化學機械拋光（CMP）在半導體工業內部得到了廣泛的應用，化學機械拋光（CMP）加工處理的質量不僅要通過最終的表面平面度，而且也要通過拋光時人為造成缺陷的程度來評價，這些人為造成的缺陷包括：1）碟形
2020-07-30 17:55:16
1407 
隨著薄膜厚度的增加而變化，阻止了NCD薄膜在需要光滑薄膜的器件中達到其全部潛力。為了減少這種粗糙度，薄膜已經使用化學機械拋光(CMP)進行了拋光。羅技摩擦聚光拋光工具配備聚氨酯/聚酯拋光布和堿性膠體硅拋光液已被用于拋光NCD薄膜。用原子力顯微鏡、掃描電
2022-01-25 13:18:391786 
摘要 化學機械平面化后的葉片清洗，特別是刷子擦洗，是半導體器件制造的一個關鍵步驟，尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數方法用于評估在刷擦洗過程中去除晶圓表面的粘附顆粒，或者是否必須發生刷-粒子接觸。考慮
2022-04-27 16:55:061226 
在芯片制造制程和工藝演進到一定程度、摩爾定律因沒有合適的拋光工藝無法繼續推進之時，CMP技術應運而生，是集成電路制造過程中實現晶圓表面平坦化的關鍵工藝。傳統的機械拋光和化學拋光去除速率均低至無法滿足
2023-02-03 10:27:053660 
最后的拋光步驟是進行化學蝕刻和機械拋光的結合，這種形式的拋光稱為化學機械拋光(CMP)。首先要做的事是，將晶圓片安裝在旋轉支架上并且要降低到一個墊面的高度，在然后沿著相反的方向旋轉。墊料通常是由一種
2024-01-12 09:54:06359 
材料 去除的影響。重點綜述了傳統化學機械拋光技術中的游離磨料和固結磨料工藝以及化學機械拋光的輔助增效工藝。同時從工藝條件、加工效果、加工特點及去除機理 4 個方面歸納了不同形式的化學機械拋光技術，最后對碳化硅的化學 機械拋光技術的未來發展方向進行了展望，并對今后研究的側重點提出了相關思路。
2024-01-24 09:16:36431 
本人5年工作經驗，主要負責半導體工藝及產品開發相關工作，工藝方面對拋光、切割比較精通，使用過NTS/DISCO/HANS等設備，熟悉設備參數設置，工藝改善等，產品開發方面熟悉新產品導入流程。目前本人已經離職，尋找四川境內相關工作，如有機會請與我聯系：***，謝謝！
2016-10-12 10:11:16
` 本帖最后由 firstchip 于 2015-1-20 10:54 編輯
北京飛特馳科技有限公司對外提供6英寸半導體工藝代工服務和工藝加工服務，包括：產品代工、短流程加工、單項工藝加工等
2015-01-07 16:15:47
隨著半導體工業沿著摩爾定律的曲線急速下降 ,驅使加工工藝向著更高的電流密度、更高的時鐘頻率和更多的互聯層轉移。由于器件尺寸的縮小、光學光刻設備焦深的減小 , 要求片子表面可接受的分辨率的平整度達到
2023-09-19 07:23:03
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯
半導體工藝
2012-08-20 09:02:05
有沒有半導體工藝方面的資料啊
2014-04-09 22:42:37
半導體發展至今，無論是從結構和加工技術多方面都發生了很多的改進，如同Gordon E. Moore老大哥預測的一樣，半導體器件的規格在不斷的縮小，芯片的集成度也在不斷提升，工藝制程從90nm
2020-12-10 06:55:40
業界對哪種半導體工藝最適合某一給定應用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用，但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業界對哪種半導體工藝最適合某一給定應用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用，但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
半導體工藝講座ObjectiveAfter taking this course, you will able to? Use common semiconductor terminology
2009-11-18 11:31:10
半導體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
半導體器件與工藝
2012-08-20 08:39:08
半導體基礎知識與晶體管工藝原理
2012-08-20 08:37:00
大家好！ 附件是半導體引線鍵合清洗工藝方案，請參考，謝謝！有問題聯系我：*** szldqxy@163.com
2010-04-22 12:27:32
機械加工工藝分析 1 超精度研磨工藝 速加網機械的加工過程中對于其加工表面的粗糙程度有著嚴格的要求，如在（1～2）cm應保持相同水平的粗糙精度，在傳統的加工工藝中一般采用硅片拋光來達到這一要求。而
2018-11-15 17:55:38
。加工工藝：MEMS技術基于已經相當成熟的微電子技術、集成電路技術及其加工工藝。它與傳統的IC工藝有許多相似之處，如光刻、薄膜沉積、摻雜、刻蝕、化學機械拋光工藝等，但是有些復雜的微結構難以用IC工藝
2016-12-09 17:46:21
非易失性MRAM芯片組件通常在半導體晶圓廠的后端工藝生產，下面英尚微電子介紹關于MRAM關鍵工藝步驟包括哪幾個方面.
