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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>通過臭氧微氣泡進(jìn)行半導(dǎo)體晶圓的光刻膠去除實(shí)驗(yàn)

通過臭氧微氣泡進(jìn)行半導(dǎo)體晶圓的光刻膠去除實(shí)驗(yàn)

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關(guān)于光刻膠的關(guān)鍵參數(shù)介紹

與正光刻膠相比,電子束負(fù)光刻膠會(huì)形成相反的圖案。基于聚合物的負(fù)型光刻膠會(huì)在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解,而曝光的光刻膠則保留下來,從而形成負(fù)像。
2024-03-20 11:36:50197

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WD4000國產(chǎn)幾何形貌量測(cè)設(shè)備通過非接觸測(cè)量,將的三維形貌進(jìn)行重建,強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算厚度,TTV、BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止產(chǎn)生劃痕缺陷。可實(shí)現(xiàn)砷化鎵
2024-03-15 09:22:08

半導(dǎo)體發(fā)展的四個(gè)時(shí)代

的那樣,半導(dǎo)體行業(yè)第四個(gè)時(shí)代的主旨就是合作。讓我們來仔細(xì)看看這個(gè)演講的內(nèi)容。 半導(dǎo)體的第一個(gè)時(shí)代——IDM 最初,晶體管是在貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明的,緊接著,德州儀器 (TI)做出了第一個(gè)集成電路。當(dāng)仙童
2024-03-13 16:52:37

關(guān)于半導(dǎo)體設(shè)備

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2024-03-08 17:04:59

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在曝光過程中,掩模版與涂覆有光刻膠的硅片直接接觸。接觸式光刻機(jī)的縮放比為1:1,分辨率可達(dá)到4-5微米。由于掩模和光刻膠膜層反復(fù)接觸和分離,隨著曝光次數(shù)的增加,會(huì)引起掩模版和光刻膠膜層損壞、芯片良率下降等不良后果。
2024-03-08 10:42:3788

一文解析半導(dǎo)體設(shè)計(jì)電路的“光刻工藝”

利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化,從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上,從而使薄片具有電子線路圖的作用。
2024-03-06 14:28:5062

光刻膠光刻機(jī)的區(qū)別

光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料,可以通過光刻機(jī)上的模板或掩模來進(jìn)行曝光。
2024-03-04 17:19:18399

如何在芯片中減少光刻膠的使用量

光刻膠不能太厚或太薄,需要按制程需求來定。比如對(duì)于需要長時(shí)間蝕刻以形成深孔的應(yīng)用場(chǎng)景,較厚的光刻膠層能提供更長的耐蝕刻時(shí)間。
2024-03-04 10:49:16131

無圖幾何形貌測(cè)量系統(tǒng)

WD4000無圖幾何形貌測(cè)量系統(tǒng)是通過非接觸測(cè)量,將的三維形貌進(jìn)行重建,強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算厚度,TTV,BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止產(chǎn)生劃痕缺陷。可兼容不同材質(zhì)
2024-02-21 13:50:34

納微半導(dǎo)體與欣銳科技聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室揭牌

納微半導(dǎo)體,作為全球唯一全面專注于下一代功率半導(dǎo)體公司,氮化鎵和碳化硅功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者,近日宣布與深圳欣銳科技股份有限公司聯(lián)合打造的新型研發(fā)實(shí)驗(yàn)室正式揭牌。這一合作旨在加速全球新能源汽車的第三代半導(dǎo)體應(yīng)用發(fā)展。
2024-01-30 11:08:20312

瑞紅集成電路高端光刻膠總部落戶吳中

據(jù)吳中發(fā)布的最新消息,簽約項(xiàng)目涵蓋了瑞紅集成電路高端光刻膠總部項(xiàng)目,該項(xiàng)投資高達(dá)15億元,旨在新建半導(dǎo)體光刻膠及其配套試劑的生產(chǎn)基地。
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2023年中國光刻膠行業(yè)市場(chǎng)前景及投資研究報(bào)告

光刻膠又稱光致抗蝕劑,是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料,是半導(dǎo)體制造中使用的核心電子材料之一。伴隨著晶圓制造規(guī)模持續(xù)提升,中國有望承接半導(dǎo)體
2024-01-19 08:31:24340

無圖幾何形貌測(cè)量設(shè)備

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2024-01-09 09:08:07

光刻膠分類與市場(chǎng)結(jié)構(gòu)

光刻膠主要下游應(yīng)用包括:顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導(dǎo)體制造等,其中顯示屏是光刻膠最大的下游應(yīng)用,占比30%。光刻膠半導(dǎo)體制造應(yīng)用占比24%,是第三達(dá)應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-01-03 18:12:21346

