嵌入式鐵電存儲器可實現超低功耗微控制器的設計。將鐵電存儲器添加到微控制器中可以進行快速可靠的非易失性數據存儲與處理，是存儲系統狀態、數據記錄及在多種應用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計量儀表到
2024-03-06 09:57:22
1) 允許一個物理內存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數據存儲器進行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數據存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數據的數據存儲器。
2024-01-30 08:18:12
ADuCM360/1是否支持存儲器到存儲器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
是Volatile RAM（易失性存儲器），又稱為SRAM（Static Random Access Memory，靜態隨機訪問存儲器）；另一種是Non-volatile RAM（非易失性存儲器），又稱
2024-01-12 17:27:15
513 近日，三星宣布正在研發一種新型的LLW DRAM存儲器，這一創新技術具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領未來內存技術的發展。
2024-01-12 14:42:03282 ，但它的指標是每個腳可驅動60毫安的負載（如匹配幾十歐姆的電阻），即滿負荷的功耗最大可達60*16=960mA，當然只是電源電流這么大，熱量都落到負載身上了。
誤區六：存儲器有這么多控制信號，我
2024-01-09 08:04:28
低功耗是微控制器設計中非常重要的一個方面，尤其對于像STM32F030K4T6這樣的微控制器來說，低功耗設置是提高電池壽命、減少能耗的關鍵。本文將詳細介紹如何在STM32F030K4T6微控制器上進
2024-01-04 10:41:51285 人工智能芯片通常使用 SRAM 存儲器作為緩沖器（buffers），其可靠性和速度有助于實現高性能。
2024-01-03 17:16:041432 
PY32L020 單片機是一款高性能的 32 位 ARM? Cortex?-M0+內核，寬電壓工作范圍的 MCU。芯片嵌入了24Kbytes Flash 和 3Kbytes SRAM 存儲器，主頻
2023-12-20 16:02:38
SRAM (Static Random Access Memory)是一種高速、隨機訪問的存儲器，它以其快速的讀寫操作和不需要刷新的特點而受到廣泛使用。本文將詳細介紹SRAM的讀寫電路設計
2023-12-18 11:22:39496 SRAM是采用CMOS工藝的內存。自CMOS發展早期以來，SRAM一直是開發和轉移到任何新式CMOS工藝制造的技術驅動力。
2023-12-06 11:15:31635 今天給大家介紹一款Soc 2.4G 收發一體模塊-SI24R03
Si24R03是一款高度集成的低功耗無線SOC芯片，芯片為QFN32 5x5mm封裝，集成了資源豐富的MCU內核與2.4G收發器模塊
2023-12-05 11:50:06
閃速存儲器 （Flash Memory）簡稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17914 
低功耗雙倍速率同步動態隨機存取存儲器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡稱為 LPDDR，是DDR SDRAM 的一種，由于廣泛用于移動
2023-11-21 09:37:36257 
，VM）兩大類。例如，人們熟知的閃速存儲器 ( Flash Memory，簡稱 Flash）就屬于 NVM，靜態隨機存取存儲器 (Static Random Access Memory， SRAM）和動態隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 后存儲內容會丟失的存儲器稱作易失存儲器（Volatile Memory），存儲內容不會丟失的存儲器稱作非易失存儲器（Non-Volatile Memory）。 半導體存儲器分類 1、按功能分為 （1）隨機存取存儲器（RAM）特點：包括DRAM（動態隨機存取存儲器）和SRAM（靜態隨
2023-11-15 10:20:01731 
電子發燒友網站提供《一款低功耗LED燈驅動電路原理介紹.doc》資料免費下載
2023-11-14 11:23:17
0 SRAM 的數量是任何人工智能處理解決方案的關鍵要素，它的數量在很大程度上取決于您是在談論數據中心還是設備，或者是訓練還是推理。但我想不出有哪些應用程序在處理元件旁邊沒有至少大量的 SRAM，用于運行人工智能訓練或推理。
2023-11-12 10:05:05452 單片機的存儲器主要有幾個物理存儲空間
