摘要：功率半導體器件已廣泛應用于多個戰略新興產業，而散熱問題是影響其性能、可靠性和壽命的關鍵因素之一。氮化鋁粉體具有高熱導率等優點，被廣泛認為是用于制備半導體功率器件用陶瓷基板的優良材料。本文檢索
2024-03-06 08:09:08
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蝕刻時間和過氧化氫濃度對ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術。使用射頻濺射設備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過氧化氫（H2O2
2024-02-02 17:56:45306 
氮化鎵是一種化合物，化學式為GaN，由鎵（Ga）和氮（N）兩種元素組成。它是一種化合物晶體，由原子晶體構成。 氮化鎵具有堅硬的晶體結構和優異的物理化學性質，是一種重要的半導體材料。它具有寬帶
2024-01-10 10:23:011041 的生產首先需要準備好所需的原材料。氮化鎵是由高純度金屬鎵和氮氣通過化學氣相沉積（CVD）或分子束外延（MBE）等方法制備而成。高純度金屬鎵用于制備Ga熱源，而氮氣則用于形成氮化反應。此外，還需要購買其他輔助材料，例如基
2024-01-10 10:09:41501 氮化鎵是一種半導體材料，由氮氣和金屬鎵反應得到。它具有優異的光電特性和熱穩定性，因此在電子器件、光電器件、化學傳感器等領域有著廣泛的應用。本文將從氮化鎵的制備方法、特性、應用等方面進行詳細介紹
2024-01-10 10:06:30195 氮化鎵是一種無機化合物，化學式為GaN，它由鎵和氮元素組成。氮化鎵具有許多重要的物理和化學性質，使其在科學研究和工業應用領域中具有廣泛的應用。 氮化鎵是一種具有低能隙的半導體材料，其晶體結構屬于
2024-01-10 10:05:09346 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結構和原理。 一、氮化鎵功率器件結構 氮化鎵功率器件的主要結構是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41667 氮化鋁（AlN）以其超寬禁帶寬度（~6.2 eV）和直接帶隙結構，與氧化鎵、氮化硼、金剛石等半導體材料被并稱為超寬禁帶半導體，與氮化鎵、碳化硅等第三代半導體材料相比具有更優異的耐高壓高溫、抗輻照性能。
2024-01-08 09:38:38183 
材料不同。傳統的硅半導體芯片是以硅為基材，采用不同的工藝在硅上加工制造，而氮化鎵半導體芯片則是以氮化鎵為基材，通過化學氣相沉積、分子束外延等工藝制備。氮化鎵是一種全化合物半導體材料，具有較寬的能隙，電子遷移率高以及較高的飽
2023-12-27 14:58:24424 基于GaN的高電子遷移率，晶體管，憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度，應用于高頻放大器和高壓功率開關中。就器件制造而言，GaN的相關材料，如AlGaN，憑借其物理和化學穩定性，為等離子體蝕刻
2023-12-13 09:51:24294 
按工藝要求排放出部分比重高的溶液經分析后補加氯化銨和氨的水溶液，使蝕刻液的比重調整到工藝充許的范圍。
2023-12-06 15:01:46285 GaN和InGaN基化合物半導體和其他III族氮化物已經成功地用于實現藍-綠光發光二極管和藍光激光二極管。由于它們優異的化學和熱穩定性，在沒有其它輔助的情況下，在GaN和InGaN基材料上的濕法蝕刻是困難的，并且導致低的蝕刻速率和各向同性的蝕刻輪廓。
2023-12-05 14:00:22220 
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導體最近被深入研究。為了實現GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術至關重要。目前英思特已經嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39259 
由于其獨特的材料特性，III族氮化物半導體廣泛應用于電力、高頻電子和固態照明等領域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關蝕刻已經被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結構。
2023-11-30 09:01:58166 
氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設備市場得到廣泛應用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅動器和氮化鎵開關管整合到一個...
