發(fā)展到以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代以及以氧化鎵、氮化鋁為代表的第四代半導體。目前以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體器件正發(fā)展得如火如荼，在商業(yè)化道路上高歌猛進。 ? 與此同時，第四代半導體材料的研究也頻頻取得
2023-04-02 01:53:36
6101 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《通用互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 多路復用器TMUX1208和TMUX1209數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 17:27:10
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有閂鎖效應抑制特性的互補金屬氧化物半導體(CMOS)開關(guān)TMUX722x數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 13:49:530 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 模擬多路復用TMUX734xF數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 11:27:500 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 模擬多路復用器TMUX7308F和TMUX7309F數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 11:14:040 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有閂鎖效應抑制特性的互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 開關(guān)TMUX7219M數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 11:12:390 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 多路復用器TMUX4827數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 10:57:050 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有閂鎖效應抑制特性的互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 開關(guān)TMUX7236數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 10:56:000 BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工藝技術(shù)是將雙極型晶體管、CMOS（互補金屬氧化物半導體）和DMOS（雙擴散金屬氧化物半導體）晶體管技術(shù)組合在單個芯片上的高級制造工藝。
2024-03-18 09:47:41178 
一個生態(tài)系統(tǒng)，讓每家公司都能夠?qū)Ｗ⒂谒麄兊暮诵母偁幜Γ@是管理復雜性的一個好方法。這就是第三個時代所發(fā)生的事情。芯片的設計和實施由無晶圓廠半導體公司負責，設計基礎設施由 EDA 公司負責，工藝技術(shù)則
2024-03-13 16:52:37
想問一下，半導體設備需要用到溫度傳感器的有那些設備，比如探針臺有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
UXN14M9PE是UXN14M9P的評估板，UXN14M9P是一款高度增強的整數(shù)分頻器，覆蓋8至511之間的所有整數(shù)分頻比。該器件具有單端或增量輸入和輸出。硬件控制輸入是互補式金屬氧化物半導體
2024-02-29 15:51:56
在半導體制造領域，我們經(jīng)常聽到“薄膜制備技術(shù)”，“薄膜區(qū)”，“薄膜工藝”等詞匯，那么有厚膜嗎？答案是：有。
2024-02-25 09:47:42237 
該HI-84820總線接口單元是根據(jù)ARINC 429總線規(guī)范的要求設計為雙差分線路接收器的硅柵互補式金屬氧化物半導體器件。該器件將傳入的ARINC 429信號轉(zhuǎn)換為其兩個獨立接收通道
2024-02-19 19:11:59
的互補式金屬氧化物半導體/TTL電平。HI-8482在功能上也等同于Fairchild/Raytheon RM3183。自檢輸入強制輸出為零、一或零狀態(tài)以進行系統(tǒng)
