發展到以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代以及以氧化鎵、氮化鋁為代表的第四代半導體。目前以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體器件正發展得如火如荼，在商業化道路上高歌猛進。 ? 與此同時，第四代半導體材料的研究也頻頻取得
2023-04-02 01:53:36
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想問一下，半導體設備需要用到溫度傳感器的有那些設備，比如探針臺有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
半導體材料是一種電子能級介于導體材料和絕緣體材料之間的材料，在固體物質中具有特殊的電導特性。在半導體材料中，電子的能帶結構決定了電子的運動方式，從而決定了電子導電性質的特點。 常見的半導體材料包括
2024-02-04 09:46:07456 第二代半導體材料以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表。第三代半導體材料主 要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、硒化鋅（ZnSe）等，因其禁帶寬度較大，又被 稱為寬禁帶半導體材料。
2024-01-23 10:06:04258 
電子科技領域中，半導體襯底作為基礎材料，承載著整個電路的運行。隨著技術的不斷發展，對半導體襯底材料的選擇和應用要求也越來越高。本文將為您詳細介紹半導體襯底材料的選擇、分類以及襯底與外延的搭配方案。
2024-01-20 10:49:54474 半導體材料是指在溫度較低且電流較小的條件下，電阻率介于導體和絕緣體之間的材料。半導體材料在電子器件中具有廣泛的應用，如集成電路、太陽能電池、發光二極管等。其中，硅和二氧化硅是半導體材料中最常見的兩種
2024-01-17 15:25:12508 第三代半導體性能優越，應用場景更廣。半導體材料作為電子信息技術發展的 基礎，經歷了數代的更迭。隨著應用場景提出更高的要求，以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三代半導體材料逐漸進入產業化加速放量階段。相較
2024-01-16 10:48:49314 
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
氮化鎵不是充電器類型，而是一種化合物。 氮化鎵（GaN）是一種重要的半導體材料，具有優異的電學和光學特性。近年來，氮化鎵材料在充電器領域得到了廣泛的應用和研究。本文將從氮化鎵的基本特性、充電器的需求
2024-01-10 10:20:29255 氮化鎵（GaN）是一種重要的寬禁帶半導體材料，其結構具有許多獨特的性質和應用。本文將詳細介紹氮化鎵的結構、制備方法、物理性質和應用領域。 結構： 氮化鎵是由鎵（Ga）和氮（N）元素組成的化合物
2024-01-10 10:18:33568 、應用領域等方面。 背景介紹: 硅基氮化鎵集成電路芯片是在半導體領域中的一項重要研究課題。隨著智能手機、物聯網和人工智能等技術的快速發展，對高性能、高頻率、高可靠性集成電路芯片的需求日益增長。然而，傳統的硅基材料在高
2024-01-10 10:14:58226 氮化鎵芯片（GaN芯片）是一種新型的半導體材料，在目前的電子設備中逐漸得到應用。它以其優異的性能和特點備受研究人員的關注和追捧。在現代科技的進步中，氮化鎵芯片的研發過程至關重要。下面將詳細介紹氮化
2024-01-10 10:11:39264 氮化鎵半導體并不屬于金屬材料，它屬于半導體材料。為了滿足你的要求，我將詳細介紹氮化鎵半導體的性質、制備方法、應用領域以及未來發展方向等方面的內容。 氮化鎵半導體的性質 氮化鎵（GaN）是一種
2024-01-10 09:27:32396 氮化鎵半導體芯片（GaN芯片）和傳統的硅半導體芯片在組成材料、性能特點、應用領域等方面存在著明顯的區別。本文將從這幾個方面進行詳細介紹。 首先，氮化鎵半導體芯片和傳統的硅半導體芯片的組成材料
2023-12-27 14:58:24424 氮化鎵半導體和碳化硅半導體是兩種主要的寬禁帶半導體材料，在諸多方面都有明顯的區別。本文將詳盡、詳實、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學性能以及應用領域等方面的差異。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:18326 來了解一下氮化鎵開關管的基本結構。它由氮化鎵（GaN）和鋁鎵氮化物（AlGaN）等半導體材料組成，這些材料具有優異的電特性，能夠實現高電壓、高頻率和高功率的開關操作。而四個電極則起到了不同的作用。 首先是柵極（G）：柵極是氮化鎵開關管的控制電極，通過
2023-12-27 14:39:18356 常見的半導體材料有哪些？具備什么特點？ 常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵、磷化銦、碲化鎘等。它們具備許多特點，包括導電性能、能隙、熱穩定性、光電性質等方面的特點。 首先，導電性能是半導體材料的重要
2023-12-25 14:04:48492 據晶湛半導體消息，晶湛半導體業界公認的硅氮化鎵（e -on-si）外延技術開拓者程凱博士將于2012年3月回國創業。國際先進的氮化鎵外延材料開發和產業化基地
