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      電子發燒友網>今日頭條>《炬豐科技-半導體工藝》單晶的濕法蝕刻和紅外吸收

      《炬豐科技-半導體工藝》單晶的濕法蝕刻和紅外吸收

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      jf_75936199發布于 2023-06-24 18:15:28

      Atonarp 質譜儀通過數字分子分析推進半導體過程控制

      上海伯東日本 Atonarp Aston? Impact 和 Aston? Plasma 是超緊湊型質譜儀, 適用于先進半導體工藝（如沉積和蝕刻）所需的定量氣體分析.
      2023-06-21 10:21:08197

      半導體八大工藝之刻蝕工藝-干法刻蝕

      離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量，它們會撞擊表面的材料。晶圓垂直或傾斜入離子束，蝕刻過程是絕對
      2023-06-20 09:48:563989

      利用氧化和“轉化-蝕刻”機制對富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言

      器件尺寸的不斷縮小促使半導體工業開發先進的工藝技術。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經成為小型化的重要加工技術。ALD是一種沉積技術，它基于連續的、自限性的表面反應。ALE是一種蝕刻技術，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續反應。
      2023-06-15 11:05:05526

      揭秘半導體制程：8寸晶圓與5nm工藝的魅力與挑戰

      在探討半導體行業時，我們經常會聽到兩個概念：晶圓尺寸和工藝節點。本文將為您解析8寸晶圓以及5nm工藝這兩個重要的概念。
      2023-06-06 10:44:001422

      半導體工藝裝備現狀及發展趨勢

      第三代半導體設備 第三代半導體設備主要為SiC、GaN材料生長、外延所需的特種設備，如SiC PVT單晶生長爐、CVD外延設備以及GaN HVPE單晶生長爐、MOCVD外延設備等。
      2023-06-03 09:57:01787

      詳解半導體封裝測試工藝

      詳解半導體封裝測試工藝
      2023-05-31 09:42:18997

      淺談蝕刻工藝開發的三個階段

      納米片工藝流程中最關鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學。優化內部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
      2023-05-30 15:14:111071

      半導體工藝裝備現狀及發展趨勢

      集成電路前道工藝及對應設備主要分八大類，包括光刻（光刻機）、刻蝕（刻蝕機）、薄膜生長（PVD-物理氣相沉積、CVD-化學氣相沉積等薄膜設備）、擴散（擴散爐）、離子注入（離子注入機）、平坦化（CMP設備）、金屬化（ECD設備）、濕法工藝（濕法工藝設備）等。
      2023-05-30 10:47:121131

      石墨烯/硅異質結光電探測器的制備工藝與其伏安特性的關系

      通過濕法轉移二維材料與半導體襯底形成異質結是一種常見的制備異質結光電探測器的方法。在濕法轉移制備異質結的過程中，不同的制備工藝細節對二維材料與半導體形成的異質結的性能有顯著影響。
      2023-05-26 10:57:21508

      半導體工藝與制造裝備技術發展趨勢

      摘 要：針對半導體工藝與制造裝備的發展趨勢進行了綜述和展望。首先從支撐電子信息技術發展的角度，分析半導體工藝與制造裝備的總體發展趨勢，重點介紹集成電路工藝設備、分立器件工藝設備等細分領域的技術發展態勢和主要技術挑戰。
      2023-05-23 15:23:47974

      SiC賦能更為智能的半導體制造/工藝電源

      半導體器件的制造流程包含數個截然不同的精密步驟。無論是前道工藝還是后道工藝，半導體制造設備的電源都非常重要。
      2023-05-19 15:39:04478

      如何在蝕刻工藝中實施控制？

      蝕刻可能是濕制程階段最復雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩定，蝕刻率就會變化，因而影響產品質量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻化學，以下是你需要理解的基本概念。
      2023-05-19 10:27:31575

      半導體工藝之氣相外延介紹

      在半導體科學技術的發展中，氣相外延發揮了重要作用，該技術已廣泛用于Si半導體器件和集成電路的工業化生產。
      2023-05-19 09:06:462464

      高速硅濕式各向異性蝕刻技術在批量微加工中的應用

      蝕刻是微結構制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進一步細分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應用的表面紋理化。
      2023-05-18 09:13:12700

      硅晶片的酸基蝕刻：傳質和動力學效應

      拋光硅晶片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經準備好為設備制造。
      2023-05-16 10:03:00584

      半導體工藝設備之單晶爐工藝流程

      單晶爐，全自動直拉單晶生長爐，是一種在惰性氣體（氮氣、氦氣為主）環境中，用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生長無錯位單晶的設備。
      2023-05-16 09:48:515629