半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)分析

后,這些芯片也將被同時(shí)加工出來。 材料介質(zhì)層參見圖3,芯片布圖上的每一層圖案用不同顏色標(biāo)示。對(duì)應(yīng)每一層的圖案,制造過程會(huì)在硅上制做出一層由半導(dǎo)體材料或介質(zhì)構(gòu)成的圖形。本文把這些圖形層稱之為材料介質(zhì)
2024-01-02 17:08:51

全球光刻膠市場(chǎng)預(yù)計(jì)收入下滑,2024年有望反彈

所謂的“光刻膠”,即是在紫外線、電子束等輻射下,其溶解度會(huì)產(chǎn)生變化的耐腐蝕薄膜材料。作為光刻工藝中的關(guān)鍵要素,廣泛應(yīng)用于晶圓和分立器件的精細(xì)圖案制作中。其品種繁多,此次漲價(jià)涉及的KrF 光刻膠則屬高級(jí)別光刻膠,將成為各廠商關(guān)注的焦點(diǎn)。
2023-12-28 11:14:34379

半導(dǎo)體制冷技術(shù)在實(shí)驗(yàn)室儀器中的應(yīng)用簡(jiǎn)介

內(nèi)部或外部環(huán)境的溫度在特定范圍內(nèi),以滿足實(shí)驗(yàn)的要求。實(shí)驗(yàn)室中有許多儀器和設(shè)備可以利用半導(dǎo)體制冷技術(shù)來實(shí)現(xiàn)溫度控制和冷卻。以下是一些常見的可應(yīng)用半導(dǎo)體制冷技術(shù)實(shí)現(xiàn)溫控
2023-12-28 10:28:16374

TC wafer 測(cè)溫系統(tǒng)廣泛應(yīng)用半導(dǎo)體上 支持定制

TC-Wafer是將高精度溫度傳感器鑲嵌在表面,對(duì)表面的溫度進(jìn)行實(shí)時(shí)測(cè)量。通過的測(cè)溫點(diǎn)了解特定位置的真實(shí)溫度,以及圓整體的溫度分布,同還可以監(jiān)控半導(dǎo)體設(shè)備控溫過程中發(fā)生的溫度
2023-12-21 08:58:53

勻膠速度影響光刻膠的哪些性質(zhì)?

勻膠是光刻中比較重要的一步,而旋涂速度是勻膠中至關(guān)重要的參數(shù),那么我們?cè)趧蚰z時(shí),是如何確定勻膠速度呢?它影響光刻膠的哪些性質(zhì)?
2023-12-15 09:35:56442

光刻膠價(jià)格上漲,韓國半導(dǎo)體公司壓力增大

光刻膠類別的多樣化,此次漲價(jià)案所涉KrF光刻膠屬于高階防護(hù)用品,也是未來各地廠家的競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)。當(dāng)前市場(chǎng)中,光刻膠主要由東京大賀工業(yè)、杜邦、JSR、信越化學(xué)、住友化學(xué)及東進(jìn)半導(dǎo)體等大型制造商掌控。
2023-12-14 15:20:36408

哪些因素會(huì)給半導(dǎo)體器件帶來靜電呢?

。目前,凱仕德離子風(fēng)機(jī),離子風(fēng)棒,凱仕德空間離子棒具有很好的去除工業(yè)靜電的作用,已應(yīng)用于大多數(shù)半導(dǎo)體生產(chǎn)中。
2023-12-12 17:18:54

萬潤股份在半導(dǎo)體制造材料領(lǐng)域穩(wěn)步推進(jìn),涉足光刻膠單體、PI等業(yè)務(wù)

近期,萬潤股份在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)透露,其“年產(chǎn)65噸半導(dǎo)體用光刻膠樹脂系列”項(xiàng)目已經(jīng)順利投入運(yùn)營。該項(xiàng)目旨在為客戶提供專業(yè)的半導(dǎo)體用光刻膠樹脂類材料。
2023-12-12 14:02:58328

測(cè)溫系統(tǒng)tc wafer表面溫度均勻性測(cè)溫

測(cè)溫系統(tǒng)tc wafer表面溫度均勻性測(cè)溫表面溫度均勻性測(cè)試的重要性及方法        在半導(dǎo)體制造過程中,的表面溫度均勻性是一個(gè)重要的參數(shù)
2023-12-04 11:36:42

半導(dǎo)體制造之光刻工藝講解

光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化,從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上,從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:241334

[半導(dǎo)體前端工藝:第三篇] 光刻——半導(dǎo)體電路的繪制

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2023-11-29 11:25:52242

光刻膠國內(nèi)市場(chǎng)及國產(chǎn)化率詳解

KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進(jìn)行光刻光刻膠。248nmKrF光刻技術(shù)已廣 泛應(yīng)用于0.13μm工藝的生產(chǎn)中,主要應(yīng)用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產(chǎn)中。
2023-11-29 10:28:50283

