頻率在1 ~ 200 MHz之間，如3.2768MHz、8MHz、12MHz、24MHz、125MHz等，這些都是晶振的參數(shù)。對于更高的輸出頻率，通常使用PLL將低頻倍頻至1GHz以上，這些都是常見的晶振參數(shù)的
2023-08-10 13:55:252631 
LCR數(shù)字電橋是一種常見的儀器，用于測量和分析電感、電容和電阻等元件的參數(shù)。下面是關(guān)于如何使用LCR數(shù)字電橋來測量電容和電感的詳細步驟和注意事項。 1. 測量電容： - 步驟1：將待測電容器與LCR
2023-08-09 17:29:543101 貼片Y電容，是一種電子元件，也被稱作“介質(zhì)電容器”。此類電容器在各種電路中起著重要作用。貼片Y電容，有著一些特殊的規(guī)格參數(shù)，這些參數(shù)需要我們?nèi)チ私狻⒄莆蘸蛻?yīng)用。今天弗瑞鑫將會詳細介紹貼片Y電容的規(guī)格參數(shù)。
2023-08-09 11:33:09536 貼片電容封裝詳細資料，單片陶瓷電容器(通稱貼片電容)是目前用量比較大的常用元件,就AVX公司生產(chǎn)的貼片電容來講有NPO、X7R、Z5U、Y5V-電子器件知識電路圖
2023-07-28 13:21:13876 
IGBT模塊動態(tài)參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時間、驅(qū)動功率等的重要依據(jù)，本文重點討論以下動態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543287 
作為電路中廣泛應(yīng)用的電子元件，貼片電容在各種電子產(chǎn)品中都有著不可替代的作用。其中，貼片Y電容是一種特定類型的貼片電容，它的型號參數(shù)對于電子工程師來說是一個重要的參考。今天弗瑞鑫小編將詳細講解貼片Y電容的型號參數(shù)，以幫助讀者更好地了解這種電子元件。
2023-07-25 16:42:02572 光電耦合器，簡稱“光耦”，它是把發(fā)光器（紅外線發(fā)光二極管）與受光器（光敏半導(dǎo)體）封裝在同一管殼內(nèi)，以光為媒介來傳輸電信號的器件。
2023-07-24 15:51:037371 
特銳祥是一家擁有豐富經(jīng)驗的電子元件供應(yīng)商，其推出的特銳祥貼片Y電容是一款高性能的電容器件。今天弗瑞鑫小編將詳細介紹特銳祥貼片Y電容的技術(shù)參數(shù)、性能特點以及應(yīng)用場景。
2023-06-29 17:33:26371 二極管結(jié)電容分為兩種：勢壘電容和擴散電容。二極管的結(jié)電容等于兩者之和，在PN結(jié)反偏的情況下，勢壘電容主導(dǎo)作用。在PN結(jié)正偏的情況下，擴散電容主導(dǎo)作用。節(jié)電容并不是兩個管腳引起雜散電容，是由于PN節(jié)的特性產(chǎn)生的。
2023-06-27 16:34:294931 
電化學(xué)氣體傳感器的主要參數(shù)包括：量程范圍(RANGE)、靈敏度(SENSITIVITY) 、響應(yīng)時間(Response Time)、恢復(fù)時間(Recovery Time)和歸零時間、分辨率
2023-06-26 09:28:301599 
貼片電感有什么基本參數(shù)？
各位，知道并且了解貼片電感嗎？接下來，來帶你了解一下：
貼片電感主要參數(shù)有電感、容許偏差、品質(zhì)因數(shù)、分布電容和額定電流等。
感應(yīng)系數(shù)又稱感應(yīng)器，是表示感應(yīng)器產(chǎn)生自我感應(yīng)能力的物理量。
2023-06-18 15:58:141093 碳化硅mosfet有哪些主要參數(shù) 碳化硅MOSFET相關(guān)的主要參數(shù)包括： 1. 閾值電壓（Vth）- 這是MOSFET開啟的電壓。隨著Vth的增加，MOSFET的開關(guān)速度會變慢。 2. 導(dǎo)通電
2023-06-02 14:09:032009 安規(guī)電容是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一，廣泛應(yīng)用于隔直、耦合、旁路、濾波、調(diào)諧回路、能量轉(zhuǎn)換、控制電路等方面。弗瑞鑫電子所代理的安規(guī)電容參數(shù)標志如下： ? 特銳祥安規(guī)電容產(chǎn)品，均采用一致性
2023-05-25 16:55:18414 
