stm32f407用lwip1.41做webserver， 頁面上有html的number標(biāo)簽（帶三角符的那種）。直接瀏覽器打開正常。下載到mcu后，再用瀏覽器
2024-03-21 07:33:52
電流對電池阻抗的影響，這種關(guān)系可能是由電荷轉(zhuǎn)移反應(yīng)的非線性行為驅(qū)動(dòng)的，電池拆解分析顯示這種效應(yīng)在低SOC區(qū)域尤為顯著。
2024-03-19 11:04:04
49 單分子水平的蛋白質(zhì)分析揭示了集合平均技術(shù)所掩蓋的異質(zhì)性行為。
2024-03-13 10:17:39164 
如下硅與石墨復(fù)配的負(fù)極材料的背散SEM，圓圈標(biāo)的地方是硅嗎？如果不是還請大佬指點(diǎn)一下，那些位置是硅？
2024-03-12 08:53:37
想問下硅碳/石墨復(fù)配負(fù)極300cls滿充拆解中間黑色的區(qū)域是什么？是什么原因?qū)е缕湫纬傻?
2024-02-29 13:48:15
Intel 硅光子Intel?硅光子將硅集成電路和半導(dǎo)體激光兩個(gè)重要發(fā)明結(jié)合在一起。與傳統(tǒng)電子產(chǎn)品相比，它可以實(shí)現(xiàn)更遠(yuǎn)距離的數(shù)據(jù)傳輸。它利用了Intel?大批量硅制造的效率。特性為數(shù)據(jù)中心及其他領(lǐng)域
2024-02-27 12:19:00
Qorvo QPF4516BEVB-01評估板Qorvo QPF4516BEVB-01評估板設(shè)計(jì)用于評估QPF4516B Wi-Fi前端模塊。QPF4516B是一款設(shè)計(jì)用于Wi-Fi
2024-02-26 19:26:38
Qorvo QPL7442PCK-01評估板Qorvo QPL7442PCK-01評估板設(shè)計(jì)用于評估QPL7442射頻放大器。QPL7442放大器是一款低噪聲、高增益單端單片微波集成電路 (MMIC
2024-02-26 19:23:52
Qorvo QPA2212EVB評估板Qorvo QPA2212EVB評估板是用于QPA2212 Ka波段20W GaN功率放大器的演示和開發(fā)平臺(tái)。QPA2212設(shè)計(jì)用于在27.5GHz至
2024-02-26 19:21:56
Qorvo QPC2040評估板Qorvo QPC2040評估板是用于QPC2040 X波段GaN 10W SPDT開關(guān)的演示和開發(fā)平臺(tái)。QPC040是一款單刀雙擲開關(guān)，采用專有的QGaN
2024-02-26 18:32:41
范圍為6GHz至20GHz，采用無引線3mm2表面貼裝封裝。CMD316C3低噪聲放大器非常適合用于需要小尺寸和低功耗的通信系統(tǒng)。CMD316C3-EVB評估板設(shè)
2024-02-26 18:29:06
Qorvo QPB9348EVB評估板Qorvo QPB9348EVB評估板是用于QPB9348雙通道開關(guān)LNA模塊的演示和開發(fā)平臺(tái)。QPB9348是一款高度集成的1.7GHz至4.2GHz前端模塊
2024-02-26 18:23:59
Qorvo QPA9901EVB評估板Qorvo QPA9901EVB評估板是用于QPA9901高效放大器的演示和開發(fā)平臺(tái)。QPA9901是一款可線性化功率放大器IC，頻率范圍為2.11GHz至
2024-02-26 18:22:46
Qorvo QPQ1903EVB評估板QPQ1903EVB評估板采用預(yù)安裝的Qorvo QPQ1903，采用緊湊的1.7mm x 1.1mm層壓SMT封裝。評估板提供了一個(gè)示例應(yīng)用電路，當(dāng)集成到現(xiàn)有
2024-02-26 18:16:45
Qorvo QPA261xEVB評估板QPA261xEVB評估板 特點(diǎn)QPA2610EVB：8.5GHz至10.5GHz頻率范圍QPA2611EVB：8GHz至12GHz頻率范圍QPA2612EVB