韓國SKMP開發(fā)出高厚度KrF光刻膠,可助力3D NAND閃存制造

 據(jù)悉,skmp開發(fā)的新型KrF光刻膠的厚度為14至15米,與東進(jìn)半導(dǎo)體(DONGJIN SEMICHEM)向三星提供的產(chǎn)品相似。日本jsr公司的類似產(chǎn)品厚度只有10微米。
2023-11-29 10:02:52258

不僅需要***,更需要光刻膠

為了生產(chǎn)高純度、高質(zhì)量的光刻膠,需要高純度的配方原料,例如光刻樹脂,溶劑PGMEA…此外,生產(chǎn)過程中的反應(yīng)釜鍍膜和金屬析出污染監(jiān)測(cè)也是至關(guān)重要的控制環(huán)節(jié)。例如,2019年,某家半導(dǎo)體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染,導(dǎo)致上萬片12吋晶圓報(bào)廢
2023-11-27 17:15:48550

#半導(dǎo)體 #Q3季度 全球半導(dǎo)體設(shè)備巨頭,Q3過得怎么樣?

半導(dǎo)體
深圳市浮思特科技有限公司發(fā)布于 2023-11-23 14:43:38

#芯片 # 1nm芯片傳出新進(jìn)展,代工先進(jìn)制程競(jìng)賽日益激烈!

半導(dǎo)體
深圳市浮思特科技有限公司發(fā)布于 2023-11-23 14:41:28

西隴科學(xué)9天8板,回應(yīng)稱“未生產(chǎn)、銷售光刻膠

 20日,西隴科學(xué)(株)發(fā)布公告稱,該公司沒有生產(chǎn)銷售礦產(chǎn)品。公司生產(chǎn)及銷售用于清洗劑、顯影液、剝離液等的光刻膠,占公司營業(yè)收入的比例,是目前用于上述用途的光刻膠配套。
2023-11-21 14:54:57315

金屬Cr詳解

光刻過程中,鉻被用作掩膜版的關(guān)鍵材料。鉻在紫外光下表現(xiàn)出高光學(xué)密度,可以有效阻擋光線。在石英基板上通過PVD等方法均勻地沉積一層薄的鉻,在其上涂覆一層光刻膠,再使用電子束光刻,顯影,在光刻膠上做出預(yù)期的圖形,之后進(jìn)行Cr的刻蝕,最后去除光刻膠,即可得到掩膜版。
2023-11-20 17:07:57836

鼎龍(仙桃)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園投產(chǎn)

據(jù)鼎龍控股集團(tuán)消息,鼎龍(仙桃)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園區(qū)占地218畝,建筑面積11.5萬平方米,項(xiàng)目總投資約10億元人民幣。經(jīng)過15個(gè)月的建設(shè),同時(shí)進(jìn)入千噸級(jí)半導(dǎo)體oled面板光刻膠(pspi)、萬噸級(jí)cmp拋光液(slurry)和萬噸級(jí)cmp拋光液用納米粒子研磨法等
2023-11-17 10:56:40694

光刻膠黏度如何測(cè)量?光刻膠需要稀釋嗎?

光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體,不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項(xiàng)重要指標(biāo)。那么光刻膠的黏度為什么重要?黏度用什么表征?哪些光刻膠算高黏度,哪些算低黏度呢?
2023-11-13 18:14:11571

幾何形貌測(cè)量及參數(shù)自動(dòng)檢測(cè)機(jī)

WD4000幾何形貌測(cè)量及參數(shù)自動(dòng)檢測(cè)機(jī)通過非接觸測(cè)量,將的三維形貌進(jìn)行重建,強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算厚度,TTV,BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止產(chǎn)生劃痕缺陷
2023-11-06 10:49:18

半導(dǎo)體幾何形貌自動(dòng)檢測(cè)機(jī)

WD4000系列半導(dǎo)體幾何形貌自動(dòng)檢測(cè)機(jī)采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù),完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖,實(shí)現(xiàn)厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR
2023-11-06 10:47:07

晶瑞電材子公司引入戰(zhàn)投中石化資本,定增募資8.5億元加碼光刻膠項(xiàng)目

股,募集資金人民幣850,000,002.24元,用于瑞紅蘇州先進(jìn)制程工藝半導(dǎo)體光刻膠及配套試劑業(yè)務(wù)的研發(fā)、采購、生產(chǎn)和銷售及相關(guān)投資。
2023-11-02 10:59:26555