2021-01-01 07:13:12
一個比較經典的半導體工藝制作的課件，英文的，供交流……
2012-02-26 13:12:24
`《半導體制造工藝》學習筆記`
2012-08-20 19:40:32
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：III-V/SOI 波導電路的化學機械拋光工藝開發編號：JFSJ-21-064作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:14:11
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：III-V族半導體納米線結構的光子學特性編號：JFSJ-21-075作者：炬豐科技 摘要：III-V 族半導體納米線 (NW) 由于其沿納米線軸對電子和光子
2021-07-09 10:20:13
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：半導體行業的濕化學分析——總覽編號：JFSJ-21-075作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html對液體和溶液進行
2021-07-09 11:30:18
0.000001 至 0.1% 的摻雜劑即可使半導體材料達到有用的電阻率范圍。半導體的這種特性允許在材料中創建具有非常精確電阻率值的區域。文章全部詳情，請加V獲取：hlknch/xzl1019如有侵權，請聯系作者刪除
2021-07-01 09:38:40
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：CMOS 單元工藝編號：JFSJ-21-027作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html晶圓生產需要三個一般過程：硅
2021-07-06 09:32:40
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：DI-O3水在晶圓表面制備中的應用編號：JFSJ-21-034作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:36:27
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：Ga-N 系統的熱力學分析編號：JFSJ-21-043作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：純冷凝和氣態鎵
2021-07-07 10:28:12
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaAs/Al0.4Ga0.6As微加速度計的設計與制作編號：JFSJ-21-042作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com
2021-07-07 10:22:15
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN 半導體材料與器件手冊編號：JFSJ-21-059III族氮化物半導體的光學特性介紹III 族氮化物材料的光學特性顯然與光電應用直接相關，但測量光學特性
2021-07-08 13:08:32
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN 基板的表面處理編號：JFSJ-21-077作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html關鍵詞： GaN 襯底
2021-07-07 10:26:01
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN 納米線制造和單光子發射器器件應用的蝕刻工藝編號：JFSJ-21-045作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:11:24
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN、ZnO和SiC的濕法化學蝕刻編號：JFKJ-21-830作者：炬豐科技摘要寬帶隙半導體具有許多特性，使其對高功率、高溫器件應用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN晶體蝕刻的幾何方面和光子應用編號：JFSJ-21-044作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：濕法
2021-07-08 13:09:52
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN的晶體濕化學蝕刻[/td][td]編號：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 目前
2021-07-07 10:24:07
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：IC制造工藝編號：JFSJ-21-046作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：集成電路的制造主要包括以下工藝
