當前正在開發安卓APP，碰到無法讀取后256個字節數據的問題，
手機端發送命令如下
0x02, 0x23, 0x40, 0x7fST25DV04回復
0x01,0x0f可以看到是讀取失敗了，請問一下應該如何讀取？
2024-03-18 06:12:31
FS61C25MR電壓檢測器芯片IC是泛海微公司生產的一款高性能、高精度的電壓檢測器。該芯片采用CMOS工藝，具有N溝道特性，適用于各種需要電壓檢測的電子設備。其封裝形式為SOT-23，具有小巧的體積和優異的電氣性能，方便在實際電路中使用。
2024-03-17 22:51:31
37 
MR25H256 MRAM 存儲器 mikroBUS? Click? 平臺評估擴展板
2024-03-14 22:03:11
芯片生產中應用MR-MUF（批量回流模制底部填充）技術的傳言并不屬實。 ? 三星在HBM生產中目前主要采用非導電薄膜（NCF）技術，而非SK海力士使用的批量回流模制底部填充（MR-MUF）封裝工藝。報道稱之所以要采用MR-MUF是為了解決NCF工藝的一些生產問題。
2024-03-14 00:17:002498 
FS61C27MR電壓檢測器芯片IC是泛海微公司推出的一款高性能、高可靠性的產品。這款芯片采用SOT-23封裝形式，具有CMOS N溝道特性，其額定電壓檢測閾值為2.7V。憑借其出色的性能
2024-03-13 18:30:20
FS61C25MR電壓檢測器芯片IC是泛海微公司生產的一款高性能、高精度的電壓檢測器。該芯片采用CMOS工藝，具有N溝道特性，適用于各種需要電壓檢測的電子設備。其封裝形式為SOT-23，具有小巧
2024-03-13 18:28:01
FS61C24MR電壓檢測器芯片IC是泛海微公司推出的一款高性能產品，廣泛應用于各種電子設備中。這款芯片采用SOT-23封裝，具有CMOS N溝道特性，其閾值電壓為2.4V。接下來，我們將
2024-03-13 18:24:44
工作，為低電平芯片輸出關閉。H5119SL采用SOT23-6封裝。
產品特征
l 支持寬壓輸入范圍
l 平均電流工作模式
l 支持輸出電流4A
l 轉換效率最高可達95%
l 輸出電流精度±3%
l
2024-03-08 18:12:14
芯片燒錄行業領導者-昂科技術近日發布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號列表，其中Macronix旺宏電子的256Mb位串行NOR閃存MX25L25673GM已經被昂科的通用燒錄平臺AP8000所支持。
2024-03-01 19:19:3059 
光伏逆變器拓撲概述及關鍵技術
2024-02-21 09:47:20197 
MRAM是以磁性隧道結（MTJ）儲存單元為基礎。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同方向的極化時，MTJ的隧道結便會顯現出低電阻特性;反之MTJ便會有高電阻。
2024-02-19 11:32:41367 
AT28C256是一款由Atmel公司生產的256KB的EEPROM芯片，具有高速讀寫特性，適用于多種應用場合，包括數據存儲、程序存儲、固件升級等。
2024-02-01 17:34:53517 臺積電近日宣布，與工研院合作開發出自旋軌道轉矩磁性存儲器（SOT-MRAM）陣列芯片，該芯片具有極低的功耗，僅為其他類似技術的1%。這一創新技術為次世代存儲器領域帶來了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346 據報道，全球領先的半導體制造公司臺積電在次世代MRAM存儲器相關技術方面取得了重大進展。該公司成功開發出自旋軌道轉矩磁性存儲器（SOT-MRAM）陣列芯片，并搭配創新的運算架構，使其功耗僅為其他類似技術的1%。
2024-01-19 14:35:126646 臺積電在MRAM技術方面已經取得了顯著進展，成功研發了22納米、16/12納米工藝的MRAM產品線，并積累了大量內存和車用市場訂單。
2024-01-18 16:44:044838 NVIDIA Omniverse? Nucleus 是 NVIDIA Omniverse 的數據庫和協作引擎。
2024-01-17 09:22:05186 
MRAM是以磁性隧道結（MTJ）儲存單元為基礎。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同方向的極化時，MTJ的隧道結便會顯現出低電阻特性;反之MTJ便會有高電阻。
2024-01-09 11:15:26200 
高通宣布推出全新的Snapdragon XR2+ Gen 2芯片，這款芯片專為混合現實（MR）頭戴設備設計。高通表示，三星和谷歌已經計劃采用這款新芯片。
2024-01-05 15:15:32223 記者了解到，國內已有多家公司早早布局了MR產品，更有科創板公司明確表示已進入蘋果MR產業鏈。
2023-12-21 14:21:57181 SENT總線的特征和優勢? SENT總線是一種常用于計算機和電子設備之間的通信接口。它具有許多特征和優勢，使得它在現代電子領域中得到廣泛應用。 首先，SENT總線是一種數字串行通信協議，它通過串行
2023-12-07 11:15:32560 PY25Q128HA是一種串行接口閃存設備，設計用于各種大容量的基于消費者的應用程序，其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進行執行。該設備靈活的擦除架構，其頁面擦除粒度也是數據存儲的理想選擇，消除了對額外數據存儲設備的需要。