半導(dǎo)體關(guān)鍵材料光刻膠市場(chǎng)格局發(fā)展現(xiàn)狀

生產(chǎn)光刻膠的原料包括光引發(fā)劑(光增感劑、光致產(chǎn)酸劑幫助其更好發(fā)揮作用)、樹脂、溶劑和其他添加劑等,我國由于資金和技術(shù)的差距,如感光劑、樹脂等被外企壟斷,所以光刻膠自給能力不足。
2023-11-01 15:51:48138

半導(dǎo)體制造領(lǐng)域光刻膠的作用和意義

光刻半導(dǎo)體加工中最重要的工藝之一,決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時(shí)間的40%-50%,占其總成本的30%。光刻膠光刻環(huán)節(jié)關(guān)鍵耗材,其質(zhì)量和性能與電子器件良品率、器件性能可靠性直接相關(guān)。
2023-10-26 15:10:24359

具有獨(dú)特底部輪廓的剝離光刻膠的開發(fā)

金屬圖案的剝離方法已廣泛應(yīng)用于各種電子器件的制造過程中,如半導(dǎo)體封裝、MEMS和LED的制造。與傳統(tǒng)的金屬刻蝕方法不同的是,采用剝離法的優(yōu)點(diǎn)是節(jié)省成本和工藝簡(jiǎn)化。在剝離過程中,經(jīng)過涂層、曝光和開發(fā)過程后,光刻膠會(huì)在晶片上形成圖案。
2023-10-25 10:40:05185

光學(xué)光刻技術(shù)有哪些分類 光刻技術(shù)的原理

光學(xué)光刻通過廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫在涂有光刻膠的硅片上,通過光的照射,光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統(tǒng)能獲得的分辨率直接相關(guān),而減小照射光源的波長是提高分辨率的最有效途徑。
2023-10-24 11:43:15271

半導(dǎo)體表面三維形貌測(cè)量設(shè)備

WD4000半導(dǎo)體表面三維形貌測(cè)量設(shè)備自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。可廣泛應(yīng)用于襯底制造、制造、及封裝工藝檢測(cè)、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工、顯示
2023-10-23 11:05:50

深圳半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備廠商

WD4000半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。1、使用光譜共焦對(duì)射技術(shù)測(cè)量Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI
2023-10-19 11:08:24

無圖幾何量測(cè)系統(tǒng)

WD4000無圖幾何量測(cè)系統(tǒng)自動(dòng)測(cè)量 Wafer 厚度 、表面粗糙度 、三維形貌 、單層膜厚 、多層膜厚 。使用光譜共焦對(duì)射技術(shù)測(cè)量 Thickness 、TTV 、LTV 、BOW
2023-10-18 09:09:00

半導(dǎo)體制造之光刻原理、工藝流程

光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一,是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成,是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化學(xué)反應(yīng),經(jīng)曝光、顯影等光刻工藝,將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上,是用于微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性電子化學(xué)品。
2023-10-09 14:34:491674

EUV光刻膠開發(fā)面臨哪些挑戰(zhàn)?

EUV光刻膠材料是光敏物質(zhì),當(dāng)受到EUV光子照射時(shí)會(huì)發(fā)生化學(xué)變化。這些材料在解決半導(dǎo)體制造中的各種挑戰(zhàn)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用,包括提高靈敏度、控制分辨率、減少線邊緣粗糙度(LER)、降低釋氣和提高熱穩(wěn)定性。
2023-09-11 11:58:42349

半導(dǎo)體芯片為什么要在真空下進(jìn)行

,在半導(dǎo)體芯片制造過程中,需要保證高質(zhì)量和高效率,而真空環(huán)境的應(yīng)用在半導(dǎo)體芯片制造中已然成為了必須進(jìn)行的環(huán)節(jié)。 半導(dǎo)體芯片有兩個(gè)主要的制造過程,一個(gè)是前期的光刻和沉積,另一個(gè)是晶圓清洗和烘干。在這兩個(gè)制造過程中,真空
2023-09-07 16:04:271038

濱正紅PFA花籃特氟龍盒本底低4寸6寸

PFA花籃(PFA wafer Cassette) 又名 清洗花藍(lán) ,鐵氟龍卡匣 , 鐵氟龍舟盒 ,鐵氟龍盒為承載半導(dǎo)體片/硅片
2023-08-29 08:57:51

半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解

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2023-08-24 10:38:541221

什么是光刻工藝?光刻的基本原理

光刻半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟,耗時(shí)長、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上,這一過程通過光刻來實(shí)現(xiàn), 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:531586

高精度半導(dǎo)體芯片推拉力測(cè)試儀免費(fèi)測(cè)樣品

高精度半導(dǎo)體芯片推拉力測(cè)試儀免費(fèi)測(cè)樣品半導(dǎo)體芯片測(cè)試是半導(dǎo)體制造過程中非常重要的一環(huán)。芯片測(cè)試流程:芯片測(cè)試一般分為兩個(gè)階段,一個(gè)是CP(Chip Probing)測(cè)試,也就是(Wafer)測(cè)試
2023-08-22 17:54:57

