該環境物聯網研究報告預測了物聯網的發展演變和市場增長趨勢 ? 北京， 2024 年 3 月 6 日 ——負責監管藍牙技術的行業協會藍牙技術聯盟（SIG）近日發布了中文版市場研究報告《環境物聯網：一種
2024-03-06 11:07:24
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根據已公開的研究報告，東京電子的新式蝕刻機具備在極低溫環境下進行高速蝕刻的能力。據悉，該機器可在33分鐘內完成10微米的蝕刻工作。此外，設備使用了新開發的激光氣體，搭配氬氣和氟化碳氣體以提升工藝水平。
2024-02-18 15:00:22109 為實現碳化硅晶片的高效低損傷拋光，提高碳化硅拋光的成品率，降低加工成本，對現有的碳化硅化學機械拋光 技術進行了總結和研究。針對碳化硅典型的晶型結構及其微觀晶格結構特點，簡述了化學機械拋光技術對碳化硅
2024-01-24 09:16:36431 
CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。具備前所未有的輸入，能夠在DC-2.0GHz范圍之內提供最好的的瞬時寬帶性能。與硅或砷化鎵相比較，CGHV40180具有更加優異
2024-01-02 12:05:47
轉自：存儲產業技術創新戰略聯盟 2023年11月30日， 存 儲產業技術創新戰略聯盟、中國電子技術標準化研究院聯合發布《分布式融合存儲研究報告（2023）》，詳細闡釋分布式融合存儲概念和技術要求
2023-12-21 18:05:01270 
這份報告由業內知名研究機構——MicroLED產業聯合會公布。事實上，早在2000年，業界便開始關注MicroLED技術。該技術以其出色的亮度、豐富的色彩展現力以及超長的使用壽命引起了轟動。
2023-12-20 14:35:07333 FLK017XP型號簡介Sumitomo的FLK017XP芯片是一種功率
砷化鎵場效應管，設計用于Ku頻段的通用應用提供卓越的功率、增益和效率。Eudyna嚴格的質量保證計劃確?？煽啃院鸵恢碌男阅?/div>
2023-12-19 12:00:45
FSX027X型號簡介Sumitomo的FSX027X是一種通用砷化鎵場效應管，設計用于介質高達12GHz的電源應用。這些設備具有廣泛的動態適用于中功率、寬帶、線性驅動放大器或振蕩器。Eudyna
2023-12-19 11:48:16
世界各國不僅把6G作為構筑未來數字經濟與社會發展的重要基石，也將其視為國家間前沿科技競爭的制高點。全球主要國家的多。個研究機構和聯盟組織相繼發布了6G總體愿景、技術趨勢、網絡架構等方面的白皮書和研究報告，陳述各國發展6G的宏偉愿景與技術思考。
2023-12-19 11:23:36151 
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術相比，CGHV96130F內部適應(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比
2023-12-13 10:10:57
基于GaN的高電子遷移率，晶體管，憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度，應用于高頻放大器和高壓功率開關中。就器件制造而言，GaN的相關材料，如AlGaN，憑借其物理和化學穩定性，為等離子體蝕刻
2023-12-13 09:51:24294 
了前所未有的靈活性和精確度，使其成為電池材料研究的重要貢獻。通過LabVIEW實現的程序化邏輯，加上硬件的簡單性，使得這個系統不僅為現有測試提供了新的可能性，也為創新的電化學方法論的發展打開了新的大門
2023-12-10 21:00:05
液晶顯示薄膜恒溫恒濕試驗箱試驗溫度:持續時間不能試驗的化學品系統組成需注意的幾個問題，溫濕度箱的選擇，本機專門測試各種材料耐熱、耐寒、耐干、耐濕的性能。本機可選擇中文或英文液晶顯示觸控式屏幕畫面
2023-12-07 14:27:01
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導體最近被深入研究。為了實現GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術至關重要。目前英思特已經嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39259 
存儲研究報告》（以下簡稱：《報告》）正式發布。《報告》首次系統梳理并深入分析了分布式融合存儲的概念、技術架構和應用場景，為融合存儲產業發展提供參考和指引。 中國電子技術標準化研究院領導表示，“數據成為重要的生產要素，數據
2023-11-30 16:25:01172 
目前，大多數III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個缺點，包括產生離子誘導損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側壁。干法蝕刻產生的側壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30241 