2024-02-19 19:09:04
半導體/TTL輸出。使用低功耗模擬/數(shù)字互補式金屬氧化物半導體技術(shù)，線路接收器將從3.3V或5V電源供電。每個ARINC輸入都有內(nèi)部保護，以滿足DO-160C/D
2024-02-19 19:07:15
HI-8448是一款八進制ARINC 429線路接收器IC，采用44針塑料四平面封裝（PQFP）。每個獨立的接收器通道將傳入的ARINC 429數(shù)據(jù)總線信號轉(zhuǎn)換為一對相關(guān)的互補式金屬氧化物半導體
2024-02-19 15:16:47
在HI-8685 and HI-8686 是系統(tǒng)組件，用于接口傳入的ARINC 429信號16位并行數(shù)據(jù)采用成熟的+5V模擬/數(shù)字互補式金屬氧化物半導體技術(shù)。這兩個產(chǎn)品結(jié)合了數(shù)字邏輯和模擬線路接收器
2024-02-19 14:11:04
半導體制造廠，也稱為晶圓廠，是集成了高度復雜工藝流程與尖端技術(shù)之地。這些工藝步驟環(huán)環(huán)相扣，每一步都對最終產(chǎn)品的性能與可靠性起著關(guān)鍵作用。本文以互補金屬氧化物半導體（CMOS）制程為例，對芯片制造過程
2024-02-19 13:26:53772 
HI-8570和HI-8571是互補式金屬氧化物半導體集成電路，設計用于僅使用+5V和-5V電源直接驅(qū)動ARINC 429總線。兩個邏輯輸入控制輸出引腳之間的差分電壓，產(chǎn)生+10伏One、-10伏零
2024-02-19 10:37:37
該HI-8585 and HI-8586 是互補式金屬氧化物半導體集成電路，設計用于在8引腳封裝中直接驅(qū)動ARINC 429總線，兩個邏輯輸入控制輸出引腳之間的差分電壓，產(chǎn)生+10伏1、-10伏零
2024-02-19 10:33:47
HI-3182PSX-N、HI-3182PSX-N, HI-3184PSX-N and HI-3185PSX-N總線接口產(chǎn)品是根據(jù)ARINC 429總線規(guī)范設計的硅柵互補式金屬氧化物半導體器件。除了
2024-02-19 10:30:40
該 HI-8382 / HI-8383總線接口產(chǎn)品是硅柵互補式金屬氧化物半導體器件，根據(jù)ARINC 429總線規(guī)范設計為線路驅(qū)動器。提供時鐘和同步輸入。這些信號與數(shù)據(jù)輸入相接，以提高系統(tǒng)性能，并允許
2024-02-19 10:25:34
該HI-8585 and HI-8586 是互補式金屬氧化物半導體集成電路，設計用于在8引腳封裝中直接驅(qū)動ARINC 429總線，兩個邏輯輸入控制輸出引腳之間的差分電壓，產(chǎn)生+10伏1、-10伏零
2024-02-19 09:26:34
半導體/TTL輸出。使用低功耗模擬/數(shù)字互補式金屬氧化物半導體技術(shù)，線路接收器將從3.3V或5V電源供電。每個ARINC輸入都有內(nèi)部保護，以滿足DO-160C/D
2024-02-19 09:22:34
硅（Si）、二氧化硅（SiO2）、鍺（Ge）等。其中，硅是最為常見和廣泛應用的半導體材料之一。 硅是地殼中非常豐富的元素之一，它具有較高的化學穩(wěn)定性、熱穩(wěn)定性和機械性能，因此硅材料具有廣泛的應用前景。硅晶體的晶體結(jié)構(gòu)為鉆
2024-02-04 09:46:07456 ，即使不加柵源電壓，也會形成反型層和導電溝道，在此基礎上加負向電壓溝道電阻變小，加正向電壓導電溝道變小，而且正向電壓減小到一定程度反型層消失導電溝道消失。
場效應管分為結(jié)型場效應管和金屬氧化物場效應管
2024-01-30 11:38:27
ITO薄膜即銦錫氧化物半導體透明導電膜，主要優(yōu)點是其高透明度和導電性，可以作為透明電極應用在光伏電池中。在TOPCon電池中，添加ITO薄膜可以有效提升電池的短路電流密度和轉(zhuǎn)換效率，是提高
2024-01-20 08:32:51280 
MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種常用的功率開關(guān)器件，也是現(xiàn)代電子設備和電路中最重要的元件之一。它由金屬-氧化物-半導體結(jié)構(gòu)組成。
2024-01-17 17:16:44369 半導體材料是指在溫度較低且電流較小的條件下，電阻率介于導體和絕緣體之間的材料。半導體材料在電子器件中具有廣泛的應用，如集成電路、太陽能電池、發(fā)光二極管等。其中，硅和二氧化硅是半導體材料中最常見的兩種
2024-01-17 15:25:12508 WD4000半導體晶圓厚度測量系統(tǒng)自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。1、使用光譜共焦對射技術(shù)測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR
