深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司，技術(shù)骨干來(lái)自清華大學(xué)和韓國(guó)延世大學(xué)，掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件國(guó)際領(lǐng)先的工藝，和第五代超快恢復(fù)功率二極管技術(shù)。薩科微slkor（www.slkormicro.com
2024-03-15 11:22:07
領(lǐng)帶，這可是當(dāng)年半導(dǎo)體弄潮兒的標(biāo)配。
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仙童(Fairchild)讓你感慨IC業(yè)的歷史
集成電路史上最著名的10個(gè)人
于是，第一個(gè)半導(dǎo)體時(shí)代誕生了——集成器件制造商時(shí)代
2024-03-13 16:52:37
刻蝕機(jī)的刻蝕過(guò)程和傳統(tǒng)的雕刻類似，先用光刻技術(shù)將圖形形狀和尺寸制成掩膜，再將掩膜與待加工物料模組裝好，將樣品置于刻蝕室內(nèi)，通過(guò)化學(xué)腐蝕或物理磨蝕等方式將待加工物料表面的非掩膜區(qū)域刻蝕掉，以得到所需的凹槽和溝槽。
2024-03-11 15:38:24
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負(fù)責(zé)監(jiān)管藍(lán)牙技術(shù)的行業(yè)協(xié)會(huì)藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟（SIG）近日發(fā)布了中文版市場(chǎng)研究報(bào)告《環(huán)境物聯(lián)網(wǎng)：一種新型藍(lán)牙物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備》，深入分析了這種新型物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備。
2024-03-11 15:08:54284 
想問(wèn)一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺(tái)有沒(méi)有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
該環(huán)境物聯(lián)網(wǎng)研究報(bào)告預(yù)測(cè)了物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展演變和市場(chǎng)增長(zhǎng)趨勢(shì) ? 北京， 2024 年 3 月 6 日 ——負(fù)責(zé)監(jiān)管藍(lán)牙技術(shù)的行業(yè)協(xié)會(huì)藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟（SIG）近日發(fā)布了中文版市場(chǎng)研究報(bào)告《環(huán)境物聯(lián)網(wǎng)：一種
2024-03-06 11:07:2487 
國(guó)內(nèi)券商華泰證券也在研究報(bào)告中提出，中國(guó)市場(chǎng)、人工智能和汽車電動(dòng)化是投資日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的三大潛力領(lǐng)域。今年以來(lái)，日本半導(dǎo)體板塊總市值已上升14.3%，設(shè)備板塊升幅更達(dá)23.5%，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)東證指數(shù)的增長(zhǎng)率10.9%。
2024-02-28 09:51:06113 服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)l AEC-Q101分立器件認(rèn)證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
AEC-Q101認(rèn)證試驗(yàn)廣電計(jì)量在SiC第三代半導(dǎo)體器件的AEC-Q認(rèn)證上具有豐富的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)，為您提供專業(yè)可靠的AEC-Q101認(rèn)證服務(wù)，同時(shí)，我們也開(kāi)展了間歇工作壽命（IOL）、HAST
2024-01-29 21:35:04
在半導(dǎo)體加工工藝中，常聽(tīng)到的兩個(gè)詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching)，它們像倆兄弟一樣，一前一后的出現(xiàn)，有著千絲萬(wàn)縷的聯(lián)系，這一節(jié)介紹半導(dǎo)體刻蝕工藝。
2024-01-26 10:01:58548 
設(shè)備和技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的微縮與先進(jìn)技術(shù)的開(kāi)發(fā)。隨著半導(dǎo)體器件尺寸縮減、工藝復(fù)雜程度提升，制造工藝中刻蝕工藝波動(dòng)的影響將變得明顯。刻蝕終點(diǎn)探測(cè)用于確定刻蝕工藝是否完成、且沒(méi)有剩余材料可供刻蝕。這類終點(diǎn)探測(cè)有助于最大限度地減少刻蝕速率波動(dòng)的影響。 刻蝕終點(diǎn)探測(cè)需要在刻蝕工藝中進(jìn)
2024-01-19 16:02:42128 