2023-11-30 16:38:00275 
PY25Q64HA是一種串行接口閃存設備，設計用于各種大容量的基于消費者的應用程序，其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進行執行。該設備靈活的擦除架構，其頁面擦除粒度也是數據存儲的理想選擇，消除了對額外數據存儲設備的需要。
2023-11-29 16:45:57397 
PY25Q32HB是一種串行接口閃存設備，設計用于各種大容量的基于消費者的應用程序，其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進行執行。
2023-11-28 17:43:07435 
目前三星仍然是全球專利第一，2002年三星宣布研發MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對MRAM的研發一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發逐漸走向低調。
2023-11-22 14:43:53213 
本文介紹用BurnTool給星閃芯片BS25燒寫程序。
2023-11-22 09:49:37999 
本文介紹用BurnTool給海思的星閃芯片BS25燒寫程序。
2023-11-14 09:08:291749 
松下 MR240使用說明書
2023-10-31 11:45:08
0 控制多片PLL芯片時，串行控制線是否可以復用？ 當需要控制多片PLL芯片時，使用復雜電路來進行控制并非理想方案，因為使用多個電路芯片會導致整個系統變得復雜且難以處理。因此，確定一個適當的解決方案
2023-10-30 10:16:42149 電子發燒友網為你提供ADI(ADI)DS28E25: DeepCover Secure Authenticator with 1-Wire SHA-256 and 4Kb User EEPROM
2023-10-16 18:55:54
型號：VK1618
品牌：永嘉微電/VINKA
封裝形式：SOP18
概述：VK1618是一種帶鍵盤掃描接口的數碼管或點陣LED驅動控制專用芯片，內部集成有3線串行接口、數據鎖存器、LED 驅動
2023-10-12 14:23:43
電子發燒友網為你提供ADI(ADI)MAX66250 ISO 15693, SHA3-256, 256, 256-256, 256-Bit用戶EEPROM 安全認證數據表相關產品參數、數據手冊，更有
2023-10-09 19:19:02
串行數據傳輸：因為在芯片內部數據都是并行傳輸的，只是在芯片發送器一端轉換為串行形式
2023-10-08 16:15:264992 
usb 轉25針并口的芯片電路有么
2023-09-25 06:04:58
C語言概述以及如何上機運行
2023-09-18 11:05:060 ，每個頁面256字節。
一次最多可編程256個字節。
可以按16個組(4KB扇區擦除)、128個組(32KB塊擦除)、256個組(64KB塊擦除)或整個芯片(芯片擦除)來擦除頁面。
CW25
2023-09-15 08:11:20
1. 描述 引腳排列
CW24C256A/512A是262144/524288位的串行電可擦除只讀存儲器(EEPROM)，分別采用32768/65536 ×8位的組織結構，廣泛應用于低電壓和低功耗
2023-09-15 07:45:35
1. 描述 引腳排列
CW24C256B/512B是262144/524288位的串行電可擦除只讀存儲器(EEPROM)，分別采用32768/65536 ×8位的組織結構，廣泛應用于低電壓和低功耗
2023-09-15 07:20:24
。
CW25Q128A分別具有4,096個可擦除扇區和256個可擦除塊。
小的4KB扇區允許在需要數據和參數存儲的應用中提供更大的靈活性。
(參見圖5-1 CW25Q128A串行閃存框圖。)。
CW25Q128A支持
2023-09-15 06:00:05
意法半導體ST25TV芯片系列提供了NFC forum標簽，使消費者能夠體驗數字化生活。嵌入式EEPROM存儲器的存儲密度范圍從512位到64 Kb不等，可覆蓋各種應用，包括品牌保護和門禁控制。
ST25TV系列提供最先進的RF性能以及強大的保護功能，例如block lock機制與加密密碼。
2023-09-14 08:25:12
作為一種磁性技術，MRAM本質上是抗輻射的。這使得獨立版本在航空航天應用中很受歡迎，而且這些應用對價格的敏感度也較低。它相對較大，在內存領域，尺寸意味著成本。
2023-08-30 15:28:50407 當前正在開發安卓APP，碰到無法讀取后256個字節數據的問題，
手機端發送命令如下
0x02, 0x23, 0x40, 0x7fST25DV04回復
0x01,0x0f可以看到是讀取失敗了，請問一下應該如何讀取？
感謝
2023-08-07 15:08:46
電子發燒友網站提供《MR4.11固件.zip》資料免費下載
2023-07-29 09:32:340 電子發燒友網站提供《MR16 EMC的參考設計.pdf》資料免費下載