2024-01-09 09:08:07
食品包裝用氧化物阻隔透明塑料復合膜水蒸氣透過率測試儀產(chǎn)品簡介WVTR-C6水蒸氣透過率測試系統(tǒng)，專業(yè)、高效、智能的WVTR高端測試系統(tǒng)，適用于塑料薄膜、復合膜等膜、醫(yī)療、建筑領域等多種材料的水蒸氣
2024-01-05 16:32:43
TC-Wafer是將高精度溫度傳感器鑲嵌在晶圓表面，對晶圓表面的溫度進行實時測量。通過晶圓的測溫點了解特定位置晶圓的真實溫度，以及晶圓整體的溫度分布，同還可以監(jiān)控半導體設備控溫過程中晶圓發(fā)生的溫度
2023-12-21 08:58:53
英飛凌（Infineon）作為世界半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的先行者和引領者，一直致力于打造先進的產(chǎn)品和全面的系統(tǒng)解決方案，為現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn)領域——高能效、移動性和安全性提供半導體和系統(tǒng)解決方案，推動構(gòu)建低碳化、數(shù)字化的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。
2023-12-20 14:13:12379 【科普小貼士】金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
根據(jù)不同的誘因，常見的對半導體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機器設備和半導體器件這三種。
當靜電與設備導線的主體接觸時，設備由于放電而發(fā)生充電，設備接地，放電電流將立即流過電路，導致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
教授李清庭做了“GaN基單片電子器件的集成互補金屬氧化物半導體D模和E模高電子遷移率晶體管”的主題報告。
2023-12-09 14:49:03921 
中國——意法半導體推出基于STWLC38和STWBC86芯片的無線充電發(fā)射器和接收器評估板，簡化15W Qi無線充電器的開發(fā)。
2023-12-07 11:30:40472 在當今半導體制造領域，氧化鋁陶瓷片作為一種高性能、高可靠性的材料，被廣泛應用于各種電子設備中。而半導體劃片機的出現(xiàn)，則為氧化鋁陶瓷片的切割提供了新的解決方案，實現(xiàn)了科技與工藝的完美結(jié)合。氧化鋁陶瓷
2023-12-06 19:09:55189 
該陪審員同意了普度的意見，即電動汽車用充電器及其他產(chǎn)品使用的碳化物金屬氧化物半導體電場效果晶體管（mosfet）侵害了高電壓電源應用（high power power application）使用的晶體管的專利。
2023-12-06 13:55:23420 薄膜沉積技術(shù)主要分為CVD和PVD兩個方向。 PVD主要用來沉積金屬及金屬化合物薄膜,分為蒸鍍和濺射兩大類，目前的主流工藝為濺射。CVD主要用于介質(zhì)/半導體薄膜，廣泛用于層間介質(zhì)層、柵氧化層、鈍化層等工藝。
2023-12-05 10:25:18994 ，如功率二極管、功率晶體管、功率MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）等。它們主要在電源、變頻器、電機驅(qū)動等功率電子領域中使用。 集成電路是將大量電子器件（如晶體管、電阻、電容等）集成在單個芯片上，形成一個完整的
2023-12-04 17:00:57682 MOS是金屬氧化物半導體結(jié)構(gòu)，氧化物是絕緣層，有絕緣層即意味著存在電容。
2023-11-29 16:42:43587 
[半導體前端工藝：第二篇] 半導體制程工藝概覽與氧化
2023-11-29 15:14:34541 
什么是半導體的成品測試系統(tǒng)，如何測試其特性？ 半導體的成品測試系統(tǒng)是用于測試制造出來的半導體器件的一種設備。它可以通過一系列測試和分析來確定半導體器件的性能和功能是否符合設計規(guī)格。 半導體器件是現(xiàn)代
2023-11-09 09:36:44265 半導體如今在集成電路、通信系統(tǒng)、照明等領域被廣泛應用，是一種非常重要的材料。在半導體行業(yè)中，半導體測試是特別關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，以保證半導體器件及產(chǎn)品符合規(guī)定和設計要求，確保其質(zhì)量和性能。
2023-11-07 16:31:17302 