2024-02-26 18:11:34
Qorvo CMD305P3評估板特點(diǎn)用于評估CMD305P3 6-14GHz驅(qū)動(dòng)放大器的功能為CMDS優(yōu)化組裝而開發(fā)應(yīng)使用足夠數(shù)量的過孔來連接頂部和底部接地平面表面貼裝工藝各不相同，建議仔細(xì)開發(fā)工藝
2024-02-26 17:59:00
Qorvo QPL7425EVB評估板Qorvo QPL7425EVB評估板具有使用外部電阻的可調(diào)偏置，并且符合危害性物質(zhì)限制指令。這些評估板設(shè)計(jì)用于5MHz至684MHz上游和47MHz至
2024-02-26 16:02:52
Qorvo QPL7433EVB00評估板QPL7433EVB00評估板采用緊湊型2mm x 2mm DFN-8封裝的預(yù)安裝QPL7433 IC。評估板提供了示例應(yīng)用電路，當(dāng)集成到現(xiàn)有設(shè)計(jì)中時(shí)，允許
2024-02-26 13:53:32
晶圓表面的潔凈度對于后續(xù)半導(dǎo)體工藝以及產(chǎn)品合格率會(huì)造成一定程度的影響，最常見的主要污染包括金屬、有機(jī)物及顆粒狀粒子的殘留，而污染分析的結(jié)果可用以反應(yīng)某一工藝步驟、特定機(jī)臺(tái)或是整體工藝中所遭遇的污染程度與種類。
2024-02-23 17:34:23320 
Analog Devices Inc. EV-ADGS2414DSDZ 評估板Analog Devices Inc. EV-ADGS2414DSDZ評估板設(shè)計(jì)用于評估ADGS2414D高密度八通
2024-02-22 14:08:09
Analog Devices Inc. EVAL-CN0556-EBZ 評估板Analog Devices Inc. EVAL-CN0556-EBZ評估板設(shè)計(jì)用于評估LT8228雙向同步100V降壓
2024-02-22 13:48:46
Analog Devices Inc. EVAL-LTC7891-AZ 評估板Analog Devices Inc. EVAL-LTC7891-AZ評估板采用LTC7891 100V降壓同步GaN
2024-02-22 13:45:16
Analog Devices Inc. EVAL-LTC7890-AZ 評估板Analog Devices Inc. EVAL-LTC7890-AZ評估板是一款雙輸出同步降壓轉(zhuǎn)換器，可驅(qū)動(dòng)所有N溝道
2024-02-22 13:43:55
multisim14 中用雙向可控硅MAC12HCDG仿真時(shí)，為什么觸發(fā)電流撤掉后，T1,T2極也斷開了燈泡不亮，電路如下圖，請幫忙看看電路是否有問題？
2024-02-04 13:24:21
DSC差熱掃描儀，一種在科研和工業(yè)領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的高效分析工具，以其獨(dú)特的檢測方式揭示了物質(zhì)的熱行為。它不僅在學(xué)術(shù)研究中為科學(xué)家們提供了深入理解物質(zhì)性質(zhì)的手段，還在工業(yè)生產(chǎn)中為優(yōu)化產(chǎn)品性能和提升生產(chǎn)
2024-01-16 15:09:58125 
表面絕緣阻抗是指表面材料在電場中對電流的阻礙程度，通常用于衡量一個(gè)材料的絕緣性能。當(dāng)三防漆噴涂在某個(gè)表面后，如果這個(gè)表面的絕緣阻抗降低，意味著三防漆涂層并未提供預(yù)期的絕緣保護(hù)，可能存在電流在這個(gè)表面上的穿透或泄漏的問題。
2024-01-12 09:45:49293 手上有一個(gè)adis16405的IMU，和一個(gè)評估板ADISUSBZ。通過測試軟件已經(jīng)確認(rèn)設(shè)備完好。
現(xiàn)在希望通過labwindows/cvi編寫一個(gè)程序，通過USB口直接讀取到傳感器的數(shù)據(jù)，不知道有沒有高人給指點(diǎn)一下該怎么辦