2023-11-24 16:49:22350 ，雖然已經發現KOH基溶液可以蝕刻AlN和InAlN，但是之前還沒有發現能夠蝕刻高質量GaN的酸或堿溶液。在本文中，英思特通過使用乙二醇而不是水作為KOH和NaOH的溶劑，開發了一種將晶體表面蝕刻為III族氮化物的兩步法。
2023-11-24 14:10:30241 
氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優異的物理和化學性能，廣泛應用于電子、通訊、能源等領域。下面我們將詳細介紹氮化鎵的提取過程
2023-11-24 11:15:20719 什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化
2023-11-24 11:05:11822 氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質制造的芯片，它被廣泛應用于高功率和高頻率應用領域，如通信、雷達、衛星通信、微波射頻等領域。與傳統的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:302310 蝕刻設備的結構及不同成分的蝕刻液都會對蝕刻因子或側蝕度產生影響，或者用樂觀的話來說，可以對其進行控制。采用某些添加劑可以降低側蝕度。這些添加劑的化學成分一般屬于商業秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設備的結構問題，后面的章節將專門討論。
2023-11-14 15:23:10217 亞甲藍溶液測試儀是一種用于檢測密封性的重要工具，通過負壓法來評估容器或管道的密封性能。該儀器利用真空泵將亞甲藍溶液抽入測試室，然后將測試室密封，觀察測試室內的壓力變化情況來確定密封性能的好壞。本文將
2023-10-18 16:43:33
蝕刻液的化學成分的組成：蝕刻液的化學組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數可達3.5-4。而正處在開發階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達到幾乎沒有側蝕問題，蝕刻后的導線側壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結構，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實現藍光發光二極管(led)的主導材料。由于GaN的高化學穩定性，在室溫下用濕法化學蝕刻來蝕刻或圖案化GaN是非常困難的。與濕法
2023-10-12 14:11:32244 
腐蝕pcb板的溶液按抗蝕層類型與生產條件而選擇：有酸性氯化銅、堿性氯化銅、三氯化鐵、硫酸與過氧化氫、過硫酸鹽等多種。下面捷多邦小編和大家介紹一下腐蝕pcb板的溶液的一些知識。 三氯化鐵的蝕刻液是銅箔
2023-10-08 09:50:22734 GaN及相關合金可用于制造藍色/綠色/紫外線發射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學蝕刻結果有限，因此人們投入了大量精力來開發干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發一開始集中于臺面結構，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項。PCB打樣中，在銅箔部分預鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學方法腐蝕，稱為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30669 氮化鎵是一種無機物質，化學式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種具有直接帶隙的半導體。自1990年起常用于發光二極管。這種化合物的結構與纖鋅礦相似，硬度非常高。氮化鎵具有3.4電子伏特的寬能隙，可用
2023-09-13 16:41:45859 要注意的是，蝕刻時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。
2023-09-07 14:41:12474 
捷多邦氧化鋁陶瓷基板：電子封裝材料的新選擇
2023-09-06 10:16:59331 氧化鋁陶瓷基板：5G時代的材料革命
2023-09-06 10:15:18377 在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內層蝕刻工藝，可以參閱內層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:57811 
我們華林科納通過光學反射光譜半實時地原位監測用有機堿性溶液的濕法蝕刻，以實現用于線波導的氫化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性結構產生的各向同性蝕刻導致表面
2023-08-22 16:06:56239 
2000 年代初就已開始，但 GaN 晶體管仍處于起步階段。 毫無疑問，它們將在未來十年內取代功率應用中的硅晶體管，但距離用于數據處理應用還很遠。
Keep Tops氮化鎵有什么好處？
氮化鎵的出現
2023-08-21 17:06:18
、化學、建材、研究所、大學等行業單位品管檢測之用。-70℃可程式恒溫恒濕試驗箱主要技術參數：型號：TH-80/120/150/225/408/800/1000H（M、
