Meta公司近日透露,他們預(yù)計(jì)將在今年晚些時(shí)候迎來英偉達(dá)最新旗艦人工智能芯片的首批到貨。這一消息引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注,標(biāo)志著Meta在人工智能領(lǐng)域的布局又邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。
2024-03-21 11:35:27234 LEAD-ACID AGM BATTERY MODULE; 24
2024-03-14 23:28:05
LEAD-ACID AGM BATTERY MODULE; 24
2024-03-14 23:28:05
LEAD-ACID AGM BATTERY MODULE; 24
2024-03-14 23:28:05
LEAD-ACID AGM BATTERY MODULE; 24
2024-03-14 23:28:03
產(chǎn)品型號(hào): AP9977AGM-VB絲印: VBA3638品牌: VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明:- 通道類型: 2個(gè)N-Channel溝道- 最大耐壓: 60V- 靜態(tài)電流: 6A- 開啟電阻: RDS
2024-03-14 16:35:12
**產(chǎn)品型號(hào):** AP9971AGM-VB **絲印:** VBA3638 **品牌:** VBsemi **參數(shù):** - 溝道類型: 雙N溝道
2024-03-14 16:22:59
產(chǎn)品名稱:AP9962AGM-VB絲印:VBA3638品牌:VBsemi參數(shù):- 2個(gè)N—Channel溝道- 額定電壓:60V- 最大電流:6A- 靜態(tài)漏極-源極電阻(RDS(ON)):27m
2024-03-14 16:10:44
產(chǎn)品型號(hào): AP9962AGM-HF-VB 絲印: VBA3638 品牌: VBsemi **參數(shù):**- 2個(gè)N-Channel溝道- 額定電壓:60V-
2024-03-14 16:09:20
產(chǎn)品型號(hào): AP9467AGM-HF-VB絲印: VBA1410品牌: VBsemi參數(shù):- 溝道類型: N—Channel- 額定電壓: 40V- 最大電流: 10A- 導(dǎo)通電阻: RDS
2024-03-14 15:55:35
**產(chǎn)品型號(hào):9977AGM-VB****絲印:VBA3638****品牌:VBsemi****參數(shù):**- **MOS管類型:** 2個(gè)N-Channel溝道- **最大耐壓:** 60V-
2024-03-11 11:07:45
**產(chǎn)品型號(hào):** 9971AGM-VB**絲印:** VBA3638**品牌:** VBsemi**參數(shù):**- 溝道類型:2個(gè)N—Channel溝道- 最大耐壓:60V- 最大電流:6A- 開態(tài)
2024-03-11 10:36:48
產(chǎn)品型號(hào):9962AGM-VB品牌:VBsemi封裝:SOP8絲印:VBA3638詳細(xì)參數(shù)說明:- 溝道類型:2個(gè)N—Channel- 工作電壓:60V- 最大電流:6A- 導(dǎo)通電阻:RDS
2024-03-11 10:20:29
**VBsemi 9962AGM-HF-VB**- **絲印:** VBA3638- **品牌:** VBsemi- **參數(shù):** - 通道類型: 2個(gè) N 溝道 - 額定電壓
2024-03-11 10:18:16
—>AG10KF256 EP3C16F256—>AG16KF256 EP4CE15F17—>AG16KF256 Also for Lattice chip ICE40LP1K-CM36, AGM also have Pin to Pin part " AG1KLPBGA36".