智程半導(dǎo)體自2009年起致力于半導(dǎo)體濕法工藝設(shè)備研究、生產(chǎn)與銷售事業(yè)，10余載研發(fā)歷程，使得其已成為全球頂尖的半導(dǎo)體濕法設(shè)備供應(yīng)商。業(yè)務(wù)范圍包括清洗、去膠、濕法刻蝕、電鍍、涂膠顯影、金屬剝離等多種設(shè)備，廣泛應(yīng)用于各種高尖端產(chǎn)品領(lǐng)域。
2024-01-12 14:55:23636 在紅外探測(cè)器的制造技術(shù)中，臺(tái)面刻蝕是完成器件電學(xué)隔離的必要環(huán)節(jié)。
2024-01-08 10:11:01206 
半導(dǎo)體放電管是一種采用半導(dǎo)體工藝制成的PNPN結(jié)四層結(jié)構(gòu)器件，其伏安特性與晶閘管類似，具有典型的開(kāi)關(guān)特性。當(dāng)浪涌電壓超過(guò)轉(zhuǎn)折的電壓VBO時(shí)，器件被導(dǎo)通，這時(shí)它呈現(xiàn)一般PN結(jié)二極管的正向電壓降（VF
2024-01-04 16:52:07
半導(dǎo)體設(shè)備主要應(yīng)用于集成電路的制造和封測(cè)環(huán)節(jié)，可細(xì)分為晶圓制造設(shè)備(前道設(shè)備）和封裝、測(cè)試設(shè)備（后道設(shè)備)。其中，前道設(shè)備主要有光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備、離子注入機(jī)、CMP設(shè)備、清洗機(jī)、前道檢測(cè)設(shè)備和氧化退火設(shè)備，后道設(shè)備主要分為測(cè)試設(shè)備和封裝設(shè)備。
2023-12-27 10:57:48281 
“時(shí)間就是金錢”這句話在半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)測(cè)試中尤為貼切。
2023-12-25 17:21:03286 
轉(zhuǎn)自：存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟 2023年11月30日， 存 儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院聯(lián)合發(fā)布《分布式融合存儲(chǔ)研究報(bào)告（2023）》，詳細(xì)闡釋分布式融合存儲(chǔ)概念和技術(shù)要求
2023-12-21 18:05:01270 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《瑞納斯半導(dǎo)體可靠性報(bào)告.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-19 15:22:00
1 世界各國(guó)不僅把6G作為構(gòu)筑未來(lái)數(shù)字經(jīng)濟(jì)與社會(huì)發(fā)展的重要基石，也將其視為國(guó)家間前沿科技競(jìng)爭(zhēng)的制高點(diǎn)。全球主要國(guó)家的多。個(gè)研究機(jī)構(gòu)和聯(lián)盟組織相繼發(fā)布了6G總體愿景、技術(shù)趨勢(shì)、網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)等方面的白皮書(shū)和研究報(bào)告，陳述各國(guó)發(fā)展6G的宏偉愿景與技術(shù)思考。
2023-12-19 11:23:36151 
12月14日，第三代半導(dǎo)體行家極光獎(jiǎng)在深圳重磅揭曉，派恩杰半導(dǎo)體榮膺“中國(guó)SiC器件Fabless十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)。
2023-12-15 10:57:45466 半導(dǎo)體行業(yè)是現(xiàn)代電子信息技術(shù)的基礎(chǔ)，隨著科技的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體制造技術(shù)也在不斷進(jìn)步。在這個(gè)過(guò)程中，各種新型材料和技術(shù)不斷涌現(xiàn)，為半導(dǎo)體制造提供了更多可能性。PFA花籃作為一種高性能材料，在半導(dǎo)體行業(yè)中具有廣泛的應(yīng)用前景。本文將重點(diǎn)探討PFA花籃在半導(dǎo)體行業(yè)中的應(yīng)用及其優(yōu)勢(shì)。
2023-12-14 12:03:40356 半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
2023-12-14 09:25:09451 ，半導(dǎo)體器件在制造和組裝過(guò)程中會(huì)發(fā)生靜電感應(yīng)，當(dāng)導(dǎo)線接地時(shí)，內(nèi)部電場(chǎng)將發(fā)生巨大變化，放電電流將流過(guò)電路，從而導(dǎo)致靜電擊穿。
對(duì)于這種靜電損壞的半導(dǎo)體器件非常嚴(yán)重，請(qǐng)確保在釋放電流之前，清除這些靜電荷
2023-12-12 17:18:54
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2023-12-11 11:19:3514 該專利詳細(xì)闡述了一種針對(duì)含硅有機(jī)介電層的高效刻蝕方法及相應(yīng)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備。它主要涉及到通過(guò)交替運(yùn)用至少兩個(gè)刻蝕步驟來(lái)刻蝕含硅有機(jī)介電層。這兩個(gè)步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。
