本帖最后由 jf_50240986 于 2024-3-8 22:51 編輯
串接NPN型晶體管的情況。晶體管基極要求注入電流，產(chǎn)生電流的電壓必須高于（Vo+Vbe），約為（Vo+1）。若基極
2024-03-06 20:49:11
BLP15H9S100GZAmpleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管，0.001 至 1.5 GHz，100 W，19 dB，50 V，SOT1483-1，LDMOSPart
2024-02-29 16:12:46
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《50V 輸入電壓、50mA 超高電壓線性穩(wěn)壓器TPS7A4101數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-29 16:04:22
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《配備50 V、100 mA PNP電阻器的晶體管PDTA114ET-Q產(chǎn)品數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
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2024-02-21 14:23:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《40 V，200 mA NPN開(kāi)關(guān)晶體管MMBT3904-Q數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
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2024-02-21 11:10:180 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《100 V，4.5 A NPN低VCEsat晶體管PBSS306NX數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
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2024-02-21 10:30:590 是，最大輸出電流時(shí)產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場(chǎng)效應(yīng)管可以無(wú)需任何外接元件而直接并聯(lián)，因?yàn)槠渎O電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場(chǎng)效應(yīng)管無(wú)需任何外接
2024-01-26 23:07:21
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2024-01-26 09:18:400 推挽和互補(bǔ)放大電路的區(qū)別是什么？在晶體管的不同，BTJ和FET的不同？例如在NPN和PNP電路中，上級(jí)電路的輸入共同作用加在兩個(gè)基極之間？假設(shè)是高電平，為什么上面晶體管導(dǎo)通，下面晶體管不導(dǎo)通？當(dāng)下
2024-01-25 22:28:59
我在切換晶體管時(shí)遇到了一個(gè)問(wèn)題。我正在嘗試讓 LED 通過(guò)晶體管閃爍。當(dāng)我從評(píng)估板（即 MSP-EXP430G2ET）獲取電源 （3.3V） 時(shí)，該程序有效。但是當(dāng)我使用外部電源 （8.33V） 為
2024-01-22 06:00:31
放大，似于多路比較器的輸出，NPN型晶體管多發(fā)射極分別接到比較器的輸出端，集電極共用一路上拉電阻連接至電源，如果多路比較器有一路導(dǎo)通，則該多發(fā)射極晶體管集電極輸出導(dǎo)通拉低，電平為低電平。
不知是否是我理解的這樣？
2024-01-21 13:47:56
常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的具有負(fù)阻特性的器件一單結(jié)晶體管，請(qǐng)問(wèn)這個(gè)單結(jié)晶體管是什么？能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)阻特性？
2024-01-21 13:25:27
)：13.0效率（％）：33額定電壓(V)：40形式：封裝形式分立晶體管封裝形式類別：法蘭盤(pán)技術(shù)應(yīng)用：GaN-on-SiC
2024-01-19 09:27:13
晶體管也就是俗稱三極管，其本質(zhì)是一個(gè)電流放大器，通過(guò)基射極電流控制集射極電流。
1、當(dāng)基射極電流很小可以忽略不計(jì)時(shí)，此時(shí)晶體管基本沒(méi)有對(duì)基射極電流的放大作用，此時(shí)可以認(rèn)為晶體管處在關(guān)斷狀態(tài)
2、當(dāng)基
2024-01-18 16:34:45
led燈泡芯片推薦：SM2082EGS 電流可達(dá) 100mA
2024-01-05 14:28:34
197 
事通訊設(shè)備產(chǎn)品規(guī)格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管最低頻率(MHz)：0最高頻率(MHz)：2000最高值輸出功率(W)：200增益值(分貝)：24.0效率（％）：70額定電壓(V)：27類型：封裝分立晶體管封裝類別：法蘭盤(pán)、丸狀技術(shù)應(yīng)用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
想把ADHV4702的輸出電流增大到100mA，
采用VP2540和VN2540兩個(gè)MOS管，按照datasheet上的圖設(shè)計(jì)電路。仿真看步到問(wèn)題。但是，在實(shí)驗(yàn)中，ADHV4702大概輸出電流50mA超過(guò)1分鐘就會(huì)燒芯片。已經(jīng)燒了6pcs了，求幫忙
2023-11-13 08:37:16
MJD2873Q 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的MJD2873Q這種雙極結(jié)型晶體管（BJT）設(shè)計(jì)用于滿足汽車(chē)應(yīng)用的嚴(yán)格要求。產(chǎn)品規(guī)格 品牌
2023-10-18 19:18:31
AC847BWQ產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的AC847BWQ這種雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 旨在滿足汽車(chē)應(yīng)用的嚴(yán)格要求。產(chǎn)品規(guī)格 品牌
2023-10-17 16:42:43
2DC4617SQ 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的2DC4617SQ這種雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 旨在滿足汽車(chē)應(yīng)用的嚴(yán)格要求。產(chǎn)品規(guī)格 品牌
2023-10-17 16:35:55
