電子發燒友網站提供《32位基于ARM核心的帶64或128K字節閃存的微控制器數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-03-21 09:07:49
0 現象：
用stm32的spi接口驅動MB85RS2MT(此芯片兼容FM25H20),問題是用示波器能看到單片機有數據輸出，但是我讀不出任何數據，讀出的都是0x00，不知道是什么原因，發帖求助。下面
2024-03-20 08:08:05
存儲卡 CompactFlash? 128Mb SLC
2024-03-14 23:00:25
可達1800MB/s3.2資源1.KU040表3.1 PCIe Gen3 SSD，Seq=128K，Queue Depth=4，1-DMA LUTsFFsBRAMsPCIe
總資源
2024-03-09 13:56:04
和板卡信息丟失
2. PSoC Programmermer沒法擦除指定flash，都是整個128K擦除，例如在flash中分配一個row來存儲產線校準數據，如何保證在燒寫images后，保留產線校準數據呢？謝謝
2024-02-27 06:02:59
)DMA讀取速度可達1800MB/s3.2資源1.KU040表3.1 PCIe Gen3 SSD，Seq=128K，Queue Depth=4，1-DMA LUTsFFsBRAMsPCIe
總資源
2024-02-21 10:16:30
光伏逆變器拓撲概述及關鍵技術
2024-02-21 09:47:20
197 
電子發燒友網站提供《存儲器接口產品手冊.pdf》資料免費下載
2024-01-29 09:31:170 ，提供生態配套成熟、完善的用于系統、應用和網絡連接開發的高效算力；
集成 8MB/16MB/32MB PSRAM，為音視頻解碼、大容量存儲、掃碼以及網絡連接提供充裕的高容量、高帶寬的內存支持；
擁有豐富
2024-01-04 09:23:18
FeRAM在汽車行駛記錄儀中應用:
存儲實時的數據如速度、剎車.
推薦型號：MB85RS64T
·非易失性存儲器
·高可靠性
·FeRAM無需寫等待，快速讀寫
·低功耗，靜態電流小于10uA
·無限次的擦寫次數(一萬億次)
2024-01-02 15:46:16314 
基于DShanMCU-R128S2_DevKit的入門教程
2023-12-26 14:05:10180 R128 模組 針對 R128 芯片，百問科技提供推出了一種型號模塊，如下表所示 型號 SoC CPU0 CPU1 DSP SRAM LS-PSRAM HS-PSRAM Flash DAC
2023-12-26 11:11:00259 
Star MCU , up to 192 MHz - Memories - 1MB SRAM - SiP 8 MB/16 MB Flash - 8 MB H S PSRAM in R128
2023-12-26 10:57:00314 R128 DevKit 開發板 硬件工程開源地址：https://oshwhub.com/gloomyghost/r128-module 電路圖
2023-12-26 09:46:00362 /BT+PMU，提供生態配套成熟、完善的用于系統、應用和網絡連接開發的高效算力； 集成 8MB/16MB/32MB PSRAM，為音視頻解碼、大容量存儲、掃碼以及網絡連接提供充裕的高容量、高帶寬的內存支持
2023-12-25 09:41:00326 
針對 R128 模組，百問科技推出了 R128 EVT 開發套件作為快速開發評估工具。
2023-12-22 15:16:06278 
針對 R128 模組，百問科技推出了 R128 DevKit 開發板作為快速開發評估工具。 特性： 板載 R128-S2-N16R16 模組 板載 2.4G RF 陶瓷天線 板載 USB Type
2023-12-22 12:02:19207 
EEPROM存儲器 128-Kbit，I2C接口，工作電壓：1.8V to 5.5V
2023-12-21 14:01:38
新唐，NUC1262 M23內核，
72MHZ
128K flash
20K ram
USB接口
2.4-2.5V電壓
10PDMA，
用做游戲機，LED燈條驅動 加入了，I3C的接口，可以支持目前跟多的穿戴設備的接口，用還是比較好用，值得推薦
2023-12-15 13:47:43
FRAM具有其他傳統內存產品所不具備的四個突出特性。特點是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46412 PY25Q128HA是一種串行接口閃存設備，設計用于各種大容量的基于消費者的應用程序，其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進行執行。該設備靈活的擦除架構，其頁面擦除粒度也是數據存儲的理想選擇，消除了對額外數據存儲設備的需要。
2023-11-30 16:38:00275 
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據
2023-11-27 16:37:59
易失性存儲和精確的實時時鐘，本文推薦使用國產PB85RS2MC鐵電存儲器用于該存儲系統中。鐵電存儲器PB85RS2MC在系統主要是實現數據的非易失性存儲和的實時時
2023-11-27 10:17:05
