我們知道SMT貼片廠都能做后焊插件，后焊插件的話一般會用到波峰焊，近年來SMT加工廠用選擇性波峰焊的也越來越多了，選擇性波峰焊有什么優點嗎？
2024-03-21 11:04:28
62 ? ? 傳感新品 【溫州大學：研發MOFs亞納米孔離子選擇性微量移液管傳感器體內監測Na+！】 中樞神經系統中電信號和化學信號的傳輸對生物體的生命過程至關重要。其中，濃度可控的各種離子(Na
2024-02-25 15:24:14149 
幀的遠程喚醒，兼容 ISO 11898-
2:2016 標準的選擇性喚醒幀遠程喚醒
? 喚醒源診斷識別功能
? 總線端口±58V 耐壓
? ±12V 接收器共模輸入電壓
? IO 口支持 3.3V 或
2024-02-20 09:10:37
蝕刻時間和過氧化氫濃度對ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術。使用射頻濺射設備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過氧化氫（H2O2
2024-02-02 17:56:45306 
mA/mm的ID，最大值和27Ω·mm的RON，創下了金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）生長的III族氮化物p-FET的記錄。 高密度鈮酸鋰光子集成電路 在這里，我們證明了類金剛石碳（DLC）是制造基于鐵電體的光子集成電路的優越材料，特別是LiNbO3。使用DLC作為硬掩模，我們展示了深蝕刻、緊密
2024-01-16 17:12:33146 
選擇性波峰焊是一種廣泛應用于電子制造業的焊接技術，它具有許多獨特的優點和一些不足之處。本文將詳細介紹選擇性波峰焊的優缺點，幫助讀者全面了解該技術的特點及適用范圍。 選擇性波峰焊的優點之一是高效
2024-01-15 10:41:03164 文章開頭，先說一下這個小驚喜是啥？即，SystemVue可以計算帶有頻率選擇性的鏈路的IIP3，這樣對濾波器的指標的估算以及驗證，就會更簡單和更有把握點。
2024-01-11 14:49:34554 
過程中起著重要的作用。這種制造過程通常需要與埋著的SiGe薄膜接觸。與這些埋地區域接觸需要蝕刻硅并在薄薄的SiGe層中停止。 因此，為了實現精確的圖案轉移，我們需要一種可控蝕刻的方法。不幸的是，針對SiGe選擇性的RIE技術尚未被發現。幸運的是
2023-12-28 10:39:51131 
12月19日消息，近日韓國科學技術院（KAIST）Keon Jae Lee教授領導的研究團隊在《自然》（Nature）雜志上發表了一篇題為“應用微真空力技術進行通用選擇性轉移印刷”的文章，研究團隊展示了通過選擇性調節微真空力方法，實現巨量轉移微型無機半導體芯片。
2023-12-26 13:31:23235 
調試AD9214，已經燒了1打，感覺自己不再會用AD了
1.為什么將AD9214輸入AIN和/AIN 同時接地會把AD損壞？
2.按照Datasheet做的原理圖，在調試輸入網絡的時候經常燒壞AD，請問輸入端有哪些必須注意的地方？
2023-12-20 08:23:29
您好，我用的AD7192，三路采集的時候假如分別為AIN2/AIN3/AIN4，我怎么確定數據寄存器的值為哪一通道的轉換結果？請盡快解答，急用
2023-12-18 07:25:32
基于GaN的高電子遷移率，晶體管，憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度，應用于高頻放大器和高壓功率開關中。就器件制造而言，GaN的相關材料，如AlGaN，憑借其物理和化學穩定性，為等離子體蝕刻
2023-12-13 09:51:24294 
在做AD7175-2的項目，
AIN0 接正信號
AIN1 接負信號
ADC數據寄存器是24bit
AIN0與AIN1壓差為0mv，ADC數據寄存器為0
AIN0與AIN1壓差為1mv
2023-12-13 07:54:52
最近用ad7799做電子秤，如何選擇AIN1/AIN2/AIN3通道。可以循環重復設置配置寄存器和模式寄存器，然后等待讀取數據嗎？我采用這種辦法，用的單次轉換模式，讀出來的三個通道數據完全一樣，糾結了。我感覺是單次轉換，數據寄存器可以把數據保存很久而不丟失。還怎么解決？
2023-12-13 07:45:37
GaN和相關合金由于其優異的特性以及大的帶隙、高的擊穿電場和高的電子飽和速度而成為有吸引力的材料之一，與優化工藝過程相關的成熟材料是有源/無源射頻光電子器件近期發展的關鍵問題。專用于三元結構的干法蝕刻工藝特別重要，因為這種器件通常包括異質結構。因此，GaN基光電器件的制造部分或全部依賴于干法刻蝕。
2023-12-11 15:04:20188 
刻蝕的機制，按發生順序可概分為「反應物接近表面」、「表面氧化」、「表面反應」、「生成物離開表面」等過程。所以整個刻蝕，包含反應物接近、生成物離開的擴散效應，以及化學反應兩部分。
2023-12-11 10:24:18250 
液晶顯示薄膜恒溫恒濕試驗箱試驗溫度:持續時間不能試驗的化學品系統組成需注意的幾個問題，溫濕度箱的選擇，本機專門測試各種材料耐熱、耐寒、耐干、耐濕的性能。本機可選擇中文或英文液晶顯示觸控式屏幕畫面
2023-12-07 14:27:01