2023-11-01 06:22:38
單片機的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了啊？？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
20Kbytes的flash存儲器和3Kbytes的SRAM，為簡單的數據處理提供了充足的存儲空間。 在時鐘系統方面，PY32F002A配備了內部8/24MHz RC振蕩器、內部32.768KHz RC振蕩器
2023-10-25 19:05:03471 
PY32F002A系列微控制器是一款高性能、低功耗的MCU，它采用32位ARM? Cortex?-M0+內核，最高工作頻率達到24MHz，提供了強大的計算能力。此外，PY32F002A擁有最大20Kbytes的flash存儲器和3Kbytes的SRAM，為簡單的數據處理提供了充足的存儲空間。
2023-10-24 17:19:59557 
AT32 SPIM Application Note描述了怎么使用AT32 MCU的SPIM作為外部存儲器的擴展功能。
2023-10-24 08:03:56
常見幾種硬盤的簡單介紹
硬盤是服務器托管用戶主機主要的數據存儲介質。目前硬盤的種類有三類，不同的選擇方案也會有不同的優劣對比。下面講講他們之間有什么不同吧
固態硬盤： 用固態電子存儲芯片陣列
2023-10-18 16:56:11
設計。
三種設計相結合，才能達到業界最優的低功耗目標。
低功耗框架
任何廠家，低功耗的設計都需要分為電路設計和系統軟件設計兩部分，本書主要介紹的是低功耗系統架構的設計。
一般，在復雜的系統中，會有獨立
2023-10-18 03:27:48
存儲領域發展至今，已有很多不同種類的存儲器產品。下面給大家介紹幾款常見的存儲器及其應用。
2023-10-17 15:45:50521 
存儲器測試問題怎么才能穩定
2023-10-17 06:51:11
功能，既能夠獨?應?，也可以作為從機搭載于其他主機 MCU 運?。當 ESP8266EX 獨?應?時，能夠直接從外接 Flash 中啟動。內置的?速緩沖存儲器有利于提?系統性能，并且優化存儲系統。此外
2023-10-10 06:23:49
MCU干預
-OSC起振失敗監測功能
其他特征
超低功耗，最低功耗達1.7uA（MCU模塊處于掉電模式，讀卡器模塊處于硬掉電模式）；
典型ACD模式功耗為4.1uA（MCU模塊處于掉電模式，讀寫器
2023-10-08 16:01:27
怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
隨著信息技術的飛速發展，數據存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優勢，在各個領域得到了廣泛應用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結構特點、性能指標及應用領域進行詳細解析，以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 與EEPROM、FLASH等傳統的非易失性存儲器相比，具有優越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 由于車載電子控制系統對于存取各類傳感器資料的需求持
2023-09-27 10:00:51
如何檢測24c存儲器容量
2023-09-25 06:48:32
存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類，前者在掉電后會失去記憶的數據，后者即使在切斷電源也可以保持數據。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
高達48 MHz的ARM?Cortex?-M0+內核、高速嵌入式存儲器(高達64K字節的閃存和高達8K字節的SRAM)，以及各種增強型外設和I/O。
所有器件均提供標準通信接口(三個UART、一個SPI
2023-09-14 08:54:22
CW32L083是一款基于eFlash的單芯片低功耗微控制器，集成了ARM?Cortex?-M0+
核心，主頻高達64MHz，高速嵌入式存儲器（高達256K字節的FLASH和
高達24K字節
2023-09-14 06:41:28
CW32L052 是基于 eFlash 的單芯片低功耗微控制器，集成了主頻高達 48MHz 的 ARM? Cortex?-M0+ 內核、高速嵌入式存儲器（多至 64K 字節 FLASH 和多至 8K
2023-09-14 06:28:26
CW32L083 是基于 eFlash 的單芯片低功耗微控制器，集成了主頻高達 64MHz 的 ARM? Cortex?-M0+ 內核、高速嵌入式存儲器（多至 256K 字節 FLASH 和多至
2023-09-14 06:27:07
CW32L031是一款基于eFlash的單芯片低功耗微控制器，集成了ARM?Cortex?-M0+