2024-01-10 09:29:56308 AGM專用離線下載器示意圖: ? 供電方式: 通過 USB 接口給下載器供電,跳線 JP 斷開。如果客戶 PCB 的 JTAG 口不能提供 3.3V 電源,或僅需燒寫下載器,尚未連接用戶 PCB
2024-01-09 16:24:55191 是與STM32F027非常接近的,除此之外,還有2K的FPGA,相當(dāng)于4片ALTERA CPLD EPM570的容量。而這樣相當(dāng)于1片ST207+4片EPM570的AGM32芯片的售價(jià)也才1$多點(diǎn),可以
2024-01-02 15:58:32
AGM MCU使用自有的IDE編程調(diào)試環(huán)境,使用起來按步驟安裝使用即可。
1、下載、安裝 VSCODE
a.下載
地址: Download Visual Studio Code -Mac
2023-12-29 12:05:06
的特點(diǎn)是除了正常的通用MCU功能以外,還內(nèi)含了2K的FPGA邏輯。
其應(yīng)用場(chǎng)景是,如果客戶的PCB板上既使用了MCU,又有FPGA芯片,那么使用AGM的這款定制芯片,可以幫助客戶降低采購成本,并且節(jié)省
2023-12-29 11:58:55
),配備了1M的片上Flash和零等待指令執(zhí)行功能。所有 AGM32系列產(chǎn)品都提供從flash零等待指令執(zhí)行功能。
除此之外,AGM提供了一個(gè)重要的隱藏特性,在Pin2pin兼容的基礎(chǔ)上,所有管腳可以
2023-12-29 11:18:08
來說具有高性能、低延遲、高靈活度(整合功能)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。
AGM32 103系列的最高主頻為168MHz; 407系列的最高主頻為248MHz,配備了1M的片上Flash和零等待指令執(zhí)行功能。所有
2023-12-29 10:52:29
ADXL372在Instant On Mode下的閾值只能有10g-15g或者30g-40g的兩種范圍設(shè)置嗎,可以細(xì)調(diào)范圍嗎,在這個(gè)模式下可以實(shí)現(xiàn)峰值捕獲嗎;比如我只想得到加速度峰值,設(shè)置活動(dòng)閾值和非活動(dòng)閾值,不知道能不能在instant on mode下實(shí)現(xiàn)。
2023-12-29 07:32:13
10天后傾角數(shù)據(jù)會(huì)有0.02°左右的漂移,一般是在Y軸,請(qǐng)問零度漂移有這么大嗎?如果排除溫度的影響,還有哪些可能會(huì)導(dǎo)致,謝謝!
2023-12-28 06:32:47
如果你想讓電池完全放電,最好買個(gè)鋰電池。對(duì)于AGM和凝膠電池,將DOD率保持在50%。一些AGM電池的可用率可能高達(dá)70%,但請(qǐng)查看手冊(cè)以確定。2000瓦的逆變器夠用嗎?回答這個(gè)問題最簡單的方法
2023-12-18 10:52:47166 型號(hào): 4800AGM-VB絲印: VBA1311品牌: VBsemi參數(shù):- 溝道類型: N溝道- 額定電壓: 30V- 最大電流: 12A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)): 12m
2023-12-14 16:04:19
ad7195配置寄存器默認(rèn)值x0 000117,我讀出是x0 000116,寫入x0 000117讀出還是x0 000116,G0位始終修改不了。
讀寫別的寄存器都正常。數(shù)據(jù)寄存器正常。我要把增益設(shè)置128倍G2=1 G1=1G0=1 ,現(xiàn)在G0位不能設(shè)置,是什么原因?
2023-12-13 06:26:43
你好,
我們?cè)谟肁D5693RACPZ,設(shè)置輸出3V,但在零下30度時(shí),芯片輸出電壓不正常,只有1.5V左右,請(qǐng)問這是什么原因?
2023-12-06 08:27:16
請(qǐng)問0.18KW,4級(jí),B5的電機(jī),如果采用蒙蓋設(shè)計(jì)(不帶風(fēng)扇,自冷)。在20度的環(huán)境溫度下空轉(zhuǎn)二個(gè)小時(shí)(無外部散熱裝置),機(jī)殼溫度能控制在40度以下嗎?
2023-11-22 07:31:56
美國ODYSSEY奧德賽電池ODS-AGM28 LMJ-總部-Odyssey Battery,Odyssey蓄電池,奧德賽汽車蓄電池,音響用蓄電池(電瓶)ODYSSEY系列鉛酸蓄電池作為**的引擎
2023-11-17 13:51:42
求助:如圖,使用SN74LVC4245a將3.3V轉(zhuǎn)換成5V,并與LTC6911芯片的G2、G1、G0控制引腳直接相連,其中G2、G1腳為4.95V(SN74LVC4245a A端供電電壓4.95V
2023-11-17 07:43:17
想用運(yùn)放實(shí)現(xiàn)1~-40V的脈沖電源,1到-40V的時(shí)間為2us,計(jì)算SR至少要求63V/us,看了下幾款車規(guī)級(jí)高壓運(yùn)放,請(qǐng)問下使用LT1010可以實(shí)現(xiàn)嗎?能否提供一下LT1010的LTSPICE的仿真模型?
謝謝!