使用AD7190獲得兩路輸入（兩路電路完全一樣），AIN1～AIN2采樣數據一直穩定，但AD7190第二通道（AIN3～AIN4）數據一直慢慢變小，關閉第一通道，只使用第二通道，依然如此，請問是什么原因呢？
2023-12-06 08:31:44
GaN和InGaN基化合物半導體和其他III族氮化物已經成功地用于實現藍-綠光發光二極管和藍光激光二極管。由于它們優異的化學和熱穩定性，在沒有其它輔助的情況下，在GaN和InGaN基材料上的濕法蝕刻是困難的，并且導致低的蝕刻速率和各向同性的蝕刻輪廓。
2023-12-05 14:00:22220 
LTC2217手冊上寫的，模擬輸入范圍(AIN+減去AIN-)為2.75Vpp，正常的差分輸入AIN+減去AIN-是有負值的，請問該器件AIN+減去AIN-為2.75Vpp到底是什么意思？
2023-12-05 06:27:56
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導體最近被深入研究。為了實現GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術至關重要。目前英思特已經嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39259 
1.AD7797的AIN（+）接傳感器的輸出，AIN（-）接地，在讀數據寄存器數據時，返回結果全為FF，其他寄存器的讀寫是正常的，這是什么原因？AIN（+）和AIN（-）必須是接差分信號嗎？
2.AD7797使用外部參考電壓，是否需要進行系統零電平校準和系統滿量程校準？
2023-12-01 07:54:20
由于其獨特的材料特性，III族氮化物半導體廣泛應用于電力、高頻電子和固態照明等領域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關蝕刻已經被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結構。
2023-11-30 09:01:58166 
半導體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創建所需圖形
2023-11-27 16:54:26256 
GaN基高電子遷移率晶體管（HEMT）由于其高頻和低導通電阻的特性，近來在功率開關應用中引起了廣泛關注。二維電子氣（2DEG）是由AlGaN/GaN異質結中強烈的自發和壓電極化效應引起的，這導致傳統器件通常處于導通狀態，即耗盡模式。
2023-11-27 10:37:47293 
，雖然已經發現KOH基溶液可以蝕刻AlN和InAlN，但是之前還沒有發現能夠蝕刻高質量GaN的酸或堿溶液。在本文中，英思特通過使用乙二醇而不是水作為KOH和NaOH的溶劑，開發了一種將晶體表面蝕刻為III族氮化物的兩步法。
2023-11-24 14:10:30241 
蝕刻設備的結構及不同成分的蝕刻液都會對蝕刻因子或側蝕度產生影響，或者用樂觀的話來說，可以對其進行控制。采用某些添加劑可以降低側蝕度。這些添加劑的化學成分一般屬于商業秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設備的結構問題，后面的章節將專門討論。
2023-11-14 15:23:10217 GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料。上次帶大家了解了它的基礎特性：氮化鎵（GAN)具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學
2023-11-09 11:43:53434 電子發燒友網站提供《基于PIC單片機的多選擇性漏電保護.pdf》資料免費下載
2023-10-30 09:44:40
0 眾所周知，微尺度和納米尺度的地形結構對真核細胞和原核細胞的行為都有顯著的影響。例如，具有特殊尺寸的納米線、納米柱、納米管已被證明具有抗菌性能。開發這種結構提供了一種無藥物的方法來對抗感染，這被認為是一種替代釋放抗菌劑的常見抗菌表面的替代品。
2023-10-23 09:43:16136 
可通過與波峰焊的比較來了解選擇性焊接的工藝特點。兩者間明顯的差異在于波峰焊中PCB的下部完全浸入液態焊料中，而在選擇性焊接中，僅有部分特定區域與焊錫波接觸。由于PCB本身就是一種不良的熱傳導介質，因此焊接時它不會加熱熔化鄰近元器件和PCB區域的焊點。
2023-10-20 15:18:46255 蝕刻液的化學成分的組成：蝕刻液的化學組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數可達3.5-4。而正處在開發階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達到幾乎沒有側蝕問題，蝕刻后的導線側壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結構，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實現藍光發光二極管(led)的主導材料。由于GaN的高化學穩定性，在室溫下用濕法化學蝕刻來蝕刻或圖案化GaN是非常困難的。與濕法
