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旋涂法制備的ZnO薄膜的電學(xué)特性報告

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2023-09-13 15:36:09767

SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域和發(fā)展趨勢

碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的物理、化學(xué)和電學(xué)性能,在高溫、高頻、高壓等惡劣環(huán)境下具有很高的穩(wěn)定性和可靠性。本文將對SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域和技術(shù)發(fā)展趨勢進(jìn)行簡要介紹。
2023-09-12 17:25:41665

基于CW32的薄膜式鍵盤的應(yīng)用設(shè)計

薄膜式鍵盤是一種常見的輸入設(shè)備,它由一層薄膜電路板和一層觸摸膜組成。薄膜電路板上印有導(dǎo)電圖案,而觸摸膜則具有與之對應(yīng)的按鍵區(qū)域。
2023-09-07 18:22:15815

石墨烯薄膜導(dǎo)熱性的關(guān)鍵因素是什么

本文從石墨烯基薄膜制備方法和影響其散熱性能的關(guān)鍵因素等方面綜述了近年來石墨烯基薄膜的研究進(jìn)展。很難找出哪種原料或方法對熱管理是最好的。每種方法都存在與石墨烯片的顆粒或橫向尺寸和方向有關(guān)的精度問題。
2023-09-07 10:21:45626

導(dǎo)電特性包括什么

導(dǎo)電特性包括什么 導(dǎo)電特性是指物質(zhì)所表現(xiàn)出的在電場作用下,電荷自由移動的能力。它是材料科學(xué)和電子學(xué)的重要研究領(lǐng)域,涉及物理、化學(xué)、材料學(xué)等多個學(xué)科。導(dǎo)電特性的研究對于材料的設(shè)計、制備和應(yīng)用具
2023-08-27 16:05:271323

適用聲波諧振器的磁控濺射制備AIN薄膜優(yōu)化技術(shù)

氮化鋁(AlN)具有優(yōu)良的物理化學(xué)特性以及與標(biāo)準(zhǔn)CMOS晶硅技術(shù)的兼容性,且在多方面性能上優(yōu)于氧化鋅(ZnO)和鋯鈦酸鉛(PZT),因此成為最受關(guān)注的壓電材料之一。
2023-07-28 11:33:32587

通過LDA+U方法研究Co/Mn共摻雜ZnO納米線的電子結(jié)構(gòu)與磁性質(zhì)

目前,開發(fā)具有良好磁性能的DMS是一個有爭議的問題,鑒于費(fèi)米能級的調(diào)制位置和占據(jù)情況,ZnO的TM共摻雜被證明是實現(xiàn)穩(wěn)定光學(xué)和磁性特性的一種有希望的替代技術(shù)。
2023-07-26 17:20:07740

如何利用微流控技術(shù)實現(xiàn)厚度可控的超薄水凝膠薄膜連續(xù)制備

由遇水膨脹的交聯(lián)聚合物網(wǎng)絡(luò)組成的超薄水凝膠薄膜,具有類似生物組織的柔軟和保濕特性,在柔性生物傳感器和可穿戴電子產(chǎn)品中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。然而,實現(xiàn)這種薄膜的高效和連續(xù)制備仍然是一個挑戰(zhàn)。
2023-07-24 18:23:462109

柔性光電膜的制備過程

柔性光電膜是?種由透明導(dǎo)電材料和聚合物基材組成的薄膜。其中,透明導(dǎo)電材料可以是ITO、ZnO、Ag等,聚合物基材可以是PET、PI等?分?材料。柔性光電膜的制備過程是通過物理?相沉積、溶液法、熱轉(zhuǎn)印
2023-07-17 15:29:02503

劉開輝教授課題組在12英寸二維半導(dǎo)體晶圓批量制備研究中取得進(jìn)展

晶圓級二維半導(dǎo)體的批量制備,是推動相應(yīng)先進(jìn)技術(shù)向產(chǎn)業(yè)化過渡的關(guān)鍵所在。二維半導(dǎo)體薄膜尺寸需達(dá)到與硅基技術(shù)兼容的直徑300 mm(12-inch)標(biāo)準(zhǔn),以平衡器件產(chǎn)量與制造成本。因此,批量化、大尺寸、低成本制備過渡金屬硫族化合物晶圓是二維材料走向?qū)嶋H應(yīng)用亟待解決的關(guān)鍵問題之一。
2023-07-13 10:36:11442