2024-01-01 07:28:59
Qorvo QPF4617評估板 Qorvo QPF4617評估板可評估QPF4617 Wi-Fi? 6E非線性前端模塊。Qorvo QPF4617設(shè)計(jì)用于Wi-Fi 6E
2023-12-20 11:14:48
Qorvo QPM0106EVB評估板Qorvo QPM0106評估板用于評估QPM0106射頻放大器。 QPM0106射頻放大器采用 10 引腳15.24mm x 15.24mm螺栓
2023-12-20 10:28:35
是平整度高，適合細(xì)間距器件，缺點(diǎn)也是保質(zhì)期短
OSP板
OSP就是在潔凈的裸銅表面上，以化學(xué)的方法長出一層有機(jī)膜。使用的是一種水性有機(jī)化合物，選擇性地與銅結(jié)合，并在焊接前提供一層有機(jī)金屬層來保護(hù)銅
2023-12-12 13:35:04
EVAL-PRAOPAMP-1RJZ評估板上有許多電容、電阻。請問這些分立器件的值怎么設(shè)置？有沒有推薦的值或者bom表？
2023-11-13 06:22:05
使用PWM控制可控硅調(diào)光白熾燈，卻出現(xiàn)”吱吱“的響聲，怎么去除這種噪音，誰遇到過類似的問題，你們是如何解決的?
2023-11-08 06:32:17
可以直接用光耦三極管來控制可控硅的g極嗎？之前沒用過，可以把可控硅理解為一個(gè)大功率高速開關(guān)嗎
2023-11-02 06:51:06
高效硅太陽能電池的加工在很大程度上取決于高幾何質(zhì)量和較低污染的硅晶片的可用性。在晶圓加工結(jié)束時(shí)，有必要去除晶圓表面的潛在污染物，例如有機(jī)物、金屬和顆粒。當(dāng)前的工業(yè)晶圓加工過程包括兩個(gè)清潔步驟。第一個(gè)
2023-11-01 17:05:58135 
請教各位大神，如圖，這個(gè)是延遲關(guān)斷燈的電路，請問這個(gè)電路開始按下開關(guān)的時(shí)候，可控硅是怎么打開的，電路的上可控硅的G極我看不出來有正向的電壓啊。。。。2個(gè)穩(wěn)壓管的參數(shù)我是隨便寫的，可以的話幫忙算下穩(wěn)壓管大概多少值的。手上沒工具測。
2023-10-24 16:05:18
有沒有簡單一些的辦法實(shí)現(xiàn)可控硅直流關(guān)斷技術(shù)
2023-10-10 07:21:55
一般都是用mos管控制開關(guān)，如果用三極管和可控硅可以實(shí)現(xiàn)嗎
2023-10-07 08:54:52
低硼硅玻璃安瓿折斷力測試儀 安瓿瓶是一種用于封裝無菌藥品、生物制品等高精度產(chǎn)品的玻璃容器。由于其中存放的產(chǎn)品大多具有較高的生物活性或敏感性，因此對于安瓿瓶的物理性能要求極為嚴(yán)格。為了確保其
2023-09-27 15:49:46
實(shí)用可控硅電路集合
2023-09-26 14:19:22
本文說明如何使用LTspice仿真來解釋由于使用外殼尺寸越來越小的陶瓷電容器而引起的電壓依賴性（或直流偏置）影響。尺寸越來越小、功能越來越多、電流消耗越來越低，為滿足這些需求，必須對元件（包括
2023-09-24 11:10:02274 
本書介紹了雙向可控硅的應(yīng)用實(shí)例,共計(jì)50G 例,分二十八類。每一例均給出了電路原理和應(yīng)用電路圖,涉及家用電器、娛樂,消費(fèi)、工業(yè)控制、自動(dòng)化等領(lǐng)域,對于電子愛好者仿制和產(chǎn)品開發(fā)都具有重要的參考價(jià)值。
2023-09-20 08:12:13
什么是真空吸盤？ 晶圓真空吸盤通常由堅(jiān)硬的表面構(gòu)成，表面上有許多小孔或通道。通過這些小孔，吸盤可以與真空泵連接，從而產(chǎn)生真空效應(yīng)。
2023-09-08 11:25:451051 