2023-12-06 11:58:16370 
W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體，并通過(guò)加入N2以增加對(duì)光刻膠的選擇比，加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步，第一步是快速均勻地刻掉大部分W，第二步則降低刻蝕速率減弱負(fù)載效應(yīng)，避免產(chǎn)生凹坑，并使用對(duì)TiN有高選擇比的化學(xué)氣體進(jìn)行刻蝕。
2023-12-06 09:38:531536 功率半導(dǎo)體冷知識(shí)：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 
功率半導(dǎo)體器件，以前也被稱為電力電子器件，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是進(jìn)行功率處理的，具有處理高電壓，大電流能力的半導(dǎo)體器件。典型的功率處理，包括變頻、變壓、變流、功率管理等等。早期的功率半導(dǎo)體器件：大功率二極管
2023-12-03 16:33:191139 
按施敏教授的觀點(diǎn)，半導(dǎo)體器件有四個(gè)最基本的結(jié)構(gòu)單元：金半接觸、PN結(jié)、異質(zhì)結(jié)、MOS結(jié)構(gòu)。所有的半導(dǎo)體器件都可以看作是這四種基本結(jié)構(gòu)的組合，比如BJT由兩個(gè)背靠背的PN結(jié)構(gòu)成，MOSFET由MOS結(jié)構(gòu)和兩對(duì)PN結(jié)構(gòu)成。
2023-11-30 15:56:171035 
電力半導(dǎo)體器件是進(jìn)行電力變換和控制的大功率器件。 可直接用于處理電能的主電路中，實(shí)現(xiàn)電能的變換或控制的電子器件。主要用于整流器、逆變器、斬波器、交流調(diào)壓器等方面，廣泛用于工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)、國(guó)防、交通等各個(gè)領(lǐng)域。
2023-11-28 09:54:16399 
半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形
2023-11-27 16:54:26256 
半導(dǎo)體器件擊穿機(jī)理分析及設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
2023-11-23 17:38:36474 
半導(dǎo)體分立器件是電子元器件中的重要組成部分，它們?cè)陔娮釉O(shè)備中發(fā)揮著重要的作用。本文將介紹半導(dǎo)體分立器件的基本概念、分類、應(yīng)用和發(fā)展趨勢(shì)。
2023-11-23 10:12:56794 
半導(dǎo)體器件為什么要有襯底及外延層之分呢？外延層的存在有何意義？ 半導(dǎo)體器件往往由襯底和外延層組成，這兩個(gè)部分在制造過(guò)程中起著重要的作用，并且在器件的性能和功能方面具有重要意義。 首先，襯底是半導(dǎo)體
2023-11-22 17:21:281509 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《工業(yè)控制系統(tǒng)及其安全性研究報(bào)告.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-16 14:29:130 半導(dǎo)體的電導(dǎo)率直接影響著半導(dǎo)體器件的工作狀態(tài)，是半導(dǎo)體材料的重要參數(shù)。因此，半導(dǎo)體電導(dǎo)率的檢測(cè)也是半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，確保半導(dǎo)體器件的性能、穩(wěn)定性和可靠性。
2023-11-13 16:10:291089 在電子工程和微電子技術(shù)的世界里，半導(dǎo)體器件建模是一個(gè)核心概念。它涉及對(duì)半導(dǎo)體器件如晶體管、二極管等的電氣行為進(jìn)行數(shù)學(xué)和物理描述。這一過(guò)程對(duì)于設(shè)計(jì)高效、可靠的電子設(shè)備至關(guān)重要。本文旨在深入探討半導(dǎo)體器件建模的概念、其重要性以及在現(xiàn)代技術(shù)中的應(yīng)用。
2023-11-13 10:48:27515 
半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件與集成電路的基礎(chǔ)電子材料。隨著技術(shù)的發(fā)展以及市場(chǎng)要求的不斷提高，對(duì)于半導(dǎo)體材料的要求也越來(lái)越高。因此對(duì)于半導(dǎo)體材料的測(cè)試要求和準(zhǔn)確性也隨之提高，防止由于其缺陷和特性而影響半導(dǎo)體器件的性能。
2023-11-10 16:02:30690 電子電力器件又稱為功率半導(dǎo)體器件，在世界上已經(jīng)得到了極為廣泛的運(yùn)用，主要是作為開(kāi)關(guān)和放大器來(lái)使用。它出現(xiàn)在社會(huì)生活中的各個(gè)方面，如醫(yī)療、教育、能源、環(huán)境和航空航天，甚至涉及到了現(xiàn)代化國(guó)防武器裝備
2023-11-10 10:15:031967 
一、功率器件在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的位置功率半導(dǎo)體器件，簡(jiǎn)稱功率器件，又稱電力電子器件，屬于半導(dǎo)體產(chǎn)品中的分立器件。功率集成電路也就是如下圖的【功率IC】，典型產(chǎn)品有【電源管理芯片】和【各類驅(qū)動(dòng)芯片