2023-08-21 15:13:32
氮化鋁基板具有低缺陷密度、高紫外線透明度和低雜質濃度、超寬帶差距及高熱傳導效率，對uvc led及電力配件等產業非常有魅力。根據目前uvc紫外線led的需求，4英寸基板的使用率超過80%。
2023-08-16 11:08:29603 半導體蝕刻設備是半導體製造過程中使用的設備。 化學溶液通過將晶片浸入化學溶液（蝕刻劑）中來選擇性地去除半導體晶片的特定層或區域，化學溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319 PCB蝕刻工藝中的“水池效應”現象，通常發生在頂部，這種現象會導致大尺寸PCB整個板面具有不同的蝕刻質量。
2023-08-10 18:25:431013 氧化鋁陶瓷基材 機械強度高，絕緣性好，和耐光性.它已廣泛應用于多層布線陶瓷基板、 電子封裝 和 高密度封裝基板 。 1. 氧化鋁陶瓷基板的晶體結構、分類及性能 氧化鋁有許多均勻的晶體
2023-08-02 17:02:46752 
刻蝕和蝕刻實質上是同一過程的不同稱呼，常常用來描述在材料表面上進行化學或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過程。在半導體制造中，這個過程常常用于雕刻芯片上的細微結構。
2023-07-28 15:16:594140 氮化鋁（AlN）具有優良的物理化學特性以及與標準CMOS晶硅技術的兼容性，且在多方面性能上優于氧化鋅（ZnO）和鋯鈦酸鉛（PZT），因此成為最受關注的壓電材料之一。
2023-07-28 11:33:32587 
電源模塊是電子設備中用于提供穩定電壓和電流的關鍵組件，在現代電子設備中起著至關重要的作用，而高效能量轉換是實現可持續和高性能電源的關鍵。本文介紹了一種基于斯利通氮化鋁陶瓷電路板的先進電源模塊技術
2023-07-27 16:22:10287 蝕刻是一種從材料上去除的過程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
40多年來，設計和制造傳統混合電路的首選基板一直是氧化鋁。它提供了正確電路操作所需的機械強度、電阻率和熱性能。然而，在過去幾年中，我們經歷了混合技術向具有高度復雜、密集電路配置的電子設備的轉變，
2023-07-13 17:02:32506 
蝕刻是一種從材料上去除的過程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190 
電源模塊在現代電子設備中起著至關重要的作用，而高效能量轉換是實現可持續和高性能電源的關鍵。本文介紹了一種基于斯利通氮化鋁陶瓷電路板的先進電源模塊技術，通過優異的熱傳導性能和電氣絕緣特性，實現了高效能量轉換。文章將詳細討論該電源模塊的設計原理、制造工藝以及性能評估結果。
2023-07-10 15:05:35258 氮化硅是一種半導體材料。氮化硅具有優異的熱穩定性、機械性能和化學穩定性，被廣泛應用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙（大約3.2電子伏特），并可通過摻雜來調節其導電性能，因此被視為一種重要的半導體材料。
2023-07-06 15:44:433823 氮化鋁具有較高的熱導性，比氮化硅高得多。這使得氮化鋁在高溫環境中可以更有效地傳導熱量。
2023-07-06 15:41:231061 氧化鋁本身具有較低的導電性能。純凈的氧化鋁是一種絕緣材料，不具備良好的電導性。這是因為氧化鋁在晶體結構中具有高度的離子性，其結構中的氧離子和鋁離子之間形成了穩定的離子鍵，使得電子難以自由傳導。
2023-07-05 16:33:292025 氧化鋁是一種化學化合物，由鋁和氧元素組成，化學式為Al2O3。它是一種非導電的陶瓷材料，具有高熔點、高硬度和優異的耐腐蝕性。氧化鋁廣泛應用于陶瓷制品、磨料、催化劑、絕緣材料等領域。在工業上，氧化鋁常用于制備金屬鋁的原料。
2023-07-05 16:30:154542 氧化鋁陶瓷通常以基體中氧化鋁的含量來分類，例如一般把氧化鋁含量在99%、95%、90%左右的依次稱為“99瓷”、“95瓷”和“90瓷”。按顏色可分為白色、紫色、黑色氧化鋁等。
2023-07-04 10:01:15852 
氮化鋁陶瓷（AlN）因其優越的熱、電性能，已成為電力電子器件如絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊的理想基板材料。本文對其應用于IGBT模塊的研究進行深入探討。
2023-07-01 11:08:40580 
都使用Cl基蝕刻化學物質。當在等離子體放電中分解時，CCl為還原物質提供了來源，并用于去除表面氧化物和Cl，與下面的Al反應。
2023-06-27 13:24:11318 
CMOS和MEMS制造技術，允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實用性。這種化學性質非常有用，但是當存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學也會有問題。
2023-06-26 13:32:441053 
基于具有規則六邊形孔的納米圖案化氮化鋁AlN/藍寶石模板，藍寶石氮化預處理和解理面的有序橫向生長，保證了離散的氮化鋁AlN柱，以均勻的面外和面內取向結合，有效地抑制了凝聚過程中穿透位錯threading dislocations的再生。
2023-06-25 16:26:11359 