意法半導(dǎo)體正通過一系列的創(chuàng)新突飛猛進(jìn)，諸如集成式智能功率模塊和系統(tǒng)級(jí)封裝、單片式電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、快速高效的功率開關(guān)、具有電壓瞬態(tài)保護(hù)功能的可控硅、以及功能強(qiáng)大且安全的微控制器等。無論您使用哪種電機(jī)技術(shù)
2023-09-06 06:31:41
在一段時(shí)間內(nèi)不會(huì)在所有應(yīng)用中取代硅。 原因如下：
第一個(gè)需要克服的障礙是 GaN 晶體管的耗盡特性。 有源功率和邏輯電路需要常開和常關(guān)類型的晶體管。 雖然可以生產(chǎn)常關(guān)型 GaN 晶體管，但它們要么依賴于典型
2023-08-21 17:06:18
本指南提供了有關(guān)Arm SystemReady計(jì)劃和SystemReady預(yù)硅啟用的常見問題的答案。
信息分為以下幾個(gè)部分：
?SystemReady一般常見問題解答回答了有關(guān)SystemReady
2023-08-08 06:21:04
M16插頭表面鍍層對產(chǎn)品的質(zhì)量有影響。表面鍍層是在連接器的金屬表面上涂覆一層特殊材料，通常用于提高連接器的性能和保護(hù)其金屬部件。
2023-08-05 11:39:18462 
請教各位前輩，計(jì)算鐵硅鋁電感飽和，是按峰值電流還是平均值，例如我設(shè)計(jì)一個(gè)PFC電感，峰值電流8A，平均值4A，是按那個(gè)那個(gè)電流計(jì)算？
2023-07-31 10:41:35
SD-WAN和專線在開通時(shí)間上有一定的區(qū)別。下面我將詳細(xì)介紹它們的特點(diǎn)和開通時(shí)間上的差異。
2023-07-17 14:12:16267 蝕刻是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
蝕刻是一種從材料上去除的過程?；?b class="flag-6" style="color: red">表面上的一種薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LED評估嚙齒動(dòng)物前肢抓握的行為室.zip》資料免費(fèi)下載
2023-07-11 16:18:52
0 PCB板為什么要做表面處理？
由于PCB上的銅層很容易被氧化，因此生成的銅氧化層會(huì)嚴(yán)重降低焊接質(zhì)量，從而降低最終產(chǎn)品的可靠性和有效性，為了避免這種情況的發(fā)生，需要對PCB進(jìn)行表面處理。
常見的表面
2023-06-25 11:35:01
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
涂層是有機(jī)物，通常是一種防焊膜，在那些不需要焊接的地方采用絲網(wǎng)印制技術(shù)覆上一層環(huán)氧樹脂薄膜。這種覆上一層有機(jī)保焊劑的工藝不需要電子交換，當(dāng)電路板浸沒在化學(xué)鍍液中后，一種具有氮耐受性的化合物可以站附到暴露
2023-06-09 14:19:07
隨著半導(dǎo)體科技的發(fā)展，在固態(tài)微電子器件制造中，人們對清潔基底表面越來越重視。濕法清洗一般使用無機(jī)酸、堿和氧化劑，以達(dá)到去除光阻劑、顆粒、輕有機(jī)物、金屬污染物以及硅片表面上的天然氧化物的目的。然而，隨著硅電路和器件結(jié)構(gòu)規(guī)模的不斷減小，英思特仍在專注于探索有效可靠的清潔方法以實(shí)現(xiàn)更好的清潔晶圓表面。
2023-06-05 17:18:50437 
有時(shí)候，化學(xué)物質(zhì)會(huì)吸附在表面上，這種現(xiàn)象可能發(fā)生在氣相中的固體表面以及浸沒在液體溶液中的固體表面。
2023-06-05 11:25:291228 