2DA1213YQ 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的2DA1213YQ這款雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 旨在滿足汽車(chē)應(yīng)用的嚴(yán)格要求。產(chǎn)品規(guī)格 品牌
2023-10-17 12:55:10
, 100mA, Himalaya uSLIC Power Module DC-DC Converter with 50mA Linear Regulator Data Sheet的引腳圖、接線圖、封裝
2023-10-16 19:13:47
專業(yè)圖書(shū)47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BST50 NPN達(dá)林頓晶體管手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-27 11:43:320 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BST50-Q NPN達(dá)林頓晶體管手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-27 11:42:320 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PBSS4160DS NPN/NPN低VCEsat晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-26 14:36:350 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PBSS4260PANS-Q NPN/NPN低VCEsat晶體管手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-26 10:12:450 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PBSS4160DS-Q NPN/NPN低VCESAT晶體管手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-26 10:10:500 ) 額定值范圍為 80 mA 至 600mA。
這些晶體管有兩種形式，例如 PNP 和 NPN。該晶體管的最高工作頻率為 1 至 300 MHz。這些晶體管用于放大幾伏等小信號(hào)以及僅使用毫安電流時(shí)。一旦
2023-08-02 12:26:53
功率晶體管。
保護(hù)電路來(lái)自圖。使用2歐姆負(fù)載時(shí)，還必須更改4。R24和R28值為3k9，R26和R28為220歐姆，D5、D6和R30全部消除。
70W/8歐姆版本的整流電壓±40V處于負(fù)載
2023-08-01 17:25:06
該2通道混音器電路基于2n3904晶體管，該晶體管形成2個(gè)前置放大器。2通道混音器電路的第一個(gè)前置放大器具有高增益，可用于麥克風(fēng)輸入，第二個(gè)前置放大器可用于控制音頻電平的輸入。
這種雙通道
2023-08-01 17:19:21
MRF427 NPN硅射頻功率晶體管規(guī)格書(shū)
2023-07-24 14:27:530 “NPN型晶體管”和“PNP型晶體管”在它們所連接的電路中都起到開(kāi)關(guān)的作用，但連接負(fù)載的位置不同。
2023-07-06 11:30:291736 
ZXTN5551FL 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXTN5551FL（NPN, 160V, 0.6A, SOT23）采用小外形表面貼裝封裝的高壓 NPN 晶體管。 產(chǎn)品規(guī)格
2023-06-09 16:19:47
ZXTN4004ZQ 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXTN4004ZQ（NPN, 150V, 1A, SOT89）SOT89 封裝的 150V NPN °C 驅(qū)動(dòng)晶體管 產(chǎn)品規(guī)格
2023-06-09 16:12:37
ZXTN4004Z 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXTN4004Z（NPN, 150V, 1A, SOT89）SOT89 封裝的 150V NPN °C 驅(qū)動(dòng)晶體管 產(chǎn)品規(guī)格
2023-06-09 16:06:39
ZXTN4004KQ 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXTN4004KQ（NPN, 150V, 1A, TO252）150V NPN °C TO252 驅(qū)動(dòng)晶體管 產(chǎn)品規(guī)格
2023-06-09 15:59:39
ZXTN4004K 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXTN4004K（NPN, 150V, 1A, TO252）150V NPN °C TO252 驅(qū)動(dòng)晶體管 產(chǎn)品規(guī)格
2023-06-09 14:13:11
ZXTN4002Z 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXTN4002Z（NPN, 100V, 1A, SOT89）SOT89 封裝的 100V NPN °C 驅(qū)動(dòng)晶體管 產(chǎn)品規(guī)格
2023-06-09 13:48:15
ZXTN4000Z 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXTN4000Z（NPN, 60V, 1A, SOT89）SOT89 封裝的 60V NPN °C 驅(qū)動(dòng)晶體管 產(chǎn)品規(guī)格
2023-06-09 13:40:34
ZXTN25100DZ 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXTN25100DZ（NPN, 100V, 2.5A, SOT89）這款新型低飽和 NPN 晶體管采用 SOT89 封裝
2023-06-09 13:01:11
ZXTN25100DGQ 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXTN25100DGQ（NPN, 100V, 3A, SOT223）采用 SOT223 外形封裝的這種新型低飽和 NPN 晶體管具有
2023-06-09 12:55:35
ZXTN25100DG 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXTN25100DG（NPN, 100V, 3A, SOT223）采用 SOT223 外形封裝的這種新型低飽和 NPN 晶體管具有
2023-06-09 12:48:39
ZXTN25060BZ產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXTN25060BZ（NPN, 60V, 5A, SOT89）這種采用 SOT89 外形封裝的新型低飽和 60V NPN 晶體管具有極低的導(dǎo)通狀態(tài)
2023-06-09 12:12:51