電子發燒友網站提供《工業控制系統及其安全性研究報告.pdf》資料免費下載
2023-11-16 14:29:13
0 蝕刻設備的結構及不同成分的蝕刻液都會對蝕刻因子或側蝕度產生影響，或者用樂觀的話來說，可以對其進行控制。采用某些添加劑可以降低側蝕度。這些添加劑的化學成分一般屬于商業秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設備的結構問題，后面的章節將專門討論。
2023-11-14 15:23:10217 艾瑞咨詢：2023年中國家用智能照明行業研究報告
2023-11-07 16:37:390 電阻器是電子電路中常見的被動元件，用于限制電流、調整電壓和執行其他電阻性功能。在電阻器的制造中，有兩種常見的類型：厚膜晶片電阻和薄膜晶片電阻。這兩種類型的電阻器在結構、性能和應用方面都有一些顯著的區別。本文將介紹厚膜晶片電阻和薄膜晶片電阻的區別，以幫助讀者更好地理解它們的特性和用途。
2023-10-23 09:00:17840 
在精細印制電路制作過程中，噴淋蝕刻是影響產品質量合格率重要的工序之一?，F有很多的文章對精細線路的蝕刻做了大量的研究，但是大多數都只停留在表象的研究中，并沒有從本質上認識噴淋蝕刻中出現的問題。
2023-10-17 15:15:35164 
移動式恒溫恒濕試驗箱商品名稱：商品規格：TH系列商品簡述：移動式恒溫恒濕試驗箱現貨急售，價格便宜，質量保證，全新機型內尺寸：寬1米+高1.6米*深1米；溫度范圍：-40~150度，如需咨詢敬請隨時
2023-10-17 11:15:20
蝕刻液的化學成分的組成：蝕刻液的化學組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數可達3.5-4。而正處在開發階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達到幾乎沒有側蝕問題，蝕刻后的導線側壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 由于碳纖維表面沒有催化活性,通常在鍍銀前要進行敏化、活化處理。傳統的敏化活化工藝一般要用到氯化亞錫、氯化鋰等試劑，這些試劑不僅價格昂貴，還會產生含有重金屬離子的廢液。
2023-10-12 16:56:46482 
GaN及相關合金可用于制造藍色/綠色/紫外線發射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學蝕刻結果有限，因此人們投入了大量精力來開發干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發一開始集中于臺面結構，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
香港上市公司ESG表現積極 ?但仍需持續改進 香港2023年9月20日 /美通社/ -- 方圓企業服務繼2021年以來，于2023年9月19日，連續第三年發布ESG 研究報告。通過對上市公司ESG
2023-09-21 03:36:58265 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項。PCB打樣中，在銅箔部分預鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學方法腐蝕，稱為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30669 好消息再次傳來！ 統信UOS又雙叒叕獲得認可！ 第一新聲發布 《2023年中國信創產業研究報告》 我們分別入選： 中國最佳信創廠商TOP50 中國最佳信創操作系統廠商 中國最佳信創廠商優秀
2023-09-13 17:02:17376 
要注意的是，蝕刻時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。
2023-09-07 14:41:12474 
近日，中國信息通信研究院在“2023 SecGo云和軟件安全大會”上發布了 《零信任發展研究報告（2023年）》 （以下簡稱“報告”），全面介紹了在數字化轉型深化背景下，零信任如何解決企業面臨的安全
2023-09-06 10:10:01488 
在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內層蝕刻工藝，可以參閱內層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:57811 
BSP_CMSIS_V3.02.000SampleCodeStdDriverUSBD_HID_TransferKEIL
裡頭的檔案燒錄進NANO130KE3BN晶片
并且想要使用內附的Window Tool觀察資料的傳輸
但是我利用Visual C++ compile出Window
2023-08-24 06:13:50
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
、化學、建材、研究所、大學等行業單位品管檢測之用。-70℃可程式恒溫恒濕試驗箱主要技術參數：型號：TH-80/120/150/225/408/800/1000H（M、