年產(chǎn)千噸電子級(jí)光刻膠原材料,微芯新材生產(chǎn)基地簽約湖州

湖州國資消息,寧波微芯新材料科技有限公司的半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地項(xiàng)目總投資3.5億元人民幣,用地35畝,年產(chǎn)1000噸的電子級(jí)光刻膠原材料(光刻膠樹脂、高等級(jí)單體等核心材料)基地建設(shè)。”全部達(dá)到,預(yù)計(jì)年產(chǎn)值可達(dá)到約5億元。
2023-08-21 11:18:26942

半導(dǎo)體前端工藝:沉積——“更小、更多”,微細(xì)化的關(guān)鍵

半導(dǎo)體制程中,移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種,引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如,光刻工藝中的光刻膠涂敷,其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜;又如氧化工藝中晶圓(硅)氧化,也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢?
2023-08-17 15:33:27370

光刻膠產(chǎn)業(yè)大會(huì)在邳舉行,上達(dá)電子等與會(huì)!

會(huì)上,經(jīng)開區(qū)分別同4家企業(yè)就功率器件IC封測(cè)項(xiàng)目、超級(jí)功率電池及鋰電池PACK產(chǎn)線項(xiàng)目、氫能產(chǎn)業(yè)集群項(xiàng)目、高性能電池項(xiàng)目進(jìn)項(xiàng)現(xiàn)場(chǎng)簽約。會(huì)議還舉行了《2023勢(shì)銀光刻膠產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍(lán)皮書》發(fā)布儀式。
2023-08-16 15:30:38483

半導(dǎo)體蝕刻系統(tǒng)市場(chǎng)預(yù)計(jì)增長到2028年的120億美元,復(fù)合年增長率為2.5%

半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備是半導(dǎo)體製造過程中使用的設(shè)備。 化學(xué)溶液通過將晶片浸入化學(xué)溶液(蝕刻劑)中來選擇性地去除半導(dǎo)體晶片的特定層或區(qū)域,化學(xué)溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319

先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣?

先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣?
2023-08-08 14:56:29

光刻技術(shù)概述及其分類

光刻是一種圖像復(fù)制技術(shù),是集成電路工藝中至關(guān)重要的一項(xiàng)工藝。簡(jiǎn)單地說,光刻類似照相復(fù)制方法,即將掩膜版上的圖形精確地復(fù)制到涂在硅片表面的光刻膠或其他掩蔽膜上面,然后在光刻膠或其他掩蔽膜的保護(hù)下對(duì)硅片進(jìn)行離子注入、刻蝕、金屬蒸鍍等。
2023-08-07 17:52:531480

半導(dǎo)體光刻工藝 光刻半導(dǎo)體電路的繪制

金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的革命,讓我們可以在相同面積的晶圓上同時(shí)制造出更多晶體管。
2023-07-27 15:24:51609

半導(dǎo)體制造會(huì)被日本斷血嗎?

日本在半導(dǎo)體界一直以設(shè)備和材料笑傲群雄,2019年一則禁令一度扼住韓國半導(dǎo)體喉嚨,涉及材料包括高純氟化氫、氟聚酰亞胺、感光劑光刻膠,直到幾個(gè)月前,受傷的雙方才握手言和。
2023-07-27 09:54:55828

***和半導(dǎo)體有什么關(guān)系

IRDS路線圖光刻委員會(huì)主席、廈門大學(xué)嘉庚創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)業(yè)運(yùn)營平臺(tái)科技總監(jiān),廈門大學(xué)半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)學(xué)院客座教授Mark Neisser對(duì)光刻技術(shù)與半導(dǎo)體路線之間的關(guān)系進(jìn)行了詳細(xì)解讀。
2023-07-24 09:58:20927

半導(dǎo)體材料PCT老化試驗(yàn)箱

半導(dǎo)體材料PCT老化試驗(yàn)箱產(chǎn)品用途: 半導(dǎo)體材料PCT老化試驗(yàn)箱特點(diǎn):1.幅內(nèi)襯,不銹鋼幅型內(nèi)襯設(shè)計(jì),可避免蒸氣潛熱直接沖擊試品。2.實(shí)驗(yàn)開始前之真空動(dòng)作可將原來箱內(nèi)之空氣抽出并吸入
2023-07-18 10:37:12