2023-11-13 14:20:54
"AI×Sensor"人工智能傳感器供應(yīng)商極豪科技近日宣布,極豪側(cè)邊電容指紋識(shí)別芯片JV0103助力OPPO全新旗艦手機(jī)Find N3重磅發(fā)布,以創(chuàng)"芯"
2023-10-29 09:25:23450 FD2H003B*-G1是一種低功率集成霍爾開關(guān),設(shè)計(jì)用于感知施加的磁通密度并給出數(shù)字輸出,表明了所測(cè)幅度的現(xiàn)狀。這些應(yīng)用的一個(gè)例子是手機(jī)的翻轉(zhuǎn)手機(jī)中的開關(guān)。微功率設(shè)計(jì)特別適用于電池驅(qū)動(dòng)的系統(tǒng)
2023-10-27 15:28:020 10月24日,在美國夏威夷,驍龍峰會(huì)期間,高通技術(shù)公司宣布推出全新旗艦移動(dòng)平臺(tái)——第三代驍龍?8,它是一款集終端側(cè)智能、頂級(jí)性能和能效于一體的強(qiáng)大產(chǎn)品。作為Android旗艦智能手機(jī)SoC領(lǐng)導(dǎo)者
2023-10-25 09:48:432853 要求-25℃的環(huán)境下可以正常測(cè)量
2023-10-13 07:12:08
First Garbage Collector, 是一款內(nèi)置在HotSpot JVM中的服務(wù)端垃圾收集器。 G1是作為CMS的替代產(chǎn)品出現(xiàn)的,其目標(biāo)是在滿足最短時(shí)間停頓的同時(shí)達(dá)到一個(gè)高吞吐量,適用于多核處理器,大內(nèi)存容量的系統(tǒng)。 其特點(diǎn)如下: 短停頓時(shí)間且可控。對(duì)內(nèi)存進(jìn)行分區(qū),可以應(yīng)用在大內(nèi)存系統(tǒng)
2023-09-25 14:26:37403 2023年9月8日,華為正式發(fā)布了備受期待的Mate60 Pro+,這款新旗艦手機(jī)在設(shè)計(jì)和性能上都有著顯著的提升。
2023-09-08 12:57:261681 TechInsights近日發(fā)布了對(duì)華為最新旗艦手機(jī)Mate 60 Pro的拆解報(bào)告。華為麒麟9000s芯片被專業(yè)人士評(píng)價(jià)為非常先進(jìn),盡管不是最先進(jìn)的,但差距在2-2.5個(gè)節(jié)點(diǎn)范圍內(nèi)。
2023-09-06 14:29:57870 天璣9300最新消息 聯(lián)發(fā)科天璣9300采用Arm最新旗艦GPU G720功耗性能再硬卷 使用臺(tái)積電4nm制程的聯(lián)發(fā)科新一代旗艦芯片天璣9300最新消息被爆料了一些出來。 聯(lián)發(fā)科新一代旗艦芯片
2023-09-01 15:18:481406 據(jù)悉,TCL將發(fā)布其首款搭載NxtPaper屏幕的手機(jī),該公司表示,這款手機(jī)將具有類似紙張的外觀,以提高眼睛的舒適度。 TCL 40 NxtPaper和TCL 40 NxtPaper 5G都將
2023-08-31 16:14:381158 TTMTechnologies 的 X4C40J1-20G 是一款定向耦合器,頻率為 3.3 至 5 GHz,耦合為 20 至 20.2 dB,耦合變化 ±1.5 dB,頻率靈敏度為 
2023-08-16 09:59:26
TTM Technologies 的 X4BD40L1-50200G 是一款巴倫,頻率為 2.3 至 6 GHz,幅度平衡 ±1.15 dB,相位平衡 8 度,插入損耗 0.9 dB
2023-08-15 09:54:31
TTM Technologies 的 X4BD40L1-5050G 是一款巴倫,頻率為 2.3 至 6 GHz,幅度平衡 ±0.96 dB,相位平衡 3 度,插入損耗 1.1 dB,功率
2023-08-15 09:51:54
TTM Technologies 的 X4BD40L1-50100G 是一款巴倫,頻率為 2.3 至 6 GHz,幅度平衡 ±1.5 dB,相位平衡 3 度,插入損耗 1 dB,功率 1 W
2023-08-15 09:49:30
TTM Technologies 的 X4B40L1-5050G 是一款巴倫,頻率為 2.3 至 3.5 GHz,幅度平衡 ±0.8 dB,相位平衡 6 度,插入損耗 0.55 dB,功率 1 W
2023-08-15 09:47:00
TTM Technologies 的 X4C40L1-03G 是一款 90 度混合耦合器,頻率為 3.1 至 5.1 GHz,平均功率 2 W,插入損耗 0.3 dB,隔離度 20 dB,耦合 3
2023-08-10 16:51:58
磁性材料是重要的基礎(chǔ)功能材料,廣泛應(yīng)用于電子信息、新能源汽車、醫(yī)療和環(huán)保等領(lǐng)域。目前常用的磁性測(cè)量設(shè)備中,發(fā)展較好的有振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)(VSM)、交變梯度磁力計(jì)(AGM)以及超導(dǎo)量子干涉儀(SQUID
2023-08-07 10:15:48296 三防手機(jī)廠商 AGM也推出了自己的平板新品 AGM P1。 作為知名的三防手機(jī)廠商,AGM 也將三防的基因放到了新款平板產(chǎn)品上,正式這些三防基因使得 AGM P1 成為了當(dāng)前市面上為數(shù)不多可以達(dá)到專業(yè)防水的平板電腦。根據(jù) AGM 官方公布的消息,AGM P1 通過了 IP68、
2023-07-28 15:47:484580 芯控源AGM25T12W2T4 是一款 1200V 25A PIM IGBT模塊,對(duì)標(biāo)英飛凌 FP25R12W2T4。pin to pin的設(shè)計(jì),可直接替代。
2023-06-21 16:33:140 去客戶工廠參觀交流,了解到他們用到了我們代理的芯控源的IGBT模塊AGM25T12W2T4,就想給大家講下關(guān)于IGBT的知識(shí)和這款產(chǎn)品!