2023-11-08 17:10:15823 
艾瑞咨詢：2023年中國(guó)家用智能照明行業(yè)研究報(bào)告
2023-11-07 16:37:390 半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
2023-11-02 10:29:34807 半導(dǎo)體行業(yè)是現(xiàn)代電子技術(shù)的關(guān)鍵領(lǐng)域，半導(dǎo)體制造過(guò)程中的熱處理是確保半導(dǎo)體器件性能和可靠性的重要步驟之一。熱處理設(shè)備在半導(dǎo)體工廠中扮演著關(guān)鍵角色，用于控制材料的結(jié)構(gòu)和性能，確保半導(dǎo)體器件的質(zhì)量。本文將探討半導(dǎo)體行業(yè)常用的熱處理設(shè)備，以及它們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體生產(chǎn)中的作用和重要性。
2023-10-26 08:51:381498 
如今，半導(dǎo)體元器件已成為電子應(yīng)用中不可或缺的一部分。半導(dǎo)體元器件的需求主要受生命周期較短的消費(fèi)電子影響。
2023-10-24 16:43:51604 功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別在于，其在設(shè)計(jì)的時(shí)候，需要多一塊區(qū)域，來(lái)承擔(dān)外加的電壓，如圖5所示，300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額外承擔(dān)高壓的部分。與沒(méi)有“N-drift”區(qū)的普通半導(dǎo)體器件[2]相比，明顯尺寸更大，這也是功率半導(dǎo)體器件的有點(diǎn)之一。
2023-10-18 11:16:21879 
一 F-200A-60V 半導(dǎo)體器件測(cè)試機(jī)專為以下測(cè)試需求研制： 二 技術(shù)參數(shù)
2023-10-12 15:38:30
英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686 
在半導(dǎo)體制造中，刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術(shù)各有優(yōu)勢(shì)，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關(guān)重要的。
2023-09-26 18:21:003305 
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開(kāi)關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體芯片的制作和半導(dǎo)體芯片封裝的詳細(xì)資料概述
2023-09-26 08:09:42
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說(shuō)“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見(jiàn)。
2023-09-24 17:42:03996 
在日常的電源設(shè)計(jì)中，半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的雪崩能力、VDS電壓降額設(shè)計(jì)是工程師不得不面對(duì)的問(wèn)題，本文旨在分析半導(dǎo)體器件擊穿原理、失效機(jī)制，以及在設(shè)計(jì)應(yīng)用中注意事項(xiàng)。
2023-09-19 11:44:382588 小片，以便進(jìn)行后續(xù)的制造和封裝過(guò)程。晶圓劃片工藝的應(yīng)用包括但不限于半導(dǎo)體材料、太陽(yáng)能電池、半導(dǎo)體器件、光學(xué)器件等。封裝劃片：在半導(dǎo)體封裝過(guò)程中，需要對(duì)封裝材料進(jìn)行
2023-09-18 17:06:19394 
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
2023-09-15 09:49:25891 近日，中國(guó)信息通信研究院在“2023 SecGo云和軟件安全大會(huì)”上發(fā)布了 《零信任發(fā)展研究報(bào)告（2023年）》 （以下簡(jiǎn)稱“報(bào)告”），全面介紹了在數(shù)字化轉(zhuǎn)型深化背景下，零信任如何解決企業(yè)面臨的安全
2023-09-06 10:10:01488 
調(diào)查結(jié)果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件，市場(chǎng)正在穩(wěn)步擴(kuò)大。
2023-09-04 15:13:24365 
CINNO Research發(fā)布研究報(bào)告稱，數(shù)據(jù)顯示，2023年1-6月中國(guó)(含中國(guó)臺(tái)灣)[半導(dǎo)體]項(xiàng)目投資金額約8553億人民幣，同比下滑22.7%，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍處于去庫(kù)存階段，無(wú)論是[MCU
2023-08-30 10:11:29
半導(dǎo)體器件中性能最好的是什么?? 半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電子技術(shù)中最為重要的組成部分之一，是連接芯片和外部電路的中間介質(zhì)。通常，半導(dǎo)體器件的性能被評(píng)價(jià)的標(biāo)準(zhǔn)是：最大電壓、最大電流、最高工作頻率、響應(yīng)速度