核心，主頻高達48MHz，高速嵌入式存儲器（高達64KB的FLASH和
高達8K字節的SRAM
2023-09-14 06:02:27
)都是獨立和軟件可配置的 每個通道都有3個事件標志位DMA半傳輸DMA傳輸完成和DMA傳輸出錯 支持存儲器->存儲器外設->存儲器存儲器->外設和外設-&
2023-09-13 08:06:16
系統架構
? 多層AHB總線矩陣
? 存儲空間
? 存儲器映射
? 片上SRAM
? 位帶操作
? 片上閃存
? 自適應閃存加速器（STM32F2新增）
? 啟動模式
? 代碼空間的動態重映射（STM32F2新增）
? 內嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
ST低功耗MCU產品介紹? STM32Lx 低功耗產品特性? STM32Lx 低功耗模式對比? 低功耗MCU ULPBench? 低功耗市場應用? 解決問題案例? 案例：外部GPIO的漏電流? 案例：硬件上的“小”問題? 案例：低功耗模式引起的外設工作異常? 案例：數據采集中的省電模式BAM
2023-09-11 06:04:06
存儲器是計算機中的重要組成部分，用于存儲程序、數據和控制信息等。根據存儲信息的介質和訪問方式的不同，存儲器可以分為隨機存儲器（RAM）、只讀存儲器（ROM）和硬盤存儲器等幾類。本文將介紹存儲器的工作原理、分類及結構。
2023-09-09 16:18:272106 ，介紹下函數名字，參數，但是完全不知道接口為什么要這么設計，設計原理時什么，思路時什么，有什么借鑒的。
缺乏理論結合實踐，缺乏擴展
比如第一章講低功耗的3種主要設計思路，其實這是低功耗設計的核心了，應該
2023-09-08 23:38:15
本文檔介紹了 STM32H7 系列微控制器上糾錯碼（ECC）的管理和實現。本應用筆記針對保護內部存儲器內容的 ECC 機制，描述了與之相關的硬件、軟件信息。除此之外，也可使用外部存儲器進行 ECC
2023-09-08 07:31:20
根據專利要點，提供本申請的一種存儲器是檢測方法及存儲半導體相關技術領域中存儲單位與上線之間漏電測定的復雜技術問題，該存儲器的檢測方法如下：選通字線，通過位線在所有存儲單元中寫設定存儲。
2023-09-07 14:27:24524 
包含了? ST低功耗MCU產品介紹? STM32L4 低功耗產品特性? STM32L 低功耗模式對比? 如何評估功耗，如何根據應用選擇? 低功耗MCU ULPBench? 低功耗市場應用
2023-09-07 08:12:41
庫的慢-慢工藝點對塊進行合成，以200 MHz的目標速度確認時序特性。
接口存儲器端口上的信號符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術生產的單端口同步存儲器組件所要求的時序要求
2023-08-21 06:55:33
技術，每種技術都具有不同的特性和高級功能。雙數據速率 (DDR) 同步動態隨機存取存儲器 (SDRAM) 已成為主系統存儲器最主流的存儲器技術，因為它使用電容器作為存儲元件來實現高密度和簡單架構、低延遲和高性能、無限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20414 
發出警報聲。 本文主要介紹國產鐵電存儲器PB85RS2MC用于醫療生命監護儀的存儲方案中。對于這些應用，鐵電存儲器與EEPROM相比可以更頻繁地寫入，設備可以
2023-08-16 10:30:26
XL32F003系列微控制器采用高性能的32位ARM?Cortex?-M0+內核，寬電壓工作范圍的MCU。嵌入高達64 Kbytes flash和8 Kbytes SRAM存儲器，最高工作頻率
2023-08-11 13:57:28
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結構（AMBA）的片上系統（SoC）外圍設備。它由ARM有限公司開發、測試和許可。
AHB MC利用了新開發的動態存儲器控制器（DMC）和靜態存儲器控制器
2023-08-02 14:51:44
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結構（AMBA）的片上系統（SoC）外圍設備。它由ARM有限公司開發、測試和許可。
AHB MC利用了新開發的靜態存儲器控制器（SMC）。AHB MC有一個
2023-08-02 07:14:25
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器是一種易失性存儲器，意味著當斷電時，存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使用電容來存儲數據，電容需要持續地充電來保持數據的有效性。一旦斷電，電容會迅速失去電荷，導致存儲的數據丟失。
2023-07-28 15:02:032205 器件中的高功耗雖然是可以容忍的，但是在設計過程中，我們往往都在追求低功耗實現。上篇文章中，小編對MCU的低功耗設計有所解讀。為增進大家對功耗的了解程度，本文將對寄存器傳輸級低功耗設計方法予以介紹。