2023-06-21 09:17:03929 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Nano G1探索者解決方案.zip》資料免費(fèi)下載
2023-06-12 15:15:470 在“心動(dòng),何止一面”moto razr 40系列折疊屏手機(jī)新品發(fā)布會(huì)上,聯(lián)想正式推出moto razr 40 Ultra與moto razr 40兩款重磅小折疊新品,著名演員朱珠正式擔(dān)任moto razr 時(shí)尚大使。
2023-06-08 16:19:28379 N+P溝道 40V 7.6A/-6.5A 3.0W(Tc) 18mΩ/34mΩ
2023-06-02 10:32:34
N+P溝道 40V 23A/-20A 27.8W(Tc) 18mΩ/32mΩ
2023-06-02 10:32:12
N+P溝道 40V 6.6A/-5.5A 2.0W(Tc) 25mΩ/65mΩ
2023-06-02 10:31:52
N+P溝道 40V 23A/-20A 27.8W(Tc) 18mΩ/32mΩ
2023-06-02 10:31:31
N+P溝道 40V 7.6A/-7.5A 2.5W(Tc)18mΩ/26mΩ
2023-06-02 10:31:11
N+N溝道 40V 22A 35W(Tc) 13mΩ
2023-06-02 10:30:53
P溝道 40V 95A 135W(Tc) 4.6mΩ
2023-06-02 10:30:31
P溝道 40V 70A 113W(Tc) 7mΩ
2023-06-02 10:30:10
N溝道 40V 350A 250W(Tc) 0.82mΩ
2023-06-02 10:29:51
N溝道 40V 130A 105W(Tc) 3mΩ
2023-06-02 10:29:33
N溝道 40V 120A 125W(Tc) 1.5mΩ
2023-06-02 10:29:15
N+P溝道 30V 9A/-6.8A 3.2W(Tc) 18mΩ/40mΩ
2023-06-02 10:28:56
N溝道 30V 40A 24W(Tc) 7.2mΩ
2023-06-02 10:26:58
以下百度網(wǎng)盤下載Windows版本:
鏈接:https://pan.baidu.com/s/1sWPg2KgxtHKcT08FvX9tUQ
提取碼:6opy
Release note尚未發(fā)布,不過
2023-05-23 15:22:41
三防對(duì)講手機(jī) DMR警用對(duì)講POC公網(wǎng)對(duì)講Model:D1IP68 美軍標(biāo)MIL-STD-810G MTK6739 1GH-8GB 5PCamera 5300mAH Androld9.0 NFC
2023-05-19 14:52:04
,它們確實(shí)有一些相似之處。 現(xiàn)在,讓我們從內(nèi)部工作原理開始,看看每種電池類型有何不同。 1. AGM 與鉛酸電池
2023-05-18 14:31:17
意大利明達(dá)克MIDAC蓄電池IT6 AGM 12V105AH汽車鉛酸啟停電池 意大利MIDAC 啟動(dòng)電池是汽車領(lǐng)域的標(biāo)桿。 它們采用最新技術(shù)并按照極高的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)制造,保證了長期
2023-05-18 11:06:59
美國費(fèi)洛特高性能電池FULL THROTTLE-總代理,費(fèi)洛特音響蓄電池 美國費(fèi)洛特蓄電池FULL THROTTLEbattery,F(xiàn)ULL THROTTLE電池,美國費(fèi)洛特高性能AGM電池,是一款
2023-05-12 16:32:15
4月25日,AGM G2系列手機(jī)全球官宣發(fā)布,由國內(nèi)知名三防手機(jī)廠商AGM攜手高德紅外(002414)聯(lián)合創(chuàng)新打造。 作為兩家堅(jiān)持自主創(chuàng)新的高科技企業(yè),此次合作不僅僅是智能手機(jī)歷史進(jìn)程中的里程碑
2023-05-05 15:21:54305 4月25號(hào),AGM正式發(fā)布AGM G2專業(yè)旗艦系列機(jī)型,AGM G2共有三款機(jī)型,分別是AGM G2 GT、AGM G2 Pro、AGM G2。
2023-04-25 16:51:071061 我正在使用 S32G goldvip 上的 fleetwise 服務(wù)將車輛數(shù)據(jù)發(fā)布到云端。發(fā)布間隔設(shè)置為 2 秒,我每 2 秒看到一次數(shù)據(jù)反映在云(Timestream 數(shù)據(jù)庫)中。