2021-07-08 13:13:06
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：InGaP 和 GaAs 在 HCl 中的濕蝕刻編號：JFSJ-21-0作者：炬豐科技關鍵字：InGaP，濕法蝕刻，蝕刻速率 在H3P04和H202不同含量
2021-07-09 10:23:37
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：n-GaN的電化學和光刻編號：JFKJ-21-820作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要 本文利用
2021-10-13 14:43:35
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學蝕刻過程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網址：http
2021-07-06 09:39:22
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：在硅上生長的 InGaN 基激光二極管的腔鏡的晶圓制造編號：JFSJ-21-034作者：炬豐科技 摘要：在硅 (Si) 上生長的直接帶隙 III-V
2021-07-09 10:21:36
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：微鏡角度依賴性與蝕刻劑選擇編號：JFKJ-21-047作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html抽象的：在為微光學創建
2021-07-19 11:03:23
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：氮化鎵發展技術編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：用于半導體封裝基板的化學鍍 Ni-P/Pd/Au編號：JFSJ-21-077作者：炬豐科技 隨著便攜式電子設備的普及，BGA（球柵陣列）越來越多地用于安裝在高密度
2021-07-09 10:29:30
清潔 - 表面問題：金屬污染的起源：來源：設備、工藝、材料和人力，Si表面的過渡金屬沉淀是關鍵。去污：可以對一些暴露于堿或其他金屬污染物的基材進行去污。晶片不得含有任何污染薄膜。這通常在硅的 KOH
2021-07-01 09:42:27
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：硅納米柱與金屬輔助化學蝕刻的比較編號：JFSJ-21-015作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
溫度和機械老化去除氧氣。10.去激活n 涉及添加化學物質，如 Na2所以3, NH2 —— NH2?H2哦 哪個H 吸收乙 氧。11.環境的除濕是通過添加氧化鋁或硅膠來完成的。這些化學物質從金屬表面
2021-07-01 09:40:10
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：超大規模集成電路制造技術簡介編號：JFSJ-21-076作者：炬豐科技概括VLSI制造中使用的材料材料根據其導電特性可分為三大類：絕緣體導體半導體
2021-07-09 10:26:01
125、150 或 200 毫米（5、6 或 8 英寸）。然而，未加工的純硅有一個主要的電氣特性：它是一種絕緣材料。因此，必須通過良好控制的工藝來改變硅的某些特征。這是通過“摻雜”硅獲得的。金屬沉積過程：蝕刻過程：組裝過程描述：文章全部詳情，請加V獲?。篽lknch/xzl1019如有侵權，請聯系作者刪除
2021-07-01 09:34:50
哪種半導體工藝最適合某一指定應用？對此，業界存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用，但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-02 08:23:59
1、GaAs半導體材料可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
拋光工藝是指激光切割好鋼片后，對鋼片表面進行毛刺處理的一個工藝。電解拋光處理后的效果要優于打磨拋光，因此電解拋光工藝常用于有密腳元件的鋼網上。建議IC引腳中心間距在0.5及以下的（包括BGA）推薦用電解拋光。
2018-09-22 14:02:28
去的三十年里，III-V 技術（GaAs 和InP）已經逐漸擴大到這個毫米波范圍中。新近以來，由于工藝尺寸持續不斷地減小，硅技術已經加入了這個“游戲”。在本文中，按照半導體特性和器件要求，對可用
2019-07-31 07:43:42
FPGA在系統中表現出的特性是由芯片制造的半導體工藝決定的，當然它們之間的關系比較復雜。過去，在每一節點會改進工藝的各個方面，每一新器件的最佳工藝選擇是尺寸最小的最新工藝?，F在，情況已不再如此。
2019-09-17 07:40:28