電表作為一個計量用電量的儀器，電表的精度不但與檢測芯片的精度有關，而且與其存儲方式有關，如果檢測到的電量數據不能隨機寫入存儲器或寫入存儲器過程出錯電表的精度就會大大降低。 在智能電表數據
2023-11-21 09:59:20
要考慮到電能系統復雜多變的環境、低功耗、讀寫操作頻率和斷電保存的能力。目前符合電能質量監測系統存儲要求的是國產PB85RS2MC（富士通MB85RS2MT），兩款
2023-11-17 10:28:51
R128平臺SPI與DBI接口的性能對比
2023-11-15 09:08:46412 
R128 平臺提供了 SPI DBI 的 SPI TFT 接口，具有如下特點
2023-11-02 16:44:48509 
電子發燒友網站提供《基于ATmega128和CH374的USB接口設計.pdf》資料免費下載
2023-10-25 10:07:551 R128 平臺提供了 SPI DBI 的 SPI TFT 接口，具有如下特點
2023-10-23 11:26:18581 
的非易失性存儲器，既可以進行非易失性數據存儲，又可以像RAM一樣操作。
本文將借助飛凌嵌入式OK3568-C開發板來為大家介紹一種采用FRAM的方案——使用SPI0掛載PB85RS2MC (FRAM
2023-10-19 09:28:15
使用，需要增添片外存儲器。因此鐵電存儲器（FRAM）是便攜式醫療設備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
自舉程序存儲在 STM32 器件的內部自舉 ROM 存儲器（系統存儲器）中。在生產期間由 ST編程。其主要任務是通過一種可用的串行外設（USART、CAN、USB、I2C 等）將應用程序下載到內部
2023-09-28 07:15:06
眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。本文所提到的國產鐵電存儲器PB85RS2MC在數據保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
是一個點陣式存儲映射的LCD驅動器，可支持最大128點 32SEGX4COM)的LCD屏。單片機可通過2C接口配置顯示參教和讀寫顯示數據，可配置4種功耗模式，也可通過關顯示和關振蕩器進入省電模式。其高抗
2023-09-20 09:30:15301 
溫度：-40°C ~ +85°C
? 存儲器組織結構：
- CW24C32A, 4096 × 8 (32K 位)
- CW24C64A, 8192 × 8 (64K 位)
- CW24C128
2023-09-15 07:53:08
? 存儲器組織結構：
- CW24C256A, 32768 × 8 (256K 位)
- CW24C512A, 65536 × 8 (512K 位)
? 2 線串行接口
? 施密特觸發器，過濾輸入，實現
2023-09-15 07:45:35
? 存儲器組織結構：
- CW24C256B, 32768 × 8 (256K 位)
- CW24C512B, 65536 × 8 (512K 位)
? 2 線串行接口
? 施密特觸發器，過濾輸入，實現
2023-09-15 07:20:24
CW25Q128A(128M位)串行閃存為空間、引腳和電源有限的系統提供存儲解決方案。
25Q系列提供的靈活性和性能遠遠超過普通的串行閃存設備。
它們非常適合將代碼映射到RAM，直接從雙/四SPI
2023-09-15 06:00:05
空間
? 高達1M字節的片上閃存 ? 高達128K字節的內嵌SRAM
? FSMC：靈活的高速外部存儲器接口
? 用于擴展片外存儲器和外設
2023-09-13 08:27:23
存儲器
標配4GB eMMC / 256MB Nand FLASH
eMMC 可選8GB
其他存儲
32KB EEPROM
接口類型
郵票孔，140PIN
工作溫度
工業級：-40℃-85℃
機械
2023-09-09 18:07:13
其他存儲器 128Mb SOP8_208MIL -40℃~+85℃ 1.65V~2V 133MHz
2023-09-05 10:19:12
PB85RS128可替換MB85RS128B（富士通）/ FM25V01A-GTR（賽普拉斯）
2023-08-22 16:38:152 PB85RS2MC可替換MB85RS2MT（富士通）/FM25V20A（賽普拉斯）
2023-08-22 09:56:047 庫的慢-慢工藝點對塊進行合成，以200 MHz的目標速度確認時序特性。
接口存儲器端口上的信號符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術生產的單端口同步存儲器組件所要求的時序要求
2023-08-21 06:55:33
產品品牌：永嘉微電/VINKA 產品型號：VKL128 封裝形式：LQFP44 概述：VKL128 LQFP44是一個點陣式存儲映射的LCD驅動器，可支持最大128點（32SEGx4COM
2023-08-16 15:25:40318 
發出警報聲。 本文主要介紹國產鐵電存儲器PB85RS2MC用于醫療生命監護儀的存儲方案中。對于這些應用，鐵電存儲器與EEPROM相比可以更頻繁地寫入，設備可以
2023-08-16 10:30:26