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術，可實現更高的效率、顯著減小系統尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現的性能。那么，為什么關于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關于氮化鎵技術
2023-06-25 14:17:47
氮化鋁陶瓷基板的導熱系數在170-230 W/mK之間，是氧化鋁陶瓷和硅基陶瓷的2-3倍，是鈦基板的10-20倍。這種高導熱系數的優異性能是由于氮化鋁陶瓷基板的結構和化學成分決定的。其晶粒尺寸、晶格
2023-06-19 17:02:27510 通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
1MHz 以上。新的控制器正在開發中。微控制器和數字信號處理器（DSP），也可以用來實現目前軟開關電路拓撲結構，而目前廣泛采用的、為1-2 MHz范圍優化的磁性材料，已經可被使用了。
氮化鎵功率芯片
2023-06-15 15:53:16
，以及基于硅的 “偏轉晶體管 “屏幕產品的消亡。
因此，氮化鎵是我們在電視、手機、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術。在光子學方面，氮化鎵還被用于藍光激光技術（最明顯
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統的硅技術相比，不僅性能優異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中，傳統硅器件在能量轉換方面，已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
，是氮化鎵功率芯片發展的關鍵人物。
首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業生涯中，長期擔任副總裁及更高級別的管理職位，并領導研發工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
。常用的陶瓷基材料包括氧化鋁、氮化鋁、氧化鋯、ZTA、氮化硅、碳化硅等。FR線路板是指以環氧玻璃纖維布作為主要材料的線路。那么，陶瓷線路板與普通PCB板材區別在哪？
一、陶瓷基板與pcb板的區別
1、材料
2023-06-06 14:41:30
氮化鎵用途有哪些 氮化鎵是一種半導體材料，具有優良的電學和光學性質，因此廣泛用于以下領域： 1. 發光二極管(LED)：氮化鎵是LED的主要工藝材料之一，可用于制造藍、綠、白光LED，廣泛應用于照明
2023-06-02 15:34:467182 氮化鋁為大功率半導體優選基板材料。氧化鈹（BeO）、氧化鋁（Al2O3）、 氮化鋁（AlN）和氮化硅（Si3N4）4 種材料是已經投入生產應用的主要陶瓷基板 材料，其中氧化鋁技術成熟度最高、綜合性能好、性價比高，是功率器件最為常用 的陶瓷基板，市占率達 80%以上。
2023-05-31 15:58:35876 
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實質上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵（GaN）設備，通常會導致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
納米片工藝流程中最關鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學。優化內部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結構的一種非常有用的技術。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發現了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數據，提出了一種預測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導體晶體，也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅硬的材料;其原子的化學鍵是高度離子化的氮化鎵化學鍵，該化學鍵產生的能隙達到3.4 電子伏特。
2023-05-26 10:10:41758 
微孔利用光和物質的相互作用來獲得獨特的性質，特別是，當用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時，金屬微孔結構表現出強烈的共振。然而，用于制造微孔的技術是耗時的，并且需要昂貴的設備和專業人員。因此，英思特開發了一種通過濕化學蝕刻硅襯底來制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51846 
休斯頓大學研究團隊之前開發出了III-N壓電傳感器，該傳感器由單晶氮化鎵薄膜制成，但在溫度高于350℃時，其靈敏度會降低。
2023-05-25 12:49:19362 ? ? 傳感新品 【美國休斯頓大學：開發出一種新型氮化鋁傳感器，并證實其可以在高達900℃的高溫下工作】 航空航天、能源、運輸和國防等關鍵行業需要能在極端環境下工作的傳感器，以測量和監測多種
2023-05-23 08:39:45596 