光刻掩膜版測(cè)溫儀,光刻機(jī)曝光光學(xué)系統(tǒng)測(cè)溫儀

光刻膠(光敏進(jìn)行光刻,將圖形信息轉(zhuǎn)移到基片上,從而實(shí)現(xiàn)微細(xì)結(jié)構(gòu)的制造。光刻機(jī)的工作原理是利用光學(xué)系統(tǒng)將光線聚焦到光刻膠上,通過掩膜版(也稱為光刻掩膜)上的圖形
2023-07-07 11:46:07

虹科案例 | 用于低成本改造光刻設(shè)備的UV紫外光源

? ? 紫外光刻和曝光 是半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)各種高端芯片、微觀電路結(jié)構(gòu)的核心技術(shù)。在紫外光刻過程中,光源發(fā)射的紫外線通過掩模上的微小透鏡或光柵,然后投射到光刻膠層上,形成所需的微細(xì)圖案。 長期以來
2023-07-05 10:11:241026

測(cè)溫系統(tǒng),測(cè)溫?zé)犭娕迹?b class="flag-6" style="color: red">晶測(cè)溫裝置

 測(cè)溫系統(tǒng),測(cè)溫?zé)犭娕迹?b class="flag-6" style="color: red">晶測(cè)溫裝置一、引言隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,制造工藝對(duì)溫度控制的要求越來越高。熱電偶作為一種常用的溫度測(cè)量設(shè)備,在制造中具有重要的應(yīng)用價(jià)值。本文
2023-06-30 14:57:40

半導(dǎo)體前端工藝:沉積——“更小、更多”,微細(xì)化的關(guān)鍵(上)

半導(dǎo)體制程中,移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種,引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如,光刻工藝中的光刻膠涂敷,其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜;又如氧化工藝中晶圓(硅)氧化,也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢?
2023-06-29 16:58:37404

淺談半導(dǎo)體制造中的刻蝕工藝

在上一篇文章,我們介紹了光刻工藝,即利用光罩(掩膜)把設(shè)計(jì)好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步,將在晶圓上進(jìn)行刻蝕工藝,以去除不必要的材料,只保留所需的圖形。
2023-06-28 10:04:58843

日本光刻膠巨頭JSR同意國家收購

JSR 是全球僅有的四家 EUV 光刻膠供應(yīng)商之一,其產(chǎn)品是制造先進(jìn)芯片必不可少的原料。
2023-06-27 15:51:21597

臭氧檢測(cè)儀的原理與應(yīng)用

法是最常用的一種原理,它利用臭氧在紫外波段具有特定吸收特性的原理,通過光譜技術(shù)來測(cè)量臭氧濃度。 二、臭氧檢測(cè)儀的應(yīng)用領(lǐng)域 1. 環(huán)境監(jiān)測(cè) 環(huán)境監(jiān)測(cè)部門使用臭氧檢測(cè)儀對(duì)大氣中的臭氧濃度進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè),以評(píng)估空氣質(zhì)量。通過
2023-06-26 16:48:24547

半導(dǎo)體圖案化工藝流程之刻蝕(一)

圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。其中,刻蝕工藝是光刻(Photo)工藝的下一步,用于去除光刻膠(Photo Resist
2023-06-26 09:20:10816

繞不過去的測(cè)量

YS YYDS發(fā)布于 2023-06-24 23:45:59

光刻中承上啟下的半導(dǎo)體掩膜版

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/周凱揚(yáng))在上游的半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)中,除了光刻機(jī)等設(shè)備外,光刻膠、掩膜版等材料也是決定晶圓質(zhì)量與良率的關(guān)鍵因素。就拿掩膜版來說,這個(gè)承載設(shè)計(jì)圖形的材料,經(jīng)過曝光后將圖形信息轉(zhuǎn)移到
2023-06-22 01:27:001984

2022年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)銷售額增長8.9%,中國大陸排名第二

的“動(dòng)蕩”。 ? 按應(yīng)用環(huán)節(jié)來劃分,半導(dǎo)體材料可分為前端晶圓制造材料和后端封裝材料兩大類。前端晶圓制造材料包括:硅片、電子氣體、光刻膠、光掩膜版、CMP材料、靶材等;后端封裝材料包括封裝基板、引線框架、陶瓷材料、切割材
2023-06-20 01:21:003728

半導(dǎo)體前端工藝:刻蝕——有選擇性地刻蝕材料,以創(chuàng)建所需圖形

半導(dǎo)體制程工藝中,有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝,如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉,“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料,從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備,在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:571177

光刻膠國內(nèi)頭部企業(yè)阜陽欣奕華完成超5億元D輪融資

來源:欣奕華材料 據(jù)欣奕華材料官微消息,近日,國內(nèi)光刻膠龍頭企業(yè)阜陽欣奕華材料科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“阜陽欣奕華”)完成超5億元人民幣 D 輪融資。 據(jù)悉,本輪融資由盛景嘉成母基金
2023-06-13 16:40:00552