功率半導體是電力電子技術(shù)的關(guān)鍵組件，主要用作電路和系統(tǒng)中的開關(guān)或整流器。如今，功率半導體幾乎廣泛應用于人類活動的各個行業(yè)。我們的家電包括功率半導體，電動汽車包括功率半導體，飛機和宇宙飛船包括功率半導體。
2023-11-07 10:54:05459 
上海2023年11月6日?/美通社/ -- 11月2日，由IC咖啡、張江高科、Exac易科軟件"半導體行業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型系統(tǒng)規(guī)劃概述"如約開講。本次講座榮幸邀請到易科軟件半導體行業(yè)
2023-11-07 09:15:55174 
聯(lián)訊儀器WAT 半導體參數(shù)測試系統(tǒng)基于自主研發(fā)pA/亞pA高精度源表，半導體矩陣開關(guān)，高電壓半導體脈沖源，3500V高壓源表等基礎儀表，掌握核心技術(shù)，通過優(yōu)化整機軟硬件設計，進一步提高系統(tǒng)精度，提升
2023-11-06 16:27:57467 
釩敏感材料采用微測輻射熱計技術(shù)與CMOS工藝兼容，能夠與CMOS讀出電路集成，可以基于半導體制造工藝大規(guī)模生產(chǎn)制造，屬于半導體熱敏薄膜，薄膜電阻溫度系數(shù)與電阻率都成正
2023-11-03 16:54:37280 
美格納半導體宣布推出微納加工增強型第六代 600V 超級結(jié)金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 想找一個先楫半導體的HPM6750 使用linux剪裁操作系統(tǒng)的例程，SDK里給了FREERT的，沒有LINUX的。哪里可以下載的到？
2023-10-25 16:18:18
蔣尚義表示：“半導體工程進入了2納米階段，正在接近摩爾定律的物理界限，半導體包裝和印刷電路板（pcb）技術(shù)依然落后于集成電路芯片，正在成為系統(tǒng)性能的瓶頸現(xiàn)象。”
2023-10-18 14:18:44220 芯片老化測試的目的是為了評估芯片長期在各種環(huán)境下工作的壽命、性能及可靠性，以確保芯片及系統(tǒng)的工作穩(wěn)定性。往期我們分享了芯片老化測試的內(nèi)容及注意事項，今天我們將分享如何用納米軟件半導體老化測試系統(tǒng)測試芯片老化。
2023-10-16 15:49:32469 
根據(jù)專利摘要，該公開是關(guān)于半導體元件及其制造方法的。半導體器件包括電裝效應晶體管。電場效應晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導體溝道。漏極和源極分別位于氧化物半導體通道的兩端。
2023-10-11 14:23:08417 
華映科技擁有自主研發(fā)的金屬氧化物面板技術(shù)，這是目前國內(nèi)領先的氧化物器件技術(shù)。這種技術(shù)的突破，使得華映科技在全球顯示行業(yè)的地位日益提升。2023年，公司的一款12.6寸金屬氧化物2.5K高刷高靈敏臻彩屏，在第十一屆中國電子信息博覽會上榮獲了顯示創(chuàng)新獎。
2023-10-10 16:57:09456 半導體靜態(tài)測試參數(shù)是指在直流條件下對其進行測試，目的是為了判斷半導體分立器件在直流條件下的性能，主要是測試半導體器件在工作過程中的電流特性和電壓特性。ATECLOUD半導體測試系統(tǒng)采用軟硬件架構(gòu)為測試工程師提供整體解決方案，此系統(tǒng)可程控，可以實現(xiàn)隨時隨地測試，移動端也可實時監(jiān)控測試數(shù)據(jù)情況。
2023-10-10 15:05:30415 一、半導體有關(guān)概念 1、半導體 半導體是導電能力介于導體與絕緣體之間的一種物體。它內(nèi)部運載電荷的粒子有電子載流子(帶負電荷的自由電子)和空穴載流子(帶正電荷的空穴)。硅、鍺、硒以及大多數(shù)金屬氧化物
2023-09-26 11:00:331127 
本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是半導體芯片的制作和半導體芯片封裝的詳細資料概述
2023-09-26 08:09:42
▌峰會簡介第五屆意法半導體工業(yè)峰會即將啟程，現(xiàn)我們敬邀您蒞臨現(xiàn)場，直擊智能熱點，共享前沿資訊，通過意法半導體核心技術(shù)，推動加快可持續(xù)發(fā)展計劃，實現(xiàn)突破性創(chuàng)新~報名鏈接：https
2023-09-11 15:43:36
近年來，氧化鎵（Ga2O3）半導體受到世界各國科研和產(chǎn)業(yè)界的普遍關(guān)注。氧化鎵具有4.9 eV的超寬禁帶，高于第三代半導體碳化硅（SiC）的3.2 eV和氮化鎵（GaN）的3.39 eV。
2023-09-11 10:24:44266 
本應用筆記為將意法半導體環(huán)境傳感器 （氣壓、濕度、紫外線傳感器）成功集成到Linux/Android 操作系統(tǒng)提供指南。