通常，當(dāng)我們選擇r型變壓器時，我們不一定對所有參數(shù)都有如此全面的了解。R型變壓器的主要參數(shù)是什么？他的相應(yīng)功能是什么？有了這些問題，讓我們跟隨小r來學(xué)習(xí)變壓器最常用和最重要的參數(shù)，這樣我們在將來選擇變壓器時就不會感到困惑。
2023-05-12 14:44:491185 
在電路進行EMI設(shè)計時，磁珠是用到的最常見的器件。那么磁珠的特性是什么，它在電路起到什么作用，以及如何選型，下面便是我整理的關(guān)于磁珠的知識，僅作為知識記錄和分享。
2023-05-09 11:07:467678 
的準確之外，也是為了適應(yīng)不同使用環(huán)境的需要，以下是電容液位計需要調(diào)節(jié)好的主要參數(shù): 電容器的容量 電容器的容量越大，其電容值就越大。在開始調(diào)節(jié)參數(shù)前，需要先確定電容器的容量，并根據(jù)電容器的容量選擇相應(yīng)的電容器。
2023-05-08 13:47:16650 
ns級，比氣體放電管快，比TVS管稍慢一些；
2)結(jié)電容：壓敏電阻的結(jié)電容一般在幾百到幾千pF的數(shù)量級范圍，很多情況下不宜直接應(yīng)用在高頻信號線路的保護中，應(yīng)用在交流電路的保護中時，因為其結(jié)電容較大
2023-05-05 17:06:42
我在使用 ESP32AT 命令模擬 BLE 鼠標時遇到 了一個問題，在 AT 指令集中查到了 AT+BLEHIDMUS=,,,指令參數(shù)的簡單說明， 但實際使用中不清楚< wheel
2023-04-24 09:08:43
參數(shù)的RLGC模型的情況下，一般我們的計算步驟如： 1）Von*Ton＝Voff*Toff –》Vo=D*Vin（占空比D在輸出電壓設(shè)置時已決定） 2）輸出電感L1計算：Von*D/f=L1*ΔI
2023-04-14 14:56:28
BNC線材可以通過線材測試機來進行測試它的電阻、電壓、漏電流、斷/短路等參數(shù)。
2023-04-11 10:54:391818 本帖最后由 小七小七 于 2023-4-10 08:52 編輯
因上傳限制，分成2個文件包，有需要的可以自行下載！！！之前備考的時候?qū)W習(xí)整理的資料，供各位備考學(xué)習(xí)：1、ACL工作原理詳細講解2
2023-04-07 11:59:58
在很多電源上面，一般都會用到X和Y安規(guī)電容，它們到底怎么接線，應(yīng)該用在什么位置，起到什么作用呢？本文就來詳細介紹一下相關(guān)的知識點。X和Y安規(guī)電容都有哪些類型？X安規(guī)電容主要有X1安規(guī)電容和X2
2023-04-07 11:05:412025 
溫度穩(wěn)定度指晶振在溫度變化時輸出頻率的變化范圍，是影響晶振穩(wěn)定性的重要因素。一般情況下，晶振的溫度穩(wěn)定度越高，晶振的性能越好，但成本也越高。在選擇晶振時，需要考慮系統(tǒng)的工作溫度范圍，選擇具有合適溫度穩(wěn)定度的晶振。
2023-04-06 09:44:143490 如何理解參數(shù)-Cch（通道電容）？這是負載電路中用于測量的NVT4858負載電容 嗎？
2023-04-06 06:35:09
又恢復(fù)到高阻抗狀態(tài)。 TVS可以吸收侵入性的ESD，保護電子設(shè)備，防止電路故障，TVS的主要參數(shù)如下： （1）最小擊穿電壓VBR：器件在發(fā)生擊穿的區(qū)域內(nèi)，在規(guī)定的試驗電流IBR（一般情況IBR
2023-03-29 11:11:24
參數(shù)的RLGC模型的情況下，一般我們的計算步驟如： 1）Von*Ton＝Voff*Toff –》Vo=D*Vin（占空比D在輸出電壓設(shè)置時已決定） 2）輸出電感L1計算：Von*D/f=L1*ΔI
2023-03-27 16:22:01
說起安規(guī)電容，相信大家都有所了解了。安規(guī)電容是一種安全性極高的電容，即使電容器失效之后，也不會造成人身安全。安規(guī)電容主要包含X安規(guī)電容和Y安規(guī)電容。今天弗瑞鑫小編就來為大家詳細講解一下X/Y安規(guī)電容
2023-03-24 15:03:271083 
PWM控制器是一種基于脈沖寬度調(diào)制技術(shù)的電子設(shè)備，用于控制電能的輸出或輸出電壓和電流的波形。PWM控制器主要參數(shù)、特點和應(yīng)用如下。
2023-03-23 16:42:226329
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