2023-10-12 14:11:32244 
寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場效應晶體管(fet)能夠提供比傳統Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關GaN非常需要HEMT來降低功率并簡化電路和系統架構，這是GaN HEMT技術的主要挑戰之一。凹進的AlGaN/GaN結構是實現常關操作的有用選擇之一。
2023-10-10 16:21:11291 
GaN及相關合金可用于制造藍色/綠色/紫外線發射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學蝕刻結果有限，因此人們投入了大量精力來開發干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發一開始集中于臺面結構，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
刻蝕（或蝕刻）是從晶圓表面去除特定區域的材料以形成相應微結構。但是，在目標材料被刻蝕時，通常伴隨著其他層或掩膜的刻蝕。
2023-10-07 14:19:252073 
納米級[1] 。傳統的平面化技術如基于淀積技術的選擇淀積、濺射玻璃 SOG、低壓 CVD、等離子體增強 CVD、偏壓濺射和屬于結構的濺射后回腐蝕、熱回流、淀積 —腐蝕 —淀積等 , 這些技術在 IC
2023-09-19 07:23:03
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項。PCB打樣中，在銅箔部分預鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學方法腐蝕，稱為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30669 很多半導體、光伏行業的制造企業在選擇化學品酸堿輸送供應管道時，都喜歡選擇華林科納的高純PFA管，選擇華林科納生產的高純PFA管作為化學品酸堿輸送供應管道有以下幾個重要原因： 1、優異的化學穩定性
2023-09-13 17:29:48266 要注意的是，蝕刻時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。
2023-09-07 14:41:12474 
如果您正在尋找一種高性能、高可靠性、高穩定性的電子材料，那么您一定不能錯過AIN陶瓷基板。AIN陶瓷基板是一種以氮化鋁為主要成分的陶瓷材料，它具有許多優異的特性，使其在電子工業中有著廣泛的應用。
2023-09-07 14:01:26571 在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內層蝕刻工藝，可以參閱內層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:57811 
，以及優化的GaN VGS驅動電壓實現較高穩健性和效率。這種集成了自舉二極管的單芯片允許設計師實現GaN的性能優勢，同時簡化設計和減少物料要求。
2023-09-05 06:58:54
不同
由于材料不同，厚膜電阻一般較為厚重，適用于體積較大的電氣設備，而貼片電阻因其輕薄柔軟的特性，尺寸小巧、容易安裝，常用于小型電子產品。
4、適用場景不同
厚膜電阻的耐溫性、耐濕性、耐腐蝕性和電氣
2023-09-01 17:49:47
下圖(a)中的沉積塊狀層是必需的，這是為了SEG可以生長在設計的區域。下圖(c)顯示了KOH硅刻蝕，這種刻蝕對＜111＞晶體硅具有高的選擇性。
2023-08-25 09:50:401717 
電解質在電化學或光電化學反應中也是一個重要的組成部分，電解質離子可以影響電化學反應的活性和選擇性。
2023-08-18 09:28:53890 
半導體蝕刻設備是半導體製造過程中使用的設備。 化學溶液通過將晶片浸入化學溶液（蝕刻劑）中來選擇性地去除半導體晶片的特定層或區域，化學溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319 150L可程式恒溫恒濕試驗箱試驗溫度:持續時間不能試驗的化學品系統組成需注意的幾個問題，溫濕度箱的選擇，本機專門測試各種材料耐熱、耐寒、耐干、耐濕的性能。本機可選擇中文或英文液晶顯示觸控式屏幕畫面
2023-08-14 14:40:52
整個覆銅板制作過程中的反應原理是通過感光劑、顯影劑和蝕刻液等化學物質與曝光過程中形成的光敏膜產生特定的化學反應，使其能夠選擇性地去除或保留不同區域的銅箔和線路圖案，最終形成所需的印刷電路板。這一過程的控制和優化對于確保PCB質量和性能非常重要。
2023-08-10 15:09:474287 選擇性波峰焊和波峰焊是pcba貼片加工中常用的焊接方法之一。然而，這些方法中的每一種都有自己的優點和缺點。
2023-08-07 09:09:34533 SIT1145AQ是一款帶選擇性喚醒的CAN總線收發器，是應用于CAN協議控制器和物理總線之間的接口芯片，支持5Mbps靈活數據速率（FlexibleData-Rate），具有在總線與CAN協議
2023-08-02 08:08:25724 