2023-08-21 15:13:32
半導體蝕刻設備是半導體製造過程中使用的設備。 化學溶液通過將晶片浸入化學溶液（蝕刻劑）中來選擇性地去除半導體晶片的特定層或區域，化學溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319 PCB蝕刻工藝中的“水池效應”現象，通常發生在頂部，這種現象會導致大尺寸PCB整個板面具有不同的蝕刻質量。
2023-08-10 18:25:431013 佐思汽研發布了《2023年汽車車內通信及網絡接口芯片行業研究報告》。 根據通信連接形態的不同，汽車通信應用分為無線通信和有線通信。
2023-08-02 10:56:431401 
預登記展會領取門票還可以獲得由AIoT星圖研究院出品2023行業報告之《蜂窩物聯網系列之LTE Cat.1市場跟蹤調研報告》、《中國光伏物聯網產業分析報告》、《2023中國智慧工地行業市場研究報告
2023-07-31 11:14:32525 
刻蝕和蝕刻實質上是同一過程的不同稱呼，常常用來描述在材料表面上進行化學或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過程。在半導體制造中，這個過程常常用于雕刻芯片上的細微結構。
2023-07-28 15:16:594140 自己的模板 研究 報告《 容、感、阻被動元器件市場報告》，如需領取報告，請關注公眾號，后臺回復 ? 元器件? 即可領取！ 聲明 ： 本文由電子發燒友原創 ，轉載請注明以上來源。如需入群交流 ，請添加
2023-07-17 17:15:04246 
前不久，國家無線電監測中心與全球移動通信系統協會（GSMA）共同發布了關于未來寬帶移動通信與頻譜高效利用的合作研究報告。
2023-07-17 09:56:00976 
蝕刻是一種從材料上去除的過程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
、資產和人員智能互聯的先進數字解決方案提供商，斑馬技術公司（納斯達克股票代碼：ZBRA）今日發布2023年《汽車生態系統愿景研究報告》。報告結果表明，汽車制造商正面對著來自各方面的壓力，他們需要滿足消費者對整體制造過程的可持續性和透明度不
2023-07-12 13:09:55287 蝕刻是一種從材料上去除的過程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190 
年7月6日 作為致力于助力企業實現數據、資產和人員智能互聯的先進數字解決方案提供商，斑馬技術公司（納斯達克股票代碼：ZBRA）今日發布2023年《汽車生態系統愿景研究報告》。報告結果表明，汽車制造商正面對著來自各方面的壓力，他們需要滿足消費者對整體制造過
2023-07-07 16:07:24321 自己的模板 研究 報告《 虛擬人產業鏈及市場前景報告》，如需領取報告，請關注公眾號，后臺回復 ? 虛擬人? 即可領??！ 聲明 ： 本文由電子發燒友原創 ，轉載請注明以上來源。如需入群交流 ，請添加
2023-07-03 17:25:02283 
隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個側壁鈍化機制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數鋁蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:11318 
CMOS和MEMS制造技術，允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實用性。這種化學性質非常有用，但是當存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學也會有問題。
2023-06-26 13:32:441053 
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術，可實現更高的效率、顯著減小系統尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現的性能。那么，為什么關于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關于氮化鎵技術
2023-06-25 14:17:47
前言
橙果電子是一家專業的電源適配器，快充電源和氮化鎵充電器的制造商，公司具有標準無塵生產車間，為客戶進行一站式服務。充電頭網拿到了橙果電子推出的一款2C1A氮化鎵充電器，總輸出功率為65W，單口
2023-06-16 14:05:50
國產化率認證報告（摘錄2）
圖3 國產化率認證報告（摘錄3）
圖4 國產化率認證報告（摘錄4）
來自“中國賽寶實驗室”，很權威
工業和信息化部電子第五研究所（中國賽寶實驗室），又名
2023-06-15 16:56:01
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