但是隨機(jī)出現(xiàn)大約 30-40 秒的巨大延遲才能在云端獲取數(shù)據(jù)。
2023-04-25 06:38:38
前段時(shí)間,努比亞發(fā)布了旗下最新旗艦產(chǎn)品——努比亞Z50 Ultra,搭載了第二代驍龍8移動(dòng)平臺(tái),在性能表現(xiàn)上足夠強(qiáng)悍。除此之外,簡約硬朗的外觀設(shè)計(jì)、極佳的影像體驗(yàn),讓這款手機(jī)俘獲了一眾消費(fèi)者的芳心。本期體驗(yàn)報(bào)告,和大家一起聊聊努比亞Z50 Ultra,它為何會(huì)被稱之為是一款出色的全能旗艦?
2023-04-20 10:21:582075 三防手機(jī)終端 5G POC公網(wǎng)對(duì)講 Model:A8 5G(SOC)功能:1P68 MTK6833(天璣700) 3GB+128G8 4BMPTride Caman Andod11
2023-04-11 20:00:37
。那么,接下來善睞物聯(lián)的小編跟大家分享
下:選擇4
G路由器在選擇時(shí)
可以從哪幾個(gè)要點(diǎn)入手?
1、從流暢程度開始使用4
G路由器舒適度的關(guān)鍵是上網(wǎng)的流暢
度。為了選擇一個(gè)足夠流暢的無線路由,
可以考慮數(shù)據(jù)傳輸?shù)囊?/div>
2023-04-11 10:38:01
IC BUFFER ZDB PCIE 1:6 40-QFN
2023-04-06 11:59:55
我正在使用應(yīng)用程序軟件包:LPCXpresso55S69 上基于 ML 的系統(tǒng)狀態(tài)監(jiān)視器和 FXOS8700 加速度計(jì)的 FRDM-STBC-AGM01 傳感器工具箱。我可以成功調(diào)試并終止會(huì)話而不會(huì)
2023-04-03 07:47:43
MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=140A RDS(ON)=3.1mΩ@4.5V DFN5X6-8
2023-03-28 18:14:50
MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=120A RDS(ON)=3.1mΩ@4.5V TO252
2023-03-28 18:14:50
MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=120A RDS(ON)=3.4mΩ@4.5V DFN5X6-8
2023-03-28 18:14:50
MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=120A RDS(ON)=3.4mΩ@4.5V TO252
2023-03-28 18:14:50
MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=72A RDS(ON)=7mΩ@4.5V DFN5X6-8
2023-03-28 18:14:50
MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=72A RDS(ON)=9mΩ@4.5V TO252
2023-03-28 18:14:50
MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=18A,-20A RDS(ON)=25mΩ,34mΩ@4.5V DFN5X6-8
2023-03-28 18:14:50
MOS管 N-Channel,P-Channel VDS=40V,-40V VGS=±20V ID=7.6A,-6.8A RDS(ON)=16mΩ,42mΩ@10V SOP8_150MIL
2023-03-28 18:14:50
MOS管 P-Channel VDS=-60V VGS=±20V ID=-45A RDS(ON)=38mΩ@-4.5V TO252
2023-03-28 18:14:47
MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=55A RDS(ON)=9.5mΩ@4.5V DFN5X6-8
2023-03-28 18:14:47
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評(píng)論
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