2023-07-23 15:38:11957 
何謂半導體存儲器？ 半導體存儲器是指通過對半導體電路加以電氣控制，使其具備數據存儲保持功能的半導體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數據讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點。 關閉電源
2023-07-12 17:01:131098 
低功耗藍牙協議棧介紹
2023-07-04 19:32:482 鐵電存儲器(FRAM)具有非易失性，讀寫速度快，沒有寫等待時間等優勢，能夠像RAM一樣操作，低功耗，擦寫使用壽命長，芯片的擦寫次數為100萬次，比一般的E2PROM存儲器高10倍。特別適合在為工業
2023-06-29 09:39:03382 ，非易失性存儲器在計算機關閉后存儲數據仍保留在計算機中。易失性存儲器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲狀態。主要分為兩種類型：靜態隨機存取存儲器(SRAM)和動態隨機存取存儲器(DRAM)。 1963年，Fairchild發明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28874 PHY6222
超低功耗藍牙芯片
是一款低功耗藍牙芯片，主要應用在數據傳輸的產品領域。例如，車載藍牙、手環、醫療、藍牙鎖、藍牙自拍桿、藍牙健身器材等等。處理器為32位的ARM Cortex M0
2023-06-27 17:30:17
如果您正在尋找一款高性能、低功耗的微控制器，那么XL32F002A是一個您值得考慮的選擇。這款MCU在價格上非常的具有性價比。32位ARM Cortex-M0+處理器擁有多項強大的特性，包括最高24MHz的工作頻率、20Kbytes的flash存儲器和3Kbytes的SRAM。
2023-06-27 17:21:43443 Card外部存儲器。LTM32F103ZET6芯片支持多種省電模式，使其能夠滿足各種低功耗應用的要求，其內部框架圖如下： LTM32F103ZET6芯片主要特性： ARM 32位Cortex-M3內核 512KB閃存、64KB SRAM高
2023-06-26 14:12:19797 
PLC系統中的存儲器主要用于存放系統程序、用戶程序和工作狀態數據。PLC的存儲器包括系統存儲器和用戶存儲器。
2023-06-26 14:02:453775 靜態隨機存儲器(SRAM: Static Random Access Memory) 和動態隨機存儲器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。
2023-06-25 14:30:181959 
I/O寄存器、程序ROM、數據閃存和外部存儲器區域。 圖16. RA6M3存儲器映射 8.1 SRAM RA6 MCU提供帶
2023-06-21 12:15:03421 
UPF是一個統一的，被廣泛應用的低功耗實現標準。它用一些標準的語言描述用戶的低功耗設計意圖。
2023-06-05 17:48:141295 
************************************************* *************************************
* 詳細說明：
* 這個例子的目的是展示如何保存數據在 SRAM 存儲器中通過
2023-06-05 09:47:48
介紹低功耗的概述
2023-06-03 12:43:14802 介紹Cortex-M0、Cortex-M0+超低功耗
2023-06-02 09:36:01409340 存儲器是集成電路領域的通用器件，其市場用量巨大，從類型上分為 ROMEPROM、E2PROM、SRAM、DRAM、FLASH 等。
2023-05-30 09:56:44251 
在單板設計中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統或者是復雜的單板設計，都離不開存儲器設計：1、存儲器介紹存儲器的分類大致可以劃分如下：ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM在系統停止供電
2023-05-19 17:04:36766 
在單板設計中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統或者是復雜的單板設計，都離不開存儲器設計：
1、存儲器介紹
存儲器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM在系統
2023-05-19 15:59:37
UPF編碼基礎（內容：電源網絡定義，多電壓域設計，低功耗模式，低功耗單元規則（rules)，芯片邊緣供電定義，IP供電描述）
2023-05-15 14:22:43716 