2023-07-24 10:52:050 隨著VR和AR技術的發展，有廠商開始將兩者融合到一起，推出了MR頭顯設備。這些設備結合了虛擬現實和增強現實的功能，能夠提供更加豐富和交互性的體驗。MR頭顯設備使用傳感器跟蹤用戶的頭部動作，并通過顯示器將虛擬元素疊加到用戶的真實環境中。
2023-07-18 15:34:511699 Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要使用最少數量的引腳來快速存儲、檢索數據和程序的應用程序而言，是最為理想的存儲器。適用于工業設備中的代碼存儲、數據記錄、備份和工作存儲器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-07-07 17:06:59262 設計的R1芯片。Apple Vision Pro售價3499美元起，換算成人民幣超過2.5萬元。 蘋果公司計劃削減混合現實（MR）頭顯Vision Pro的生產目標，原因是因為Vision Pro設計的
2023-07-04 11:58:571938 AT25DF256 數據表
2023-07-03 18:51:340 AT25DN256 數據表
2023-07-03 18:49:280 新思科技一直致力于打造“人人都能懂”的行業科普視頻，傳播更多芯片相關小知識，解答各類科技小問題。每周3分鐘，多一些“芯”知識。 這一期，我們聊一聊VR、AR與MR的那些事兒。 VR、AR、MR
2023-06-30 17:35:03966 
MRAM在數據記錄應用中，數據記錄是如下持續、反復地將重要數據保存于設備的過程。可以記錄系統內外部發生的事件；使用歷史；環境參數 ；機器狀態；用于分析目的的其他數據。因需要持續、反復地保存數據，內存需要快速的寫入速度與高耐久性。
2023-06-20 17:06:22219 產品概述MR-50EXP輻射檢測儀（射線電離輻射）采用美國進口“蓋革技術管”制作而成是一款新型性價比超高的多功能射線輻射探測儀。 輻射檢測儀（MR-50 EXP
2023-06-09 16:46:25
蘋果MR Vision Pro供應鏈分析。在光學、顯示、交互和芯片方面采用的都是何種方案。
2023-06-08 10:17:09553 
JAQUET-DSD25傳感器是適用于鐵路應用的3通道和4通道霍爾效應速度傳感器。
目前有兩大主要的趨勢在推動列車速度傳感器需求的增加。首先，軌道車輛的成本和重量在降低；其次，列車控制系統的升級
2023-06-03 10:27:31286 
Everspin型號MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲芯片，組織為16位的65536個字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時序，續航時間無限制。數據在20年以上的時間內始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 為了進行性能比較，使用了三種不同的存儲芯片，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR閃存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND閃存。
2023-05-31 17:14:24788 
。或將其描述為把具有特定功能的芯片放置在一個與其兼容的外部容器中，并為芯片運行提供穩定的工作環境。下圖所示，由晶元、封裝基板、鍵合線、焊球以及PCB板等組成為典型封裝結構。
2023-05-25 09:36:042511 
點擊上方 藍字 關注我們 芯片設計流程概述 芯片設計分為前端設計和后端設計，前端設計（也稱邏輯設計）和后端設計（也稱物理設計）并沒有統一嚴格的界限，涉及到與工藝有關的設計就是后端設計。 1. 規格
2023-05-22 19:30:01396 產品概述 MR-50EXP輻射檢測儀（射線電離輻射）采用美國進口“蓋革技術管”制作而成是一款新型性價比超高的多功能射線輻射探測儀。 輻射檢測儀（MR-50 EXP）體積小，重量輕，攜帶方便，同時可以
2023-05-22 16:30:15280 
描述BL24C256A提供262144位串行電可擦可編程只讀存儲器（EEPROM），組織形式為32768每個字8位。該設備經過優化，可用于多種用途工業和商業應用低功率和低電壓操作本質
2023-05-16 15:12:07
908MR32我們已經用了10多年了，現在很難買到，所以想用新的MCU來代替908MR32。有推薦的型號嗎？+5V 電源是首選。
2023-04-28 07:38:01
S3A1604是一種NETSOL MRAM存儲芯片。具有SPI總線接口、XIP(就地執行)性能和基于硬件/軟件的數據保護系統。可以取代具有相同功能和非易失性的閃存、FeRAM或（nv）SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式，以允許帶寬擴展選項。
2023-04-27 17:33:44420 最近項目用來了QSPI驅動W25Q256FV這款芯片。由于SFUD有這款芯片的驅動，就找了bsp stm32l475-atk-pandora下的port燒錄后的現象是可以識別芯片，但是讀寫不正常
2023-04-27 11:34:00
ISL12022MR5421 數據表
2023-04-26 20:04:470 SPI是Serial Peripheral interface的縮寫，是一種串行外設接口。全雙工通信，有4根信號線，在MCU、SOC、FLASH、DSP等芯片上常見。