的美國派更半導體公司（PeregrineSemiconductorCorp.）開發的。在藍寶石底板上形成單晶硅薄膜，然后再利用CMOS工藝形成電路。作為采用具有良好絕緣性的藍寶石的SOS底板，與硅底板
2016-09-15 11:28:41
電化學和機械平坦化技術的新穎銅平坦化工藝———電化學機械拋光（ＥＣＭＰ）應運而生，ＥＣＭＰ 在很低的壓力下實現了對銅的平坦化，解決了多孔低介電常數介質的平坦化問題，被譽為未來半導體平坦化技術的發展趨勢
2009-10-06 10:08:07
問個菜的問題:半導體(或集成電路)工藝 來個人講講 半導體工藝 集成電路工藝 硅工藝 CMOS工藝的概念和區別以及聯系吧。查了一下：集成電路工藝（integrated
2009-09-16 11:51:34
;nbsp; 用激光對晶圓進行精密劃片是晶圓-尤其是易碎的單晶半導體晶圓如硅晶圓刀片機械劃片裂片的替代工藝。激光能對所有
2010-01-13 17:01:57
絕大部分工藝都是相似的。各個工藝環節對純水的要求也是大同小異。我們在半導體生產過程中常用到的電鍍銅，錫，鎳金;化學鍍鎳金;PTH/黑孔;表面處理蝕刻等生產過程都需要用到不同要求的純水?！ ?b class="flag-6" style="color: red">半導體用純水典型
2013-08-12 16:52:42
芯片制造-半導體工藝制程實用教程學習筆記[/hide]
2009-11-18 11:44:51
，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。隨著無線通信的發展，高頻電路應用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
III-V族化合物,III-V族化合物是什么意思
III-V族化合物半導體;III-V group elements compound semiconductor 分子式：CAS號：
2010-03-04 12:16:163788 阿爾卡特朗訊貝爾實驗室、Thales與CEA-Letu日前聯合宣布，CEA-Leti已加入III-V實驗室，增強研發中心的產業研發能力，該實驗室居于全歐洲III-V半導體材料研究領域的最前沿
2011-04-09 09:41:201003 超平滑無損傷銅表面的超精密加工技術在微電子器件和微機電系統制造中具有廣泛的需求。目前，化學機械拋光作為常見的超精密加工技術，在超光滑超平整表面加工中得到廣泛應用，但由于其加工過程中的機械作用
2018-02-04 10:01:45
0 化學機械拋光（chemical mechanical polishing，簡稱CMP）技術幾乎是迄今惟一的可以提供全局平面化的表面精加工技術，可廣泛用于集成電路芯片、計算機硬磁盤、微型機械
2018-11-16 08:00:0014 摘要：化學機械拋光（CMP）技術是目前廣泛采用的幾乎唯一的高精度全局平面化技術。拋光后表面的清洗質量直接關系到CMP技術水平的高低。介紹了各種機械、物理及化學清洗方法與工藝技術優缺點，指出
2020-12-29 12:03:261548 半導體工藝化學原理。
2021-03-19 17:07:23111 介紹了硅拋光片在硅材料產業中的定位和市場情況，化學機械拋光（CMP）技術的特點，硅拋光片大尺寸化技術問題和發展趨勢，以及硅拋光片技術指標，清洗工藝組合情況等
2021-04-09 11:29:5935 在亞微米半導體制造中，器件互連結構的平坦化正越來越廣泛采用化學機械拋光（CMP）技術，這幾乎是目前唯一的可以提供在整個硅圓晶片上全面平坦化的工藝技術。本文綜述了化學機械拋光的基本工作原理、發展狀況及存在問題。
2021-04-09 11:43:519 在亞微米半導體制造中 ， 器件互連結構的平坦化正越來越廣泛采用化學機械拋光 （CMP） 技術 ， 這幾乎是目前唯一的可以提供在整個硅圓晶片上全面平坦化的工藝技術。本文綜述了化學機械拋光的基本工作原理、發展狀況及存在問題。
2021-06-04 14:24:4712 氮化鎵晶片的化學機械拋光工藝綜述
2021-07-02 11:23:3644 書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：III-V的光子學特性 編號：JFKJ-21-215 作者：炬豐科技 摘要 ? ???III-V型半導體納米線已顯示出巨大的潛力光學、光電和電子器件的構建
2023-04-19 10:03:0093 
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：III-V集成光子的制備 編號：JFKJ-21-212 作者：炬豐科技 摘要 ? 本文主要研究集成光子的制備工藝?；?b class="flag-6" style="color: red">III-V半導體的器件，?這項工作涵蓋
2023-04-19 10:04:00130 
功率放大器在機械拋光研究中的應用綜述
2021-08-27 16:46:3417 引言 化學機械拋光是實現14納米以下半導體制造的最重要工藝之一。此外，化學機械拋光后缺陷控制是提高產量和器件可靠性的關鍵工藝參數。由于亞14納米節點結構器件的復雜性，化學機械拋光引起的缺陷需要固定
2022-01-11 16:31:39442 
索引術語—清洗、化學機械拋光、乙二胺四乙酸、多晶硅、三氧化二氫。 摘要 本文為后化學機械拋光工藝開發了新型清洗液，在稀釋的氫氧化銨(NH4OH+H2O)堿性水溶液中加入表面活性劑四甲基氫氧化銨