2023-12-11 14:32:04227 電子發燒友網報道（文/劉靜）12月6日，半導體材料領域又一家優秀的國產企業在科創板成功上市。作為一家半導體材料商，江蘇艾森半導體材料股份有限公司（以下簡稱：艾森半導體）自2010年成立以來，抓住
2023-12-07 00:11:002226 
要聊的就是這個特殊的材料——半導體。半導體幾乎撐起了現代電子技術的全部，二極管，晶體管以及IC都是由半導體材料制成。在可預見的未來，它們是大多數電子系統的關鍵元件，服務于消費和工業市場的通信、信號處理、計算和控制應用。
2023-12-06 10:12:34599 
半導體材料是半導體產業的核心，它是制造電子和計算機芯片的基礎。半導體材料的種類繁多，不同的材料具有不同的特性和用途。本文將介紹現代半導體產業中常用的半導體材料。 一、硅(Si) 硅是最常見的半導體
2023-11-29 10:22:17517 
盡管有這些優點，但是砷化鎵材料仍不能取代硅材料進而變成主流的半導體材料。原因在于我們必須要在實際的材料性能和加工難度這兩個關鍵因素之間進行權衡。
2023-11-27 10:09:10247 
氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優異的物理和化學性能，廣泛應用于電子、通訊、能源等領域。下面我們將詳細介紹氮化鎵的提取過程
2023-11-24 11:15:20719 鍺和硅是兩種基本的半導體。世界上第一個晶體管是由鍺材料制成的，作為固態電路時代的最初的一個標志。
2023-11-20 10:10:51311 
氮化鎵材料定義：氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導體材料。 氮化鎵材料為第三代半導體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新型材料。
2023-11-14 11:03:10217 
本征態的半導體材料在制作固態器件時是無用的，因為它沒有自由移動的電子或者空穴，所以不能導電。
2023-11-13 09:38:21278 
半導體材料是制作半導體器件與集成電路的基礎電子材料。隨著技術的發展以及市場要求的不斷提高，對于半導體材料的要求也越來越高。因此對于半導體材料的測試要求和準確性也隨之提高，防止由于其缺陷和特性而影響半導體器件的性能。
2023-11-10 16:02:30690 GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料。上次帶大家了解了它的基礎特性：氮化鎵（GAN)具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學
2023-11-09 11:43:53434 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導體材料，由于其獨特的性質和廣泛的應用，已經成為了微電子和光電子領域的重要材料之一。下面將詳細介紹氮化鎵的性質和用途。
2023-11-08 15:59:36215 點擊上方 “泰克科技” 關注我們！ 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于 2.3eV 的半導體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最為常見，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，這些半導體材料也稱為第三代
2023-11-03 12:10:02273 
氮化鎵（GaN）被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導體材料之后的第三代半導體材料，今天金譽半導體帶大家來簡單了解一下，這個材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:12663 
半導體材料具有一些與我們已知的導體、絕緣體完全不同的電學、化學和物理特性，正是由于這些特點，使得半導體器件和電路具有獨特的功能。在接下來的半導體材料的特性這一期中，我們將對這些性質進行深入的探討，并將它們與原子的基礎、固體的電分類以及什么是本征和摻雜半導體等一系列關鍵性的問題共同做一個介紹。
2023-11-03 10:24:30427 
，已得到廣泛應用 ;而以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石等寬禁帶為代表的第3代半導體材料，由于其較第1代、第2代材料具有明顯的優勢，近年來得到了快速發展。
2023-10-25 15:10:27278 
近年來，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導體材料成為全球半導體市場熱點之一。
2023-10-16 14:45:06694 隨著科技的不斷進步，電力電子領域正在發生著深刻的變化。在這個變化中，第三代半導體氮化鎵（GaN）技術成為了焦點，其對于充電器的性能和效率都帶來了革命性的影響。
在傳統的硅基材料中，電力電子器件
2023-10-11 16:30:48250 將詳細討論半導體材料的壓阻效應，包括其起源、機制、應用和未來研究方向。 一、壓阻效應的起源 壓阻效應是指半導體材料在外力或應力作用下，導電性能的變化。它最早被發現于20世紀60年代，當時主要研究的對象是Ge和Si等材料。