2023-08-29 16:19:29539 對(duì)于先通孔的過(guò)程，首先沉積通孔刻蝕停止層(ESL)的層間介質(zhì)(ILD)、低k電介質(zhì)、溝槽ESL、低k電介質(zhì)的和覆蓋層(下圖(a))。
2023-08-14 10:22:56910 
在半導(dǎo)體前端工藝第三篇中，我們了解了如何制作“餅干模具”。本期，我們就來(lái)講講如何采用這個(gè)“餅干模具”印出我們想要的“餅干”。這一步驟的重點(diǎn)，在于如何移除不需要的材料，即“刻蝕（Etching）工藝”。
2023-08-10 15:06:10506 功率半導(dǎo)體器件的高效率和能量轉(zhuǎn)換能力對(duì)節(jié)能和環(huán)保具有重要意義。論壇期間，中國(guó)電氣裝備集團(tuán)研究院電力電子器件專項(xiàng)負(fù)責(zé)人田鴻昌做了題為“碳化硅功率器件與新能源產(chǎn)業(yè)應(yīng)用”的主題報(bào)告，圍繞著“雙碳”目標(biāo)下新型電力系統(tǒng)的演進(jìn)和需求，分享了當(dāng)前寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的技術(shù)研究進(jìn)展與成果。
2023-08-08 15:59:27626 先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展，芯片集成度不斷提高，封裝尺寸越來(lái)越小，半導(dǎo)體器件面臨著更高的熱應(yīng)力挑戰(zhàn)。結(jié)溫過(guò)高不僅降低了器件的電氣性能，而且增加了金屬遷移率和其他退化變化，從而導(dǎo)致芯片老化加速、故障率
2023-08-07 15:18:381968 
半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料，是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路，促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會(huì)的飛速發(fā)展。
2023-08-07 10:22:031979 
佐思汽研發(fā)布了《2023年汽車車內(nèi)通信及網(wǎng)絡(luò)接口芯片行業(yè)研究報(bào)告》。 根據(jù)通信連接形態(tài)的不同，汽車通信應(yīng)用分為無(wú)線通信和有線通信。
2023-08-02 10:56:431401 
預(yù)登記展會(huì)領(lǐng)取門票還可以獲得由AIoT星圖研究院出品2023行業(yè)報(bào)告之《蜂窩物聯(lián)網(wǎng)系列之LTE Cat.1市場(chǎng)跟蹤調(diào)研報(bào)告》、《中國(guó)光伏物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)分析報(bào)告》、《2023中國(guó)智慧工地行業(yè)市場(chǎng)研究報(bào)告
2023-07-31 11:14:32525 
功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035061 
半導(dǎo)體功率
器件在全球
半導(dǎo)體市場(chǎng)中占有重要的位置，其在新能源、工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。然而，中國(guó)的
半導(dǎo)體功率
器件產(chǎn)業(yè)與全球領(lǐng)先的
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國(guó)家相比，還存在一定的差距。本文將探討中國(guó)的
半導(dǎo)體功率
器件產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀，與國(guó)際先進(jìn)水平的差距以及未來(lái)的發(fā)展?jié)摿Α?/div>
2023-07-19 10:31:11603 
自己的模板
研究 報(bào)告《 容、感、阻被動(dòng)元
器件市場(chǎng)
報(bào)告》，如需領(lǐng)取
報(bào)告，請(qǐng)關(guān)注公眾號(hào)，后臺(tái)回復(fù) ? 元
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2023-07-17 17:15:04246 
在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，每個(gè)半導(dǎo)體元件的產(chǎn)品都需要經(jīng)過(guò)數(shù)百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝，前道工藝是整個(gè)制造過(guò)程中最為重要的部分，它關(guān)系到半導(dǎo)體芯片的基本結(jié)構(gòu)和特性的形成，涉及晶圓制造、沉積、光刻、刻蝕等步驟，技術(shù)難點(diǎn)多，操作復(fù)雜。
2023-07-11 11:25:552897 
自1990年代末至2000年代初以來(lái)，有機(jī)半導(dǎo)體材料的研究引起了相關(guān)領(lǐng)域的高度關(guān)注，大大提高了實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中有機(jī)半導(dǎo)體器件的制造水平。目前，有機(jī)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域正在進(jìn)入商業(yè)化階段。