富士通半導體存儲器解決方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存儲器串行接口系列中密度最高的產品。目前已實現量產產品。 在不斷變化的環境中，隨著傳感器信息數據量的增加和邊緣計算的擴展，客
2023-08-04 11:55:04339 
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
ADSP-21992進一步擴展了ADSP-2199x混合信號DSP產品系列的性能，可提供32K字程序存儲器RAM和16K字數據存儲器RAM。此外，ADSP-21992還可提供片上CAN
2023-07-14 16:00:59
R1EV5801MB Series 數據表 (1M EEPROM (128-kword×8-bit) / Ready/Busy and RES function)
2023-07-10 20:00:450 8051單片機使用8位數據總線，因此它們最多可以支持64K的外部數據存儲器和64k的外部程序存儲器。總的來說，8051單片機可以尋址128k的外部存儲器。
2023-07-07 12:31:33736 
記錄儀器、數據采集、可移動數據存儲器等方面的應用。本文主要介紹鐵電存儲器PB85RS2MC在智能配電箱中的應用。
2023-06-29 09:39:03382 8 存儲器 8.5 外部存儲器 RA6 MCU包含用于連接到外部存儲器和器件的外部數據總線。某些產品還包括一個內置的SDRAM控制器，可通過該控制器使用最高達128MB的外部SDRAM。八個可編程
2023-06-28 12:10:02348 
的信息不會丟失，且鋰電池還存在使用壽命的問題，所以當使用了FRAM（鐵電存儲器）上述問題就將迎刃而解。將國產FRAM PB85RS128替代以前SRAM組成的顯示屏
2023-06-28 11:43:30
，鐵電存儲器不需要定時刷新，能在斷電情況下保存數據，特別適合在那些對寫入時間和次數有較高要求的應用場合，而且與其MCU接口電路簡單，應用方便，本文介紹了國產鐵電存儲器PB85RS2MC在其多MCU系統中的應用。
2023-06-20 14:19:25391 
，這個128K的51編譯器要怎么支持，KEIL要進行怎樣的設置才能正確輸出程序，編譯輸出的程序是1個HEX還是2個？燒寫是否得分兩次進行？
2023-06-20 06:03:04
和耐久性設計，這些要求使國產鐵電存儲器PB85RS2MC成為最佳的存儲選擇。PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元，該芯片不需要電池就可以
2023-06-12 14:55:12308 
鐵電存儲器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數據保持此狀態達100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
使用國產鐵電存儲芯片PB85RS2MC是一種最理想的選擇。該芯片不但在功能上正好滿足上述要求，而且憑借獨特的優點性能是其它存儲器都無法達到的。
2023-06-01 10:59:48187 
作為一種非易失性存儲器，鐵電存儲器兼具動態隨機存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優點，雖然容量和密度限制了其大規模應用，但在要求高安全性與高可靠性等工業應用場合，鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
BL24C128A采用節省空間的8引PDIP、8引腳SOP和8引腳TSSOP，WLCSP4封裝，可通過雙線串行接口訪問。此外，BL24C128A提供1.7V（1.7V
2023-05-27 11:03:18
和耐久性設計，這些要求使國產鐵電存儲器PB85RS2MC成為最佳的存儲選擇。 PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工
2023-05-26 10:14:23
鐵電存儲器硬件接線圖傳統的數據存儲器，讀寫速度較慢，存儲單元反復擦寫后容易損壞，無法滿足機艙油氣濃度數據存儲的要求，故此，國產鐵電存儲器可快速讀寫，擦寫次數可達1E6 次讀/寫操作*1，是本方案最理想的選擇。
2023-05-18 12:39:21137 
ES32H040x芯片概述ES32H040x系列微控制器使用32位ARM Cortex-M0內核，帶有存儲器保護單元。最高支持48MHz系統時鐘頻率。最大128K Byte Flash
2023-05-16 15:07:14
PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元，對標富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛，無污染。
2023-04-20 11:29:57224 XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行閃速存儲器，可直接從雙/四SPI接口執行代碼，存儲語音、文本和數據，提供的靈活性和性能遠超普通串行閃速存儲器，非常適合于
2023-04-14 10:42:553818 