技術(shù)前沿:原子層沉積ALD介紹

薄膜沉積是指在基底上沉積特定材料形成薄膜,使之具有光學(xué)、電學(xué)等方面的特殊性能。
2023-07-13 09:10:487774

什么是薄膜和厚膜電阻?薄膜和厚膜電阻之間的區(qū)別

薄膜和厚膜電阻器是市場上最常見的類型。它們的特征在于陶瓷基底上的電阻層。
2023-07-05 17:31:012083

研究中心研發(fā)出一種孔徑小于10納米的固態(tài)納米孔制備新技術(shù)

)上。??? 高質(zhì)量固態(tài)納米孔的制備是DNA測序、納流器件以及納濾膜等應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)。當(dāng)前,在無機(jī)薄膜材料中制備固態(tài)納米孔的主流方法是聚焦離子/電子束刻蝕。該方法在制備過程中需實時反饋,更適合于單個納米孔的制備。因此,探索孔徑可調(diào)、孔密度可控和無
2023-07-04 11:10:56364

一種孔徑小于10納米的固態(tài)納米孔制備新技術(shù)

高質(zhì)量固態(tài)納米孔的制備是DNA測序、納流器件以及納濾膜等應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)。當(dāng)前,在無機(jī)薄膜材料中制備固態(tài)納米孔的主流方法是聚焦離子/電子束刻蝕。
2023-07-04 11:08:08137

導(dǎo)電薄膜的工作原理

? 導(dǎo)電薄膜指的是具有導(dǎo)電性質(zhì)的薄膜材料,它可以使得電信號在平面上傳遞,同時還具有透光性和柔韌性。導(dǎo)電薄膜廣泛應(yīng)用于觸摸屏、電池、顯示器等電子產(chǎn)品中,是現(xiàn)代科技發(fā)展的重要組成部分。 01 導(dǎo)電薄膜
2023-06-30 15:38:36958

14.4 SiC薄膜單晶的制備

半導(dǎo)體單晶SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 19:25:27

13.3 ZnO薄膜單晶的制備

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 19:10:19

13.1 ZnO的基本性質(zhì)

ZnO
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 19:08:05

介電常數(shù)對薄膜陶瓷基板性能的影響研究

近年來,薄膜陶瓷基板在電子器件中的應(yīng)用逐漸增多。在制備和應(yīng)用過程中,介電常數(shù)是一個極其重要的參數(shù),不同介電常數(shù)的薄膜陶瓷基板在性能方面存在較大差異。本文旨在研究介電常數(shù)對薄膜陶瓷基板性能的影響,為薄膜陶瓷基板的制備和應(yīng)用提供理論依據(jù)和實驗數(shù)據(jù)。
2023-06-21 15:13:35623

薄膜電容為什么可以自愈?薄膜電容自我修復(fù)的原理介紹

薄膜電容器有一個通用的優(yōu)點(diǎn),那就是可以自愈,別的電子元器件內(nèi)部如果損壞,可能就無法正常使用,但薄膜電容器卻可以自動修復(fù)內(nèi)部的瑕疵點(diǎn),它具體是怎么實現(xiàn)的呢?為什么薄膜電容器可以自愈呢?1、薄膜
2023-06-12 11:43:01714

國巨推出具備耐高壓、抗?jié)窦翱沽?b class="flag-6" style="color: red">特性之高精密度薄膜電阻

全球被動元件領(lǐng)導(dǎo)廠商-國巨集團(tuán),推出新款薄膜車用晶片電阻-VT系列,具備耐高壓、抗?jié)瘛⒖沽颉⒏呔芏取⒏叻€(wěn)定性的特性,外殼尺寸1206,電阻范圍為162KΩ-1.5MΩ,具有±0.1%、±0.25
2023-06-12 10:45:46405

新硅聚合實現(xiàn)6英寸光學(xué)級硅基高均勻性鈮酸鋰薄膜的工程化制備

上海微系統(tǒng)所異質(zhì)集成XOI課題組孵化的上海新硅聚合半導(dǎo)體有限公司(簡稱:新硅聚合)近期實現(xiàn)了6英寸的光學(xué)級硅基高均勻性鈮酸鋰薄膜(LNOI)的工程化制備
2023-06-09 09:43:15949

