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電子發燒友網>今日頭條>淺談IGBT的封裝失效機理

淺談IGBT的封裝失效機理

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2023-05-18 10:11:522952

淺談CDM的原因與機理

CDM(Charge Device Model),與MM與HBM一起作為ESD的三種類型之一。隨著IC工藝進程的發展與自動化生產流程的普及,CDM已經取代MM與HBM成為芯片失效的主要靜電類型,目前CDM造成的失效占比遠高于HBM與MM。
2023-05-16 15:47:089032

IGBT模塊主要失效形式

隨著IGBT的耗散功率和開關頻率不斷增大,以及工作環境嚴苛,使得IGBT模塊產生大量的熱量,由于模塊內的熱量無法及時得到釋放,從而引起模塊內部溫度升高。
2023-05-16 11:30:25512

TVS二極管失效機理失效分析

常用電路保護器件的主要失效模式為短路,瞬變電壓抑制器(TVS)亦不例外。TVS一旦發生短路失效,釋放出的高能量常常會將保護的電子設備損壞.這是TVS生產廠家和使用方都想極力減少或避免的情況
2023-05-12 17:25:483678

同步輻射CT技術揭示正負極串擾失效機理:不均勻的離子通量

目前已有大量工作研究全固態鋰金屬電池ASSLMB的衰退機理
2023-05-04 17:41:40761

ABAQUS中的損壞與失效模型

ABAQUS為材料失效提供了一個通用建模框架,其中允許同一種材料應用多種失效機制。
2023-05-02 18:12:002842

導致半導體制冷片失效的四個主要原因

通過實際經驗及測試發現,導致制冷片失效的原因主要有以下4個方面:1、熱應力:失效機理:半導體致冷器工作時一面吸熱、一面放熱,兩面工作在不同的溫度上。因為半導體材料和其他部件(導銅和瓷片)的熱膨脹
2023-04-28 17:54:362786

IGBT晶圓,如何制備?

IGBT
YS YYDS發布于 2023-04-26 18:51:37

什么是IGBT?以及它的應用

IGBT
YS YYDS發布于 2023-04-26 18:48:12

壓接型與焊接式IGBT失效模式與失效機理

失效率是可靠性最重要的評價標準,所以研究IGBT失效模式和機理對提高IGBT的可靠性有指導作用。
2023-04-20 10:27:041117

半導體集成電路失效分析原理及常見失效分析方法介紹!

失效分析(FA)是一門發展中的新興學科,近年開始從軍工向普通企業普及。它一般根據失效模式和現象,通過分析和驗證,模擬重現失效的現象,找出失效的原因,挖掘出失效機理的活動。在提高產品質量,技術開發
2023-04-18 09:11:211360

?壓接型IGBT器件的封裝結構及特性

絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,具有高輸入阻抗和低導通壓降的優點。
2023-04-15 14:23:581287

淺談電子三防漆對PCB板的作用有哪些?

淺談電子三防漆對PCB板的作用有哪些?
2023-04-14 14:36:27

淺談IGBT的閂鎖效應

閂鎖(Lanch-up)效應,一般我們也可以稱之為擎住效應,是由于IGBT超安全工作區域而導致的電流不可控現象,當然,閂鎖效應更多的是決定于IGBT芯片本身的構造。實際工作中我們可能很少聽到一種失效率,閂鎖失效,今天我們就來聊一聊什么是閂鎖效應。
2023-04-06 17:32:551089

瞬態熱阻抗準確計算IGBT模塊結殼熱阻的方法

隨著半導體技術的迅速發展以及絕緣柵雙極型晶體管(insulatedgatebipolartranslator,IGBT)模塊的普遍應用,電力電子可靠性要求不斷提高,而過熱失效這一主要失效原因亦成為
2023-04-04 10:14:09965

IGBT是功率逆變器的重點保護對象

,無法修復。IGBT損壞意味著逆變器必須更換或大修。因此,IGBT是功率逆變器的重點保護對象。逆變器核心部件IGBT介紹以上就是IGBT失效的三種模式。電氣故障最為常
2023-03-30 10:29:45992

全面的IGBT封裝設計解決方案

國內龐大的市場基礎、 潛在的電力電子裝備關鍵器件完全依靠進口的風險和國家產業升級共同推動了本土IGBT芯片設計、模塊封裝的技術進步和創新。
2023-03-27 09:34:091297

淺談國產化IGBT的未來前景

自2020年汽車缺芯以來,汽車芯片結構性缺芯愈發明顯,IGBT一直處于緊缺狀態。在2022年下半年,其甚至超越車用MCU,成為影響汽車擴產的最大掣肘。
2023-03-23 11:19:17783

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