，在半橋拓撲結構中結合了頻率、密度和效率優勢。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開關拓撲結構到軟開關拓撲結構的改變，初級FET的一般損耗方程可以最小化，從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現，將成為第二次電力電子學革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
200℃。
1972年，基于氮化鎵材質的 LED 發光二極管才被發明出來（使用摻有鎂的氮化鎵），。這是里程碑式的歷史事件。雖然最初的氮化鎵 LED ，它的亮度還不足以商用，但這是人類第一次制備出能夠發出藍
2023-06-15 15:50:54
% 化學物及能源損耗，此外還能，再加上節省超過 50% 的包裝材料，那氮化鎵的環保優勢，將遠遠大于傳統慢速比低速硅材料。
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
橋式拓撲結構中放大了氮化鎵的頻率、密度和效率優勢，如主動有源鉗位反激式（ACF）、圖騰柱PFC 和 LLC（CrCM 工作模式）。隨著硬開關拓撲結構向軟開關拓撲結構的轉變，初級 FET 的一般損耗方程可以被最小化。更新后的簡單方程使效率在 10 倍的高頻率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發的。納微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
研究報告1.0版》，總計192頁，分為技術篇、產業篇、評測篇、職業篇、風險篇、哲理篇、未來篇、團隊篇等多個篇章，對AIGC產業的發展現狀和趨勢進行了詳盡研究和分析
2023-06-09 10:32:36550 
步入式恒溫恒濕試驗房的用途:適用于塑膠、電子、食品、服裝、車輛、金屬、化學、建材、航天等多種行業的溫濕變化產品可靠性檢測。是指能同時施加溫度、濕度應力的試驗箱,由制冷系統、加熱系統、控制系統、溫度
2023-06-09 10:30:45
可程式恒溫恒濕試驗箱試驗溫度:持續時間不能試驗的化學品系統組成需注意的幾個問題，溫濕度箱的選擇，本機專門測試各種材料耐熱、耐寒、耐干、耐濕的性能。本機可選擇中文或英文液晶顯示觸控式屏幕畫面，操作簡單
2023-06-05 14:33:56
發展研究報告1.0版》，總計192頁，分為技術篇、產業篇、評測篇、職業篇、風險篇、哲理篇、未來篇、團隊篇等多個篇章，對AIGC產業的發展現狀和趨勢進行了詳盡研究和分析。 以下為報告內容 受篇幅限制，以上僅為部分報告預覽 后臺回復【 AIG
2023-06-04 16:15:01503 
使用化學機械拋光(CMP)方法對碳化硅晶片進行了超精密拋光試驗，探究了滴液速率、拋光頭轉 速、拋光壓力、拋光時長及晶片吸附方式等工藝參數對晶片表面粗糙度的影響，并對工藝參數進行了優化，最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215 
用于電動摩托 砷化鎵+ Si混合可編程線性霍爾IC-GS302SA-3產品概述：GS302SA-3通過磁場強度的變化，輸出等比例霍爾電勢，從而感知電流及線性位移，廣泛用于電流傳感器、線性馬達等。由于
2023-05-31 10:02:47
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實質上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵（GaN）設備，通常會導致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
納米片工藝流程中最關鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學。優化內部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
自己的模板 研究 報告《 汽車電子2023車載充電機(OBC)市場分析》，如需領取報告，請關注公眾號，后臺回復 ? OBC? 即可領取！ 聲明 ： 本文由電子發燒友原創 ，轉載請注明以上來源。如需
2023-05-29 17:55:02896 
過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結構的一種非常有用的技術。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發現了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數據，提出了一種預測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
微孔利用光和物質的相互作用來獲得獨特的性質，特別是，當用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時，金屬微孔結構表現出強烈的共振。然而，用于制造微孔的技術是耗時的，并且需要昂貴的設備和專業人員。因此，英思特開發了一種通過濕化學蝕刻硅襯底來制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51846 
