摘要
半導體行業的研究人員研究了臭氧對wafer-cleaning的應用程序。 來 降低化學品消耗,降低成本,提高清洗效率,對臭氧進行了研究作為一種替代,傳統的硫酸-過氧化氫 RCA用堿性(SC-1)和酸性來清洗。它是 (SC-2)過氧化氫混合物 這是因為消毒活動產生的多重影響 。
圖1:三步ACD原理圖清洗系統配置
DIO3可降解有機物污染
圖2:三種清潔工藝后典型的殘余金屬表面濃度 在硅片上:在HF/O3干燥器中一步的過程,修改的RCA清潔,和一個堿性蝕刻
尋找一個替代 RCA清洗
圖3:三種類型的CMOS器件的跨導數據(a)和飽和電流數據(b)
結論
濕式清洗工藝將繼續發揮作用在半導體制造中扮演著重要的角色晶圓結構的復雜性增加。 在可靠的臭氧產生系統發展,使臭氧牽引替代傳統的濕清洗和pho抵抗去除方法。 臭氧/水清潔產品更便宜,更環保。
審核編輯:湯梓紅
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