其數據始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統設計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續航特性，它適用于工業設計中的代碼存儲、數據記錄、備份存儲器和工作存儲器。
2023-05-12 16:31:39268 32MHz- 單周 期硬件乘法器- 0 等待周期取指 @0~32MHz- 指令效率 1.11 DMIPS/MHz @Dhrystone? 存儲器- 16KB SRAM 、 64KB e F lash
2023-05-11 10:45:50
單片機的程序存儲器和數據存儲器共處同一地址空間為什么不會發生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
首個非易失性存儲器是PROM（可編程只讀存儲器），以及與之密切相關的EPROM（可擦寫可編程只讀存儲器）。最初的PROM產品在1967年由貝爾實驗室提出，并于1971年由英特爾進一步開發。
2023-05-10 11:03:57408 EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應用中。串行訪問的靜態隨機存取存儲器采用先進的CMOS技術進行設計和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時，應該將其設置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態隨機存儲器
2023-04-19 17:45:462547 本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現數據在兩個內存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態的源數據，存放在內部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數據拷貝到目標地址上（內部SRAM），最后對比源數據和目標地址的數據，判斷傳輸是否準確。
2023-04-17 15:28:08
“隨手關燈”的概念，盡可能的縮短暫時不使用的模塊通電的時間，以降低系統運行時總的平均功率。 簡單來說低功耗就是能耗低，電耗小，量大可以節能。 而低功耗語音芯片是指能耗低，電耗小的語音ic，那么有哪些低功耗語音芯片呢？ N
2023-04-14 16:06:27466 
及SRAM相當,大大超出了閃存的105次。在功能及性能方面均超過現有存儲器的自旋注入MRAM,很有可能將會取代在設備中使用的多種存儲器(見圖1)。如果關鍵技術的研發工作進展順利，自旋注入MRAM今后
2023-04-07 16:41:05
的RAM或常規的非易失性存儲。該存儲器真正是非易失性的，而不是由電池供電的。引腳配置特征高集成度設備替代了多個零件?串行非易失性存儲器?帶鬧鐘的實時時鐘（RTC）?低VDD檢測驅動復位?看門狗窗口定時器
2023-04-07 16:23:11
這兩個存儲器，從而提高性能并允許在同一個周期訪問程序和數據。存儲器映射中包含片上RAM、外設I/O寄存器、程序ROM、數據閃存和外部存儲器區域。 圖13. RA2A1存儲器映射 7.1 SRAM
2023-04-06 16:45:03466 我們正在嘗試將內部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們如何使用。請指導我們實現這一目標
2023-04-04 08:16:50
存儲器按存儲介質特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計算機角度上看，易失性存儲器可以理解為內存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
的頻率限制。另外，尋找 SRAM 的使用情況。 問題 1：使用外部 SRAM 時，SEMC 控制器是否有頻率上限（如 166MHz，低于或高于）限制？問題 2：是否有具體的文檔描述使用 SEMC
2023-03-30 07:11:18
當系統時鐘頻率降至 2 MHz 以下時，可實現此模式。代碼從 SRAM 或閃存中執行。穩壓器處于低功耗模式以最小化其工作電流。 ? ? 3.2配置低功耗運行模式 3.2.1 STM32CubeMX
2023-03-23 14:40:05431 
低功耗模式介紹 默認情況下，微控制器在系統或電源復位后處于運行模式。當 CPU 不需要保持運行時，例如等待外部事件時，可以使用多種低功耗模式來節省電量。超低功耗 STM32L476xx 支持七種
2023-03-23 14:30:25853 
我正在使用 iMXRT1160，IVT 標頭的版本描述及其用法是什么？
2023-03-23 09:10:07
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