2023-09-05 06:08:58
電子半導體行業(yè)電能質(zhì)量監(jiān)測與治理系統(tǒng)解決方案摘要：在國家鼓勵半導體材料國產(chǎn)化的政策導向下，本土半導體材料廠商不斷提升半導體產(chǎn)品技術(shù)水平和研發(fā)能力，逐漸打破了國外半導體廠商的壟斷格局，推進中國半導體
2023-09-04 16:35:15430 
。半導體產(chǎn)品的制造使用到的設備如單晶爐、多晶爐等都是惡性的諧波源，這些設備產(chǎn)生的諧波會污染電力系統(tǒng)，影響系統(tǒng)的供電質(zhì)量。因此這些生產(chǎn)半導體的電子廠房需要一套系統(tǒng)解決方案，有效解決其產(chǎn)生的電能質(zhì)量問題。
2023-08-30 16:04:03270 
半導體技術(shù)一直是現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)的核心。其中，硅（Si）作為最常用的半導體材料，有著不可替代的地位。但在制造芯片或其他半導體器件時，我們不僅僅使用純硅，而是要經(jīng)過一系列復雜的工藝流程，其中一個關(guān)鍵步驟是對硅進行表面氧化處理，制得硅二氧化（SiO2）。為什么這一步驟如此重要？讓我們來深入探討。
2023-08-23 09:36:13878 
帶熱脫扣的金屬氧化物壓敏電阻的優(yōu)點
2023-08-22 14:56:05499 
在半導體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨要強調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-08-17 15:33:27370 
氧化鎵（Ga2O3）半導體具有4.85 eV的超寬帶隙、高的擊穿場強、可低成本制作大尺寸襯底等突出優(yōu)點。
2023-08-17 14:24:16412 
半導體材料作為半導體產(chǎn)業(yè)鏈上游的重要環(huán)節(jié)，在芯片的生產(chǎn)制造過程中起到關(guān)鍵性作用。根據(jù)芯片制造過程劃分，半導體材料主要分為基體材料、制造材料和封裝材料。其中，基體材料主要用來制造硅晶圓或化合物半導體
2023-08-14 11:31:471207 原位拉曼系統(tǒng)實時監(jiān)測半導體薄膜生長全過程前言原位拉曼系統(tǒng)可以實時監(jiān)測半導體薄膜生長全過程，利用共聚焦拉曼光譜的“In-Situ”方式，在石英爐中原位觀察半導體薄膜生長過程，并且通過監(jiān)控不同的生長因素
2023-08-14 10:02:34465 
先楫半導體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
三菱電機集團近日（2023年7月28日）宣布，已投資日本氧化鎵晶圓開發(fā)和銷售企業(yè)Novel Crystal Technology，今后將加快研究開發(fā)高性能低損耗氧化鎵功率半導體，為實現(xiàn)低碳社會做出貢獻。
2023-08-02 10:38:18665 金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時制造出更多晶體管。
2023-07-27 15:24:51609 
不僅是連續(xù)11個月減少的半導體（-27.9%），顯示器（-11.1%）和手機（-18.8%）等主要ict產(chǎn)品的出口也有所減少。但是，在半導體出口額中，系統(tǒng)半導體呈現(xiàn)出強勁的恢復勢頭。系統(tǒng)半導體出口
2023-07-16 10:43:091598 在半導體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨要強調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-06-29 16:58:37404 
GaN功率半導體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
升級到半橋GaN功率半導體
2023-06-21 11:47:21
MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體)+FET(Field Effect Transistor場效應晶體管)這個兩個縮寫組成。即通過給金屬層(M-
2023-06-20 09:18:001044 
? 錦正茂的液氮恒溫器在氧化物界面處的二維電子體系（2DES）做為一個獨特的平臺，將典型復合氧化物、強電子相關(guān)的低溫物理特性以及由2DES有限厚度引起的量子限域集成于一體。
2023-06-19 11:14:56204 
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