2022-01-26 17:21:18550 
化學機械拋光最初用于玻璃和硅片拋光。隨著其功能的增加，化學機械拋光被引入到平面化層間電介質(ILD)、淺溝槽隔離(STI)和用于片上多級互連的鑲嵌金屬布線中。該工藝適用于半導體加工
2022-01-27 11:39:13662 
的組成，我們研究了兩種類型的晶體表面形態，拋光和鈍化的薄膜，形成后的化學動態(CDP)和/或化學機械拋光(化學機械拋光)在溶液中，飽和的溶劑和氧化劑，結果發現，在拋光蝕刻劑中，CDP和CMP工藝均能形成
2022-02-14 16:47:05447 
摘要 III-V材料與絕緣子上硅平臺的混合集成是一種很有前景的技術。二乙烯基硅氧烷-雙苯并環丁烯(簡稱DVS-BCB或BCB)是作為一種技術出現適合在工業規模上實現這樣的集成。耦合為這些混合器
2022-02-24 14:02:481357 
幾乎所有的直接晶圓鍵合都是在化學機械拋光的基板之間或在拋光基板頂部的薄膜之間進行的。在晶圓鍵合中引入化學機械拋光將使大量材料適用于直接晶圓鍵合，這些材料在集成電路、集成光學、傳感器和執行器以及微機電系統中已經發現并將發現更多應用。
2022-03-23 14:16:001272 
采用化學機械拋光(CMP)工藝，在半導體工業中已被廣泛接受氧化物電介質和金屬層平面化。使用它以確保多層芯片之間的互連是實現了介質材料的可靠和厚度是一致且充分的。在CMP過程中，晶圓是當被載體
2022-03-23 14:17:511643 
機械拋光基本程序  要想獲得高質量的拋光效果，最重要的是要具備有高質量的油石、砂紙和鉆石研磨膏等拋光工具和輔助品。而拋光程序的選擇取決于前期加工后的表面狀況，如機械加工、電火花加工，磨加工等等。
2022-04-12 09:53:585215 CMP 所采用的設備及耗材包括拋光機、拋光液（又稱研磨液)、拋光墊、拋光后清洗設備、拋光終點(End Point)檢測及工藝控制設備、廢物處理和檢測設備等。
2022-11-08 09:48:1211572 半導體材料和半導體器件在世界電子工業發展扮演的角色我們前幾天已經聊過了。而往往身為使用者的我們都不太會去關注它成品之前的過程，接下來我們就聊聊其工藝流程。今天我們來聊聊如何從原材料到拋光晶片的那些事兒。
2023-04-14 14:37:502034 
使用化學機械拋光(CMP)方法對碳化硅晶片進行了超精密拋光試驗，探究了滴液速率、拋光頭轉 速、拋光壓力、拋光時長及晶片吸附方式等工藝參數對晶片表面粗糙度的影響，并對工藝參數進行了優化，最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215 
://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊鏈接：8.8.10化學機械拋光機（CMP）∈《集成電路產業全書》?
2022-03-01 10:40:56337 
審稿人：浙江大學余學功https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊鏈接：8.8.10化學機械拋光機（
2022-02-28 11:20:38271 超精密兩面拋光加工是化學機械拋光的應用(CMP)技術性，借助產品工件、碾磨顆粒物、拋光劑和拋光輪的機械作用，在工件打磨拋光環節中，發生部分持續高溫和髙壓，使產品與碾磨顆粒物、拋光劑和拋光輪中間最直接
2022-11-01 11:38:532189 
CMP 主要負責對晶圓表面實現平坦化。晶圓制造前道加工環節主要包括7個相互獨立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注入、化學機械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝，其中根據工藝
2023-07-18 11:48:183030 
20世紀60年代以前，半導體基片拋光還大都沿用機械拋光，得到的鏡面表面損傷是極其嚴重的。1965年Walsh和Herzog提出SiO2溶膠和凝膠拋光后，以SiO2漿料為代表的化學機械拋光工藝就逐漸代替了以上舊方法。
2023-08-02 10:48:407523 
濕法腐蝕在半導體工藝里面占有很重要的一塊。不懂化學的芯片工程師是做不好芯片工藝的。
2023-08-30 10:09:041705 
重要的角色。 在半導體清洗工藝中，PFA管的主要作用是用于傳輸、儲存和排放各種化學液體。這些化學液體可能是用于清洗半導體的試劑，也可能是用于腐蝕去除半導體表面的各種薄膜和污垢。在這個過程中，PFA管需要承受各種化學物質的侵
2023-10-16 15:34:34258 化學機械拋光（CMP）是目前最主流的晶圓拋光技術，拋光過程中，晶圓廠會根據每一步晶圓芯片平坦度的加工要求，選擇符合去除率（MRR）和表面粗糙度（Ra）等指標要求的拋光液，來提高拋光效率和產品良率。
2023-11-16 16:16:35212 化學機械研磨工藝操作的基本介紹以及其比單純物理研磨的優勢介紹。
2023-11-29 10:05:09348 CMP（Chemical Mechanical Polishing）即“化學機械拋光”，是為了克服化學拋光和機械拋光的缺點
2023-12-05 09:35:19416 
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