2023-09-19 15:56:551582 在上周的推文中，我們回顧了半導體材料發展的前兩個階段：以硅(Si)和鍺(Ge)為代表的第一代和以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的第二代。（了解更多 - 泛林小課堂 | 半導體材料“家族史”大揭秘（上））
2023-09-14 12:19:11843 氮化鎵是一種無機物質，化學式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種具有直接帶隙的半導體。自1990年起常用于發光二極管。這種化合物的結構與纖鋅礦相似，硬度非常高。氮化鎵具有3.4電子伏特的寬能隙，可用
2023-09-13 16:41:45859 材料領域中，第一代、第二代、第三代沒有“一代更比一代好”的說法。氮化鎵、碳化硅等材料在國外一般稱為寬禁帶半導體。 將氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其混晶材料制成氮化物半導體，或將氮化鎵、砷化鎵、磷化銦制成
2023-09-12 16:19:271932 
半導體( semiconductor)，指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料，常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等。
2023-09-11 17:33:001013 氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導體材料
?氮化鎵材料為第三代半導體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新型材料
2023-09-04 10:16:40541 
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
半導體材料作為半導體產業鏈上游的重要環節，在芯片的生產制造過程中起到關鍵性作用。根據芯片制造過程劃分，半導體材料主要分為基體材料、制造材料和封裝材料。其中，基體材料主要用來制造硅晶圓或化合物半導體
2023-08-14 11:31:471207 第三代半導體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料，用于高壓、高溫、高頻場景。廣泛應用于新能源汽車、光伏、工控等領域。因此第三代半導體研究主要是集中在材料特征研究，本文主要是研究碳化硅的產業結構。
2023-08-11 10:17:54915 
先楫半導體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
半導體材料是制作半導體器件和集成電路的電子材料，是半導體工業的基礎。利用半導體材料制作的各種各樣的半導體器件和集成電路，促進了現代信息社會的飛速發展。
2023-08-07 10:22:031979 
以氮化鎵（GaN）為代表的一系列具有纖鋅礦結構的氮化物半導體是直接帶隙半導體材料，其組成的二元混晶或三元混晶在室溫下禁帶寬度從0.7 eV到6.28 eV連續可調，是制備藍綠光波段光電器件的優選材料。
2023-08-04 11:47:57742 
半導體材料PCT老化試驗箱產品用途： 半導體材料PCT老化試驗箱特點：1．圓幅內襯，不銹鋼圓幅型內襯設計，可避免蒸氣潛熱直接沖擊試品。2．實驗開始前之真空動作可將原來箱內之空氣抽出并吸入
2023-07-18 10:37:12
第一代半導體材料以錯和硅為主。
2023-07-17 11:22:381242 氮化硅是一種半導體材料。氮化硅具有優異的熱穩定性、機械性能和化學穩定性，被廣泛應用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙（大約3.2電子伏特），并可通過摻雜來調節其導電性能，因此被視為一種重要的半導體材料。
2023-07-06 15:44:433823 眾所周知，鎵、鍺是半導體應用中非常重要的材料。
2023-07-06 10:05:1912561 材料如氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）逐漸嶄露頭角。這些新型半導體材料在射頻和功率應用中的性能優勢，正在促使它們的市場份額穩步增長。
2023-07-05 10:26:131322 
集成電路產業鏈包括設計、制造和封測等關鍵步驟，其中半導體材料是集成電路上游關鍵原材料，按用途可分為晶圓制造材料和封裝材料。
2023-07-03 10:50:4421213 
自1990年代末至2000年代初以來，有機半導體材料的研究引起了相關領域的高度關注，大大提高了實驗室環境中有機半導體器件的制造水平。目前，有機半導體器件領域正在進入商業化階段。
2023-06-30 14:51:032226 氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術，可實現更高的效率、顯著減小系統尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現的性能。那么，為什么關于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關于氮化鎵技術
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關性能，有助消除死區時間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