刻蝕和蝕刻實質上是同一過程的不同稱呼，常常用來描述在材料表面上進行化學或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過程。在半導體制造中，這個過程常常用于雕刻芯片上的細微結構。
2023-07-28 15:16:594139 電化學拋光(EP)通過選擇性地去除工件表面區域中的特定零件（如粗糙度和氧化物）形成鏡面狀表面。
2023-07-18 17:24:43550 
蝕刻是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
蝕刻是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03189 
下面給出了使用IC4060和IC555的選擇性定時器報警電路。眾所周知，IC NE555是一個定時器和振蕩器，而IC1CD4060是一個內置振蕩器的14級二進制計數器。IC1的輸出
2023-07-04 18:18:44866 
都使用Cl基蝕刻化學物質。當在等離子體放電中分解時，CCl為還原物質提供了來源，并用于去除表面氧化物和Cl，與下面的Al反應。
2023-06-27 13:24:11318 
CMOS和MEMS制造技術，允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實用性。這種化學性質非常有用，但是當存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學也會有問題。
2023-06-26 13:32:441053 
的上升時間、下降時間、死區時間和導通延遲時間更短，柵極過充震蕩更小，此外也沒有體二極管的反向恢復效應。綜上，GaN器件的開關波形將更接近理論開關波形，更有助于Class D系統的性能提升。
圖6
2023-06-25 15:59:21
單片GaN器件集成驅動功率轉換的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
通過集成和應用相關壓力測試的GaN可靠性
2023-06-21 06:02:18
GaN功率集成電路的進展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
GaN功率集成電路可靠性的系統方法
2023-06-19 06:52:09
納米線(NWs)已經為氣體和生物傳感提供了一個極好的平臺， 從而研究如何使納米線的表面功能化，由于納米尺度尺寸與分子尺寸兼容性，導致我們需要考慮如何使納米線的表面功能化，從而以良好的選擇性檢測特定的氣體分子。
2023-06-16 14:12:33961 
設計。基于雙向6.6kw OBC和3.0kW LV-DC/DC的一體化“二合一”設計，本文提出了一種高效散熱方案采用Navitas集成驅動GaN-Power-IC器件的技術。CCMPFC的開關頻率設置為
2023-06-16 08:59:35
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統的硅技術相比，不僅性能優異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中，傳統硅器件在能量轉換方面，已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
為了提供更優良的靜電完整性，三維(3D)設計（如全圍柵(GAA)場電子晶體管(FET )）預計將在互補金屬氧化物半導體技術中被采用。3D MOS架構為蝕刻應用帶來了一系列挑戰。雖然平面設備更多地依賴于各向異性蝕刻，但是3D設備在不同材料之間具有高選擇性，需要更多的各向異性蝕刻能力。
2023-06-14 11:03:531779 
襯底上實現高質量的外延生長GaN基材料。GaN材料的生長是在高溫下，通過TMGa分解出的Ga與NH3的化學反應實現的，生長GaN需要一定的生長溫度，且需要一定的NH3分壓。
2023-06-10 09:43:44681 用。該技術的缺點是在進行蝕刻之前電路圖形需要鍍上錫/鉛或一種電泳阻劑材料，在應用焊接阻劑之前再將其除去。這就增加了復雜性，額外增加了一套濕化學溶液處理工藝。 2、全板鍍銅 在該過程中全部的表面區域和鉆孔都
2023-06-09 14:19:07
步入式恒溫恒濕試驗房的用途:適用于塑膠、電子、食品、服裝、車輛、金屬、化學、建材、航天等多種行業的溫濕變化產品可靠性檢測。是指能同時施加溫度、濕度應力的試驗箱,由制冷系統、加熱系統、控制系統、溫度
2023-06-09 10:30:45
。本文分別介紹了二階和三階交調情況下傳統接收機截止點級聯方程的改進形式。二階截止點（IP2）和三階截止點（IP3）級聯方程的數學推導過程引入了給接收級之間增加選擇性（S）帶來的影響，以改善IIP2與IIP3。
2023-06-08 17:06:15687 可燃氣體報警器價格一覽：如何選擇性價比最高的產品？
2023-06-05 16:27:25644 
可程式恒溫恒濕試驗箱試驗溫度:持續時間不能試驗的化學品系統組成需注意的幾個問題，溫濕度箱的選擇，本機專門測試各種材料耐熱、耐寒、耐干、耐濕的性能。本機可選擇中文或英文液晶顯示觸控式屏幕畫面，操作簡單
2023-06-05 14:33:56