優(yōu)恩半導體34S系列瞬態(tài)浪涌抑制器是工業(yè)高能量金屬氧化物壓敏電阻(MOVs)。它們設計用于在建筑物的室外和服務入口環(huán)境(配電板)中提供二次浪涌保護，也用于石油鉆探，采礦和運輸領域的電機控制和電源
2023-06-14 10:44:32
上海微系統(tǒng)所異質(zhì)集成XOI課題組孵化的上海新硅聚合半導體有限公司（簡稱：新硅聚合）近期實現(xiàn)了6英寸的光學級硅基高均勻性鈮酸鋰薄膜（LNOI）的工程化制備。
2023-06-09 09:43:15949 
以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導體材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩(wěn)定性，有著顯著的優(yōu)勢和巨大的發(fā)展?jié)摿Γ絹碓降玫絿鴥?nèi)外的重視。
2023-05-24 10:44:29568 
與現(xiàn)有分子束外延材料不同，膠體量子點可與互補金屬-氧化物-半導體（CMOS）讀出電路實現(xiàn)直接片上電學互聯(lián)，并可利用CMOS讀出電路表面的鈍化層與金屬層形成諧振腔，提升量子點薄膜的光學吸收。
2023-05-08 14:17:34756 
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：下一代半導體清洗科技材料系統(tǒng) 編號：JFKJ-21-188 作者：炬豐科技 摘要 本文簡要概述了面臨的挑戰(zhàn)晶圓清洗技術(shù)正面臨著先進的silicon技術(shù)向非平面
2023-04-23 11:03:00246 書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：金屬氧化物半導體的制造 編號：JFKJ-21-207 作者：炬豐科技 概述 CMOS制造工藝概述 ? CMOS制造工藝流程 ? 設計規(guī)則 ? 互補金屬氧化物
2023-04-20 11:16:00247 
一、什么是半導體企業(yè)ERP系統(tǒng)？ 1、半導體企業(yè)ERP系統(tǒng)是一種企業(yè)資源規(guī)劃（ERP）系統(tǒng)，它是專門為半導體企業(yè)開發(fā)的，可以幫助企業(yè)在生產(chǎn)管理中實現(xiàn)集成化、自動化和數(shù)據(jù)化。 2、該系統(tǒng)可以涵蓋企業(yè)
2023-04-16 20:14:11551 技術(shù)及工藝的先進性，還較大程度上依賴進口，未來進口替代空間較大。從中長期看，國內(nèi)功率半導體需求將持續(xù)快速增長。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院預測，到2026年分立器件的市場需求將超過3,700億元。近年來物聯(lián)網(wǎng)
2023-04-14 13:46:39
半導體激光器俗稱激光二極管，因為其用半導體材料作為工作物質(zhì)的特性所以被稱為半導體激光器。半導體激光器由光纖耦合半導體激光器模塊、合束器件、激光傳能光纜、電源系統(tǒng)、控制系統(tǒng)及機械結(jié)構(gòu)等構(gòu)成，在電源系統(tǒng)和控制系統(tǒng)的驅(qū)動和監(jiān)控下實現(xiàn)激光輸出。
2023-04-14 07:17:321290 P-Channel 1.8V指定PowerTrench? 金屬氧化物半導體場效應晶體管 SOT23-6
2023-03-31 12:04:22
應用主要有降低信號電平、源于負載之間的匹配、 元器件隔離保護等應品特點：?采用半導體工藝技術(shù)生產(chǎn)，圖形精度高? 寄生參數(shù)小、頻率特性穩(wěn)定?尺寸小，重量輕?表面貼裝易于集成產(chǎn)品設計規(guī)范：?電阻類型：TaN
2023-03-28 14:19:17
STM32F103ZET6小系統(tǒng)板 DEVB_50X80MM 5V
2023-03-28 13:06:25
STM32F407ZGT6小系統(tǒng)板 DEVB_50X80MM 5V
2023-03-28 13:06:25
ATK-STM32F103ZE最小系統(tǒng)板 DEVB_50×80MM 5V
2023-03-28 13:05:53
ATK-STM32F407ZG最小系統(tǒng)板 DEVB_50×80MM 5V
2023-03-28 13:05:53
金屬氧化物半導體 四路2輸入與非門 施密特觸發(fā)器
2023-03-24 14:03:17
半導體集成電路（LSI和IC）模塊模塊需求高漲的原因在第3篇中，我們來談一談半導體集成電路（LSI和IC）模塊。通常，被稱為“模塊”的產(chǎn)品主要有兩種。
2023-03-23 16:26:15284
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論