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電子發燒友網>今日頭條>《炬豐科技-半導體工藝》III-V的光子學特性

《炬豐科技-半導體工藝》III-V的光子學特性

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阿爾卡特朗訊與CEA-Leti聯手研發III-V半導體與硅材料技術

阿爾卡特朗訊貝爾實驗室、Thales與CEA-Letu日前聯合宣布,CEA-Leti已加入III-V實驗室,增強研發中心的產業研發能力,該實驗室居于全歐洲III-V半導體材料研究領域的最前沿
2011-04-09 09:41:201003

實現III-V光電創新,推動未來智能生活

晶元光電總經理周銘俊博士在“上游芯片技術創造下游應用新局面”發表了題為《實現III-V光電創新,推動未來智能生活》的主題演講。
2018-06-14 15:36:133885

半導體導電特性

本文首先闡述了半導體導電特性,其次介紹了本征半導體的導電特性,最后介紹了雜質半導體的導電特性
2018-09-25 17:50:2328444

半導體工藝化學原理

半導體工藝化學原理。
2021-03-19 17:07:23111

《炬豐科技-半導體工藝III-V集成光子的制備

書籍:《炬豐科技-半導體工藝》 文章:III-V集成光子的制備 編號:JFKJ-21-212 作者:炬豐科技 摘要 ? 本文主要研究集成光子的制備工藝。基于III-V半導體的器件,?這項工作涵蓋
2023-04-19 10:04:00130

《炬豐科技-半導體工藝III-V族化學-機械拋光工藝開發

書籍:《炬豐科技-半導體工藝》 文章:III-V族化學-機械拋光工藝開發 編號:JFKJ-21-214 作者:炬豐科技 摘要 ? III-V材料與絕緣子上硅平臺的混合集成是一種很有前景的技術
2023-04-18 10:05:00151

《炬豐科技-半導體工藝》硅光子集成芯片的耦合策略

書籍:《炬豐科技-半導體工藝》文章:硅光子集成芯片的耦合策略編號:JFKJ-21-545作者:炬豐科技摘要硅光子學最有吸引力的一個方面是它能夠提供極小的光學元件,其典型尺寸比光纖器件的尺寸小一個數
2021-12-17 18:41:4513

高塔半導體聯合瞻博網絡推出全球首個硅光子代工工藝平臺

和光隔離器等。 從產業發展的大趨勢來看,未來光通信器件將主要以光集成技術(PIC)為核心,其中一大分支技術是基于III-V簇化合物半導體材料的光集成技術。通過硅光子學 (SiPho)技術,業界能夠將傳統用于CMOS集成電路上的技術經驗轉移到光通信器件上。
2022-01-01 11:03:332029

通過濕法蝕刻分離III-V多結太陽能電池

,這些問題變得更加重要。在本文中,我們提出了一種濕式微溝蝕刻工藝,允許單個太陽能電池的電隔離而不損害側壁。用溴-甲醇蝕刻,通常用于III-V化合物的非選擇性蝕刻的溶液,會在半導體表面形成不必要的蝕孔。我們研究了空穴形成的
2022-01-21 13:33:01427

III-V族化學-機械拋光工藝開發

摘要 III-V材料與絕緣子上硅平臺的混合集成是一種很有前景的技術。二乙烯基硅氧烷-雙苯并環丁烯(簡稱DVS-BCB或BCB)是作為一種技術出現適合在工業規模上實現這樣的集成。耦合為這些混合器
2022-02-24 14:02:481357

集成光子制備工藝的研究

摘要 本文主要研究集成光子的制備工藝。基于III-V半導體的器件, 這項工作涵蓋了一系列III-V材料以及各種各樣的設備。 最初,設計,制造和光學表征研究了鋁砷化鎵波導增強光學非線性
2022-02-24 14:55:40950

半導體材料介紹

半導體。例如,砷化鎵(GaAs)是二元III-V化合物,它是第三列的鎵(Ga)和第五列的砷(As)的組合。三元化 合物可以由三個不同列的元素形成,例如,碲化汞銦(HgIn 2 Te 4),一種II-III-VI化合物。它們也可以由兩列中的元素形成,例如砷化鋁鎵 (Al xGa 1- xAs),這是
2023-02-27 14:46:243

半導體材料在納米光子學中的作用

半導體材料在開發納米光子技術方面發揮著重要作用。
2023-05-14 16:58:55590

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