ZXTN25050DFH 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXTN25050DFH（NPN, 50V, 4A, SOT23）先進(jìn)的工藝能力和封裝設(shè)計(jì)已被用于最大限度地提高這種小外形
2023-06-09 11:59:32
ZXTN25020DZ 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXTN25020DZ（NPN, 20V, 6A, SOT89）這款新型低飽和 20V NPN 晶體管采用 SOT89 封裝，具有極低的導(dǎo)
2023-06-09 10:36:12
ZXTN25020DG 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXTN25020DG（NPN, 20V, 7A, SOT223）采用 SOT223 外形封裝的這種新型低飽和 NPN 晶體管具有極低的導(dǎo)
2023-06-09 10:05:28
ZXTN04120HFF 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXTN04120HFF 這種高性能NPN達(dá)林頓晶體管被封裝在小輪廓SOT23扁平封裝中，用于空間非常寶貴的應(yīng)用。產(chǎn)品規(guī)格類別 達(dá)林頓
2023-06-06 21:47:20
今天為大家介紹晶體管由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，分為NPN型和PNP型兩類，根據(jù)使用材料的不同，將晶體管分為NPN型鍺管和NPN型硅管，PNP型鍺管和PNP型硅管。
2023-06-03 09:29:111255 
NPN晶體管是由三個(gè)不同摻雜的半導(dǎo)體材料制成的電子元件，它是一種L6562ADTR雙極晶體管，是電子學(xué)中最常用的元件之一。它的名稱來(lái)源于其內(nèi)部的三個(gè)摻雜區(qū)域，分別是N型區(qū)、P型區(qū)和N型區(qū)。其中，P型區(qū)稱為基區(qū)，N型區(qū)稱為發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。NPN晶體管的基區(qū)是較薄的區(qū)域，而發(fā)射區(qū)和集電區(qū)是較厚的區(qū)域。
2023-05-31 11:52:081336 TIP122是一個(gè) 達(dá)林頓對(duì) NPN 晶體管 ，由一對(duì)達(dá)林頓晶體管組成，它的工作原理類似于普通的 NPN 晶體管。
2023-05-23 09:23:451719 
晶體管2SD2686規(guī)格書(shū)
2023-05-16 17:19:540 嘗試在 GPIO1 和 R2 之間放置一個(gè)接地電阻。
從記憶中你需要一些東西來(lái)確保線路很低。
2023-05-12 07:11:17
嗨，
我正在嘗試使用 2N7000 晶體管切換一些 12v 設(shè)備。整個(gè)電路工作正常，但我的 ESP 變得非常熱（超過(guò) 50 C）。目前我在 GPIO 和 GND 之間只有下拉電阻。但是，我認(rèn)為熱量
2023-04-28 06:59:43
差分放大電路輸入共模信號(hào)時(shí)
為什么說(shuō)RE對(duì)每個(gè)晶體管的共模信號(hào)有2RE的負(fù)反饋效果
這里說(shuō)的每個(gè)晶體管的共模信號(hào)是指什么信號(hào) 是指輸入信號(hào) 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負(fù)的反饋
2023-04-25 16:15:31
我正在尋找零件號(hào)“PCAL6408ABSHP”中有關(guān)工藝節(jié)點(diǎn)和晶體管數(shù)量的信息。NXP 網(wǎng)站上是否有一個(gè)位置可以找到 NXP 部件號(hào)的此類信息？
2023-04-19 09:27:44
有沒(méi)有負(fù)觸發(fā)導(dǎo)通正的晶體管呢？哪位大神知道請(qǐng)賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:51
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:50
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:50
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:50
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:50
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:49
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:49
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:47
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:46
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:46
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:46
NPN 100mA 50V通用晶體管
2023-03-28 18:20:38
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 15:06:58
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:43
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:43
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:41
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:40
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:40
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:39
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管（偏置電阻內(nèi)置晶體管）
2023-03-28 13:03:08
我在設(shè)計(jì) PCB 時(shí)犯了一個(gè)錯(cuò)誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了。“正常”方式是有 1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個(gè)晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號(hào)與此圖像相關(guān)：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉(zhuǎn)，但我想知道我是否可以正確使用一個(gè)。
2023-03-28 06:37:56
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-24 16:08:21
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