半導(dǎo)體制備的主要方法

光刻法是微電子工藝中的核心技術(shù)之一,常用于形成半導(dǎo)體設(shè)備上的微小圖案。過程開始于在硅片上涂布光刻膠,隨后對(duì)其進(jìn)行預(yù)熱。接著,選擇一種光源(如深紫外光或X光)透過預(yù)先設(shè)計(jì)好的掩模圖案照射在硅片
2023-06-09 11:36:522037

化學(xué)放大型光刻膠的作用原理

感光速度:即光刻膠受光照射發(fā)生溶解速度改變所需的最小能量,感光速度越快,單位時(shí)間內(nèi)芯片制造的產(chǎn)出越高,經(jīng)濟(jì)效益越好,另-方面,過快的感光速度會(huì)對(duì)引起工藝寬容度的減小,影響工藝制程的穩(wěn)定性。
2023-05-25 09:46:09561

采用光刻膠犧牲層技術(shù)改善薄膜電路制備工藝

改善之后的工藝與之前最大的區(qū)別在于使用光刻膠充當(dāng)濺射的掩膜,在電鍍之前將電路圖形高精度的制備出來,不再進(jìn)行濕法刻蝕,避免了側(cè)腐蝕對(duì)線條精度和膜基結(jié)合力的影響,同時(shí),基板只浸入丙酮中一次以去除光刻膠,避免了大量溶液的使用
2023-05-16 09:40:351218

一文講透光刻膠及芯片制造關(guān)鍵技術(shù)

在集成電路制造領(lǐng)域,如果說光刻機(jī)是推動(dòng)制程技術(shù)進(jìn)步的“引擎”,光刻膠就是這部“引擎”的“燃料”。
2023-05-13 11:28:381122

全面解讀光刻膠工藝制造流程

光刻膠可以通過光化學(xué)反應(yīng),經(jīng)曝光、顯影等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓?xì)圖形從光罩(掩模版)轉(zhuǎn)移到待加工基片上。依據(jù)使用場(chǎng)景,這里的待加工基片可以是集成電路材料,顯示面板材料或者印刷電路板。
2023-05-11 16:10:492775

切割槽道深度與寬度測(cè)量方法

半導(dǎo)體大規(guī)模生產(chǎn)過程中需要在上沉積集成電路芯片,然后再分割成各個(gè)單元,最后再進(jìn)行封裝和焊接,因此對(duì)切割槽尺寸進(jìn)行精準(zhǔn)控制和測(cè)量,是生產(chǎn)工藝中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。  
2023-05-09 14:12:38

共聚焦顯微鏡精準(zhǔn)測(cè)量激光切割槽

 半導(dǎo)體大規(guī)模生產(chǎn)過程中需要在上沉積集成電路芯片,然后再分割成各個(gè)單元,最后再進(jìn)行封裝和焊接,因此對(duì)切割槽尺寸進(jìn)行精準(zhǔn)控制和測(cè)量,是生產(chǎn)工藝中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。 
2023-04-28 17:41:49

EUV光刻的無名英雄

晶圓廠通常使用光刻膠來圖案化抗蝕刻硬掩模,然后依靠硬掩模來保護(hù)晶圓。但是,如果光刻膠太薄,它可能會(huì)在第一個(gè)轉(zhuǎn)移步驟完成之前被侵蝕掉。隨著光刻膠厚度的減小,底層厚度也應(yīng)該減小。
2023-04-27 16:25:00689

2023年最強(qiáng)半導(dǎo)體品牌Top 10!第一名太強(qiáng)大了!

最強(qiáng)品牌排名中,臺(tái)積電位列第一。 Brand Finance通過計(jì)算品牌價(jià)值,以及透過市場(chǎng)環(huán)境、股東權(quán)益、商業(yè)表現(xiàn)等諸多指標(biāo),評(píng)估品牌的相對(duì)強(qiáng)度。最終,臺(tái)積電以品牌分?jǐn)?shù)78.9分的最高分,成為半導(dǎo)體
2023-04-27 10:09:27

光刻技術(shù)的種類介紹

根據(jù)維基百科的定義,光刻半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟,該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu),然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓,還可以是其他金屬層、介質(zhì)層,例如玻璃、SOS中的藍(lán)寶石。
2023-04-25 11:11:331243

光刻技術(shù)的詳細(xì)工序

清洗硅片(Wafer Clean) 清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少針孔和其它缺陷,提高光刻膠黏附性 基本步驟:化學(xué)清洗——漂洗——烘干。
2023-04-25 11:09:403859

光刻技術(shù)的原理及發(fā)展前景分析

光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化,從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上,從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-04-25 11:05:322260