/寫存儲器，在斷電時無需外部電池即可保留數據。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS與MR3A16ACMA35原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:26:28
FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理器的系統最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲器，實時時鐘，低VDD復位，看門狗定時器，非易失性事件計數器，可鎖定的64位序列號區域以及
2023-04-07 16:23:11
隨著萬物智聯時代的到來，智能汽車等新興應用場景對存儲提出了更高的性能要求。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導體存儲器解決方案有限公司提供的一款2Mbit FeRAM——MB85RS2MLY
2023-04-07 11:24:481501 FLASH存儲器 3.3V 128Mbit NOR FLASH
2023-04-06 22:09:10
除了SPI這種串行接口比較受存儲器設計廠商的歡迎，還有比如由samsung和toshiba設計的Toggle NAND Interface，也被稱為 Asynchronous DDR NAND
2023-04-04 15:16:19764 
大家好，有人可以告訴我在哪里可以找到 20140530_k20dx128_k64f_if_mbed.bin 引導加載程序固件嗎？我需要這個來完成 FRDM K64F 板的一些實驗。如果您可以提供指向固件或 Github 云存儲庫的鏈接，那將非常有幫助。
2023-03-30 07:57:09
存儲器FRAM 128K（16 K×8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲器FRAM 16 K（2 K x 8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲器FRAM 64 K（8 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:56
存儲器FRAM 16 K（2 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 1M（128 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 256 K（32 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
內存FRAM 128K（16K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 1M（128 K×8） 40MHz SPI
2023-03-29 20:47:53
存儲器FRAM 256 K（32 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:37
GD25LQ128E（128M位）串行閃存支持標準串行外設接口（SPI）
2023-03-28 15:11:45
128M BIT 串行接口閃存
2023-03-28 13:02:28
128Mb，3V，多I/O串行閃存
2023-03-28 00:18:32
IC FRAM 128KBIT I2C 1MHZ 8SOP
2023-03-27 14:51:18
IC FRAM 128KBIT SPI 33MHZ 8SOP
2023-03-27 13:55:34
IC FRAM 128KBIT SPI 25MHZ 8SOP
2023-03-27 13:52:38
64 K（8 K×8）位I2C存儲器FRAM
2023-03-27 13:39:18
存儲器容量：128Mb (256 Bytes x 65535 pages) 存儲器構架(格式)：FLASH 存儲器類型：Non-Volatile 存儲器接口類型：SPI - Dual/Quad I/O 128Mbit 2.7V-3.6V
2023-03-27 11:55:17
存儲器容量：128Kb (16K x 8) 存儲器接口類型：2-Wire 工作電壓：1.7V ~ 5.5V 128Kbit,I2C接口,工作電壓：1.7V~5.5V
2023-03-27 11:43:20
128Mb 串行閃存，帶 166MHZ 多 I/O SPI 和四 I/O QPI DTR 接口
2023-03-27 10:53:56
IC FRAM 128KBIT SPI 33MHZ 8SOP
2023-03-25 03:37:43
FLASH存儲器 3.3V 128Mbit NOR FLASH
2023-03-25 03:32:44
FLASH存儲器 128 (16M x 8)MB SOIC8_208MIL
2023-03-24 14:48:24
R1EV5801MB Series 數據表 (1M EEPROM (128-kword×8-bit) / Ready/Busy and RES function)
2023-03-23 20:07:160 128K I2C串行EEPROM MSOP8
2023-03-23 04:56:18
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