LCP薄膜的拉伸試驗方法解析——探究薄膜材料拉力試驗機(jī)工作原理

最近,小編收到了來自山東朋友的咨詢,關(guān)于LCP薄膜的拉伸試驗方法和所需儀器的問題。液晶高分子聚合物(LCP)薄膜是一種具有令人印象深刻的特性和性能的材料。它具有自增強(qiáng)性、優(yōu)異的力學(xué)性能、耐高溫
2023-06-01 10:16:36898

薄膜電容器的特性及故障措施

薄膜電容器是一種電容器,它的電容值由薄膜的面積、厚度和介電常數(shù)決定。薄膜電容器可以用于各種電子設(shè)備中,如電源濾波、放大器、濾波器、穩(wěn)壓器等。
2023-06-01 09:14:221044

薄膜電容的原理工藝 薄膜電容和電解電容的區(qū)別

薄膜電容是指將金屬膜或半導(dǎo)體薄膜沉積在絕緣基板上,然后制成電容器。這種電容器具有結(jié)構(gòu)簡單、體積小、重量輕、可靠性高等特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備領(lǐng)域。本文將從薄膜電容的基本原理、制備工藝、應(yīng)用領(lǐng)域等方面進(jìn)行介紹。
2023-05-31 14:24:552881

硼-氮共摻雜垂直石墨烯電極的制備及其葡萄糖檢測性能研究

據(jù)麥姆斯咨詢報道,近期,天津理工大學(xué)的研究人員采用電子輔助熱絲化學(xué)氣相沉積技術(shù)制備了垂直石墨烯(VG),并且通過B原子和N原子的單獨(dú)及同步摻雜,制備了B摻雜垂直石墨烯(BVG)、N摻雜垂直石墨烯(NVG)以及B-N共摻雜垂直石墨烯(BNVG)薄膜
2023-05-29 14:13:02467

薄膜電容器的作用與工作原理

電容器依著介質(zhì)的不同,它的種類很多,例如:電解質(zhì)電容、紙質(zhì)電容、薄膜電容、陶瓷電容、云母電容、空氣電容等。但是在音響器材中使用最頻繁的,當(dāng)屬電解電容器和薄膜(Film)電容器。本文主要講述薄膜(Film)電容器的結(jié)構(gòu)、作用、特性等一些基礎(chǔ)知識。
2023-05-26 17:04:161990

銷售維修普發(fā)單級片泵 SmartVane

因產(chǎn)品配置不同, 價格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實際成交合同為準(zhǔn)上海伯東代理德國 Pfeiffer 推出適用于質(zhì)譜分析的新型 SmartVane 單級片泵, 片泵
2023-05-26 13:13:43

石墨烯/硅異質(zhì)結(jié)光電探測器的制備工藝與其伏安特性的關(guān)系

通過濕法轉(zhuǎn)移二維材料與半導(dǎo)體襯底形成異質(zhì)結(jié)是一種常見的制備異質(zhì)結(jié)光電探測器的方法。在濕法轉(zhuǎn)移制備異質(zhì)結(jié)的過程中,不同的制備工藝細(xì)節(jié)對二維材料與半導(dǎo)體形成的異質(zhì)結(jié)的性能有顯著影響。
2023-05-26 10:57:21508

濕式化學(xué)蝕刻法制備硅片微孔

微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來獲得獨(dú)特的性質(zhì),特別是,當(dāng)用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時,金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強(qiáng)烈的共振。然而,用于制造微孔的技術(shù)是耗時的,并且需要昂貴的設(shè)備和專業(yè)人員。因此,英思特開發(fā)了一種通過濕化學(xué)蝕刻硅襯底來制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51846

微波組件中的薄膜陶瓷電路板

薄膜陶瓷基板一般采用磁控濺射、真空蒸鍍等工藝直接在陶瓷基片表面沉積金屬層。通過光刻、顯影、刻蝕、電鍍等工藝,將金屬層圖形化制備成特定的線路及膜層厚度。通常,薄膜陶瓷基板表面金屬層厚度較小 (一般小于 4μm)。薄膜陶瓷基板可制備高精密圖形 (線寬/線距小于 10 μm、精度±1μm)。
2023-05-15 10:18:56591

國巨推出具備耐高壓、抗?jié)窦翱沽?b class="flag-6" style="color: red">特性之高精密度薄膜電阻VT系列

全球被動元件領(lǐng)導(dǎo)廠商-國巨集團(tuán),推出新款薄膜車用晶片電阻-VT系列。 VT系列具備耐高壓、抗?jié)瘛⒖沽颉⒏呔芏取⒏叻€(wěn)定性的特性;外殼尺寸1206,電阻范圍為162KΩ-1.5MΩ,具有±0.1
2023-05-05 20:02:13448

為什么要發(fā)明薄膜電容呢?