使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法對碳化硅晶片進(jìn)行了超精密拋光試驗(yàn)，探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時(shí)長及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對晶片表面粗糙度的影響，并對工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化，最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級(jí)光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215 
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一
2023-05-31 10:24:03
電鍍是一種利用電化學(xué)性質(zhì)，在鍍件表面上沉積所需形態(tài)的金屬覆層的表面處理工藝。
電鍍原理：在含有欲鍍金屬的鹽類溶液中，以被鍍基體金屬為陰極，通過電解作用，使鍍液中欲鍍金屬的陽離子在基體金屬表面沉積，形成鍍層。如圖13所示。
2023-05-29 12:07:23644 
過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個(gè)矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
產(chǎn)品簡介 除了人造金剛石，高阻抗的本征硅（高阻硅）材料是適合極寬范圍從(1.2 μm) 到mm (1000
2023-05-24 14:32:32
表面處理是在基體材料表面上人工形成一層與基體的機(jī)械、物理和化學(xué)性能不同的表層的工藝方法。
2023-05-22 11:07:221514 
石油化工行業(yè)VOC在線監(jiān)測系統(tǒng)建設(shè)背景 VOCs（VolatileOrganicCompounds），揮發(fā)性有機(jī)物。 對于石化行業(yè)而言，VOCs主要包括揮發(fā)性有機(jī)氣體和輕烴類； VOCs在PM2.5
2023-05-12 13:41:08330 該傳感器是一款智能近紅外物質(zhì)檢測儀，區(qū)別于實(shí)驗(yàn)室專業(yè)設(shè)備，采用光譜分析方法，基于先進(jìn)的機(jī)器學(xué)習(xí)算法，構(gòu)建方物核心的物質(zhì)檢測技術(shù)。首發(fā)的“方物”可以測量900 ~ 1700nm的近紅外光譜范圍，可以通過光譜分析技術(shù)聯(lián)合機(jī)器算法，實(shí)現(xiàn)大部分含有機(jī)物質(zhì)的光譜測量，進(jìn)一步開展物質(zhì)成分和含量分析。
2023-05-10 09:47:25653 
1064nm四象限硅光電二極管
TO金屬封裝（TO8S、TO8Si 、TO1032i、TO1081i ）
四象限光電二極管是分立元器件，由小間隙隔開四個(gè)有效探測區(qū)域組成。
該系列光電二極管可用于諸多
2023-05-09 17:10:53
激光清洗不僅可用于清洗有機(jī)污染物質(zhì)，還可以用來清洗無機(jī)化合物。激光清洗的原理是利用激光束的高能量密度，使污垢或涂層等物質(zhì)發(fā)生蒸發(fā)或剝離，從而清洗表面。這個(gè)過程并不依賴于物質(zhì)的化學(xué)性質(zhì)，因此激光清洗
2023-05-08 17:11:07571 
許多裂紋。其次，實(shí)施金浸沒需要很長時(shí)間，以致在鎳表面上容易產(chǎn)生腐蝕并產(chǎn)生裂紋。
在影響化學(xué)鍍鎳的所有元素中，阻焊層脫穎而出的原因如下：
原因1：阻焊層的交叉鍵合和剛性不足，容易在銅表面留下
2023-04-24 16:07:02
）?化學(xué)沉銀?化學(xué)沉錫?無鉛噴錫（LFHASL）?有機(jī)保焊膜（OSP）?電解硬金?電解可鍵合軟金1、化學(xué)鎳金（ENIG）ENIG也稱為化學(xué)鎳金工藝，是廣泛用于PCB板導(dǎo)體的表面處理。這是一種相對簡單
2023-04-19 11:53:15
勵(lì)磁功率單元和勵(lì)磁可控硅作用一樣嗎？求解答
2023-04-13 10:12:53