試驗箱用途機械鈑金結構,主機性能指標設備結構操作恒溫恒濕箱注意，材質校正,符合標準選型指南設備選擇基本原則安全可靠性溫濕度箱的選擇產品分類及區別,使用環境要求控制器說
2023-06-01 09:53:03
傳感新品 【中科院蘇州納米所：具有Janus結構高機械強度的選擇性響應柔性力學傳感器】 兼具優異機械性能與不同類型力選擇性響應能力，是促進柔性力學傳感器件走向實際應用的關鍵難點之一。現有柔性
2023-06-01 08:45:37391 
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實質上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵（GaN）設備，通常會導致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
納米片工藝流程中最關鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學。優化內部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結構的一種非常有用的技術。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發現了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數據，提出了一種預測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
微孔利用光和物質的相互作用來獲得獨特的性質，特別是，當用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時，金屬微孔結構表現出強烈的共振。然而，用于制造微孔的技術是耗時的，并且需要昂貴的設備和專業人員。因此，英思特開發了一種通過濕化學蝕刻硅襯底來制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51846 
蝕刻可能是濕制程階段最復雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩定，蝕刻率就會變化，因而影響產品質量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻化學，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:484917 拋光硅晶片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經準備好為設備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
繼電保護裝置應滿足可靠性、選擇性、靈敏性和速動性的要求：這四“性”之間緊密聯系，既矛盾又統一。
（1）可靠性是指保護該動體時應可靠動作。不該動作時應可靠不動作。可靠性是對繼電保護裝置性能
2023-04-25 17:32:17
[技術領域] 本實用新型涉及半導體制造技術領域，具體地說是一種酸性化學品供應控制系 統。 由于半導體行業中芯片生產線的工作對象是硅晶片，而能在硅晶片上蝕刻圖形 以及清洗硅晶片上的雜質、微粒子的化學
2023-04-20 13:57:0074 些卻不能保證這些應用所需的高可靠性。下面列出了一些可以用于從直流電路到毫米波頻段電路以及高速數字（HSD）電路的PCB表面處理：?化學鎳金（ENIG）?化學鎳鈀金（ENEPIG）?熱風整平（HASL
2023-04-19 11:53:15
是否有關于 NXP GaN 放大器長期記憶的任何詳細信息。數據表說“專為低復雜性線性系統設計”。長期記憶是否不再是當前幾代 GaN 器件的關注點？這是整個產品堆棧嗎？
2023-04-17 06:12:19
干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 濕法蝕刻工藝的原理是使用化學溶液將固體材料轉化為液體化合物。選擇性非常高
2023-04-10 17:26:10453 
影響應用的電池化學選擇： 可重用性——首先需要確定的是給定電路是可充電的還是應該依靠電池更換。因此，原電池或二次電池類型可用于該裝置。 生命周期耐久性——當電池是電路中使用的原電池時，電池的耐久性
2023-03-29 15:47:44
印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 調溫調濕箱全名“恒溫恒濕試驗箱”是航空、汽車、家電、科研等領域必備的測試設備，用于測試和確定電工、電子及其他產品及材料進行高溫、低溫、濕熱度或恒定試驗的溫度環境變化后的參數及性能，它主要用于根據試驗
2023-03-28 09:02:36
在濕蝕刻的情況下，隨著SiNx/SiOy層的厚度減小，剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌，蝕刻溶液對孔的滲透變得更具挑戰性。
2023-03-27 10:17:49402 
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