GaN功率半導體與高頻生態系統(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半導體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半導體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
GaNFast功率半導體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
2C1A二合一氮化鎵超極充、綠聯140W 2C1A氮化鎵充電器，英集芯的其它系列快充芯片已被小米、華為、三星等大品牌的產品使用，性能質量獲得客戶的高度認可。
輸出VBUS開關管均來自威兆半導體
2023-06-16 14:05:50
納維半導體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應用示例：高密度手機充電器?應用實例：高性能電機驅動器?應用示例；高功率開關電源?結論
2023-06-16 10:09:51
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
的存在。1875年，德布瓦博德蘭（Paul-émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被發現鎵，并以他祖國法國的拉丁語 Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點只有30
2023-06-15 15:50:54
的設計和集成度，已經被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統的硅基器件要低10倍。據估計，如果全球采用硅芯片器件的數據中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數據中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發的。納微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08
行業標準，成為落地量產設計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統性能的關鍵，是創造出接近“理想開關”的電路構件，即一個能將最小能量的數字信號，轉化為無損功率傳輸的電路構件。
納微半導體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
、新能源汽車、智能電網、5G通信射頻等市場的發展，具有較大的發展前景；從分立器件原材料看，隨著氮化鎵和碳化硅等第三代半導體材料的應用，半導體分立器件市場逐步向高端應用市場推進。隨著我國分立器件企業產品
2023-05-26 14:24:29
有機半導體材料可廣泛應用于OLED、OPVC或OFET中，為開發具有優異光電性能的新型有機半導體材料，需要深入研究有機半導體材料的分子結構與性能之間的關系。
2023-05-23 14:17:12887 
所謂第三代半導體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料，又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AIN）、氧化鋅（ZnO）和金剛石等，其中
2023-05-18 10:57:361018 （SiC）、氮化鎵（GaN）為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。什么是寬禁帶？物質的導電需要
2023-05-06 10:31:461675 
半導體迄今為止共經歷了三個發展階段：第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN
2023-05-05 17:46:226173 
郝躍院士長期從事新型寬禁帶半導體材料和器件、微納米半導體器件與高可靠集成電路等方面的科學研究與人才培養。在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導體功能材料和微波器件、半導體短波長光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機理研究等方面取得了系統的創新成果。
2023-04-26 10:21:32718 及前瞻產業研究院數據，預計2021年我國半導體分立器件市場規模將達到3,229億元。就國內市場而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產品大部分已實現國產化，而MOSFET、IGBT等分立器件產品由于其
2023-04-14 13:46:39
高頻、高壓的氮化鎵+低壓硅系統控制器的戰略性集成， 實現易用、高效、可快速充電的電源系統 美國加利福尼亞州托倫斯，2023年3月20日訊 —— 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率
2023-03-28 13:54:32723 
氮化鎵（GaN）作為第三代半導體材料，在電力電子器件、大功率射頻器件、短波長光電器件以及5G通訊等領域具有硅半導體無法比擬的優勢。然而，散熱問題是制約其發展和應用的瓶頸。通常氮化鎵需要氮化鋁（AlN）作為過渡層連接到具有高導熱系數的襯底上。
2023-03-24 10:37:04570
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