如圖所示：1.單片機(jī)給IO口發(fā)送一個(gè)高電平后光耦3063會(huì)立即導(dǎo)通還是在交流電壓的過零點(diǎn)導(dǎo)通2.如果光耦在輸入電壓的過零點(diǎn)導(dǎo)通，是否可以認(rèn)為可控硅兩端的電壓為零，此時(shí)可控硅不導(dǎo)通，那如果是這樣請問這個(gè)電路可控硅是何時(shí)導(dǎo)通的，又是和是關(guān)斷的 。導(dǎo)通是可控硅T2和G極之間的電壓為多少，怎么理解
2023-04-10 21:59:00
npn管pnp管可控硅(晶閘管)的三個(gè)腳接了有何用啊我的意思是比如給pnp的n硅的腳加正電，那兩個(gè)p是段路還是干嘛。。。。交流電用4個(gè)二極管搞成直流再鋁解電容不就行了嗎？？，要兩個(gè)3級(jí)管搞什么，那兩個(gè)是什么管啊呀
2023-04-04 11:30:22
硅二極管的死區(qū)電壓和導(dǎo)通電壓分別為多少？反向飽和電流為多少數(shù)量級(jí)？
2023-03-31 11:45:58
清洗過程在半導(dǎo)體制造過程中，在技術(shù)上和經(jīng)濟(jì)上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實(shí)現(xiàn)無顆粒、無金屬雜質(zhì)、無有機(jī)、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充電、無氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質(zhì)和有機(jī)物三類。
2023-03-31 10:56:19314 
在整個(gè)晶圓加工過程中，仔細(xì)維護(hù)清潔的晶圓表面對于在半導(dǎo)體器件制造中獲得高產(chǎn)量至關(guān)重要。因此，濕式化學(xué)清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應(yīng)用最重復(fù)的處理步驟。
2023-03-30 10:00:091940 
由于PCB布局問題或需要對電路進(jìn)行修改，有時(shí)需要切斷PCB表面上的走線。在這個(gè)過程中，一小節(jié)線路被移除，從而在電路中形成一個(gè) "斷點(diǎn)"。
2023-03-29 10:12:272842 大銅面等。大家知道沒有被防焊油墨覆蓋，則會(huì)露出銅面，而銅是很容易氧化的，所以表面處理的第一個(gè)目的就是在銅面上覆蓋一層延緩銅面氧化的物質(zhì)，比如錫、金、銀、抗氧化膜等。
2023-03-24 16:59:47732 
大銅面等。大家知道沒有被防焊油墨覆蓋，則會(huì)露出銅面，而銅是很容易氧化的，所以表面處理的第一個(gè)目的就是 在銅面上覆蓋一層延緩銅面氧化的物質(zhì) ，比如錫、金、銀、抗氧化膜等。而這些物質(zhì)的第二個(gè)作用就是要能很
2023-03-24 16:59:21
大銅面等。大家知道沒有被防焊油墨覆蓋，則會(huì)露出銅面，而銅是很容易氧化的，所以表面處理的第一個(gè)目的就是 在銅面上覆蓋一層延緩銅面氧化的物質(zhì) ，比如錫、金、銀、抗氧化膜等。而這些物質(zhì)的第二個(gè)作用就是要能很
2023-03-24 16:58:06
的過零點(diǎn)，然后延時(shí)一定時(shí)間后，輸出一個(gè)脈沖，使可控硅導(dǎo)通。 延時(shí)時(shí)間越長，導(dǎo)通時(shí)間越短，輸出電壓越低?！ ?.電路設(shè)計(jì) 首先過零檢測電路如下。原理比較簡單，由一個(gè)整流橋和光耦組成。 輸出波形
2023-03-23 15:19:30
為什么在直流穩(wěn)壓電源中，不選可控硅降壓電路，而選擇降壓變壓器呢？
2023-03-23 09:48:42
請問一下可控硅調(diào)壓器輸出可以接入隔離變壓器嗎？
2023-03-23 09:38:46
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