2023-04-24 17:29:441169 
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態隨機存儲器
2023-04-19 17:45:462547 功率分配器和耦合器是直截了當的無源元件。這是注意設計細節、設計執行和制造質量。這將導致高性能組件。在本教程中，我們將介紹一個基本的Marki微波功率分配器和耦合器概述及功率定義。
2023-04-19 09:12:17331 中的波形，我發現 iMX RT1024 SRAM 操作存在一個問題。MR5A16A MRAM 聲明地址線必須在芯片啟用變低時有效iMX RT1024 參考手冊指出，芯片啟用在地址有效之前變為低電平
2023-04-17 07:52:33
先簡單的介紹一下VR、AR、MR、CR的意思：
VR=Virtual Reality，即虛擬現實；
AR=Augmented Reality，即增強現實；
MR=Mixed
2023-04-14 14:32:4034395 
XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行閃速存儲器，可直接從雙/四SPI接口執行代碼，存儲語音、文本和數據，提供的靈活性和性能遠超普通串行閃速存儲器，非常適合于
2023-04-14 10:42:553818 
MGV125-25-H20MACOM 的 MGV125-25-H20 是電容為 0.18 pF、電容比為 3.5 至 9.0、正向連續電流為 100 mA、功耗為 100 mW、Q 因子為 3000
2023-04-10 15:28:33
STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP（就地執行）功能和基于硬件/軟件的數據保護機制。SPl（串行外圍接口）是一個帶有命令、地址和數據信號的同步串行通信接口。
2023-04-07 17:02:07758 產品會取代獨立存儲器目前各廠商已經基本掌握了用于實現第一階段應用的關鍵技術。在車載MCU中,通常是將設備工作時使用的sram存儲器和用于存放程序的閃存集成在同一塊芯片上。如果能夠將自旋注入MRAM集成到
2023-04-07 16:41:05
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上運行，但還允許系統設計人員利用MRAM的四倍隨機存取周期時間。Everspin
2023-04-07 16:26:28
IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN
2023-04-06 16:00:29
MRAM磁性隨機存儲器 2.7V~3.6V 256Mb
2023-04-06 11:14:58
IC MRAM 256KBIT 35NS 32SOIC
2023-04-04 20:35:38
MGV100-25-H20MACOM 的 MGV100-25-H20 是電容為 0.18 pF、電容比為 2.3 至 4.5、正向連續電流為 100 mA、功耗為 100 mW、Q 因子為 3000
2023-03-31 15:20:22
W25Q256JWPIQ
2023-03-29 21:53:02
W25Q256JWEIQ
2023-03-29 21:44:52
在PLC(可編程邏輯控制器)產品中，MRAM芯片的應用也日漸普及，本文將介紹MRAM芯片應用于PLC產品上的特性。--代理商：吉芯澤科技
2023-03-29 16:31:221169 
3V 256M位串行閃存，帶雙通道/四通道SPI接口
2023-03-28 18:31:00
3V 256M位串行閃存，帶雙通道/四通道SPI接口
2023-03-28 18:28:24
256 Kbit I2C串行EEPROM
2023-03-28 18:25:28
EEPROM存儲器 256K I2C串行 SOIC8
2023-03-28 18:25:28
雙線串行EEPROM 256K（8位寬）
2023-03-28 18:13:12
帶雙/四SPI的3V 256M位串行閃存
2023-03-28 15:18:04
USB串行端口芯片
2023-03-28 15:05:25
USB串行端口芯片
2023-03-28 15:05:18
256M BIT（32M Byte）串行接口閃存
2023-03-28 13:02:29
IC RAM 256KBIT SPI 40MHZ 8DFN
2023-03-27 13:45:24
256 K位 （32 K × 8） 串行 （I2C） F-RAM
2023-03-27 12:55:59
2-Mbit（256 K × 8） 串行 （SPI） F-RAM
2023-03-27 11:55:14
3 v 256位 串行快閃存儲器 雙/四spi, qpi和DTR
2023-03-27 11:55:03
我正在使用 iMXRT1160，IVT 標頭的版本描述及其用法是什么？
2023-03-23 09:10:07
具有 SPI 總線的 256K 低功耗串行 SRAM
2023-03-23 07:33:32
256K I2C? CMOS串行EEPROM SOIC8
2023-03-23 04:56:18
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