蝕刻可能是濕制程階段最復雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩定，蝕刻率就會變化，因而影響產品質量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻化學，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:484917 拋光硅晶片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經準備好為設備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
在硅基光伏產業鏈中，硅晶片的制造是最基本的步驟。金剛石切片是主要的硅片切片技術，采用高速線性摩擦將硅切割成薄片。在硅片切片過程中，由于金剛石線和硅片的反復摩擦，硅片表面發生了大量的脆性損傷和塑性損傷。
2023-05-15 10:49:38489 
自己的模板 研究 報告《 工業視覺產業與工業圖像傳感器技術趨勢分析》，如需領取報告，請關注公眾號，后臺回復 ? 工業 ? 即可領??！ 聲明 ： 本文由電子發燒友原創 ，轉載請注明以上來源。如需入群交
2023-05-11 20:16:37145 減薄晶片有四種主要方法，(1)機械研磨，(2)化學機械平面化，(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學漿液結合起來與晶片反應并使之變薄，而蝕刻則使用化學物質來使基板變薄。
2023-05-09 10:20:06979 [技術領域] 本實用新型涉及半導體制造技術領域，具體地說是一種酸性化學品供應控制系 統。 由于半導體行業中芯片生產線的工作對象是硅晶片，而能在硅晶片上蝕刻圖形 以及清洗硅晶片上的雜質、微粒子的化學
2023-04-20 13:57:0074 SW-209-PIN砷化鎵匹配 GaAs SPST 開關 DC - 3.0 GHz MACOM 的 SW-209-PIN 是一款射頻開關
2023-04-18 15:19:22
MA4AGSW2AlGaAs 反射式MA4AGSW2 是一種鋁-鎵-砷、單刀雙擲 (SPDT)、PIN 二極管開關。該開關采用增強型 AlGaAs 陽極，采用 MACOM
2023-04-18 12:00:04
MA4AGSW1MA4AGSW1AlGaAs 反射式MACOM 的 MA4AGSW1 是一種鋁-鎵-砷、單刀、單擲 (SPST)、PIN 二極管開關。該開關采用增強型 Al-GaAs 陽極，采用
2023-04-18 11:06:14
自己的模板 研究 報告《 汽車MCU產業鏈分析報告》，如需領取報告，請關注公眾號，后臺回復 ? MCU? 即可領??！ 聲明 ： 本文由電子發燒友原創 ，轉載請注明以上來源。如需入群交流 ，請添加
2023-04-12 15:10:02390 干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 計算機類競賽研究報告》（下簡稱《研究報告》），這是全國性大學生計算機類競賽研究報告的首次發布。廣和通歷年重點參與的賽事：榜單內賽事全國大學生嵌入式芯片與系統設計競賽、全國大學生物聯網設計競賽均被研究報告專家工作組選取作為計算機類競賽研究報告數據采集覆蓋的計算機類競賽項目之一。
2023-04-10 10:16:15
濟南2023年3月31日?/美通社/ -- 近日，國際數據公司（IDC）發布了《中國工業邊緣市場分析》研究報告（以下簡稱《報告》）。浪潮云洲憑借云邊緣一體化機器視覺等特色解決方案布局，入選工業邊緣
2023-04-01 08:03:30540 清洗過程在半導體制造過程中，在技術上和經濟上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實現無顆粒、無金屬雜質、無有機、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充電、無氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質和有機物三類。
2023-03-31 10:56:19314 
印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 研究表明，半導體的物理特性會根據其結構而變化，因此半導體晶圓在組裝成芯片之前被蝕刻成可調整其電氣和光學特性以及連接性的結構。
2023-03-28 09:58:34251 
調溫調濕箱全名“恒溫恒濕試驗箱”是航空、汽車、家電、科研等領域必備的測試設備，用于測試和確定電工、電子及其他產品及材料進行高溫、低溫、濕熱度或恒定試驗的溫度環境變化后的參數及性能，它主要用于根據試驗
2023-03-28 09:02:36
自己的模板 研究 報告《 國內電源管理IC企業2022年業績分析》，如需領取報告，請關注公眾號，后臺回復 ? 電源管理? 即可領?。?聲明 ： 本文由電子發燒友原創 ，轉載請注明以上來源。如需入群交
2023-03-27 20:25:04478 
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