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65W氮化鎵Switch底座擴展塢方案
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298氮化鎵充電器理到底有哪些黑科技
對于近幾年的電子產品來說，隨著充電技術的普及，快速充電技術在各種電子設備上得到了普及。我們經常在智能手機上看到40W快充、65W快充等字樣。充電環節中最重要的充電器，氮化鎵充電器也逐漸進入了我們的視線。那么氮化鎵到底是什么？
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417用于USB PD的65W有源鉗位反激式適配器方案
? 輸入電壓：90VAC到264 VAC的交流，47Hz到63Hz? 輸出電壓：Type-C輸出5 VDC-20 VDC? 輸出功率：最大65W? 效率：滿足CoC Tier 2和DoE 6級效率
2023-09-08 06:06:00
氮化鎵芯片未來會取代硅芯片嗎？
。
與硅芯片相比：
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然 GaN 似乎是一個更好的選擇，但它
2023-08-21 17:06:18
Switch游戲機Type-C底座方案
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2023-07-20 11:01:52
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2023-07-05 15:38:22
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2023-07-05 15:24:23
硬核拆解 | 拓爾微65W 2C1A氮化鎵多口快充
拓爾微電子自有品牌65W 2C1A氮化鎵快充，內置協議芯片和降壓轉換器均為自家解決方案——IM2403、IM2406、TMI2286D，支持多種快速充電協議，兼容性強，可滿足各類設備的充電需求，且具備多種保護功能。
2023-06-25 15:03:38863
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有關氮化鎵半導體的常見錯誤觀念
功率密度計算解決方案實現高功率密度和高效率。
誤解2：氮化鎵技術不可靠
氮化鎵器件自2010年初開始量產，而且在實驗室測試和大批量客戶應用中,氮化鎵器件展現出具備極高的穩健性。EPC器件已經通過數千億個
2023-06-25 14:17:47
實現更小、更輕、更平穩的電機驅動器的氮化鎵器件
，因此預期EMI相同。在基于氮化鎵器件的100 kHz 解決方案中，輸出電流紋波降低，而電機的電流具有更好的正弦形狀。
圖 5：帶有 LC 輸入濾波器的傳統逆變器，PWM = 20 kHz、DT
2023-06-25 13:58:54
拆解報告：橙果65W 2C1A氮化鎵充電器
前言
橙果電子是一家專業的電源適配器，快充電源和氮化鎵充電器的制造商，公司具有標準無塵生產車間，為客戶進行一站式服務。充電頭網拿到了橙果電子推出的一款2C1A氮化鎵充電器，總輸出功率為65W，單口
2023-06-16 14:05:50
什么是氮化鎵功率芯片？
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
為什么氮化鎵比硅更好？
超低的電阻和電容，開關速度可提高一百倍。
為了充分利用氮化鎵功率芯片的能力，電路的其他部分也必須在更高的頻率下有效運行。近年加入控制芯片之后，氮化鎵充電器的開關頻率，已經從 65-100kHz，提高到
2023-06-15 15:53:16
氮化鎵: 歷史與未來
(86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術才得以出現。作為一種化合物，氮化鎵的熔點超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
為什么氮化鎵(GaN)很重要？
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統的硅技術相比，不僅性能優異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中，傳統硅器件在能量轉換方面，已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
什么是氮化鎵（GaN）？
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵功率芯片如何在高頻下實現更高的效率？
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
氮化鎵功率芯片的優勢
時間。
更加環保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上，基于氮化鎵的充電器，從制造和運輸環節產生的碳足跡，只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
誰發明了氮化鎵功率芯片？
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發的。納微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08
什么是氮化鎵功率芯片？
包含關鍵的驅動、邏輯、保護和電源功能，消除了傳統半橋解決方案中相關的能量損失、成本過高和設計復雜的問題。
納微推出的世界上首款氮化鎵功率芯片同時能提供高頻率和高效率，實現了電力電子領域的高速革命
2023-06-15 14:17:56