2023-06-30 14:51:032226 在前幾篇文章（點(diǎn)擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過(guò)程來(lái)形象地說(shuō)明半導(dǎo)體制程 。在上一篇我們說(shuō)到，為制作巧克力夾心，需通過(guò)“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，然后倒入巧克力糖漿，再蓋上一層餅干層。“倒入巧克力糖漿”和“蓋上餅干層”的過(guò)程在半導(dǎo)體制程中就相當(dāng)于“沉積工藝”。
2023-06-29 16:56:17830 
在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，每個(gè)半導(dǎo)體元件的產(chǎn)品都需要經(jīng)過(guò)數(shù)百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝，前道工藝是整個(gè)制造過(guò)程中最為重要的部分，它關(guān)系到半導(dǎo)體芯片的基本結(jié)構(gòu)和特性的形成，涉及晶圓制造、沉積、光刻、刻蝕等步驟，技術(shù)難點(diǎn)多，操作復(fù)雜。
2023-06-28 16:54:061259 
Dimension, CD)小型化(2D視角)，刻蝕工藝從濕法刻蝕轉(zhuǎn)為干法刻蝕，因此所需的設(shè)備和工藝更加復(fù)雜。由于積極采用3D單元堆疊方法，刻蝕工藝的核心性能指數(shù)出現(xiàn)波動(dòng)，從而刻蝕工藝與光刻工藝成為半導(dǎo)體制造的重要工藝流程之一。
2023-06-26 09:20:10816 
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說(shuō)“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見(jiàn)。
2023-06-15 17:51:571177 
技術(shù)的不斷提升，國(guó)內(nèi)的終端應(yīng)用客戶也更加趨向于實(shí)施國(guó)產(chǎn)化采購(gòu)，給國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體分立器件企業(yè)帶來(lái)更多的發(fā)展機(jī)遇。
根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)發(fā)布的《中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展?fàn)顩r報(bào)告》顯示，2019 年中國(guó)半導(dǎo)體分立
2023-05-26 14:24:29
功率半導(dǎo)體分立器件的應(yīng)用十分廣泛，幾乎覆蓋了所有的電子制造業(yè)，傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域包括消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)電機(jī)等。近年來(lái)，新能源汽車及充電系統(tǒng)、軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源發(fā)電、航空航天及武器裝備等也逐漸成為了功率半導(dǎo)體分立器件的新興應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-05-26 09:51:40573 半導(dǎo)體行業(yè)庫(kù)存壓力不斷上升。2022 年至 2023Q1 半導(dǎo)體行業(yè)整體出現(xiàn)庫(kù)存積壓 情況，存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)持續(xù)上升。以英特爾、臺(tái)積電、高通為例：英特爾、高通 2022 年存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)呈上升趨勢(shì)，2023Q1 均達(dá)到了十年以來(lái)的最高水平。
2023-05-22 15:42:40995 
本文以半導(dǎo)體封裝技術(shù)為研究對(duì)象，在論述半導(dǎo)體封裝技術(shù)及其重要作用的基礎(chǔ)上，探究了現(xiàn)階段半導(dǎo)體封裝技術(shù)的芯片保護(hù)、電氣功能實(shí)現(xiàn)、通用性、封裝界面標(biāo)準(zhǔn)化、散熱冷卻功能等諸多發(fā)展趨勢(shì)，深入研究了半導(dǎo)體前端
2023-05-16 10:06:00497 二極管半導(dǎo)體器件的應(yīng)用和參數(shù)對(duì)比NO.1二極管種類區(qū)別按操作特性進(jìn)行比較：器件結(jié)構(gòu)說(shuō)明對(duì)比：肖特基二極管由金屬與半導(dǎo)體結(jié)結(jié)形成。在電氣方面，它由多數(shù)載波進(jìn)行，具有較低的電流泄漏和正向偏置電壓(VF
2023-05-11 10:11:45221 
據(jù)統(tǒng)計(jì)，IGBT、MOS管、電源管理IC等在儲(chǔ)能逆變器里占比高、數(shù)量多，是必不可少的半導(dǎo)體器件。
2023-05-08 15:46:30862 
經(jīng)過(guò)氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝，晶圓表面會(huì)形成各種半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體制造商會(huì)讓晶圓表面布滿晶體管和電容（Capacitor）；