半導(dǎo)體行業(yè)載碼體閱讀器 低頻一體式RFID讀寫器

JY-V620是一款集天線、放大器、控制器、紅外感應(yīng)于一體的半導(dǎo)體電子貨架RFID讀寫器,工作頻率134.2kHz,兼容TI系列玻璃管標(biāo)簽。工作時(shí)讀寫器通過紅外感應(yīng)FOUP盒,觸發(fā)天線讀取
2023-04-23 10:45:24

PCB制造過程分步指南

。  此步驟僅適用于兩層以上的電路板。簡(jiǎn)單的兩層板可跳過鉆孔。多層板需要更多步驟。  步驟4:移除不需要的銅  去除光刻膠并用硬化的光刻膠覆蓋我們希望保留的銅之后,電路板將繼續(xù)進(jìn)行下一階段:去除不需要
2023-04-21 15:55:18

負(fù)光刻膠顯影殘留原因

151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會(huì)有一撮殘留,找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52

國內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長,歡迎廣大客戶通過華秋商城購買導(dǎo)系列產(chǎn)品

、可穿戴設(shè)備、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、新能源、醫(yī)療電子、VR/AR、安防電子等新興應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒊蔀閲鴥?nèi)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)的持續(xù)增長點(diǎn)。導(dǎo)成立于2013年,聚焦二極管、整流橋等半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品以及集成電路
2023-04-14 16:00:28

國內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長

、可穿戴設(shè)備、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、新能源、醫(yī)療電子、VR/AR、安防電子等新興應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒊蔀閲鴥?nèi)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)的持續(xù)增長點(diǎn)。導(dǎo)成立于2013年,聚焦二極管、整流橋等半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品以及集成電路
2023-04-14 13:46:39

淺談EUV光刻中的光刻膠和掩模等材料挑戰(zhàn)

新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開發(fā),必須通過精心設(shè)計(jì)的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進(jìn)行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn),imec 最近開發(fā)了一個(gè)新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:121164

高端光刻膠通過認(rèn)證 已經(jīng)用于50nm工藝

此前該公司指出,公司已建成年產(chǎn)5噸ArF干式光刻膠生產(chǎn)線、年產(chǎn)20噸ArF浸沒式光刻膠生產(chǎn)線及年產(chǎn)45噸的光刻膠配套高純?cè)噭┥a(chǎn)線,具備ArF光刻膠及配套關(guān)鍵組分材料的生產(chǎn)能力,目前公司送樣驗(yàn)證的產(chǎn)品均由該自建產(chǎn)線產(chǎn)出。
2023-04-11 09:25:32920

是德科技半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和測(cè)試北京實(shí)驗(yàn)室正式開放

日前,是德科技成立【半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和測(cè)試北京實(shí)驗(yàn)室】(SEMICONDUCTOR DESIGN AND TEST BEIJING LABORATORY),并邀請(qǐng)各路專家見證啟動(dòng)開幕。實(shí)驗(yàn)室以是德測(cè)試
2023-03-27 09:28:42943

被卡脖子的半導(dǎo)體設(shè)備(萬字深度報(bào)告)

光刻是將設(shè)計(jì)好的電路圖從掩膜版轉(zhuǎn)印到晶圓表面的光刻膠上,通過曝光、顯影將目標(biāo)圖形印刻到特定材料上的技術(shù)。光刻工藝包括三個(gè)核心流程:涂膠、對(duì)準(zhǔn)和曝光以及光刻膠顯影,整個(gè)過程涉及光刻機(jī),涂膠顯影機(jī)、量測(cè)設(shè)備以及清洗設(shè)備等多種核心設(shè)備,其中價(jià)值量最大且技術(shù)壁壘最高的部分就是光刻機(jī)。
2023-03-25 09:32:394952

被卡脖子的半導(dǎo)體材料(萬字深度報(bào)告)

根據(jù)SEMI數(shù)據(jù),2020年全球晶圓制造材料中,硅片占比最高,為35%;電子氣體排名第2,占比13%;掩膜版排名第3,占比12%,光刻膠占比6%;光刻膠配套材料占比8% ;濕電子化學(xué)品占比7%;CMP拋光材料占比6%;靶材占比2%。
2023-03-25 09:30:544119

GTC 2023 NVIDIA將加速計(jì)算引入半導(dǎo)體光刻 計(jì)算光刻技術(shù)提速40倍

GTC 2023 NVIDIA將加速計(jì)算引入半導(dǎo)體光刻 計(jì)算光刻技術(shù)提速40倍 NVIDIA cuLitho的計(jì)算光刻庫可以將計(jì)算光刻技術(shù)提速40倍。這對(duì)于半導(dǎo)體制造而言極大的提升了效率。甚至可以說
2023-03-23 18:55:377489

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