《炬豐科技-半導體工藝》III-V的光子學特性
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2022-01-21 13:33:01427
III-V族化學-機械拋光工藝開發
摘要 III-V材料與絕緣子上硅平臺的混合集成是一種很有前景的技術。二乙烯基硅氧烷-雙苯并環丁烯(簡稱DVS-BCB或BCB)是作為一種技術出現適合在工業規模上實現這樣的集成。耦合為這些混合器
2022-02-24 14:02:481357
集成光子制備工藝的研究
摘要 本文主要研究集成光子的制備工藝。基于III-V半導體的器件, 這項工作涵蓋了一系列III-V材料以及各種各樣的設備。 最初,設計,制造和光學表征研究了鋁砷化鎵波導增強光學非線性
2022-02-24 14:55:40950
半導體材料介紹
半導體。例如,砷化鎵(GaAs)是二元III-V化合物,它是第三列的鎵(Ga)和第五列的砷(As)的組合。三元化
合物可以由三個不同列的元素形成,例如,碲化汞銦(HgIn 2 Te 4),一種II-III-VI化合物。它們也可以由兩列中的元素形成,例如砷化鋁鎵
(Al xGa 1- xAs),這是
2023-02-27 14:46:243
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