2023-04-28 10:04:52532 
郝躍院士長(zhǎng)期從事新型寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件、微納米半導(dǎo)體器件與高可靠集成電路等方面的科學(xué)研究與人才培養(yǎng)。在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導(dǎo)體功能材料和微波器件、半導(dǎo)體短波長(zhǎng)光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機(jī)理研究等方面取得了系統(tǒng)的創(chuàng)新成果。
2023-04-26 10:21:32718 意法半導(dǎo)體（ST）宣布與采埃孚科技集團(tuán)公司(ZF)簽署碳化硅器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。從 2025 年起，采埃孚將從意法半導(dǎo)體采購(gòu)碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51930 本篇要講的金屬布線工藝，與前面提到的光刻、刻蝕、沉積等獨(dú)立的工藝不同。在半導(dǎo)體制程中，光刻、刻蝕等工藝，其實(shí)是為了金屬布線才進(jìn)行的。在金屬布線過(guò)程中，會(huì)采用很多與之前的電子元器件層性質(zhì)不同的配線材料（金屬）。
2023-04-25 10:38:49986 
壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時(shí)也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會(huì)改變電子和離子的平均自由程(MFP),進(jìn)而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:431922 及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2021年我國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到3,229億元。就國(guó)內(nèi)市場(chǎng)而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 16:00:28
及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2021年我國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到3,229億元。就國(guó)內(nèi)市場(chǎng)而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 13:46:39
全國(guó)普通高校大學(xué)生計(jì)算機(jī)類競(jìng)賽研究報(bào)告鏈接：https://mp.weixin.qq.com/s/bdcp-wGqvXY_8DPzn8dhKw各高校在計(jì)算機(jī)類競(jìng)賽中的表現(xiàn)情況是評(píng)估相關(guān)高校計(jì)算機(jī)
2023-04-10 10:16:15
金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制，防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時(shí)鋁中如果 有少量銅就會(huì)引起殘余物問(wèn)題，因?yàn)镃u Cl2的揮發(fā)性極低且會(huì)停留在晶圓表面。
2023-04-10 09:40:542330 DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162198 行業(yè)知名專家學(xué)者、企業(yè)家做主題演講和行業(yè)分析報(bào)告，并由協(xié)會(huì)秘書(shū)處做協(xié)會(huì)年度工作總結(jié)報(bào)告，共同探討新形勢(shì)下深圳集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與機(jī)遇。在這場(chǎng)深圳市半導(dǎo)體行業(yè)的年度交流盛會(huì)中，協(xié)會(huì)秘書(shū)處在會(huì)上進(jìn)行了協(xié)會(huì)
2023-04-03 15:28:32
半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到129\.1億美元。到 2029 年。晶圓清洗是在不影響半導(dǎo)體表面質(zhì)量的情況下去除顆粒或污染物的過(guò)程。器件表面晶圓上的污染物和顆粒雜質(zhì)對(duì)器件的性能和可靠性有重大影響。本報(bào)告側(cè)重于半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng)的不同部分（產(chǎn)品、晶圓尺寸、技術(shù)、操作模式、應(yīng)用和區(qū)域）。
2023-04-03 09:47:511643 
半導(dǎo)體器件制造是一個(gè)復(fù)雜的多步驟過(guò)程, 包括晶圓制備、前道工序（FEOL）和后道工序（BEOL）。 半導(dǎo)體制造商為了提高良率，在晶圓制備、FEOL和BEOL中引入一系列檢測(cè)過(guò)程，利用紅外相機(jī)檢測(cè)
2023-03-31 07:44:34396 
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