蝕刻可能是濕制程階段最復雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩定，蝕刻率就會變化，因而影響產品質量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻化學，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:484917 ，且熱膨脹不匹配導致的高熱應力會導致永久的結構層面的機械故障。AlN的熔點高達2500℃，可用作高溫耐熱材料。同時，氮化鋁的熱膨脹系數(CTE,4.5×10–6/℃)相對較低，接近于Si及SiC，能夠提供更好的熱可靠性。因此，基于氮化鋁陶瓷芯片級封裝的超高溫(500℃以上)微電子器件成為有效方案。
2023-05-17 15:34:32418 
拋光硅晶片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經準備好為設備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
以上這些問題和挑戰，對于氮化鋁陶瓷的應用和發展都是有一定影響的，但隨著斯利通技術的不斷進步，相信這些問題都可以得到逐步解決。
2023-05-11 17:35:22768 探討這個問題前，我們先來了解下什么是99%氧化鋁陶瓷：99.6%的氧化鋁陶瓷是一種高純度、高硬度、高溫度抗性和高耐腐蝕性的工程陶瓷材料，其中氧化鋁含量高達99.6%以上。它具有良好的物理、化學
2023-05-11 11:02:13955 
隨著新能源汽車的快速發展。陶瓷基板，特別是氮化鋁陶瓷基板作為絕緣導熱材料得到了很大的應用。目前市場以170w/m.k的材料為主，價格很貴，堪稱陶瓷界的皇冠。而120-130w/m.k的價格就要實惠
2023-05-07 13:13:16408 
導熱填料顧名思義就是添加在基體材料中用來增加材料導熱系數的填料，常用的導熱填料有氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氮化鋁、氮化硼、碳化硅等；其中，尤以微米級氧化鋁、硅微粉為主體，納米氧化鋁，氮化物做為高導熱
2023-05-05 14:04:03984 
隨著新能源汽車的快速發展。陶瓷基板，特別是氮化鋁陶瓷基板作為絕緣導熱材料得到了很大的應用。目前市場以170w/m.k的材料為主，價格很貴，堪稱陶瓷界的皇冠。而120-130w/m.k的價格就要實惠很多。那他們的散熱表現差別有多少？先說結論：差別很小，考慮裝配應用等因素外，基本可以忽略。
2023-05-04 12:11:36301 
[技術領域] 本實用新型涉及半導體制造技術領域，具體地說是一種酸性化學品供應控制系 統。 由于半導體行業中芯片生產線的工作對象是硅晶片，而能在硅晶片上蝕刻圖形 以及清洗硅晶片上的雜質、微粒子的化學
2023-04-20 13:57:0074 氧化鋁陶瓷基片作為一種基板材料廣泛應用于射頻微波電子行業，其介電常數高可使電路小型化，其熱穩定性好溫漂小，基片強度及化學穩定性高，性能優于其他大部分氧化物材料，可應用于各類厚膜電路、薄膜電路、混合電路、微波組件模塊等。
2023-04-19 16:14:48602 書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：HQ2和HF溶液循環處理 編號：JFKJ-21-213 作者：炬豐科技 摘要 采用原子顯微鏡研究了濕法化學處理過程中的表面形貌。在SC-1清洗過程中，硅表面
2023-04-19 10:01:00129 
目前，常用電子封裝陶瓷基片材料包括氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）、氧化鈹（BeO）、碳化硅（SiC）等。那么，誰才是最有發展前途的封裝材料呢？
2023-04-13 10:44:04801 干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 濕法蝕刻工藝的原理是使用化學溶液將固體材料轉化為液體化合物。選擇性非常高
2023-04-10 17:26:10453 
PCB制作中干膜和濕膜可能會帶來哪些品質不良的問題？以及問題如何解決呢？
2023-04-06 15:51:01
清洗過程在半導體制造過程中，在技術上和經濟上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實現無顆粒、無金屬雜質、無有機、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充電、無氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質和有機物三類。
2023-03-31 10:56:19314 
氧化鋁有許多同質異晶體，例如α-Al2o3、β-Al2o3、γ-Al2o3等，其中以α-Al2o3的穩定性較高，其晶體結構緊密、物理性能與化學性能穩定，具有密度與機械強度較高的優勢，在工業中的應用也較多。
2023-03-30 14:10:221079 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 調溫調濕箱全名“恒溫恒濕試驗箱”是航空、汽車、家電、科研等領域必備的測試設備，用于測試和確定電工、電子及其他產品及材料進行高溫、低溫、濕熱度或恒定試驗的溫度環境變化后的參數及性能，它主要用于根據試驗
2023-03-28 09:02:36
在濕蝕刻的情況下，隨著SiNx/SiOy層的厚度減小，剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌，蝕刻溶液對孔的滲透變得更具挑戰性。
2023-03-27 10:17:49402 
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