      金屬布線的工藝為半導體注入生命的連接

      經過氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝，晶圓表面會形成各種半導體元件。半導體制造商會讓晶圓表面布滿晶體管和電容（Capacitor）；
      2023-04-28 10:04:52532

      半導體工藝之金屬布線工藝介紹

      本篇要講的金屬布線工藝，與前面提到的光刻、刻蝕、沉積等獨立的工藝不同。在半導體制程中，光刻、刻蝕等工藝，其實是為了金屬布線才進行的。在金屬布線過程中，會采用很多與之前的電子元器件層性質不同的配線材料（金屬）。
      2023-04-25 10:38:49986

      工業泵在半導體濕法腐蝕清洗設備中的應用

      【摘要】 在半導體濕法工藝中，后道清洗因使用有機藥液而與前道有著明顯區別。本文主要將以濕法清洗后道工藝幾種常用藥液及設備進行對比研究，論述不同藥液與機臺的清洗原理，清洗特點與清洗局限性。【關鍵詞
      2023-04-20 11:45:00823

      《炬豐科技-半導體工藝》金屬氧化物半導體的制造

      半導體工藝 1.CMOS晶體管是在硅片上制造的 ? 2.平版印刷的過程類似于印刷機 ? 3.每一步，不同的材料被存放或蝕刻 ? 4.通過查看頂部和頂部最容易理解文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁簡化制造中的晶圓截面的過程 ? 逆變器截面?? 要求pMOS晶體管的機身 ? 逆變器掩模組 晶體管
      2023-04-20 11:16:00247

      《炬豐科技-半導體工藝》III-V的光子學特性

      書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：III-V的光子學特性 編號：JFKJ-21-215 作者：炬豐科技 摘要 ? ???III-V型半導體納米線已顯示出巨大的潛力光學、光電和電子器件的構建
      2023-04-19 10:03:0093

      光子晶體用硅中圓柱形納米孔的深反應離子蝕刻

      反應離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝，與半導體工業中使用的互補金屬氧化物半導體(CMOS)方法兼容。
      2023-04-14 14:26:161253

      國內功率半導體需求將持續快速增長

      技術及工藝的先進性，還較大程度上依賴進口，未來進口替代空間較大。從中長期看，國內功率半導體需求將持續快速增長。根據前瞻產業研究院預測，到2026年分立器件的市場需求將超過3,700億元。近年來物聯網
      2023-04-14 13:46:39

      干法蝕刻與濕法蝕刻-差異和應用

      干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
      2023-04-12 14:54:331004

      從頭到尾的半導體技術

      濕法蝕刻工藝的原理是使用化學溶液將固體材料轉化為液體化合物。選擇性非常高
      2023-04-10 17:26:10453

      濕式半導體工藝中的案例研究

      半導體行業的許多工藝步驟都會排放有害廢氣。對于使用非常活潑的氣體的化學氣相沉積或干法蝕刻，所謂的靠近源頭的廢氣使用點處理是常見的做法。相比之下，對于濕法化學工藝，使用中央濕式洗滌器處理廢氣是一種公認
      2023-04-06 09:26:48408

      氮化鋁單晶的濕法化學蝕刻

      清洗過程在半導體制造過程中，在技術上和經濟上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實現無顆粒、無金屬雜質、無有機、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充電、無氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質和有機物三類。
      2023-03-31 10:56:19314

      濱松紅外相機在半導體加工及檢測過程中的應用

      半導體器件制造是一個復雜的多步驟過程, 包括晶圓制備、前道工序（FEOL）和后道工序（BEOL）。 半導體制造商為了提高良率，在晶圓制備、FEOL和BEOL中引入一系列檢測過程，利用紅外相機檢測
      2023-03-31 07:44:34396

      單晶硅刻蝕工藝流程

      FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作，這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝，如CD、深度和輪廓。
      2023-03-30 09:39:182459

      半導體制造工藝中的UV-LED解決方案

      針對半導體制造工藝的UV-LED光源需求，虹科提供高功率的紫外光源解決方案，可適配步進器和掩膜版設備，更換傳統工具中的傳統燈箱，實現高質量的半導體質量控制。
      2023-03-29 10:35:41710

      PCB加工的蝕刻工藝

      印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
      2023-03-29 10:04:07886

      新技術使蝕刻半導體更容易

      研究表明，半導體的物理特性會根據其結構而變化，因此半導體晶圓在組裝成芯片之前被蝕刻成可調整其電氣和光學特性以及連接性的結構。
      2023-03-28 09:58:34251

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