薄膜電容是一種常用的基礎(chǔ)的電子元件,一般出現(xiàn)在電子產(chǎn)品電路中,以塑料薄膜為介質(zhì),金屬箔或金屬化薄膜作為電極,
2023-05-04 18:08:44392

自制PVDF傳感器短路的原因是什么?

在POM板上磁控濺射下電極,再用法把PVDF油墨涂到下電極上,再在壓電層上磁控濺射上上電極形成三明治結(jié)構(gòu),但是上下電極都是短路狀態(tài),造成短路的可能原因是什么?壓電層厚度約為2nm,電極厚度約為30um。
2023-04-28 18:21:06

一種基于全電介質(zhì)緊湊薄膜結(jié)構(gòu)的計算重構(gòu)微型光譜儀

據(jù)麥姆斯咨詢報道,近期,國科大杭州高等研究院物理與光電工程學(xué)院邵建達(dá)教授工作室和浙江大學(xué)光電學(xué)院沈偉東教授課題組聯(lián)合提出一種基于全電介質(zhì)緊湊薄膜結(jié)構(gòu)的計算重構(gòu)微型光譜儀。
2023-04-27 15:36:29994

薄膜開關(guān)生產(chǎn)廠家制作薄膜時對原材料的要求

  原材料對任何一款商品的生產(chǎn)過程都處于一個反常要的步驟,它背負(fù)了商品的外觀及防護(hù)。薄膜開關(guān)對外觀的要求也非常高,在制作時對原材料的要求一般有下面幾點(diǎn) 優(yōu)秀的外觀:薄膜開關(guān)的表面一定要保證平滑
2023-04-21 11:04:27333

介紹薄膜開關(guān)薄膜按鍵

薄膜按鍵都是“按鍵+薄膜”的基本結(jié)構(gòu),所以,按鍵的手感、特色等很大方面都取決于薄膜按鍵的設(shè)計。考慮到開關(guān)觸點(diǎn)的分離和回彈的可靠性,薄膜的厚度一般選擇在為佳,過薄回彈無力,觸點(diǎn)分離不靈敏。薄膜按鍵
2023-04-21 11:02:191389

為什么薄膜開關(guān)壽命這么長

 相信大家都發(fā)覺薄膜開關(guān)的壽命很長,其實薄膜開關(guān)可使用時間通常都能夠保證使用一百萬次不損壞,那么為什么薄膜開關(guān)的使用壽命這么長呢?
2023-04-14 16:21:55558

詳細(xì)解析SMT PCBA三防漆覆的工藝流程

及絕緣特性。  2 覆工藝的要點(diǎn)  根據(jù)IPC-A-610E(電子組裝檢測標(biāo)準(zhǔn))的要求,主要表現(xiàn)在以下幾個方面:  區(qū)域  1、不能被涂敷的區(qū)域:  需要電氣連接的區(qū)域,如金焊盤、金手指、金屬通孔
2023-04-07 14:59:01

薄膜面板廠家定制薄膜開關(guān)和薄膜面板

經(jīng)常定制薄膜開關(guān)和薄膜面板時候,對其步驟卻不甚了解,對此,雨菲跟大家分享薄膜開關(guān)和薄膜面板定制的步驟。
2023-03-29 17:02:451701

解析LGF導(dǎo)光薄膜開關(guān)

解析LGF導(dǎo)光薄膜開關(guān)
2023-03-29 16:18:15826

薄膜集成電路--薄膜電阻

薄膜電阻應(yīng)用于光通訊、 射頻微波毫米波通訊,如放大、耦合、衰減、濾波等模塊電路。電阻網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用于微波集成電路中,能夠縮小電路板空間,降低元器件成本。薄膜衰減器應(yīng)用于光通訊、微波集成電路模塊,其
2023-03-28 14:19:17

淺談薄膜開關(guān)檢查事項

大家好,隨著家電行業(yè)的快速發(fā)展,市場需求對于薄膜開關(guān)越來越嚴(yán)格,那么薄膜開關(guān)生產(chǎn)出來之后需要做哪些檢查呢?下面就嘗試寫給大家分享下吧:  1、先要知自己規(guī)劃的有用尺度,如正陽,反陽,正陰,反陰
2023-03-27 15:39:12

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