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2023-06-01 17:40:20
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拆解：魅族PANDAER 67W氮化鎵變速箱潮充采用智融SW3516P/SW2325!性能強悍！
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供應XPD938B 65W和65W以內A+C雙口協議芯片，是深圳富滿微電子代理商 ，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-04-24 13:41:42
XPD938A 65W和65W以內多口快充協議雙口充電芯片-富滿XPD938
供應XPD938A 65W和65W以內多口快充協議雙口充電芯片，提供富滿XPD938關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-04-24 11:44:32
XPD938 65W和65W以內共享1A 1C方案-xpd938系列規格書
供應XPD938，提供XPD93865W和65W以內共享1A1C方案和xpd938系列規格書，更多產品手冊、應用料資請向富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-04-24 11:38:033
3XPD938 65W和65W以內A+C共享電源方案-xpd938應用電路
供應XPD938芯片，提供XPD938 65W和65W以內A+C共享電源方案 ，更多xpd938應用電路產品手冊、應用料資請向富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-04-24 11:25:55
什么是65W(1A2C)PD快充方案？
當今移動設備的電池壽命越來越受到關注，越來越多的用戶開始重視快速充電技術。65W（1A2C)PD快充方案是一種頗具競爭力的快速充電方案，能夠快速充電移動設備，提高用戶的使用體驗。
2023-04-23 15:46:247365
736565W氮化鎵（1A2C） PD快充電源方案
、筆記本電腦、路由器等數碼產品中。基于氮化鎵功率器件，研發出的快充電源方案，可以為手機、平板電腦、筆記本電腦等提供更高的充電功率，極大提升充電體驗。本文介紹了一款65W氮化鎵（1A2C） PD快充電源方案，該方案采用功成半導體最新
2023-04-21 11:00:201613
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65W氮化鎵（GaN)充電頭PD快充方案
65W快充是目前快充市場出貨的主流規格；氮化鎵具有高可靠性，能夠承受短時間過壓；將GaN用于充電器的整流管后，能降低開關損耗和驅動損耗，提升開關頻率，附帶地降低廢熱的產生，進而減小元器件的體積同時能提高效率。
2023-04-20 09:40:201226
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小型多口65W快充頭GaN-TurnKey方案強勢上線
的65W及以下的充電市場份額。你還在苦哈哈地開發產品嗎？是否還在組建團隊研發氮化鎵方案？也或者在為調紋波、降溫升、優化效率嘔心瀝血？NO~~~！它肯定是你苦尋已久、踏破鐵鞋而不得的終極2C1A雙65W氮化鎵P
2023-04-12 17:34:59440
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愛美雅推出M版多協議兼容65W氮化鎵快充頭方案
愛美雅）將隆重推出M版多協議兼容65W氮化鎵快充頭方案，目前已與國內通信龍頭及國內一線零售品牌建立了合作關系，未來這款2C1A的氮化鎵GaN快充頭將卷入65W及45W以下的多口充電需求。
2023-04-11 16:21:36557
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65W氮化鎵（1A2C）PD快充電源方案
電路設計，滿足了二次降壓多口輸出的充電器需求。愛美雅推出的 65W 氮化鎵快充，提供了周全的解決方案，為快充頭用戶帶來了新的選擇。
2023-04-07 10:59:141224
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65W-1A2C接口氮化鎵(GaN)PD快充電源方案
1A2C-65W氮化鎵（GaN）快充方案，快充方案支持90~264V寬輸入電壓，輸出支持5V/3A，9V/3A，12V/3A，15V/3A，20V/3.25A，內置MGZ31N65-650V氮化鎵開關管；采用PD3.0協議IC。
2023-04-07 09:37:16570
570SW1106集成氮化鎵直驅的高頻準諧振模式反激控制器
，可直接用于驅動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優化 EMI 性能；當負載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優化輕載效率，空載待機功耗
2023-03-28 10:31:57
集成氮化鎵直驅的高頻準諧振模式反激控制器
電壓，可直接用于驅動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優化 EMI 性能；當負載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優化輕載效率，空載待機
2023-03-28 10:24:46
工商網監
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